C552QW09123HSF制程DIPprofile量測規(guī)范及標準規(guī)格

1、 MSI Computer (Shenzhen) Co., Ltd.恩斯邁電子(深圳)有限公司文件申請單(C-0-6-0-QP0501-01)類別 正式 暫行區(qū)別： 新建 變更作廢 申請日期：2008 年8月 30 日文件名稱：MSI  HSF制程DIPprofile量測規(guī)范及標準規(guī)格版本：8.0單位(部門)主管: 蔡輝展0905 1606申請部門：新技術整合課文件編號：C-5-5-2-QW09123生效日期：2008年 09 月20日內(nèi)容：規(guī)范MSI  HSF制程DIP profile量測申請人:程釗鋒0905 1530文管確認部門稽核室營運管理室中央關務室法務室勞工安全

2、衛(wèi)生室資訊中心管理處業(yè)務處研發(fā)處資材處品保處制造能力整合技術處主機板產(chǎn)品處多媒體產(chǎn)品處企業(yè)平臺產(chǎn)品處系統(tǒng)產(chǎn)品處消費性電子產(chǎn)品處人力資源部公共事務部BAN採購部B A N產(chǎn)銷管理部TS3資材部CE資材部520專案部技術整合部產(chǎn)品測試技術發(fā)展部樣品試產(chǎn)部設備資源整合部客退品服務部邱聖峰審核蔡輝展邱偉倫林德修邱聖峰發(fā)文數(shù)量簽收繳回數(shù)量簽收文管確認部門品質(zhì)專案管理部供應商管理部主機板制造專案管理部主機板工程部主機板制造部主機板品保部多媒體制造專案管理部多媒體工程部多媒體制造部多媒體品保部企業(yè)平臺制造專案管理部企業(yè)平臺工程部企業(yè)平臺制造部企業(yè)平臺品保部系統(tǒng)制造專案管理部系統(tǒng)工程部系統(tǒng)制造部系統(tǒng)品保部消費

3、性電子專案管理部消費性電子工程部消費性電子制造部消費性電子品保部邱聖峰審核周裕翔棋文任劭張維鈞王秀蘭張志源楊明篤何馨吳文宏林龍吉林龍吉陳文欽袁芬李和明吳俊瑤朱文玲邱聖峰發(fā)文數(shù)量簽收繳回數(shù)量簽收核準發(fā)行: 蔡輝展0905 16062008.1.28 Ver:5.0 MSI Computer (Shenzhen) Co., Ltd.恩斯邁電子(深圳)有限公司文件履歷表 (C-0-6-0-QP0501-02 ) 版 次變 更 理 由變 更 內(nèi) 容生 效 日 期1.02.03.04.05.06.07.08.0 新增 修改新增修改修改 新增修改修改 新增新增修改第二頁5.2.2.2&5.2.2.

4、8 刪除第四頁附件修改5.2.2.5新增5.3 Wave Solder校驗，4.5.6頁表格 修改第一頁5.1.1.2.1.d項.第2頁5.2.2.5項；修改第5頁表格新增第二頁5.2.3項；新增錫銅焊錫規(guī)格將全文RoHS字樣，修改為HSF，版本統(tǒng)一升級為6.0刪除第2頁5.2中，各profile規(guī)格中的flux型號和錫棒廠商/型號增加第3頁5.2.4中，profile制作注意事項修改P2 5.1.1.2.3 測溫點的選擇(for M/B) 2.2 g修改 P3 5.2.3.7 浸錫面焊錫點之最高溫度為：227-270增加P4 5.5 Golden profile 的建立增加P4 5.6 WI

5、參數(shù)說明2004.10.122005.01.172005.05.18 2005.12.032006.11.072006.12.302007.10.152008.9.20頁 數(shù) 1234567版 序6.08.08.08.06.06.06.0頁 數(shù)版 序 2005.10.17 Ver:1.0標準作業(yè)指導書 恩斯邁電子主 題MSI  HSF制程DIP profile量測規(guī)范及標準規(guī)格生 效 日 期2006年12 月30日分 類 編 號C-5-5-2-QW09123修 訂 版 序6.0頁 次11.0 目的1.1建立MSI  HSF錫爐profile的標準規(guī)格，作為profile量測

6、人員的參考依據(jù)。1.2規(guī)范MSI  HSF錫爐profile的量測方法，以確保MSI  HSF錫爐的焊錫品質(zhì)。2.0 範圍MSI  HSF制程DIP段profile 3.0 組織與權責制造部各課，錫爐作業(yè)人員及錫爐profile測試人員 4.0 流程圖無5.0 作業(yè)內(nèi)容、規(guī)定、注意事項 5.1 MSI  HSF制程DIP profile量測規(guī)范 5.1.1MSI  HSF制程DIP profile測試板的制作 5.1.1.1 所需材料 a. PCB板 b. 熱偶線 d. 銀膠 注：不可使用高溫錫絲來固定測溫線(因為高溫錫絲含鉛量過高)。 5.1

7、.1.2.1測溫點的選擇(for card)：a. BGA本體之中心位置(若有多顆BGA則選最大的一顆；如果沒有BGA，則選不小於48pin IC或100pin QFP零件之焊點)；b. BGA(最大顆)邊緣之錫球上(如無BGA可取消此點)；c. BGA邊最小電容之焊點(如無BGA可取不小于48pin IC零件或100pinQFP零件)；d. 3/4通孔處（測溫頭要連接主要DIP connector PTH橫切面的75%處）；e. DIP零件VGA、COM或USB接口之Through hole通孔焊點 (錫面露線頭)； f. PCB板面(此profile量測點須布置在載具未覆蓋區(qū)域的上表面)。

8、注：如PCB板上無BGA零件、沒有大於或等於48pin IC與100pin的QFP零件,此機種可取消profile制作(但必須測量板溫)。 5.1.1.2.2 測溫點圖示 BGA本體之中心及其邊緣之錫球 最小電容之焊接點 IC之焊接點 DIP零件Through hole焊接點 PCB板面 錫面露出的測溫線在5mm以內(nèi)標準作業(yè)指導書 恩斯邁電子主 題MSI  HSF制程DIP profile量測規(guī)范及標準規(guī)格生 效 日 期2007年10 月15日分 類 編 號C-5-5-2-QW09123修 訂 版 序8.0頁 次25.1.1.2.3 測溫點的選擇(for M/B)：a. PCA之北橋

9、BGA本體之中心位置(若有多顆BGA,則選擇最大顆BGA)；b. PCA之北橋(最大顆)BGA邊緣之錫球上；c. PCA之板上最小電容零件之焊接點；d. PCA DIMM槽下之焊接點；e. PCA之南橋BGA本體之中心位置；f. PCA板面(此Profile量測點須布置在載具未覆蓋區(qū)域的上表面)。注：1.如Bottom side有MOS或有大於或等於100pin QFP零件和48pin IC零件時需用其中一點取代C項(按順序：MOSQFPIC)；2. 2. DELL特別要求：c點改為北橋BGA邊緣與b點對角之錫球上。 g. DIP最小電容錫面零件腳 5.1.1.2.4 測溫點圖示(for M/

10、B) 北橋(BGA)本體中心、邊綠 南橋(BGA)本體中心 DIMM槽下之焊接點錫球與電容之焊點5.1.1.2.5測溫點的選擇(for HP)(a).小BGA中心錫球；(b).小BGA角落錫球；(c).大BGA中心錫球；(d).大BGA角落錫球；(e).DIMM槽中間或邊緣SMT Chip零件；(f).接口類零件錫面零件腳；(g).DIMM槽或PCI錫面零件腳；(h).DIP最小電容錫面零件腳； 5.1.2 MSI  HSF制程DIP profile的量測步驟： 1.按要求制作profile測試板； 2.按規(guī)定之spec設定錫爐參數(shù)； 3.用實板調(diào)整軌道寬度(鏈條速度為零時才能調(diào)整)

11、； 4.待鏈速及錫波穩(wěn)定後測量錫波高度，並用測溫儀測錫溫，看其是否滿足spec；5.將測溫線接頭依編號分別接上Datapaq上，將Datapaq置於隔熱盒內(nèi)，並將隔熱盒放於一載具上； 6.在確定所有參數(shù)無誤後，方可以進行測試。5.2 MSI  HSF制程DIP profile規(guī)格： 5.2.1 for NEC(MSI  HSF) 5.2.1.1 室溫至105溫升斜率<4/sec5.2.1.2 吃錫時間(平流波+擾流波):5+/-0.5 sec5.2.1.3 PCB上表面預熱溫度100-1205.2.1.4 BGA solder ball溫度<1705.2.1.5

12、 零件面之峰值溫度<1605.2.1.6 錫溫255+/-55.2.1.7 浸錫面焊錫點之最高溫度221-2605.2.1.8 120 <Tg<170;Ta<120 5.2.2 for 錫銀銅(MSI  HSF)(如DELL) 5.2.2.1 室溫至105溫升斜率<4/sec標準作業(yè)指導書恩斯邁電子主 題MSI  HSF制程DIP profile量測規(guī)范及標準規(guī)格生 效 日 期2007年10 月15日分 類 編 號C-5-5-2-QW09123修 訂 版 序8.0頁 次35.2.2.2 吃錫時間2.5-5sec5.2.2.3 PCB上表面預熱溫

13、度80-100(DELL機種85100) 5.2.2.4 BGA solder ball溫度<1705.2.2.5 零件面之峰值溫度<1905.2.2.6 錫溫260+/-55.2.2.7 浸錫面焊錫點之最高溫度221-2605.2.2.8 120 <Tg<170;Ta<1205.2.3for錫銅(MSI  HSF)(如 HP) 5.2.3.1 室溫至105溫升斜率<4/sec5.2.3.2 吃錫時間2.5-5sec5.2.3.3 BGA solder ball溫度<1705.2.3.4 零件面之峰值溫度<1905.2.3.5 PCB上

14、表面預熱溫度100-1205.2.3.6 錫溫270+/-25.2.3.7 浸錫面焊錫點之最高溫度為：227-2705.2.3.8 120 <Tg<170;Ta<120 5.2.4 注意事項 5.2.4.1 DIP Profile板上的測溫點銀膠量，剛好蓋住測溫點即可； 5.2.4.2 DIP Profile板，背面測溫點的熱偶線必須由正面打孔穿過，且打孔位置與測溫點距離在5mm以內(nèi)；Profile板放在相應的載具上時，測溫線不可被載具和板壓住； 5.2.4.3量測profile時，不可將裝有Datapaq測溫器的隔熱盒直接置於profile板之上進行量測，應準備 一個空過錫

15、爐載具，隨profile板之後進爐，而隔熱盒應放置於此空載具之上進行profile量測。 5.2.4.4生產(chǎn)異常時重新量測profile，若profile不合格時.需重新設定參數(shù)並將其更改參數(shù)填入錫爐操作參數(shù)設定作業(yè)標準變更記錄表參考錫爐操作參數(shù)設定作業(yè)標準變更記錄(C-5-1-2-QW0902-07),並再次量測profile(變更的參數(shù)必須在SOP的范圍內(nèi))。 5.2.4.5參數(shù)變更由錫爐操作員或錫爐領班變更並作記綠，由ME人員確認。5.3 Wave Solder校驗(按客戶要求) 5.3.1使用測溫板如圖示，材質(zhì)：FR4(測溫板粘貼部分)(每次測試200次須要進行更換載具上的FR4材質(zhì))

16、FR4測溫線 5.3.2MSI  HSF制程Wave Solder參數(shù)設定如下: WS-350PC參數(shù)設定：預熱一:340. 預熱二:360. 預熱三:380.錫溫:260.鏈速:100cm/min.Lambada Wave:25Hz. CP-2002 參數(shù)設定：預熱一.350. 預熱二.370. 預熱三.390.錫溫.260. 鏈速:100cm/min.Lambada Wave:600rpm. CP-2000 參數(shù)設定：預熱一.350. 預熱二.370. 預熱三.390.錫溫.260. 鏈速:100cm/min.Lambada Wave:450rpm. 5.3.3按上面的機臺型號，

17、設定固定參數(shù)，測試出25組數(shù)據(jù)統(tǒng)計分析建立校驗profile：上下規(guī)格范圍 (中心值±3倍標準差)，做出上下線作為校驗標準(用透明片制作)，錫爐校驗profile (Calibrate profile)統(tǒng)計分析表(C-5-5-2-QW09123-01) 5.3.4每月月保養(yǎng)後(24-28日)由錫爐維護員用校驗板測試一次profile並與校驗profile規(guī)格作比較，檢查測出的校驗profile是否在校驗標準profile的規(guī)格內(nèi)，對測試過的Profile要進行保存，填寫錫爐校驗Profile測試紀錄表(C-5-5-2-QW09123-02)，機臺大保養(yǎng)後也須要對其作校驗，以確保機臺的

18、溫度穩(wěn)定。 5.3.5如果測出的校驗profile與其標準校驗profile的規(guī)格不符時，應檢查profile板是否完好，如無問題，再重測profile，檢查是否符合規(guī)格並作紀錄。如仍然不符合應請設備工程師處理(如檢查加熱管道，溫度感應器有必要須要請應商協(xié)助處理)，等故障排除後再次測量profile，符合規(guī)格後方可生產(chǎn)。 5.4工程profile window建立(按客戶要求)：標準作業(yè)指導書 恩斯邁電子主 題MSI  HSF制程DIP Profile量測規(guī)范及標準規(guī)格生 效 日 期2006年12 月30日分 類 編 號C-5-5-2-QW09123修 訂 版 序8.0頁 次4 5.

19、4.3如果測出的產(chǎn)品profile與工程profile window規(guī)格不符時，應先檢查profile是否在spec以內(nèi)，profile板是否完好，並重測次profile，如還不符應反應ME工程師進行分析處理(確認機臺和測溫板無異常).確認OK後方可生產(chǎn)。 5.4.1工程profile window的建立：依據(jù)“5.2 MSI  HSF制程DIP profile規(guī)格”做出的profile window(profile window須用透明片制作，以便於對比)。 5.4.2工程profile window建立後要與每日量測的產(chǎn)品profile作對比，以確認產(chǎn)品profile在profi

20、le window的規(guī)格范圍之內(nèi)，對測試過的profile要進行保存.並填寫錫爐產(chǎn)品profile確認紀錄表(C-5-5-2-QW09123-03)。 5.5 Golden profile 的建立(for M/B- DELL)： 5.5.1每個機種均需要保留工程sample板。 5.5.2需把第一次調(diào)試OK的溫度profile圖用菲琳片打印出來並保存。 5.6 WI參數(shù)說明 5.6.1參數(shù)包括通用參數(shù)和可變參數(shù)(通用參數(shù)：sop有定義其設定標準；可變參數(shù)：根據(jù)實際制程進行設定的參數(shù)) 5.6.2可變參數(shù)位於WI的參數(shù)設置表格中，通用參數(shù)位於WI注意事項中。6.0 參考文件、附件及編號 6.1

21、CP-2002錫爐作業(yè)管理規(guī)范(C-5-1-5-QW0948) 6.2錫爐校驗Profile統(tǒng)計分析表(C-5-5-2-QW09123-01)6.3錫爐校驗Profile測試紀錄表(C-5-5-2-QW09123-02)6.4錫爐產(chǎn)品Profile確認紀錄表(C-5-5-2-QW09123-03)標準作業(yè)指導書 恩斯邁電子主 題MSI  HSF制程DIP Profile量測規(guī)范及標準規(guī)格生 效 日 期2006年12 月30日分 類 編 號C-5-5-2-QW09123修 訂 版 序6.0頁 次5MSI Computer (Shenzhen) Co., Ltd.恩斯邁電子(深圳)有限公司錫爐校驗Profile統(tǒng)計分析表(C-5-5-2-QW09123-01)線別：機臺編號：年月日次數(shù)樣本備注1X1填寫管控數(shù)據(jù)，如最高溫度.升溫斜率.升溫時間等參數(shù)。等2X23X34X45X56X67X78X89X910X1011X1112X12求和X平均值X標準差建立規(guī)格上限中心線下限說明：數(shù)據(jù)之統(tǒng)計必須來源于實際量測的Profile之真實數(shù)值。標準作業(yè)指導書恩斯邁電子主 題MS