電路基礎(chǔ)與集成電子技術(shù)-163 隨機(jī)存儲器RA.ppt

1、16.3 隨機(jī)存儲器,16.3.1 靜態(tài)RAM的結(jié)構(gòu)和工作原理,16.3.2 集成RAM,RAM是Random Access Memory的縮寫，通常稱為隨機(jī)存儲器，也稱為讀寫存儲器。它的特點(diǎn)是在工作過程中，數(shù)據(jù)可以隨時寫入和讀出，使用靈活方便，但所存數(shù)據(jù)在斷電后消失。 RAM按著工作原理分為,1. 靜態(tài)隨機(jī)存儲器SRAM：只要不斷電，數(shù)據(jù)不丟失,2. 動態(tài)隨機(jī)存儲器DRAM：通電時要不斷對存儲的數(shù) 據(jù)進(jìn)行刷新，否則數(shù)據(jù)丟 失,RAM電路由地址譯碼器、存儲矩陣和讀/寫控制電路組成，RAM的讀、寫操作由讀/寫控制電路管理。 RAM的核心是基本存儲單元，其結(jié)構(gòu)有雙極型和MOS型兩種，雙極型的已經(jīng)很

2、少使用,16.3.1 靜態(tài)RAM的結(jié)構(gòu)和工作原理,16.3.1.1 存儲矩陣,SRAM的存儲矩陣由許多存儲單元構(gòu)成，每個存儲單元存放一位二進(jìn)制碼，“0”或“1”。與ROM 存儲單元不同的是，RAM存儲單元的數(shù)據(jù)不是預(yù)先固定的，而是由外部的信息決定的。要存儲這些信息，RAM存儲單元必須用具有記憶功能的電路，如觸發(fā)器等電路構(gòu)成,RAM電路由地址譯碼器、存儲矩陣和讀/寫控制電路組成，RAM的讀、寫操作由讀/寫控制電路管理。 RAM的核心是基本存儲單元，其結(jié)構(gòu)有雙極型和MOS型兩種，雙極型的已經(jīng)很少使用,16.3.1 靜態(tài)RAM的結(jié)構(gòu)和工作原理,RAM電路由地址譯碼器、存儲矩陣和讀-寫控制電路組成。如

3、圖16.3.1所示,RAM中的核心是存儲單元，其結(jié)構(gòu)有雙極型和MOS型兩種,圖16.3.1 RAM的結(jié)構(gòu)框圖,地址譯碼器是最小項(xiàng)譯碼器，也稱為N中取一譯碼器，一個地址碼對應(yīng)一條字線。當(dāng)某條字線被選中時，與該字線相聯(lián)系的存儲單元就與數(shù)據(jù)線相通，以便實(shí)現(xiàn)讀取數(shù)據(jù)或?qū)懭霐?shù)據(jù),圖16.3.1 RAM的結(jié)構(gòu)框圖,SRAM的存儲矩陣由許多存儲單元構(gòu)成，每個存儲單元存放一位二進(jìn)制碼，“0”或“1”。 SRAM的存儲單元與ROM 存儲單元類似，但不同的是，RAM存儲單元的數(shù)據(jù)不是預(yù)先固定的，而是由外部信息根據(jù)工作需要隨時寫入的。要存儲這些信息，RAM存儲單元必須用具有記憶功能的電路，如觸發(fā)器等電路構(gòu)成,當(dāng)一個

4、地址碼選中相應(yīng)的存儲單元時，是讀還是寫，可采用高電平或低電平作為讀寫控制信號。當(dāng) 時 ，執(zhí)行讀操作，RAM將存儲矩陣中的內(nèi)容送到I/O端； 當(dāng)時 ，執(zhí)行寫操作，RAM將輸入/輸出端上的輸入數(shù)據(jù)寫入存儲矩陣。在同一時間內(nèi)不可能同時執(zhí)行讀/寫指令，讀和寫的功能只能一項(xiàng)一項(xiàng)地執(zhí)行。因此可以將輸入線和輸出線合用一條雙向數(shù)據(jù)線（I/O），利用讀/寫控制信號和讀/寫控制電路，通過I/O線讀出或?qū)懭霐?shù)據(jù),當(dāng)所要存儲的信息量大于RAM的存儲容量時，往往把多片RAM組成一個容量更大的存儲器，以滿足實(shí)際工作的需要。擴(kuò)容后每次只與其中的一片或幾片交換信息，這種信息的交換就是通過片選控制端 進(jìn)行控制的。 當(dāng) =L時，表示該片RAM被選中，處于讀或?qū)懙墓ぷ鳡顟B(tài)；未被選中者 =H，輸入/輸出端均處于高阻態(tài)，雖然掛接在總線上，也不能進(jìn)行數(shù)據(jù)交換,16.3.2 集成RAM,以MOTOROLA公司生產(chǎn)的MCM6264為例，說明RAM的使用情況。圖16.3.4為MCM6264的管腳圖。其中A12 A0為13根地址線，容量2138