元器件成型通用工藝規(guī)范

1、元器件成型通用工藝規(guī)范（第一版）編制： 審核： 批準(zhǔn)： 1、 文件修訂變更記錄表文件標(biāo)題元器件成型通用工藝規(guī)范文件編號(hào)文件類別修 訂 變 更 情 況 記 錄修訂變更內(nèi)容擬定部門擬定人修訂日期工藝文件第一版研發(fā)部白浪2013-072、 文件審核2013-07發(fā)布 2013-07執(zhí)行 批準(zhǔn)： 審核： 會(huì)簽： 擬制：白 浪一、 目的規(guī)范通孔安裝元器件的成形工藝設(shè)計(jì)及成形加工工藝，規(guī)定元器件成形的相關(guān)參數(shù)，保障元器件的性能，進(jìn)一步提高作業(yè)生產(chǎn)率、良品率，降低因成形而產(chǎn)生的損耗，降低產(chǎn)品成本，以 及提高產(chǎn)品可靠性。二、 適用范圍本規(guī)范適用于本公司的通孔安裝元器件成形工藝設(shè)計(jì)，以及封裝圖形設(shè)計(jì)。三、 名詞

2、解釋元器件引線：從元器件延伸出的用于機(jī)械和/或電氣連接的單根或絞合金屬線，或成型導(dǎo)線。元器件引腳：不損壞就難以成形的元器件引線。通孔安裝：利用元器件引線穿過支撐基板上孔與導(dǎo)體圖形作電氣連接和機(jī)械固定。引線折彎：為使元器件便于在印制板上安裝固定或消除應(yīng)力，人為在元器件引線施加外力，使之產(chǎn)生的永久形變。封裝保護(hù)距離：安裝在鍍通孔中的組件，從器件的本體、球狀連接部分或引線焊接部分到器件引線折彎處的距離，至少相當(dāng)于一個(gè)引線的直徑或厚度。變向折彎：引線折彎后，引線的伸展方向改變了，通常是90。無變向折彎： 引線折彎后，引線的伸展方向沒有發(fā)生改變。抬高距離：安裝于印制板上的元器件本體到板面的垂直距離。四、

3、 規(guī)范內(nèi)容4.1 引線折彎按照元器件的引線截面圖形劃分，通常有圓形（直徑D）和矩形（厚度T）兩種引線。阻容組件一般為圓柱形引線，而半導(dǎo)體元器件一般為四棱柱形引線。4.1.1 變向折彎圖1描述了變向折彎的引線的特征參數(shù)。折彎內(nèi)徑R，折彎角度。圖14.1.2 無變向折彎4.1.2.1 打Z折彎圖2描述了無變向折彎的引線的特征參數(shù)。折彎內(nèi)徑R，折彎角度，偏心距V。在本規(guī)范中叫做打Z成形。有2個(gè)折彎內(nèi)徑R及折彎角度。圖2 4.1.2.2 打K折彎圖3中，描述了一種特殊的折彎方式，即偏心距V0。通常是為了保障引線插裝到裝配孔后，元器件可以抬高以消除應(yīng)力，或起支撐作用，或滿足散熱要求的一種折彎方式。這種折

4、彎方式就是我們常說的“打K”或“折彎”。K值的大小一般與引線的直徑D和厚度T有關(guān)，在表1中給出了常見的K值。圖3注意：引線打K時(shí)，通常要求凸起部分一般不能超出元器件的絲印最大外框（Placement層），同時(shí)要保障引線間距滿足電氣間隙的要求，對(duì)于實(shí)在無法滿足的在試驗(yàn)驗(yàn)證沒有問題后才可以超出元器件的絲印外框。4.2 引線折彎的參數(shù)4.2.1 封裝保護(hù)距離d安裝在通孔中的組件，從器件的本體、球狀連接部分或引線焊接部分到器件引線折彎處的距離d，至少d1mm（如圖4ac）。通常出于保護(hù)元器件的內(nèi)部結(jié)構(gòu)與方便機(jī)械加工。需要注意的是，元器件“本體、球狀連接部分或引線焊接部分”一定要參考元器件供應(yīng)商提供的幾

5、何尺寸的最大外形，包括涂層在內(nèi)。同時(shí)，封裝保護(hù)距離范圍內(nèi)的引線其延伸方向禁止被改變。下圖4ac展示了3種典型元器件的封裝保護(hù)距離的具體測(cè)量方式。圖4a圖4b圖4c表1：引線的直徑D或者厚度T封裝保護(hù)距離最小值d電阻玻璃二極管，塑封二極管，陶瓷封裝電阻、電容, 金屬膜電容電解電容功率半導(dǎo)體器件封裝類型TO-220 及以下TO-247及以上D（T）0.8mm1.0mm1.5mm2.0mm3.0mm3.0mm0.8mmD（T）1.2mm2.0mm2.0mm3.0mm/1.2mmD（T）3.0mm3.0mm/4.2.2 折彎內(nèi)徑R根據(jù)引線直徑D（圓柱形引線）和厚度T（四棱柱形引線）的不同，元器件引線內(nèi)

6、側(cè)的折彎半徑R 的值參考下表2。表2：引線的直徑D或者厚度T引線內(nèi)側(cè)的折彎半徑R（優(yōu)選值）D（T）0.8mm不小于D或者T（優(yōu)選值1.0mm）0.8mmD（T）1.2mm不小于1.5直徑D或者厚度T（優(yōu)選值1.5mm，2.0mm）1.2mmD（T）不小于2.0直徑D或者厚度T（優(yōu)選值2.5mm，3.0mm）4.2.3 折彎角度折彎角度是本次引線折彎后折彎部分的引線與原來未折彎部分引線的夾角，通常該角度大于等于90小于180。折彎角度的優(yōu)選值參考下表3。表3：折彎類型折彎角度（公差3）優(yōu)選值變向折彎90非變向折彎120，135，1504.2.4 K值需要明確的是，K是一個(gè)高度值，它不僅跟引線直徑

7、D或厚度T有關(guān)，還受到折彎內(nèi)徑R和模具的影響，這里提供的是一個(gè)經(jīng)驗(yàn)數(shù)據(jù)。表4：引線的直徑D或者厚度TK值（MAX）優(yōu)選值D（T）0.8mm3mm0.8mmD（T）1.2mm3.0mm1.2mmD（T）4.0mm4.3 臥裝成形類型通常有2種形式的臥裝成形，它包括臥裝貼板，臥裝抬高，如下圖3a-b所示，盡量滿足d1mm。 圖5a 臥裝貼板成形，引線變向折彎角度90 圖5b變向折彎及打K引線的臥裝抬高成形成形關(guān)鍵點(diǎn)：R，K，d，h（抬高距離），明確貼板成形的（圖3a），最大抬高距離不大于0.5mm；明確需要抬高成形的，最小抬高距離不小于1.5mm，通過控制打K的位置，可以控制元器件本體距離板面的距

8、離h(圖3b)。適用元器件：對(duì)于非金屬外殼封裝且無散熱要求（功率小于1W）的二極管、電阻等可以采用圖5a的臥裝貼板成形方式。對(duì)于金屬外殼封裝或有散熱要求（功率大于等于1W）的二極管、電阻，必須抬高成形。4.4 立裝成形類型 按照元器件本體下部引線的成形方式不同，可以劃分為不折彎、打K成形和打Z成形。圖6a本體下引線不折彎 圖6b本體下引線打Z折彎 圖6c本體下引線打K折彎成形關(guān)鍵點(diǎn)：R，d，K，Z，h，對(duì)于無極性的元器件，要求其標(biāo)識(shí)從上至下讀取。有極性的元器件，要求其可見的極性標(biāo)識(shí)在頂部，以便于查檢；通過控制打K或Z的位置可以控制元器件本體距離板面的距離，可以通過組件頂部2個(gè)折彎位置的距離來控制引線插件的距離。適用元器件：二極管、電阻、保險(xiǎn)管等等。4.5 手工折彎操作過程中的靜電防護(hù)參考“ESD通用工藝規(guī)范”。圖7a正確的持取元器件及施加壓力折彎方式對(duì)引線施加壓力折彎 圖7b錯(cuò)誤的持取元器件方式及施加壓力折彎方式對(duì)本體施加壓力折彎圖7a以TO-220封裝的元器件示例了正確的手工折彎引線