材料腐蝕與防護知到智慧樹章節(jié)測試課后答案2024年秋山東建筑大學

材料腐蝕與防護知到智慧樹章節(jié)測試課后答案2024年秋山東建筑大學第一章單元測試

熱力學上材料腐蝕是自發(fā)的現(xiàn)象。（）

A:對B:錯

答案:對腐蝕反應的實質(zhì)就是金屬被還原的反應。（）

A:錯B:對

答案:錯按照腐蝕環(huán)境分，下列哪一項不是自然環(huán)境中的腐蝕類型（）。

A:微生物腐蝕B:大氣腐蝕C:土壤腐蝕D:縫隙腐蝕

答案:縫隙腐蝕下列哪些方法可以用以表示金屬腐蝕速度（）。

A:目測經(jīng)驗方法B:電流密度指標法C:深度法D:重量法

答案:電流密度指標法；深度法；重量法金屬在干燥的大氣中腐蝕是一種化學反應。（）

A:對B:錯

答案:對

第二章單元測試

原電池是將___能轉(zhuǎn)變?yōu)開__能。

答案:0在腐蝕學中，規(guī)定原電池中發(fā)生氧化反應(放出電子的反應)的電極稱為___極，而發(fā)生還原反應(獲得電子的反應)的電極稱為___極。

答案:陽極；陰極在原電池中，低電位的負極是陰極。（）

A:錯B:對

答案:錯在原電池中，高電位的正極是陰極。（）

A:錯B:對

答案:對原電池中，溶液中獲得電子發(fā)生還原反應的物質(zhì)也稱為___。

答案:答案：還原劑。

第三章單元測試

從腐蝕電池角度分析，材料發(fā)生全面腐蝕時，各點隨時間有能量起伏，能量高處為___極，能量低處為___極。

答案:陽；陰從對金屬強度和金屬制品整體結(jié)構(gòu)完整性的破壞程度來看，以下哪種說法是正確的？（）

A:全面腐蝕比局部腐蝕大得多B:局部腐蝕比全面腐蝕大得多C:全面腐蝕和局部腐蝕破壞程度一樣D:不一定

答案:局部腐蝕比全面腐蝕大得多點蝕是一種小陰極大陽極腐蝕電池引起的陽極區(qū)高度集中的局部腐蝕形式。（）

A:對B:錯

答案:錯幾乎所有的腐蝕性介質(zhì)都有可能引起金屬的縫隙腐蝕。（）

A:對B:錯

答案:對紐約著名的自由女神銅像內(nèi)部的鋼鐵支架發(fā)生的嚴重腐蝕就是因為發(fā)生了以下哪種腐蝕類型。（）

A:電偶腐蝕B:縫隙腐蝕C:晶間腐蝕D:點蝕

答案:電偶腐蝕

第四章單元測試

應力腐蝕開裂是指金屬材料在受___作用下，在___介質(zhì)中發(fā)生的脆性斷裂現(xiàn)象。

答案:應力腐蝕開裂是指金屬材料在受應力作用下，在特定腐蝕介質(zhì)中發(fā)生的脆性斷裂現(xiàn)象。一般認為發(fā)生SCC需要同時具備哪些條件？（）

A:拉伸應力B:敏感材料C:壓縮應力D:特定介質(zhì)

答案:拉伸應力；敏感材料；特定介質(zhì)SCC是一種典型的瞬時斷裂。（）

A:對B:錯

答案:錯氫致開裂是原子氫在合金晶體結(jié)構(gòu)內(nèi)的滲入和擴散所導致的脆性斷裂的現(xiàn)象。（）

A:錯B:對

答案:對氫的擴散與富集包括____________。

答案:氫的擴散與富集包括氫的擴散過程和在特定位置的集中積累。

第五章單元測試

根據(jù)大氣中水汽含量可以把大氣腐蝕分為“干大氣腐蝕”、“潮大氣腐蝕”和“濕大氣腐蝕”。（）

A:錯B:對

答案:對雜散電流引起的腐蝕是土壤腐蝕的常見形式。（）

A:對B:錯

答案:對海水腐蝕最嚴重的區(qū)域是（）

A:飛濺帶B:全浸帶C:潮差帶D:海平面

答案:飛濺帶鋼筋阻銹劑按作用機理可以分為___、___、___。

答案:0大多數(shù)金屬在強酸性土壤中的腐蝕屬于氧去極化腐蝕。（）

A:對B:錯

答案:錯

第六章單元測試

金屬保護的基本方法有___、___、___、___。

答案:涂覆保護層、電化學保護、犧牲陽極保護、鈍化保護。犧牲陽極保護方法的特點是不需要外加直流電源。（）

A:錯B:對

答案:對鋅鍍層是一種陰極型鍍層。（）

A:對B:錯

答案:錯廣泛應用于高速公路護欄的金屬涂鍍層技術(shù)是（）

A:電鍍B:熱浸鍍C:化學鍍D:滲鍍

答案:熱浸鍍按緩蝕劑的化學組成分類可將緩蝕劑分為___和___。

答案:有機緩蝕劑、無機緩蝕劑

第七章單元測試

高分子材料的腐蝕，通常稱之為___。

答案:老化溶出型腐蝕的腐蝕一般發(fā)生在軟水環(huán)境下。（）

A:錯B:對

答案:對分解型腐蝕的腐蝕作用來源是（A、B）

A:鎂鹽溶液B:硫酸鹽溶液C:酸性溶液D:堿性溶液

答案:酸性溶液陰極保護法常作為一種主要措施來防止混凝土中的鋼筋腐蝕。（）

A:錯B:對

答案:錯玻璃腐蝕的機理有___、___和___。

答案:化學腐蝕、電化學腐蝕、物理腐蝕。

第八章單元測試

電子器件的失效主要受___因素的影響。

答案:環(huán)境因素、使用條件、制造缺陷、老化過程、電磁干擾等。半導體器件的主要失效模式包括斷路。（）

A:錯B:對

答案:錯限制鎂及鎂合金的進一步應用的主要原因是合金內(nèi)部的第二相或雜質(zhì)引起的電偶腐蝕。（）

A:錯B:對

答案:對電