集成電路工藝mooc測試題

第一周作業(yè)返回1單選(1分)在硅片晶向、摻雜類型介紹中，由硅片斷裂邊形成的角度是60o可知硅片是什么晶向?A.（100）B.（111）C.（110)D.(211)正確答案：B解析：B、硅的解理面是（111），在（111）面上兩[111]晶向相交呈60o2多選(1分)關(guān)于拉單晶時進行的縮頸步驟，下面的說法那種正確A.可以多次縮頸B.為了能拉出與籽晶相同的硅錠C.為了終止籽晶中的線缺陷向晶錠的延伸D.為了終止與籽晶結(jié)合處的缺陷向晶錠的延伸正確答案：A、C、D解析：A、目的是徹底終止線缺陷等向晶錠的延伸3判斷(1分)在空間微重力室用CZ法也能拉制出大尺寸優(yōu)質(zhì)晶錠正確答案：對解析：因硅熔體溫度梯度帶來的密度（重力）差造成的干鍋內(nèi)熔體強對流減弱的緣故4單選(1分)磷在硅熔體與晶體中的分凝系數(shù)約為0.35，這使得液相摻雜拉制的摻磷硅錠的電阻率：A.軸向均勻B.軸向遞減C.軸向遞増D.徑向遞減正確答案：B解析：B、因為摻入硅錠的雜質(zhì)是軸向遞增的。5填空(1分)拉單晶的干鍋污染主要是由于坩堝材料分解出的造成。正確答案：O或氧第二周作業(yè)返回1填空(1分)外延工藝就是在晶體襯底上，用物理的或化學(xué)的方法生長薄膜。正確答案：晶體或單晶2判斷(1分)如果外延速率偏低，只要增大外延氣體中硅源（如SiCl4）濃度，硅的氣相外延速率就會增加。正確答案：錯解析：只在一定范圍成立，如SiCl4為硅源超過臨界值會生成多晶、甚至腐蝕襯底。3填空(1分)VPE制備n-/n+-Si用硅烷為源，硅烷是在完成的分解?？蓮南旅孢x擇：氣相硅片表面正確答案：硅片表面4單選(1分)VPE制備n+/p-Si，結(jié)果pn結(jié)進入了襯底，這是什么原因造成的：A.自摻雜效應(yīng)B.互擴散效應(yīng)C.襯底表面沒清洗干凈的緣故。D.摻雜氣體不純正確答案：B解析：B、在外延過程中外延層重摻雜n型雜質(zhì)擴散進入輕摻雜襯底。5多選(1分)在VPE、MBE、SEG、LPE、SPE、UHV/CVD、MOCVD中，哪種外延方法能生長雜質(zhì)陡變分布的薄外延層？A.MBEB.VPE、LPEC.UHV/CVDD.SEG、SPE正確答案：A、C第三周作業(yè)返回1單選(1分)通常掩膜氧化采用的工藝方法為：A.干氧B.低壓氧化C.干氧-濕氧-干氧D.摻氯氧化正確答案：C解析：C、既有較好的質(zhì)量，利于光刻；又有較快的氧化速率2多選(1分)關(guān)于氧化速率下面哪種描述是正確的：A.生長的氧化層較薄時，氧化速率服從線性規(guī)律B.溫度升高氧化速率迅速增加C.（111）硅比（100）硅氧化得快D.有雜質(zhì)（如Na、P等）存在，氧化速率降低E.生長的氧化層較厚時，氧化速率服從線性線規(guī)律正確答案：A、B、C3判斷(1分)制作一硅晶體管芯片，在最后用熱氧化方法制備了一層SiO2作為保護層。正確答案：錯4填空(1分)熱氧化速率快慢排序：氧化最快、氧化次之、氧化最慢。（從“干氧、濕氧、水汽”中選擇填空，中間用“、”隔開）正確答案：水汽、濕氧、干氧5填空(1分)熱氧化過程中雜質(zhì)在SiO2/Si界面的濃度是突變的，這是由雜質(zhì)引起的。（兩個字）正確答案：分凝第四周作業(yè)返回1單選(1分)A.圖（a）是限定源擴散，圖（b）恒定源擴散B.圖（a）是恒定源擴散，圖（b）限定源擴散C.圖（a）、（b）都是限定源擴散D.圖（a）、（b）都是恒定源擴散正確答案：C解析：C、限定源擴散，時間越長，結(jié)深越深，表面濃度就越低；溫度越高，結(jié)深也越深，表面濃度也降低越快。2單選(1分)擴散摻雜，擴散區(qū)要比掩膜窗口尺寸，這是效應(yīng)引起的，它直接影響超大規(guī)模集成電路的集成度。A.大，場助擴散B.大，氧化增強C.小，橫向擴散D.大，橫向擴散正確答案：D3多選(1分)擴散系數(shù)在何時不可以看成是常數(shù)：A.在本征硅上擴散摻入中等濃度的雜質(zhì)硼。B.在本征硅上擴散摻入高濃度的雜質(zhì)硼，同時進行氧化。C.在重摻雜p型硅上擴散摻入n型雜質(zhì)；D.在中等濃度p型硅上擴散摻入n型雜質(zhì)；正確答案：B、C4判斷(1分)CC一擴散，采取兩歩工藝：預(yù)淀積溫度高（1200℃）時間長（50min），再分布溫度低（970℃）時間短（30min），雜質(zhì)近似為服從高斯分布。正確答案：錯5填空(1分)在p-Si中擴磷13分鐘，測得結(jié)深為0.5μm，為使結(jié)深達到1.5μm，在原條件下還要擴分鐘。（只保留整數(shù)）正確答案：104第五周作業(yè)返回1單選(1分)在離子注入摻雜時，有少部分雜質(zhì)進入襯底后穿過較大距離，這種現(xiàn)象就是。當(dāng)偏離晶向ψc注入時，可以避免。A.溝道效應(yīng)，<B.橫向效應(yīng)，<C.溝道效應(yīng)，>D.橫向效應(yīng)，>正確答案：C2單選(1分)形成B的超淺結(jié)摻雜（劑量為QB)時，為了避免溝道效應(yīng)可否先注入銻（劑量為QSb）再注入硼？實際注入了多少硼？A.不可以B.可以，實際注硼：QB+QSbC.可以，實際注硼：QB-QSbD.可以，實際注硼：QB正確答案：B3多選(1分)基于LSS理論，判斷對下圖分析的對錯：A.入射離子在靶中由B運動到C主要受到靶原子核阻滯；B.入射離子在靶中由A運動到B主要受到靶原子核阻滯；C.該入射離子是高能注入；D.入射離子在靶中由B運動到C主要是受到靶電子阻滯。正確答案：A、C4多選(1分)關(guān)于離子注入?yún)^(qū)形成非晶層的臨界劑量，下面哪幾種說法正確：A.靶溫升高，臨界劑量上升；B.注入離子能量越高，臨界劑量越低；C.注入離子劑量率增大，臨界劑量降低。D.注入離子越輕，臨界劑量越?。徽_答案：A、B、C5判斷(1分)CCC離子注入硼無需退火就有電活性，所以才會出現(xiàn)隨退火溫度升高反而電激活率下降的逆退火現(xiàn)象。正確答案：錯第二單元測驗返回1單選(1分)在p-Si中擴磷20分鐘，測得結(jié)深為0.5μm，為使結(jié)深達到0.8μm，在原條件下還要擴散多長時間？A.104minB.51.2minC.117minD.31.2min正確答案：D2單選(1分)在已擴散結(jié)深達0.8μm的p-Si上再進行濕氧，氧化層厚0.2μm時，結(jié)深是多少?(濕氧速率很快,短時間的氧化可忽略磷向硅內(nèi)部的推進)A.0.712μmB.0.512μmC.0.6μmD.0.088μm正確答案：A解析：A、解：氧化消耗硅的厚度：0.2*0.44=0.088（μm）；結(jié)深：0.8-0.088=0.712（μm）3多選(1分)摻雜濃度分布如下圖，請判斷對錯：A.(a)、(b)是擴散摻雜，雜質(zhì)濃度都是余誤差分布；B.(a)、(c)雜質(zhì)濃度都是高斯分布；C.(c)是離子注入摻雜，是高斯分布；D.(a)是限定源擴散摻雜，是高斯分布；(b)是恒定源擴散，是余誤差分布；正確答案：B、C、D4判斷(1分)CCC在Si中注入B+，能量為30KeV，劑量是10的12次方離子/cm2，查表可知Rp≈0.11μm，ΔRp=0.032μm，峰值濃度是1.25*10的16次方原子/cm3正確答案：錯5填空(1分)銻在硅中的最大固溶度只有5*10的19次方原子/cm3，但某芯片埋層摻雜要求摻入銻最大濃度應(yīng)達5*10的20次方原子/cm3，因此，采用摻雜。正確答案：離子注入第六周作業(yè)返回1單選(1分)LPCVD-SiO2，將工藝控制在較高溫度，有：ks>>hg，此時淀積速率的特點為：A.淀積速率受表面化學(xué)反應(yīng)控制；B.溫度的較小變化都會對淀積速率有較大影響；C.淀積速率受氣相質(zhì)量輸運控制；D.反應(yīng)劑氣體濃度的變化對淀積速率的影響不大。正確答案：C2單選(1分)poly-Si薄膜通常是采用什么方法制備的？A.PECVDB.APCVDC.LPCVDD.LCVD正確答案：C3多選(1分)關(guān)于PECVD-Si3N4薄膜的下列說法哪個對？A.臺階覆蓋性較好；B.抗腐蝕性好；C.含H；D.常作為芯片的保護膜；正確答案：A、C、D4判斷(1分)CC等離子體是物質(zhì)的一種熱平衡存在形態(tài)。正確答案：錯5填空(1分)CVD工藝反應(yīng)劑氣體分子到達襯底表面特殊位置的機制有：擴散；；表面遷移。正確答案：再發(fā)射第七周作業(yè)返回1單選(1分)為了避免尖楔現(xiàn)象用含1%硅的硅鋁合金制備IC內(nèi)電極，多采用下列哪種工藝方法：A.反應(yīng)濺射B.磁控濺射C.LPCVDD.PECVD正確答案：B2多選(1分)從兩電極面積判斷射頻濺射時，靶放在那個電極上、襯底放在那個電極上？A.靶放在面積小的電極上B.靶放在面積大的電極上C.襯底放在面積大的電極上D.襯底放在面積小的電極上正確答案：A、C解析：A、由等離子鞘層可知浸沒在等離子體中的電極相對于等離子體是負電位，且兩者的電位差是與而電極面積的4次方成反比的，所以電極面積電位低，相對而言是陰極，離子轟擊靶陰極。C、相對而言是陽極，靶陰極上濺射出的原子等粒子在襯底陽極上淀積成膜。3多選(1分)濺射與蒸鍍比較，下列那種說法正確：A.蒸鍍工藝的普適性更好B.濺射工藝的普適性更好C.濺射工藝薄膜質(zhì)量（如粘附性、保形性等）更好D.蒸鍍工藝薄膜質(zhì)量（如粘附性、保形性等）更好正確答案：A、C解析：A、無論什么材料的薄膜都可以用蒸鍍工藝制備。B、難以得到不常用材料的靶。4判斷(1分)DD薄膜應(yīng)力與測量時的溫度有關(guān)。正確答案：對5填空(1分)鋁的蒸發(fā)溫度是1250℃，這時它的平衡蒸汽壓是Pa。正確答案：1.33第八周作業(yè)返回1單選(1分)光刻工藝是按照下列哪種流程順序進行操作？A.打底膜、涂膠、前烘、曝光、顯影、堅膜、去膠、刻蝕B.打底膜、涂膠、前烘、曝光、堅膜、顯影、刻蝕、去膠C.打底膜、前烘、涂膠、曝光、堅膜、顯影、刻蝕、去膠D.打底膜、涂膠、前烘、曝光、顯影、堅膜、刻蝕、去膠正確答案：D2多選(1分)下列有關(guān)曝光的描述正確的是：A.確定圖案的精確形狀和尺寸；B.使受光照射區(qū)域的光刻膠膜發(fā)生化學(xué)反應(yīng)形成潛影；C.步進曝光機一次就可以完成曝光；D.需要進行準確對版后再曝光，才能保證各次光刻的套準精度。正確答案：A、B、D3多選(1分)關(guān)于光學(xué)光刻，下列哪種方法可以獲得高分辨率？A.駐波效應(yīng)對分辨率無影響B(tài).使用移相掩膜技術(shù)制備的光刻版C.采取浸入式光刻方法D.光源為紫光正確答案：B、C4判斷(1分)CCC正膠的感光區(qū)域在顯影時不溶解，負膠的感光區(qū)域在顯影時溶解。正確答案：錯5填空(1分)IC芯片的橫向結(jié)構(gòu)是通過工藝實現(xiàn)的。（填2個字）正確答案：光刻第四單元測驗返回1單選(1分)光刻工藝所需要的三要素為：A.光源、光刻膠和曝光時間B.光刻膠、掩模版和光刻機C.光源、光刻膠和掩模版D.光刻膠、掩模版和光刻焦深正確答案：C2單選(1分)涂膠以后的晶片，需要在一定的溫度下進行烘烤，這一步驟稱為。A.去水烘烤B.預(yù)烘C.烘烤D.后烘正確答案：B3單選(1分)大尺寸硅片上生長的的不均勻和各個部位刻蝕速率的不均勻會導(dǎo)致刻蝕圖形轉(zhuǎn)移的不均勻性。A.圖形長度B.薄膜厚度C.圖形寬度D.圖形間隔正確答案：B4判斷(1分)DDDD在SiO2/Si刻蝕過程中等離子體對硅的刻蝕速率必須控制在非常低的程度，否則SiO2被清除的同時硅也大量被侵蝕。正確答案：對5填空(1分)單晶硅刻蝕一般采用做掩蔽層。（在下面選擇一個，填入）光刻膠、金屬、二氧化硅、多晶硅正確答案：二氧化硅第十周作業(yè)返回1單選(1分)通常采用重摻雜硅與金屬接觸來實現(xiàn)互連系統(tǒng)的歐姆接觸，此時硅的摻雜濃度N>atoms/cm3。A.10∧21B.10∧18C.10∧20D.10∧19正確答案：D2多選(1分)IC采用鋁互連系統(tǒng)時，下列哪種方法可以避免Al-Si的尖楔現(xiàn)象：A.在淀積的鋁膜中摻入約1%Si；B.在淀積的鋁膜中摻入約1%Cu；C.在鋁膜表面覆蓋Si3N4。D.在淀積鋁