2023多晶硅安全生產規(guī)范

多晶硅安全生產規(guī)范PAGEPAGE11PAGEPAGE10目次前言 II范圍 1規(guī)范性引用文件 1術語和定義 2設計與總圖布局 3基本規(guī)定 3總平面布置 3工藝及生產裝置 3防火、防爆設計與安全疏散 4電氣設施 5過程自動控制 5消防設施 6通風與排煙 6危險化學品儲存 7生產過程安全 7一般規(guī)定 7生產裝置開車基本要求 8生產裝置停車基本要求 8三氯氫合成 8氯硅烷分離 10三氯氫硅還原 10還原尾氣干法回收 11四氯化硅冷氫化 12二氯二氫硅反歧化 12廢氣淋洗 13附錄A（規(guī)范性）多晶硅生產火災危險性分類 15附錄B（規(guī)范性）多晶硅生產場所空氣中主要有毒物質及粉塵容許濃度 16附錄C（資料性）多晶硅生產過程中的危險、有害因素 19附錄D（資料性）多晶硅生產安全規(guī)章制度目錄 21附錄E（資料性）多晶硅企業(yè)重大生產安全事故隱患判定標準 22多晶硅安全生產規(guī)范范圍本文件界定了采用三氯氫硅還原法生產多晶硅的術語和定義，規(guī)定了企業(yè)從設計到生產全過程的安全技術基本要求，包括設計與總圖布局中的安全要求、生產過程的安全要求。本文件適用于采用三氯氫硅還原法工藝技術生產多晶硅的企業(yè)。采用其他工藝技術生產多晶硅的生產企業(yè)可參照執(zhí)行。規(guī)范性引用文件下列文件中的內容通過文中的規(guī)范性引用而構成本文件必不可少的條款。其中，注日期的引用文件，僅該日期對應的版本適用于本文件；不注日期的引用文件，其最新版本（包括所有的修改單）適用于本文件。GBZ/T223工作場所有毒氣體檢測報警裝置設置規(guī)范GB2894安全標志及其使用導則GB5083生產設備安全衛(wèi)生設計總則GB7231工業(yè)管道的基本識別色、識別符號和安全標識GB12158防止靜電事故通用導則GB15577粉塵防爆安全規(guī)程GB16297大氣污染物綜合排放標準GB50016建筑設計防火規(guī)范GB50057建筑物防雷設計規(guī)范GB50058爆炸危險環(huán)境電力裝置設計規(guī)范GB50073潔凈廠房設計規(guī)范GB50140建筑滅火器配置設計規(guī)范GB50160石油化工企業(yè)設計防火標準GB50016建筑設計防火規(guī)范GB50057建筑物防雷設計規(guī)范GB50058爆炸危險環(huán)境電力裝置設計規(guī)范GB50073潔凈廠房設計規(guī)范GB50140建筑滅火器配置設計規(guī)范GB50160石油化工企業(yè)設計防火標準GB50177氫氣站設計規(guī)范GB50257爆炸和火災危險環(huán)境電力裝置施工及驗收規(guī)范GB50316工業(yè)金屬管道設計規(guī)范GB50351儲罐區(qū)防火堤設計規(guī)范GB50370氣體滅火系統(tǒng)設計規(guī)范GB/T50493 石油化工可燃氣體和有毒氣體檢測報警設計GB50650 石油化工裝置防雷設計規(guī)范GB50974消防給水及消火栓系統(tǒng)技術規(guī)范GB51034多晶硅工廠設計規(guī)范GB51283精細化工企業(yè)工程設計防火標準AQ3013危險化學品從業(yè)單位安全標準化通用規(guī)范標準HG/T21581自控安裝圖冊SH/T3097石油化工靜電接地設計規(guī)范術語和定義下列術語和定義適用于本文件。多晶硅 polycrystallinesilicon單質硅的一種形態(tài)，硅原子以晶格形態(tài)排列成許多晶核，這些晶核長成晶面取向不同的晶粒，晶粒組合結晶成多晶硅。三氯氫硅還原法trichlorosilanehydrogenreductionprocess在一定溫度下的高純硅芯上用高純氫還原高純三氯氫硅，在硅芯上沉積生長多晶硅；同時具備回還原爐 reductionfurnace一種生產棒狀多晶硅的專用化學氣相沉積設備。氯硅烷 chlorosilaneSiSilSiHlSiC、SiCl還原尾氣 reductionoff-gas在還原爐內生成多晶硅的反應過程中，未反應完全的原料和生成的副產物的混合氣體，主要包括氫氣、氣態(tài)氯硅烷及氯化氫、不定型硅等。二氯二氫硅反歧化dichlorodihydrosiliconanti-disproportionationreaction二氯二氫硅和四氯化硅在一定溫度和催化劑作用下生成三氯氫硅的反應。主工藝物料系統(tǒng) mainprocessmaterialsystem包括氯硅烷提純系統(tǒng)、還原系統(tǒng)、還原尾氣干法回收系統(tǒng)、三氯氫硅合成系統(tǒng)、四氯化硅氫化系統(tǒng)、二氯二氫硅反歧化系統(tǒng)、廢氣淋洗系統(tǒng)、渣漿回收系統(tǒng)、氯硅烷罐區(qū)。設計與總圖布局基本規(guī)定多晶硅生產企業(yè)的新建、改建、擴建項目，安全設施應與主體工程同時設計、同時施工、同時投入生產和使用。用于生產、儲存危險化學品的多晶硅生產企業(yè)應當對建設項目進行安全條件論證，委托具有國家規(guī)定資質條件的機構對建設項目進行安全評價。多晶硅生產企業(yè)用于生產、儲存危險化學品的建設項目應委托具有工程設計綜合資質甲級或者化工石化專業(yè)資質甲級的設計單位負責設計。多晶硅生產企業(yè)用于生產、儲存危險化學品的建設項目應委托具有化工建設相應資質的建設單位負責施工?？偲矫娌贾肎B51034GB50016GB50160多晶硅生產企業(yè)的總平面布置應根據(jù)生產工藝流程、生產特點和火災危險性，結合地形、風向等條件，按功能集中原則分區(qū)布置，可分為生產區(qū)、公用工程及輔助設施區(qū)、儲運區(qū)、集中控制區(qū)、行政辦公區(qū)。工藝及生產裝置工藝流程選擇、設備選型及工藝布置，應根據(jù)多晶硅生產主要物料的易燃易爆、有毒及火災危險工藝生產系統(tǒng)內的設備、管道的材質以及管閥件，應根據(jù)物料性質和工況條件選取，并應采取相GB50316GB5083GB7231GB2894GB5016075℃～85（罐（NCNC3含NCl360g/主工藝物料系統(tǒng)應設安全閥、爆破片、事故緊急排放、氮氣稀釋滅火等安全設施。還原爐夾套冷卻、三氯氫硅合成爐冷卻、天然氣制氫轉化爐夾套冷卻等系統(tǒng)應設置安全閥等安全設施。硅芯制備采用區(qū)熔法拉制工藝時，宜設置電磁屏蔽。腐蝕清洗工序的腐蝕清洗設備內，酸腐蝕部位應設置強制通風，廢氣應處理達標后再排放；輸送強酸的管道應采用雙層套管，外層宜采用透明聚氯乙烯(PVC)管等防腐蝕、防噴濺措施。GB/T38144.1GB/T38144.2風沙限制的設備的多晶硅還原、電解水制氫等裝置采取抗爆泄爆措施后可布置在封閉建筑內。涉及氯硅烷的系統(tǒng)宜采用氣密試驗；若采用水壓試驗，試驗后應對系統(tǒng)進行干燥，達到露點≤-40℃。防火、防爆設計與安全疏散GB50016GB50073GB50160GB50351甲、乙、丙類多層廠房內各層由不同功能房間組成時，宜按層劃分防火分區(qū)，疏散樓梯應采用封GB50016同一防火分區(qū)內有不同性質的物料生產時，其火災分類，應按火災危險性較大的部分確定。多晶A。GB50058GB50016還原爐室等甲類火災危險性且有防爆要求的廠房內不應設置辦公室、休息室、巡檢室。如需要設置更衣室、工具室、衛(wèi)生間等輔助房間，這些輔助房間應設置在還原爐室端墻貼鄰一側，并應采用耐火極限不低于4.0h4.0h。還原系統(tǒng)的變壓器室、調功器室、高壓啟動室、爐體冷卻水系統(tǒng)等輔助房間，應與還原爐室布置GB50016的有關規(guī)定。還原爐室應采用泄爆墻及帶有通風設施的泄壓屋面。外墻與屋面泄壓面積應符合下列規(guī)定：a）GB50016的有關規(guī)定；60kg/A當泄壓設施的材質不屬于易碎性材料，泄爆設置應避開人員密集場所和主要交通道路。GB50016GB50177下列場所可不計入建筑防火分區(qū)內：a）防煙樓梯間及其前室;消防電梯前室及其合用前室；設置甲級防火門的封閉樓梯間、敞開連廊。20kV有含油設備的變配電所可一面貼鄰建造；無油設備的變配電所可一面或兩面貼鄰建造。GB50016GB51283電氣設施防雷、防靜電GB50057GB50650GB12158SH/T3097100Ω。制氫裝置、氫氣儲罐區(qū)、氫氣壓縮機房、氯硅烷罐區(qū)等重點爆炸危險區(qū)域的入口處，應設置人體靜電消除裝置。防火、防爆、電氣安全GB50058制氫裝置、氯化氫合成裝置、三氯氫硅合成裝置、氯硅烷分離提純裝置、三氯氫硅還原裝置、還原尾氣干法回收裝置、四氯化硅氫化裝置、氫氣和氯硅烷罐區(qū)等爆炸性氣體環(huán)境中電氣裝置的選型應GB50058GB50058GB50257A。DCS還原爐電極冷卻水泵、整理裝置廢氣洗滌系統(tǒng)、工藝廢氣洗滌循環(huán)泵、消防穩(wěn)壓泵、消防排煙風機等用電負荷，應屬于一級負荷中的特別重要負荷，除應由雙電源供電外，尚應增設應急電源。過程自動控制中心控制室及裝置控制室應設置不間斷電源（UPS）30min。制氫裝置、氯化氫合成裝置、三氯氫硅合成裝置、還原爐室、還原尾氣干法回收裝置、四氯化硅GB/T50493GBZ/T22324HG/T21581GB50257氯硅烷罐區(qū)、還原爐室、冷氫化裝置和重大危險源等場所應設置視頻監(jiān)控系統(tǒng)，并根據(jù)爆炸危險區(qū)域的劃分采用適用等級的防爆視頻監(jiān)控設備。二氯二氫硅、三氯氫硅等易燃液體不應使用玻璃管液位計。四氯化硅氫化加熱器和導熱油加熱器溫度控制裝置宜采用冗余配置，并定期校驗。氫化反應器及系統(tǒng)中的安全附件、安全保護裝置、測量調控裝置及有關附屬儀器應完整、齊全、有效。生產現(xiàn)場主要出入口處及有人巡檢操作且可能出現(xiàn)可燃、有毒氣體積聚的相對封閉的場所，應設置區(qū)域聲光報警器。消防設施GB50016、GB50160、GB50974、GB50370GB50140制氫裝置、氯硅烷罐區(qū)、四氯化硅氫化裝置、還原爐室、還原尾氣干法回收等主要火災危險場所以及公用工程輔助設施區(qū)應設置火災報警系統(tǒng)，并配備滅火設施。多晶硅工廠應設置穩(wěn)高壓消防給水系統(tǒng)。GB50160三氯氫硅合成裝置、還原廠房、還原尾氣干法回收裝置、四氯化硅氫化裝置、氯硅烷儲罐區(qū)等涉2m3/1m3/套。GB50370GB50073GB50140通風與排煙GB16297C。GB50016還原爐室房間相對于非防爆區(qū)，如更衣間、與后處理車間的潔凈連廊等，應保持微負壓，局部排風與整體排風應符合下列規(guī)定：12/h排風機應符合防爆要求，事故風機電源應接入應急電源，應與可燃有毒報警儀聯(lián)鎖；事故排風機宜設備用風機；0.1m；風管應采取防靜電接地措施。腐蝕清洗、配酸柜等工序排出的酸性廢氣，應采用局部排風，所含酸性廢氣應采用酸霧凈化塔進行處理。GB155776/h。潔凈區(qū)排風管上應采取防止室外空氣倒灌的措施。各動力站房應有良好的通風措施，宜采用自然通風；當自然通風不能滿足生產或安全、衛(wèi)生要求時，應設置機械通風或自然通風與機械通風聯(lián)合的通風方式。危險化學品儲存氯硅烷罐區(qū)應按照該罐區(qū)單個最大儲罐的容積設置事故儲罐。儲存氯硅烷的儲罐，宜設置惰性氣體密封保護系統(tǒng)。若工藝要求設置氫氣密封保護系統(tǒng)的，應同時設置氮氣保護系統(tǒng)，緊急情況下應能遠程控制通入氮氣，氮氣管道應設置防物料互串設施。生產過程安全一般規(guī)定企業(yè)應當根據(jù)工藝、裝置、設施等實際情況，建立健全安全生產責任制和安全生產規(guī)章制度，主要的安全生產規(guī)章制度參見附錄D。企業(yè)應按附錄企業(yè)應在工藝投產或投用前，組織編制操作規(guī)程。企業(yè)應將操作規(guī)程發(fā)放到相關崗位，并對有關人員進行專門培訓，經考核合格后，方可上崗。5.1.5企業(yè)操作人員應嚴格執(zhí)行操作規(guī)程，對工藝參數(shù)運行出現(xiàn)的偏離情況及時分析調整，保證工藝參數(shù)控制不超出安全限值，偏差及時得到糾正。企業(yè)應仔細核對、嚴格控制多晶硅生產的工藝技術指標，重要的控制指標應設管理控制點。更改指標應有相應的工藝變更手續(xù)。企業(yè)應按照安全操作規(guī)程進行生產設備的操作。在多晶硅系統(tǒng)運行過程中，需要對穩(wěn)壓的儲罐和塔器補充其所使用的高純氫氣。同時設置氮氣保護系統(tǒng)，緊急情況下應能遠程控制通入氮氣，氮氣管道應設置防物料互串設施。企業(yè)應建立氮氣安全使用管理制度。企業(yè)應根據(jù)崗位職業(yè)病危害因素和安全風險辨識及評價情況，按呼吸防護、面部防護等標準，制定勞動防護用品配發(fā)和管理制度。具體應包含但不限于：鞋、防化服；進入爆炸危險性裝置，應穿防靜電服裝，隨身攜帶應急防護用品；e）其他勞動防護管理應符合國家及地方相關標準。企業(yè)應開展勞動防護用品使用培訓，對不使用或不正確使用勞動防護用品的人員進行考核。5生產裝置開車基本要求系統(tǒng)開車前應按AQ3013規(guī)定的內容組織檢查，進行安全條件確認。進料前應確保所有相關設備、閥門、管道均已打壓檢漏吹掃合格，各種儀表監(jiān)控裝置經校驗合格并正常投用。應檢查并確認水、電、汽（氣）符合開車要求，設備及其安全附件完好，各種原料、輔料的供應必須齊備、合格，投料前必須進行分析驗證。保溫、保壓及洗凈的設備應符合開車要求，必要時應重新置換、清洗和分析合格。開車過程中應加強有關崗位之間的聯(lián)絡，嚴格按照操作規(guī)程（或作業(yè)指導書）的要求操作。嚴格遵守升降溫、升降壓和加減負荷的幅度（速率）要求。開車過程中應密切觀察工藝的變化和設備運行的情況，加強與有關崗位和車間的聯(lián)系，發(fā)現(xiàn)異?，F(xiàn)象應及時處理，情況緊急時應中止開車、按程序緊急停車。生產裝置停車基本要求應按AQ3013系統(tǒng)降壓、降溫應按照要求的幅度（速率）并按先高壓后低壓的順序進行。凡需保壓、保溫的設備容器等，停車后要按時記錄壓力、溫度的變化。壓縮機等大型機組的停車，應先停主機后停輔機。設備（容器）卸壓時，要注意易燃、易爆、易中毒等危險化學品的排放和散發(fā)，都應進入尾氣處理系統(tǒng)，防止造成事故。冬季停車后，應采取防凍防凝措施。三氯氫硅合成系統(tǒng)開停車硅粉加料硅粉下料時應打開除塵裝置，控制加料速度，防止粉塵飛揚。操作者應佩戴相應勞動防護用品。加料完成后關閉硅粉干燥倉下料閥門。硅粉干燥首次開車進氮氣前應確保所有相關設備、閥門、管道均已吹掃、試壓合格，各種儀表監(jiān)控裝置經校驗合格并正常投用，正常生產過程中持續(xù)通氮氣干燥。電加熱器作業(yè)規(guī)程中應明確升降溫速率，電加熱設備運行時必須確保有足量的氣體流動，避免因為局部過熱或過冷造成設備、管道發(fā)生泄漏。升、降溫速度不能過快，防止設備管道因為短時間內形變過大而造成損壞。氯化氫合成首次開車前應確保所有相關設備、閥門、管道持續(xù)通氮氣干燥。系統(tǒng)運行前氫氣系統(tǒng)及管道應采用高純氮氣置換、并檢測氮中氧以及露點合格，然后才可以采用高純氫氣置換。液氯汽化系統(tǒng)儲罐及管道應采用高純氮氣置換、并檢測氮中氧以及露點合格，然后采用氯氣置換、并檢測氯氣純度和含水率合格。系統(tǒng)點火及運行中應嚴格按照工藝操作參數(shù)控制，不應超過所規(guī)定參數(shù)的控制范圍。氫氣泄漏，應立即將泄漏部位與其它部分斷開，利用尾氣管道泄壓，系統(tǒng)壓力低于氮氣壓力后，向系統(tǒng)內通入高純氮氣，降低泄漏物中可燃物質含量，避免發(fā)生著火爆炸等次生事故。氯氣泄漏，應立即將泄漏部位與其它部分斷開，利用尾氣管道向事故氯處理系統(tǒng)泄壓，向系統(tǒng)內通入高純氮氣，降低泄漏物中有毒有害物質含量，避免發(fā)生中毒等次生事故。氯化氫泄漏，應立即將泄漏部位與其它部分斷開，利用尾氣管道向廢氣淋洗系統(tǒng)泄壓，向系統(tǒng)內通入高純氮氣，降低泄漏物中有毒有害物質含量，避免發(fā)生中毒等次生事故。停車排渣停車時要遵循“先熱后冷”的原則，先停止所有的加熱設備，壓縮機繼續(xù)運轉，當系統(tǒng)溫度降至規(guī)定值之下，再停止降溫設備和壓縮機。停車后將系統(tǒng)內剩余物料導出，壓力卸為微正壓，開始氮氣置換。氮氣置換合格后，將合成系統(tǒng)與其他系統(tǒng)加盲板斷開。三氯氫硅合成正常運行三氯氫硅合成系統(tǒng)以及相關所有設備管道采用高純氮氣置換、并檢測氮中氧以及露點，合格后才能采用高純氫氣置換。正常運行時突然停水、停電，泵、壓縮機、冷凍系統(tǒng)會立刻跳停，三氯氫硅合成壓縮前系統(tǒng)氫氣或物料泄漏，應立即將泄漏部位與其它部分斷開，利用尾氣管道泄壓，當系統(tǒng)壓力低于氮氣系統(tǒng)壓力時，向系統(tǒng)內通入高純氮氣，降低泄漏物中可燃物質含量，避免發(fā)生著火爆炸等次生事故。重要參數(shù)的控制應嚴格控制氫氣純度、氯氣純度、硅粉純度及雜質含量、氯化氫純度及含水量。應嚴格控制三氯氫硅合成爐的溫度、壓力及壓差。異常情況的判斷與處理系統(tǒng)發(fā)生堵塞：由于反應設備及原料干燥不夠，有少量水份就會使合成產品發(fā)生水解，積累在管道、閥門、接頭及過濾器等處，使系統(tǒng)發(fā)生堵塞。通過壓差判斷堵塞位置，停車檢修處理。系統(tǒng)發(fā)生泄漏、跑料現(xiàn)象：應進行檢查及時處理，如泄漏較大時應停車檢修。反應器料層壓差變化，多為硅粉料層變化所致，若判斷出現(xiàn)嚴重偏流或死床的情況則應停車處理。換熱器物料側壓差持續(xù)變大，多為列管堵塞所致，則應停車處理。氯硅烷分離提純塔開車應用高純氮氣置換提純塔以及相關所有設備管道，并檢測氮中氧和露點合格。應按照工藝技術操作規(guī)程的要求逐步開車，注意進料流量，升溫升壓速度，防止因為升壓過快引起塔失去控制，發(fā)生事故。在開塔過程中注意，冷熱源的投入必須遵循“先冷后熱”的原則，先通冷卻介質，再通加熱介質，在通入熱源之前要先進料，應避免加熱設備“干燒”的狀況。提純塔停車提純塔停車時應遵循“先熱后冷”的原則，當提純塔所有進出料停止，與其他系統(tǒng)斷開后，先停止熱源，保持冷卻水繼續(xù)運轉，待塔內溫度降下來、塔壓維持穩(wěn)定后方可關閉冷卻循環(huán)水。停塔過程中應隨時監(jiān)視塔內壓力和溫度情況。提純塔停塔后依據(jù)實際情況進行后續(xù)處理。如停塔后不需檢修且物料沒有導出，則要繼續(xù)監(jiān)視塔內各個參數(shù)，杜絕出現(xiàn)超溫超壓及負壓現(xiàn)象；如需要檢修，則應把塔內所有物料導出，高純氮氣置換合格后進行檢修。正常運行操作提純塔運行中要嚴格按照工藝操作參數(shù)控制，壓力、溫度、液位、流量等參數(shù)不應超過所有參數(shù)的控制范圍，保證提純塔物料平衡和能量平衡。pH值或電導值及系統(tǒng)壓力進行在線監(jiān)測，以確保在換熱器泄漏時能夠及時發(fā)現(xiàn)處理。提純塔運行過程中要加強對現(xiàn)場的巡檢，及時發(fā)現(xiàn)事故隱患并及時處理；保證各測壓點、測溫點、液位計等儀表監(jiān)控設施的完整性，發(fā)現(xiàn)異常及時聯(lián)系處理。重要參數(shù)控制提純系統(tǒng)重要壓力控制點：塔頂壓力、塔釜壓力、相關儲罐壓力。提純系統(tǒng)重要溫度控制點：塔頂溫度、塔釜溫度、塔中溫度、循環(huán)水回水溫度。提純系統(tǒng)重要流量控制點：進出料流量、熱源流量。提純系統(tǒng)重要液位控制點：塔釜液位、相關儲罐液位。異常情況的判斷與處理提純塔物料泄漏：提純塔運行中如果出現(xiàn)泄漏時應立即采取停塔處理措施，停止加熱，停止進出料，將塔內物料退至應急儲罐，打開尾氣閥門泄壓，如果條件允許，可使用帶壓堵漏工具對泄漏部位進行封堵，否則待壓力降低后將塔內物料導出，高純氮氣置換，分析合格后再對泄漏部位進行處理。相關水換熱器泄漏水泄漏進氯硅烷中：運行中一旦發(fā)現(xiàn)塔內壓力在熱量、冷量未變化的情況下迅速升高，應立即對該塔進行全面排查，若確認為換熱器泄漏，應立即將換熱器水路進、回水閥門關閉，換熱器內部水排出，塔內氯硅烷全部導出，然后用氮氣置換，待氮氣置換合格后對相應設備進行檢修。pH濃度升高，確定換熱器泄漏，應立即停塔，關閉熱源，根據(jù)塔壓力變化，將換熱器水路進回水閥門關閉，換熱器內部水排出，塔內氯硅烷全部導出，然后用氮氣置換，待氮氣置換合格后對相應設備進行檢修。三氯氫硅還原系統(tǒng)開車開車前要確保各種電氣、儀表設備經校驗合格并正常投用。應按照工藝技術操作規(guī)程的要求逐步開車，硅芯高壓擊穿時人員禁止觸摸還原爐及與其相連的任何管路設施；啟爐成功后注意進料流量、升溫升壓速度的平穩(wěn)控制，防止因為升壓過快出現(xiàn)泄漏事故。系統(tǒng)停車。150℃以下再通入氮氣進行置換。正常運行操作建立巡檢監(jiān)測制度：及時巡檢爐內情況，并監(jiān)測爐內壓力，進出氣溫度、壓力變化；適時檢查還原爐連接電纜、接頭等運行狀況，防止過熱燒紅現(xiàn)象發(fā)生。發(fā)現(xiàn)異常，按應急預案進行處理。定時進行巡檢，記錄工藝運行參數(shù)，并比照前后運行參數(shù)，防止系統(tǒng)出現(xiàn)異常。還原電氣設備還原高壓擊穿系統(tǒng)與低壓調功系統(tǒng)可靠電氣聯(lián)鎖。還原電氣裝置應有硅棒接地報警，預防在運行過程中硅棒靠爐壁生長燒壞爐筒，使冷卻介質進入物料系統(tǒng)釀成大事故。還原調功裝置報警顯示可控硅冷卻水泄漏，必須切斷主電源。還原電氣裝置應有過流，短路等保護，保證設備安全。還原爐停止運行期間，還原主變電源應徹底有效斷開，保證拆裝爐操作的安全。還原尾氣干法回收系統(tǒng)開車所有相關設備管道應采用高純氮氣置換、并檢測氮中氧以及露點合格，然后才能采用高純氫氣置換和進料。氮氣置換時采用單點充壓，多點頂部泄壓的方式進行，泄壓速度參照國家標準；氫氣置換采用單點充壓，多點底部泄壓的方式進行，泄壓速度要緩慢。氮氣置換合格后，進行氫氣置換，合格后進行氫氣聯(lián)動試車，檢查系統(tǒng)運行情況。干法回收系統(tǒng)進料后，循環(huán)降溫的過程中要加強現(xiàn)場巡檢，對低溫設備螺栓進行檢查緊固，防止因為系統(tǒng)溫度降低造成的泄漏。降溫過程中嚴格控制降溫速度，防止低于設備承受溫度而發(fā)生的設備損壞。系統(tǒng)停車干法回收系統(tǒng)停車過程中，要注意各參數(shù)是否異常，特別是鼓泡淋洗系統(tǒng)和脫吸塔壓力是否異常（不能超過系統(tǒng)設定壓力），隨時做好泄壓的準備。停車之后，注意各設備液位，防止液位超出監(jiān)控范圍。正常運行操作。在干法回收系統(tǒng)運行期間，操作者要確保鼓泡淋洗系統(tǒng)壓力、溫度；吸收部分壓力、溫度；各個液位等參數(shù)都保持在正常范圍內。動設備操作人員要監(jiān)控好泵的正常運行和壓縮機、冷凍系統(tǒng)的進出口溫度、壓力、油位等指標。加強現(xiàn)場巡檢，及時發(fā)現(xiàn)事故隱患并及時處理；保證各測壓點、測溫點、液位計等儀表監(jiān)控設施的完整性，發(fā)現(xiàn)異常及時聯(lián)系處理。運行中應定時對系統(tǒng)中各物料進行檢測（成分、雜質），通過檢測結果對控制參數(shù)進行適當?shù)恼{整，以優(yōu)化系統(tǒng)的運行。重要參數(shù)的控制還原尾氣干法回收系統(tǒng)重要壓力控制點：壓縮機進口壓力、出口壓力。還原尾氣干法回收系統(tǒng)重要溫度控制點：吸收液溫度、分離塔釜溫度。還原尾氣干法回收系統(tǒng)重要流量控制點：氯硅烷循環(huán)量、裝置再生氣流量。還原尾氣干法回收系統(tǒng)重要液位控制點：吸收塔液位、分離塔液位。異常情況判斷及處理正常運行時突然停水、停電，泵、壓縮機、冷凍系統(tǒng)會立刻跳停，會造成吸收塔、吸附柱、氫氣緩沖罐的高壓氣體反竄至冷凝系統(tǒng)，導致壓力迅速升高，應設置緊急切斷閥門或止逆設備，防止氣體反竄。操作人員嚴密監(jiān)控各個參數(shù)，現(xiàn)場安排專人負責，一旦出現(xiàn)超壓現(xiàn)象應及時泄壓。氫氣或物料泄漏，應立即將泄漏部位與其它部分斷開，利用尾氣管道泄壓；當系統(tǒng)壓力低于氮氣系統(tǒng)壓力時，向系統(tǒng)內通入高純氮氣，降低泄漏物中可燃物質含量，避免發(fā)生著火、爆炸等次生事故。系統(tǒng)正常運行，壓力突然升高或降低，可能是閥門沒有關嚴或內漏，應排查高低壓之間的連通閥門，及時消除隱患。系統(tǒng)正常運行，溫度突然升高或降低，應檢查相應的冷源或熱源閥門、壓力，及時調整。四氯化硅冷氫化系統(tǒng)開停車系統(tǒng)開車準備硅粉與觸媒下料時應打開除塵裝置，控制加料速度，防止固體粉塵飛揚。操作者應佩戴相關勞動防護用品。進氫氣前要確保所有相關設備、閥門、管道均已打壓檢漏吹掃合格，各種儀表監(jiān)控裝置經校驗合格并正常投用。系統(tǒng)正常開車升溫過程要嚴格監(jiān)控系統(tǒng)各參數(shù)的變化情況，升溫速度不能過快，防止設備管道因為短時間內形變過大而造成的損壞，直至達到設定溫度和壓力后，系統(tǒng)進料正常運行，同時到達一定溫度后對法蘭進行熱緊。運行過程使用高純氫氣將最后一級硅粉加料罐中硅粉推送進入流化床。系統(tǒng)停車檢修。停車時要遵循“先熱后冷”的原則，控制電加熱器降溫速率，保持氫氣壓縮機運行，當系統(tǒng)溫度降至規(guī)定值之下，再停止降溫設備和壓縮機；停車后將系統(tǒng)內剩余物料導出，壓力降為微正壓，氮氣置換。氮氣置換合格后，將氫化系統(tǒng)與其他系統(tǒng)加盲板斷開，按照檢修方案進行檢修。正常運行操作嚴格執(zhí)行循環(huán)氫氣壓縮機倒機操作，盡量減小系統(tǒng)壓力波動，避免出現(xiàn)局部塌床，流化床分布器壓差異常。嚴格控制洗滌塔底部溫度，按操作規(guī)程進行排渣操作，避免塔底堵塞。重要參數(shù)的控制氫化系統(tǒng)重要壓力控制點：壓縮機進口緩沖罐壓力、壓縮機出口緩沖罐壓力、反應器壓力、冷卻器壓力、出料罐壓力。氫化系統(tǒng)重要溫度控制點：電加熱器出口溫度、洗滌塔溫度、反應器溫度、換熱器溫度、冷凝料溫度。氫化系統(tǒng)重要流量控制點：進料流量、補氫流量、循環(huán)流量、出料流量、氯化氫流量（氯氫化工藝）。氫化系統(tǒng)重要液位控制點：混合器液位、冷凝料液位。異常情況的判斷與處理反應器外排的廢硅粉發(fā)生著火時，應及時轉移至空曠地帶并采用干砂覆蓋的方式進行滅火。氫化系統(tǒng)運行中發(fā)生泄漏著火時，要立即停止所有運行設備，切斷物料、氫氣來源，利用各二氯二氫硅反歧化系統(tǒng)開車樹脂干燥包括以下兩種方法：系統(tǒng)正常開車：系統(tǒng)先投用循環(huán)水等冷媒，用純四氯化硅進行液相循環(huán)，循環(huán)完成后按照操作規(guī)程要求進行進料，逐步投用蒸汽，將系統(tǒng)的溫度、壓力、液位等指標調至正常值。系統(tǒng)停車停止反歧化的加熱蒸汽及冷卻循環(huán)水，停止反歧化的進料及采出，從反應柱底部將大部分的物料退出系統(tǒng)。停運的反應柱嚴格控制壓力及溫度，防止剩余物料發(fā)生歧化反應導致設備超壓。系統(tǒng)運行樹脂運行按照工藝操作規(guī)程（或作業(yè)指導書）規(guī)定的溫度、壓力、流量、液位進行控制。加強現(xiàn)場巡檢，發(fā)現(xiàn)事故隱患并及時處理；保證各測壓點、測溫點、液位計等儀表監(jiān)控設施的完整性，發(fā)現(xiàn)異常及時聯(lián)系處理。重要參數(shù)的控制a)反應柱壓力；bcd)反應柱壓差。異常情況的判斷與處理樹脂干燥及活化過程反應柱溫度上漲過快需要停止進料，將反應柱內的氯硅烷及時排除并用冷氮氣進行降溫。樹脂卸放過程出現(xiàn)燃燒需要保持反應柱的微正壓防止回火，同時利用干粉滅火器、二氧化碳滅火器或氮氣及時撲救。廢氣淋洗淋洗塔開車應用高純氮氣置換淋洗塔以及相關所有設備管道，并檢測氮中氧和露點合格。淋洗塔停車正常運行操作重要參數(shù)控制廢氣淋洗系統(tǒng)重要壓力控制點：廢氣緩沖罐壓力、淋洗塔壓力。廢氣淋洗系統(tǒng)重要流量控制點：噴淋水流量。廢氣淋洗系統(tǒng)重要液位控制點：酸水池液位、液封槽液位。異常情況的判斷與處理5.10.5.1淋洗塔泄漏：淋洗塔運行中如果出現(xiàn)泄漏時應立即采取停塔處理措施，停止廢氣進入塔內，停止噴淋水進入塔內，打開氮氣閥門置換系統(tǒng)，分析合格后再對泄漏部位進行處理。附錄A（規(guī)范性）多晶硅生產火災危險性分類火災危險性分類GB50016A.1。表A.1 可燃危險化學品的火災危險性分類表序號危險化學品名稱危險類別閃點℃自燃點℃爆炸極限（V/V）火災危險類別下限上限1硅粉（非晶形的）易燃固體類別2——775160mg/m3——乙類2氫氣易燃氣體類別1——500-5714.175甲類3三氯氫硅自燃液體類別1-281851.290.5甲類4二氯二氫硅易燃氣體類別1-5541-474.196.0甲類注：二氯二氫硅在潮濕空氣中，會發(fā)生局部放熱反應，實際發(fā)生閃爆的環(huán)境溫度往往大大低于該自燃點，這是多晶硅生產過程中最危險的物質之一。多晶硅生產裝置火災危險性分類制氫裝置、氯化氫合成裝置、三氯氫硅合成裝置、氯硅烷分離與提純裝置、三氯氫硅還原裝置、還原尾氣干法回收裝置、四氯化硅氫化裝置、氫氣罐區(qū)、氯硅烷罐區(qū)的火災類別為甲類易燃易爆作業(yè)場所。爆炸性環(huán)境危險區(qū)域劃分GB50058GB50058附錄B（規(guī)范性）多晶硅生產場所空氣中主要有毒物質及粉塵容許濃度表B.1規(guī)定了多晶硅生產場所空氣中有毒物質及粉塵容許濃度。表B.1 多晶硅生產場所空氣中有毒物質及粉塵容許濃度序號危險化學品名稱危險類別健康危害特性毒性危害級別工作場接觸限值mg/m3MACTWASTEL1硅粉易燃固體,類別2嚴重眼損傷/眼刺激,類別2B矽肺————————2氫氟酸急性毒性-經口,類別2*急性毒性-經皮,類別12*皮膚腐蝕/1A嚴重眼損傷/眼刺激,類別1中毒、灼傷Ⅱ2————3硝酸氧化性液體,類別3皮膚腐蝕/刺激,類別1A嚴重眼損傷/眼刺激,類別1中毒、灼傷Ⅲ——————4氫氧化鉀皮膚腐蝕/刺激,類別1A嚴重眼損傷/眼刺激,類別1灼傷IV2————5氫氧化鈉皮膚腐蝕/刺激,類別1A嚴重眼損傷/眼刺激,類別1灼傷IV2————6氯氣加壓氣體急性毒性-吸入,類別2皮膚腐蝕/刺激,類別2中毒、灼傷Ⅱ——————嚴重眼損傷/眼刺激,類別2特異性靶器官毒性-一次接觸,類呼吸道刺激危害水生環(huán)境-急性危害,類別17氫氣易燃氣體,類別1加壓氣體窒息————————8三氯氫硅自燃液體,類別1皮膚腐蝕/刺激,類別1A嚴重眼損傷/眼刺激,類別1特異性靶器官毒性-一次接觸,類呼吸道刺激中毒、灼傷Ⅲ3————9二氯二氫硅易燃氣體,類別1加壓氣體2皮膚腐蝕/1嚴重眼損傷/眼刺激,類別1特異性靶器官毒性-一次接觸,類別2中毒、灼傷Ⅲ——————10四氯化硅皮膚腐蝕/刺激,類別2嚴重眼損傷/眼刺激,類別2特異性靶器官毒呼吸道刺激中毒、灼傷Ⅲ——————11氯化氫加壓氣體急性毒性-吸入,類別3*皮膚腐蝕/刺激,類別1A中毒、灼傷Ⅲ7.5————嚴重眼損傷/眼刺激,類別1危害水生環(huán)境-急性危害,類別112鹽酸皮膚腐蝕/刺激,類別1B嚴重眼損傷/眼刺激,類別1特異性靶器官毒性-一次接觸,類呼吸道刺激危害水生環(huán)境-急性危害,類別2中毒、灼傷Ⅲ7.5————PAGEPAGE19PAGEPAGE20sunlijun按照4.8.1sunlijun按照4.8.1附錄B性質應該一致，即“規(guī)范性”。如果該附錄仍保留為“資料性”，則條描述需修改為：多晶硅生產過程中常見的危險因素參見附錄C。（資料性）多晶硅生產過程中的危險、有害因素火災火災發(fā)生必須具備助燃物質、可燃物質、引燃（爆）能量三個條件。當氫氣或氫氣與氯硅烷混合氣或三氯氫硅（二氯二氫硅、一氯三氫硅）泄漏時，遇明火、靜電或其他能量引燃容易引起火災；氫氣或氫氣與氯硅烷混合氣或三氯氫硅（二氯二氫硅、一氯三氫硅）容器管道破裂時遇明火、靜電或其他能量引燃容易發(fā)生火災?？扇嘉镔|氫氣、三氯氫硅、二氯二氫硅、一氯三氫硅、導熱油；生產過程中在某些生產裝置內形成的未徹底水解的淺黃色干燥團狀或塊狀物質，這些物質具有較強的燃燒性，往往在腳踩的情況下即可發(fā)生燃燒；活性炭、超細硅粉等（包括還原過程中產生的超細無定型硅）。引燃能量明火或高溫物體表面：氫氣電加熱器、還原爐運行狀態(tài)、作業(yè)場所內部或外部帶入的煙火、照明燈具灼熱表面，設備、管道、電器表面的過高溫度、氣焊和切割明火、機動車排氣管噴火星、煙囪飛火花等；摩擦沖擊：機械軸承發(fā)熱，鋼鐵工具、鐵桶和容器與地面相互碰撞或與地坪撞擊、拖拉，帶釘鞋與地坪撞擊等；電器火花：電路開啟與切斷、短路、過載，線路電位差引起的熔融金屬，保險絲熔斷、外露的灼熱絲等，擊穿產生的拉弧等；靜電放電：氯硅烷設備、容器、管道靜電積累或容器、管道破裂、人體靜電、氣體流速過快、使用塑料管產生靜電等；雷電；化學能：自燃（二氯二氫硅、一氯三氫硅），物質混合劇烈放熱反應（三氯氫硅、二氯二氫硅），一氯三氫硅水解放熱自燃等；日光聚焦。增加燃燒危險的因素a）b）c）盛裝易燃易爆液體的壓力容器、管道破裂與容器傾覆后的流淌和擴散；d）比空氣重的氯硅烷蒸氣積聚；e）氣溫高。爆炸密閉空間及通風不良處所，易燃氣體及粉塵積聚達到爆炸極限，遇到火源瞬間燃燒爆炸；氫氣、氯硅烷或二者混合氣大量泄漏，遇到火源瞬間燃燒爆炸；二氯二氫硅泄漏后，遇空氣中的水分，即會發(fā)生局部放熱反應而發(fā)生爆炸；還原爐開爐誤操作，導致在有氫氣或氫氣與氯硅烷化合物與空氣