微電子制造工藝技術(shù)試卷_第1頁
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文檔簡介

班級_______________________成績______25．請闡述摩爾定律的內(nèi)容(4分）3分）IC:SSI:MSI:LSI:VLSI:ULSI:GSI:15分，共25、半導(dǎo)體工業(yè)由那幾部分構(gòu)成？、物質(zhì)的狀態(tài)分為幾種？分別是什么？、晶體缺陷主要有幾種？、請描述熱處理的工藝過程2、光刻的目的是什么?15分，共30、請描述光刻的工藝流程。、防止人員污染的措施有哪些？320假設(shè)晶元生產(chǎn)良品率90%，晶圓電測良品率70%，晶圓封裝測試良品率92%，請計算晶圓整體良品率。42015-2016第二學(xué)期《微電子制造工藝技術(shù)》考查卷答案25．答：摩爾定律：芯片上所集成的晶體管的數(shù)目，每8個月翻一番。(4分）3分）IC:集成電路SSI:小規(guī)模集成電路MSI:中規(guī)模集成電路LSI:大規(guī)模集成電路VLSI:超大規(guī)模集成電路ULSI:特大規(guī)模集成電路GSI:巨大規(guī)模集成電路5分，共25設(shè)備及化學(xué)品供應(yīng)商。、物質(zhì)有4種狀態(tài)：固態(tài)、液態(tài)、氣態(tài)和等離子態(tài)。、晶體缺陷主要有點缺陷、位錯、層錯、微缺陷。、熱處理是簡單地講晶圓加熱或冷卻來達(dá)到特定結(jié)果的工藝過程。、光刻的目的：在半導(dǎo)體基片表面，用圖形復(fù)印和腐蝕的辦法制備出呵護(hù)要求的薄膜圖形，以實現(xiàn)選擇擴(kuò)散或注入、金屬膜不限或表面鈍化等目的。515分，共30、請描述光刻的工藝流程?；疤幚硗抗饪棠z前烘曝光顯影后烘刻蝕去膠、防止人員污染的措施有哪些？）把工作人員完全包裹起來：選擇無脫落材料全封閉的潔凈服。）嚴(yán)

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