器件模型參數(shù)變化對MOSFET特性的影響

#橫向擴散長度越長，溝道越短，電子的復(fù)合機會越小，器件的速度越快。從圖23可以看出，隨著橫向擴散長度Ld增加，特征頻率隨之線性增加。四、結(jié)論本次仿真仿了柵氧化層厚度、溝道調(diào)制系數(shù)、襯底摻雜濃度、表面遷移率、快界面態(tài)、以及橫向擴散長度這些S參數(shù)對器件跨導(dǎo)、遷移率、特征頻率的影響，得到結(jié)論如下：1、隨著柵氧化層厚度T丿曾加，NMOS的跨導(dǎo)、遷移率、特征頻率均下降。OX2、隨著溝道調(diào)制系數(shù)Lambda增加，NMOS的跨導(dǎo)、遷移率、特征頻率均增加。3、隨著襯底摻雜濃度的增加，NMOS管的跨導(dǎo)、遷移率、特征頻率均快速下降。4、隨著快界面態(tài)的密度增加，NMOS管的跨導(dǎo)、遷移率上升，而特征頻率下降。5、隨著表面遷移率值增加，NMOS管的跨導(dǎo)、遷移率、特征頻率均上升。6、隨著橫向擴散長度的增大，NMOS管的跨導(dǎo)、遷移率、特征頻率均上升。五、感想、體會、收獲、建議、意見MOS管廣泛的應(yīng)用與現(xiàn)代集成電路設(shè)計中，本科中也對MOS管的特性進行了學(xué)習(xí)。對于MOS管的工作原理，I-V特性，C-V特性學(xué)習(xí)了很多，而對于影響MOS管這些直流特性和頻率特性的二級效應(yīng)學(xué)習(xí)及理解較少。本次仿真通過ADS軟件，直觀的看到了這些S參數(shù)的改變，對器件的電流電壓特性、跨導(dǎo)、遷移率、頻率特性帶來的影響，加深了我對這些二級效應(yīng)理論知識的理解。本次仿真我仿了柵氧化層厚度、溝道調(diào)制系數(shù)、襯底摻雜濃度、表面遷移率、快界面態(tài)、以及橫向擴散長度這些S參數(shù)對器件跨導(dǎo)、遷移率、特征頻率的影響。其中柵氧化層厚度、溝道調(diào)制系數(shù)、襯底摻雜濃度這三個系數(shù)在書本上介紹的較多，理解起來并不困難。它們對跨導(dǎo)、遷移率、特征頻率的影響可以提前預(yù)測，通過這次仿真實際上是對書本上的知識進行了驗證。表面遷移率、快界面態(tài)、以及橫向擴散長度接觸就較少，只是知道這些參數(shù)的名字及物理意義。對于它們對MOS管的影響接則不是很清楚，通過仿真直觀的看到了它們對MOS管的跨導(dǎo)、遷移率、特征頻率的影響，并才仿真的基礎(chǔ)上有了一定的猜想和分析。六、參考文獻【1】衛(wèi)喆，SPICE算法研究和實現(xiàn)，電子科技大學(xué)，2009年【2】謝翠琴，簡化小尺寸MOS晶體管SPICE模型關(guān)鍵參數(shù)的研究，安徽大學(xué)，2010年【3】劉恩科，半導(dǎo)體物理學(xué)，第七版，電子工業(yè)出版社，陳曉莉，2012年【4】DonaldA.Neamen,半導(dǎo)體器件，第四版