快速成為達(dá)人之硬盤基礎(chǔ)知識(shí)

快速成為達(dá)人之硬盤基礎(chǔ)知識(shí)第1頁，共69頁，2023年，2月20日，星期一什么是硬盤？硬盤（HardDisk，也稱硬盤存儲(chǔ)器）是各種數(shù)據(jù)的主要存放場所之一，平常所用的操作系統(tǒng)（如Windows98等）、各種應(yīng)用軟件、資料和游戲都存放在硬盤中，是計(jì)算機(jī)的重要部件之一。第2頁，共69頁，2023年，2月20日，星期一硬盤的工作原理硬盤存儲(chǔ)數(shù)據(jù)是根據(jù)電、磁轉(zhuǎn)換的原理來實(shí)現(xiàn)的。硬盤驅(qū)動(dòng)器加電后，磁盤片由主軸電機(jī)驅(qū)動(dòng)進(jìn)行高速旋轉(zhuǎn)，設(shè)置在盤片表面的磁頭則在電路控制下徑向移動(dòng)到指定位置然后將數(shù)據(jù)存儲(chǔ)或讀出來。當(dāng)系統(tǒng)向硬盤寫入數(shù)據(jù)時(shí)，磁頭中寫數(shù)據(jù)電流產(chǎn)生磁場使盤片表面磁性物質(zhì)狀態(tài)發(fā)生改變，并在寫電流磁場消失后仍能保持，當(dāng)系統(tǒng)從硬盤中讀取數(shù)據(jù)時(shí)，磁頭經(jīng)過盤片指定區(qū)域，盤片表面磁場使磁頭產(chǎn)生感應(yīng)電流或線圈阻抗產(chǎn)生變化，經(jīng)過相關(guān)電路處理后還原成數(shù)據(jù)。第3頁，共69頁，2023年，2月20日，星期一硬盤的發(fā)展歷史1956年，美國IBM公司制造出世界上第一塊容量為5MB的硬盤。1968年，IBM公司又提出了溫徹斯特(Winchester)技術(shù)。溫徹斯特技術(shù)的精髓是：“密封、固定并高速旋轉(zhuǎn)的鍍磁盤片，磁頭沿盤片徑向移動(dòng)，并且是懸浮在高速轉(zhuǎn)動(dòng)的盤片上方，而不與盤片直接接觸”，這也是現(xiàn)代絕大多數(shù)硬盤的原型。1973年，IBM公司制造出了第一臺(tái)采用溫徹斯特技術(shù)的硬盤，從此硬盤技術(shù)的發(fā)展有了正確的結(jié)構(gòu)基礎(chǔ)，現(xiàn)在使用的硬盤大多是此技術(shù)的延伸。第4頁，共69頁，2023年，2月20日，星期一硬盤的結(jié)構(gòu)硬盤尺寸主要有5.25英寸和3.5英寸兩種，現(xiàn)在市場上普遍使用的是3.5英寸硬盤。用于筆記本電腦中的有2.5英寸、1.8英寸和0.9英寸等幾種。硬盤主要由：盤片，磁頭，盤片轉(zhuǎn)軸及控制電機(jī)，磁頭控制器，數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換器，接口，緩存等幾個(gè)部分組成。第5頁，共69頁，2023年，2月20日，星期一硬盤的主要部件第6頁，共69頁，2023年，2月20日，星期一硬盤的外部結(jié)構(gòu)在硬盤的正面都貼有硬盤的標(biāo)簽，標(biāo)簽上一般都標(biāo)注著與硬盤相關(guān)的信息，例如產(chǎn)品型號、產(chǎn)地、出廠日期、產(chǎn)品序列號等。在硬盤的一端有電源接口插座、主從設(shè)置跳線器和數(shù)據(jù)線接口插座，而硬盤的背面則是控制電路板?？偟脕碚f，硬盤外部結(jié)構(gòu)可以分成如下幾個(gè)部份：第7頁，共69頁，2023年，2月20日，星期一硬盤正面第8頁，共69頁，2023年，2月20日，星期一硬盤背面第9頁，共69頁，2023年，2月20日，星期一接口包括電源插口和數(shù)據(jù)接口兩部分，其中電源插口與主機(jī)電源相聯(lián)，為硬盤工作提供電力保證；數(shù)據(jù)接口則是硬盤數(shù)據(jù)和主板控制器之間進(jìn)行傳輸交換的紐帶，根據(jù)聯(lián)接方式的差異，分為EIDE接口和SCSI接口等。第10頁，共69頁，2023年，2月20日，星期一固定面板就是硬盤正面的面板，它與底板結(jié)合成一個(gè)密封的整體，保證了硬盤盤片和機(jī)構(gòu)的穩(wěn)定運(yùn)行。在面板上最顯眼的莫過于產(chǎn)品標(biāo)簽，上面印著產(chǎn)品型號、產(chǎn)品序列號、產(chǎn)品、生產(chǎn)日期等信息。固定面板和盤體側(cè)面還設(shè)有安裝孔，以方便安裝。除此，還有一個(gè)透氣孔，它的作用就是使硬盤內(nèi)部氣壓與大氣氣壓保持一致。第11頁，共69頁，2023年，2月20日，星期一固定面板第12頁，共69頁，2023年，2月20日，星期一控制電路板一般在硬盤的背面，大多采用貼片式元件焊接，包括主軸調(diào)速電路、磁頭驅(qū)動(dòng)與伺服定位電路、讀寫電路、控制與接口電路等。在電路板上還有一塊高效的單片機(jī)ROM芯片，其固化的軟件可以進(jìn)行硬盤的初始化，執(zhí)行加電和啟動(dòng)主軸電機(jī)，加電初始尋道、定位以及故障檢測等。在電路板上還安裝有容量不等的高速緩存芯片。第13頁，共69頁，2023年，2月20日，星期一控制電路板第14頁，共69頁，2023年，2月20日，星期一硬盤的內(nèi)部結(jié)構(gòu)硬盤內(nèi)部結(jié)構(gòu)由固定面板、控制電路板、磁頭、盤片、主軸、電機(jī)、接口及其它附件組成，其中磁頭盤片組件(HardDiskAssembly，HDA)是構(gòu)成硬盤的核心，它封裝在硬盤的凈化腔體內(nèi)，包括有浮動(dòng)磁頭組件、磁頭驅(qū)動(dòng)機(jī)構(gòu)、盤片、主軸驅(qū)動(dòng)裝置及前置讀寫控制電路這幾個(gè)部份。第15頁，共69頁，2023年，2月20日，星期一硬盤的內(nèi)部結(jié)構(gòu)將硬盤面板揭開后，內(nèi)部結(jié)構(gòu)即可一目了然。第16頁，共69頁，2023年，2月20日，星期一硬盤的內(nèi)部結(jié)構(gòu)細(xì)看硬盤內(nèi)部結(jié)構(gòu)。第17頁，共69頁，2023年，2月20日，星期一硬盤的內(nèi)部結(jié)構(gòu)細(xì)看硬盤內(nèi)部結(jié)構(gòu)。第18頁，共69頁，2023年，2月20日，星期一浮動(dòng)磁頭組件是硬盤中最精密的部位之一，它由讀寫磁頭、傳動(dòng)手臂、傳動(dòng)軸三部份組成。磁頭是硬盤技術(shù)中最重要和關(guān)鍵的一環(huán)，實(shí)際上是集成工藝制成的多個(gè)磁頭的組合，它采用了非接觸式頭、盤結(jié)構(gòu)，加后電在高速旋轉(zhuǎn)的磁盤表面移動(dòng)，與盤片之間的間隙只有0.1～0.3μm，這樣可以獲得很好的數(shù)據(jù)傳輸率。現(xiàn)在轉(zhuǎn)速為7200RPM的硬盤間隙一般都低于0.3μm，以利于讀取較大的高信噪比信號，提供數(shù)據(jù)傳輸率的可靠性。分類第19頁，共69頁，2023年，2月20日，星期一浮動(dòng)磁頭組件第20頁，共69頁，2023年，2月20日，星期一磁頭驅(qū)動(dòng)機(jī)構(gòu)盤硬的尋道是靠移動(dòng)磁頭，而移動(dòng)磁頭則需要該機(jī)構(gòu)驅(qū)動(dòng)才能實(shí)現(xiàn)。磁頭驅(qū)動(dòng)機(jī)構(gòu)由電磁線圈電機(jī)、磁頭驅(qū)動(dòng)小車、防震動(dòng)裝置構(gòu)成，高精度的輕型磁頭驅(qū)動(dòng)機(jī)構(gòu)能夠?qū)Υ蓬^進(jìn)行正確的驅(qū)動(dòng)和定位，并能在很短的時(shí)間內(nèi)精確定位系統(tǒng)指令指定的磁道。第21頁，共69頁，2023年，2月20日，星期一磁盤片盤片是硬盤存儲(chǔ)數(shù)據(jù)的載體，現(xiàn)在硬盤的盤片大多采用金屬薄膜材料，這種金屬薄膜較軟盤的不連續(xù)顆粒載體具有更高的存儲(chǔ)密度、高剩磁及高矯正等優(yōu)點(diǎn)。另外，IBM還有一種被稱為“玻璃盤片”的材料作為盤片基質(zhì)，玻璃盤片比普通盤片在運(yùn)行時(shí)具有更好的穩(wěn)定性。硬盤的盤片是完全平整的，簡直可以當(dāng)鏡子使用。第22頁，共69頁，2023年，2月20日，星期一磁盤片第23頁，共69頁，2023年，2月20日，星期一磁盤片磁盤片表面上以磁盤片中心為圓心，不同半徑的同心圓稱為磁道。不同磁盤片相同半徑的磁道所組成的圓柱稱為柱面。磁盤片被分成許多扇形的區(qū)域，每個(gè)區(qū)域叫一個(gè)扇區(qū)。第24頁，共69頁，2023年，2月20日，星期一磁盤片第25頁，共69頁，2023年，2月20日，星期一磁盤片磁盤片的數(shù)據(jù)結(jié)構(gòu)按照磁道從低到高可以分為5部分：第26頁，共69頁，2023年，2月20日，星期一磁盤片MBR（MasterBootRecord，主引導(dǎo)記錄），位于硬盤的0柱面、0磁頭、1扇區(qū)的位置，被稱之為零磁道位置。它由分區(qū)命令Fdisk產(chǎn)生的。MBR結(jié)束標(biāo)志為55AA。第27頁，共69頁，2023年，2月20日，星期一磁盤片DBR（DOSBootRecord，Dos引導(dǎo)記錄），該層位于硬盤的0柱面、1磁頭、1扇區(qū)的位置，它是由格式化命令Format產(chǎn)生的。DBR結(jié)束標(biāo)志也是55AA。第28頁，共69頁，2023年，2月20日，星期一磁盤片F(xiàn)AT（FileAllocationTable，文件分配表），位于硬盤的0柱面、1磁頭、2扇區(qū)的位置，F(xiàn)AT表面大小由硬盤的容量來決定。第29頁，共69頁，2023年，2月20日，星期一磁盤片DIR（Directory，文件目錄），當(dāng)在DOS模式下輸入DIR后，屏幕上顯示的內(nèi)容就是該區(qū)的內(nèi)容。第30頁，共69頁，2023年，2月20日，星期一磁盤片DATA，數(shù)據(jù)層，主要負(fù)責(zé)硬盤中數(shù)據(jù)的存放，當(dāng)數(shù)據(jù)復(fù)制到硬盤時(shí)，數(shù)據(jù)就存儲(chǔ)在這個(gè)區(qū)中。硬盤容量=柱面數(shù)*扇區(qū)數(shù)*磁頭數(shù)*字節(jié)數(shù)/扇區(qū)第31頁，共69頁，2023年，2月20日，星期一主軸組件主軸組件包括主軸部件如軸承和驅(qū)動(dòng)電機(jī)（馬達(dá)）等。隨著硬盤容量的擴(kuò)大和速度的提高，主軸電機(jī)的速度也在不斷提升，有廠商開始采用精密機(jī)械工業(yè)的液態(tài)軸承電機(jī)技術(shù)(FDB，F(xiàn)luidDynamicBearingmotors)。采用FDB電機(jī)不僅可以使硬盤的工作噪音降低許多，而且還可以增加硬盤的工作穩(wěn)定性。第32頁，共69頁，2023年，2月20日，星期一主軸組件第33頁，共69頁，2023年，2月20日，星期一前置控制電路前置電路控制磁頭感應(yīng)的信號、主軸電機(jī)調(diào)速、磁頭驅(qū)動(dòng)和伺服定位等，由于磁頭讀取的信號微弱，將放大電路密封在腔體內(nèi)可減少外來信號的干擾，提高操作指令的準(zhǔn)確性。第34頁，共69頁，2023年，2月20日，星期一硬盤接口類型IDE有兩種傳輸方式：PIO、DMASCSI兩者比較第35頁，共69頁，2023年，2月20日，星期一硬盤的性能指標(biāo)硬盤也是計(jì)算機(jī)的重要部件，同樣對計(jì)算機(jī)的整體性能起著決定性的作用。我們就介紹一下硬盤主要的性能指標(biāo)。第36頁，共69頁，2023年，2月20日，星期一主軸轉(zhuǎn)速硬盤的主軸轉(zhuǎn)速是決定硬盤內(nèi)部數(shù)據(jù)傳輸率的決定因素之一，它在很大程度上決定了硬盤的速度，同時(shí)也是區(qū)別硬盤檔次的重要標(biāo)志。從目前的情況來看，7200RPM的硬盤在國內(nèi)市場已經(jīng)逐步取代了5400RPM硬盤的地位，成為了主流，而更高轉(zhuǎn)速的硬盤，如SCSI硬盤的主軸轉(zhuǎn)速已經(jīng)達(dá)到10000RPM甚至15000RPM，但由于價(jià)格原因讓普通用戶難以接受。第37頁，共69頁，2023年，2月20日，星期一主軸轉(zhuǎn)速隨著硬盤轉(zhuǎn)速的提升，會(huì)使硬盤的發(fā)熱量不斷升高，若硬盤散發(fā)的熱量不能及時(shí)地傳導(dǎo)出去，硬盤就會(huì)升溫。為此，可以在硬盤上安裝一個(gè)硬盤散熱風(fēng)扇，增強(qiáng)散熱效果。第38頁，共69頁，2023年，2月20日，星期一單碟容量因?yàn)闃?biāo)準(zhǔn)硬盤的碟片數(shù)是有限的，靠增加碟片來擴(kuò)充容量滿足不斷增長的存儲(chǔ)容量的需求是不可行的。只有提高每張碟片的容量才能從根本上解決這個(gè)問題。單碟容量的一個(gè)重要意義在于提升硬盤的數(shù)據(jù)傳輸速度。硬盤單碟容量的提高得益于數(shù)據(jù)記錄密度的提高，而記錄密度同數(shù)據(jù)傳輸率是成正比的，單碟容量越高，它的數(shù)據(jù)傳輸率也將會(huì)越高。第39頁，共69頁，2023年，2月20日，星期一高速緩存指在硬盤內(nèi)部的高速存儲(chǔ)器，硬盤的數(shù)據(jù)被磁頭讀取后先存到硬盤上的緩存芯片中，再由接口傳送給系統(tǒng)，緩存的容量和速度都對硬盤速都有直接影響。目前硬盤的高速緩存一般為512KB～2MB，最近出現(xiàn)的8MB緩存硬盤。第40頁，共69頁，2023年，2月20日，星期一最大內(nèi)部數(shù)據(jù)傳輸率也叫持續(xù)數(shù)據(jù)傳輸率(SustainedTransferRate)，單位為Mb/s。它是指磁頭至硬盤緩存間的最大數(shù)據(jù)傳輸率，一般取決于硬盤的盤片轉(zhuǎn)速和盤片線密度(指同一磁道上的數(shù)據(jù)容量)。注意，在這項(xiàng)指標(biāo)中常常使用Mb/s或Mbps為單位，這是兆位/秒的意思，如果需要轉(zhuǎn)換成MB/s(兆字節(jié)/秒)，就必須將Mbps數(shù)據(jù)除以8(一字節(jié)8位數(shù))。第41頁，共69頁，2023年，2月20日，星期一外部數(shù)據(jù)傳輸率也稱為突發(fā)數(shù)據(jù)傳輸率(BurstDataTransferRate)，它是指從硬盤緩沖區(qū)讀取數(shù)據(jù)的速率，單位為MB/s。目前有UltraDMA/33、UltraDMA/66和UltraDMA/100三種，現(xiàn)在主流的硬盤已經(jīng)全部采用UltraDMA/100技術(shù)，外部數(shù)據(jù)傳輸率可達(dá)100MB/s。第42頁，共69頁，2023年，2月20日，星期一尋道時(shí)間是指硬盤磁頭移動(dòng)到數(shù)據(jù)所在磁道而所用的時(shí)間，單位為毫秒(ms)。尋道時(shí)間又分為平均尋道時(shí)間和道間步進(jìn)時(shí)間：平均尋道時(shí)間則為磁頭移動(dòng)到正中間的磁道需要的時(shí)間，單位為毫秒(ms)；道間步進(jìn)時(shí)間表示磁頭從一個(gè)磁道轉(zhuǎn)移至另一磁道的時(shí)間，單位為毫秒(ms)。第43頁，共69頁，2023年，2月20日，星期一潛伏期表示當(dāng)磁頭移動(dòng)到數(shù)據(jù)所在的磁道后，等待所要的數(shù)據(jù)塊繼續(xù)轉(zhuǎn)動(dòng)（半圈或多些、少些）到磁頭下的時(shí)間，其單位為毫秒(ms)。平均潛伏期就是盤片轉(zhuǎn)半圈的時(shí)間。第44頁，共69頁，2023年，2月20日，星期一全程訪問時(shí)間（平均訪問時(shí)間）指磁頭開始移動(dòng)直到最后找到所需要的數(shù)據(jù)塊所用的全部時(shí)間，單位為毫秒(ms)。平均訪問時(shí)間指磁頭找到指定數(shù)據(jù)的平均時(shí)間，單位為毫秒(ms)。通常是平均尋道時(shí)間和平均潛伏時(shí)間之和。第45頁，共69頁，2023年，2月20日，星期一連續(xù)無故障時(shí)間(MTBF)是指硬盤從開始運(yùn)行到出現(xiàn)故障的最長時(shí)間，單位是小時(shí)。一般硬盤的MTBF至少在30,000小時(shí)以上。第46頁，共69頁，2023年，2月20日，星期一新型磁頭技術(shù)MR（Magneto一ResistiveHead，磁阻磁頭）技術(shù)可以更高的實(shí)際記錄密度、記錄數(shù)據(jù)，從而增加硬盤容量，提高數(shù)據(jù)吞吐率。GMR（GiantMagnetoResistive，巨型磁阻磁頭）是利用特殊材料的電阻值隨磁場變化的原理來讀取盤片上的數(shù)據(jù)，使用了磁阻效應(yīng)更好的材料和多層薄膜結(jié)構(gòu)，從而可以實(shí)現(xiàn)更高的存儲(chǔ)密度。第47頁，共69頁，2023年，2月20日，星期一S.M.A.R.T技術(shù)S.M.A.R.T(Self－Monitoring、Analysis＆ReportingTechnology，自動(dòng)監(jiān)測、分析和報(bào)告)技術(shù)可有效保護(hù)硬盤，使得硬盤可以監(jiān)測和分析自己的工作狀態(tài)和性能，并將其顯示出來。第48頁，共69頁，2023年，2月20日，星期一SPS防震技術(shù)SPS(ShockProtectionSystem，震動(dòng)保護(hù)系統(tǒng))是由昆騰公司開發(fā)，使硬盤在受到撞擊時(shí)，保持磁頭不受震動(dòng)，磁頭和磁頭臂停泊在盤片上，沖擊能量被硬盤其他部分吸收，這樣能有效地提高硬盤的抗震性能，使硬盤在運(yùn)輸、使用及安裝的過程中最大限度地免受震動(dòng)的損壞。第49頁，共69頁，2023年，2月20日，星期一硬盤的工作模式硬盤的工作模式主要有三種，分別是：NORMALLBALARGE第50頁，共69頁，2023年，2月20日，星期一NORMAL模式NORMAL（普通模式）是最早的IDE方式，在硬盤訪問時(shí)，BIOS和IDE控制器對參數(shù)不做任何轉(zhuǎn)換。該模式支持的最大硬盤的容量為528MB。也就是說，在此模式下，硬盤的實(shí)際物理容量再大，也只能用到其中的528M。第51頁，共69頁，2023年，2月20日，星期一LBA模式LBA(LogicalBlockAddressing，邏輯塊尋址模式)是一種克服528MB限制的新型硬盤存取方法。在LBA模式下，設(shè)置的柱面、磁頭、扇區(qū)等參數(shù)并不是實(shí)際硬盤的物理參數(shù)。在訪問硬盤時(shí)，由IDE控制器把由柱面、磁頭、扇區(qū)等參數(shù)確定的邏輯地址轉(zhuǎn)換為實(shí)際硬盤的物理地址。在LBA模式下，管理的硬盤空間可達(dá)8.4GB。不過現(xiàn)在新主板可以使LBA能支持100GB以上的硬盤。第52頁，共69頁，2023年，2月20日，星期一LARGE模式LARGE（大規(guī)模管理模式）在硬盤的柱面超過1024而又不為LBA支持時(shí)采用。LARGE模式采用的方法是把柱面數(shù)除以2，把磁頭數(shù)乘以2，使得某些硬盤的柱面低于1024，但其結(jié)果總?cè)萘坎蛔儭Ｔ贚ARGE模式中，可支持的最大容量為1GB。第53頁，共69頁，2023年，2月20日，星期一ATA/100ATA/100是美國昆騰（Quantum）公司聯(lián)合幾大廠商在原有的ATA/66基礎(chǔ)上推出的新一代接口類型，它是昆騰公司在硬盤接口開發(fā)方面已經(jīng)申請專利的第三代技術(shù)。這個(gè)接口已經(jīng)得到了英特爾公司和其他一些第一流的芯片制造商的支持，目前也已被正式確立為硬盤的下一代接口類型。其最大的特點(diǎn)及好處就是將硬盤的最大外部數(shù)據(jù)傳輸率提高到了100MB/s。ATA/100硬盤也是采用40針的接口，并且向下兼容，ATA/100還支持CRC錯(cuò)誤檢測修正技術(shù)，這可使用戶在享受高速度的同時(shí)保障用戶數(shù)據(jù)的安全性及完整性。ATA/100(DMA100)標(biāo)準(zhǔn)于2000年6月2日在美國正式確立。第54頁，共69頁，2023年，2月20日，星期一ATA/133ATA/133是完全延續(xù)原來并行ATA的技術(shù)特征，從根本上講，它與現(xiàn)在廣泛采用的ATA/100沒有任何區(qū)別，只是將硬盤接口帶寬拓寬到北京佳尚財(cái)稅5/了133MB/s，更大的帶寬意味著系統(tǒng)能支持更高的傳輸率。ATA/133的接口電纜與ATA/100完全一樣，都是40針80芯的硬盤線，它們都支持CRC冗余循環(huán)校正，都支持S.M.A.R.T等。由于此種硬盤接口是由邁拓公司獨(dú)立設(shè)立，所以邁拓所謂的FastDrive其實(shí)也就是ATA/133的技術(shù)核心。第55頁，共69頁，2023年，2月20日，星期一其它類型硬盤移動(dòng)硬盤閃存易盤Easydisk/優(yōu)盤Onlydisk第56頁，共69頁，2023年，2月20日，星期一移動(dòng)硬盤移動(dòng)硬盤是重要的移動(dòng)存儲(chǔ)設(shè)備，它具有大容量，插拔簡便，安全性可靠性強(qiáng)，讀寫速度較其他移動(dòng)存儲(chǔ)設(shè)備快的特點(diǎn)。隨著各種產(chǎn)品的逐漸上市，價(jià)格也逐漸走低，移動(dòng)硬盤越來越多的被人們所熟知，并且由于使用、攜帶都很方便等特點(diǎn)，被越來越多的人所接受。移動(dòng)硬盤主要采用了USB和IEEE1394兩種接口。第57頁，共69頁，2023年，2月20日，星期一移動(dòng)硬盤USB移動(dòng)硬盤IEEE1394移動(dòng)硬盤第58頁，共69頁，2023年，2月20日，星期一閃存閃存作為一種非易失性（簡單說就是在不加電的情況下數(shù)據(jù)也不會(huì)丟失，區(qū)別于目前常用的計(jì)算機(jī)內(nèi)存）的半導(dǎo)體存儲(chǔ)芯片，之所以有這個(gè)名稱，只因?yàn)樾畔⒃谝凰查g（閃電式的，flash）被存儲(chǔ)下來。它具有體積小、功耗低、不易受物理破壞的優(yōu)點(diǎn)，是移動(dòng)數(shù)碼產(chǎn)品的理想存儲(chǔ)介質(zhì)。第59頁，共69頁，2023年，2月20日，星期一閃存CompactFlash存儲(chǔ)卡IomegaClick（PC卡）第60頁，共69頁，2