光刻膠市場(chǎng)現(xiàn)狀分析及發(fā)展前景

光刻膠市場(chǎng)現(xiàn)狀分析及發(fā)展前景半導(dǎo)體光刻膠：技術(shù)難度最高，增速最快全球半導(dǎo)體光刻膠市場(chǎng)增速遠(yuǎn)高于全球光刻膠平均水平，占比不斷提升。據(jù)SEMI統(tǒng)計(jì)，2021年全球半導(dǎo)體光刻膠市場(chǎng)規(guī)模達(dá)24．71億美元，較上年同期增長(zhǎng)19．49%，2015-2021年CAGR為12．03%。2019年全球半導(dǎo)體光刻膠市場(chǎng)規(guī)模分別為約為18億美元，半導(dǎo)體光刻膠占整體光刻膠比重約21．9%，到2021年占比提升至26．85%。大陸半導(dǎo)體光刻膠增速超全球兩倍。分地區(qū)看，中國(guó)大陸半導(dǎo)體光刻膠市場(chǎng)依舊保持著最快增速，2021年市場(chǎng)規(guī)模達(dá)到4．93億美元，較上年同期增長(zhǎng)43．69%，超過(guò)全年半導(dǎo)體光刻膠增速的兩倍；中國(guó)占比全球半導(dǎo)體光刻膠市場(chǎng)比重也將從2015年約10．4%提升到2021年接近20%。中國(guó)半導(dǎo)體光刻膠的快速崛起離不開中國(guó)整體半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的發(fā)展。受益于5G大規(guī)模建設(shè)，以及2020年新冠疫情導(dǎo)致遠(yuǎn)程辦公、網(wǎng)絡(luò)直播等應(yīng)用普及，全球集成電路行業(yè)發(fā)展迅猛，根據(jù)Frost&Sullivan數(shù)據(jù)，2013年集成電路市場(chǎng)規(guī)模為2518億美元，到2019年集成電路市場(chǎng)規(guī)模高達(dá)3334億美元，年復(fù)合增長(zhǎng)率為4．79%。2019年全球集成電路市場(chǎng)規(guī)模有所下滑，主要系全球貿(mào)易摩擦、存儲(chǔ)供需變化以及智能手機(jī)、服務(wù)器等產(chǎn)品需求下滑因素影響。預(yù)計(jì)到2025年，全球集成電路市場(chǎng)規(guī)模將達(dá)到4750億美元，2020-2025年CAGR為6．02%。我國(guó)集成電路行業(yè)起步較晚，但發(fā)展迅速。根據(jù)中國(guó)半導(dǎo)體行業(yè)協(xié)會(huì)數(shù)據(jù)，2013年中國(guó)集成電路銷售收入為2508億元，2019年達(dá)到7562億元，年均復(fù)合增速達(dá)到20．2%，在5G和新興產(chǎn)業(yè)的發(fā)展帶動(dòng)下，如汽車電子行業(yè)和物聯(lián)網(wǎng)的推動(dòng)下，中國(guó)集成電路行業(yè)市場(chǎng)規(guī)模將不斷擴(kuò)大，預(yù)計(jì)到2025年，我國(guó)集成電路市場(chǎng)規(guī)模將達(dá)到18932億元，2020-2025年CAGR為16．22%。按曝光波長(zhǎng)分，全球ArF/EUV光刻膠占比超50%，為國(guó)際主流。半導(dǎo)體光刻膠按照曝光波長(zhǎng)不同可分為g線（436nm）、i線（365nm）、KrF（248nm）、ArF（193nm）以及新興起的EUV光刻膠5大類，高端光刻膠指KrF、ArF和EUV光刻膠，等級(jí)越往上其極限分辨率越高，同一面積的硅晶圓布線密度越大，性能越好。根據(jù)TECHCET數(shù)據(jù)，從市場(chǎng)分布看，2021年ArFi+ArF光刻膠占全球光刻膠市場(chǎng)規(guī)模的比例為48．1%，KrF占比34．7%，G/I線占14．7%。ArF（包括ArFi）光刻膠已是集成電路制造需求金額最大的光刻膠產(chǎn)品，隨著集成電路產(chǎn)業(yè)超先進(jìn)制程持續(xù)發(fā)展，ArF光刻膠持續(xù)迎來(lái)廣闊市場(chǎng)機(jī)遇。隨著全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的發(fā)展，制造工藝技術(shù)節(jié)點(diǎn)的不斷縮小，KrF和ArF光刻膠市場(chǎng)需求量更大，增速更快，是推動(dòng)當(dāng)下光刻膠市場(chǎng)快速增長(zhǎng)的主要因素。從市場(chǎng)規(guī)模增速來(lái)看，EUV光刻膠發(fā)展最快，但處于發(fā)展初期體量較小，2021年僅約0．51億美元，預(yù)計(jì)到2025年達(dá)到1．97億美元，2020-2025CAGR達(dá)48．8%；增速第二快的是KrF光刻膠，其2021年全球市場(chǎng)規(guī)模為6．9億美元，預(yù)計(jì)到2025年達(dá)到9．07億美元，2020-2025年CAGR為8．2%。ArF光刻膠（ArF+ArFi）2021年全球市場(chǎng)規(guī)模為9．55億美元，預(yù)計(jì)到2025達(dá)到10．72億美元，2020-2025CAGR為3．5%；較為低端的g/i線光刻膠預(yù)計(jì)市場(chǎng)規(guī)模變化不大，占比縮小。從應(yīng)用產(chǎn)品看，2021年邏輯占比超63．5%，是第一大應(yīng)用領(lǐng)域。非易失性存儲(chǔ)器（NVM）是一種計(jì)算機(jī)即使關(guān)閉電源也能夠保存已保存數(shù)據(jù)的存儲(chǔ)器，增速最快。根據(jù)TECHCET數(shù)據(jù)，2021年邏輯用光刻膠需求超過(guò)595萬(wàn)升，占比超過(guò)63．5%，到2025年需求量提升到約677萬(wàn)升，2021-2025年CAGR為3．3%，由于NVM對(duì)光刻膠需求的快速提升（2021-2025CAGR12．8%），預(yù)計(jì)2025年邏輯占比略降低到59．5%，NVM占比提升到26．4%。對(duì)非易失性存儲(chǔ)器（NVM）的需求是主要由于移動(dòng)設(shè)備所需要的存儲(chǔ)容量大幅提升，尤其是相機(jī)、智能手機(jī)和平板電腦。晶圓制造產(chǎn)能擴(kuò)張，光刻膠需求高增長(zhǎng)半導(dǎo)體光刻膠作為關(guān)鍵材料，晶圓廠產(chǎn)能變化預(yù)示光刻膠需求變化。SMIC的8寸晶圓出貨量與我國(guó)整體半導(dǎo)體材料銷售額呈現(xiàn)高度正相關(guān)，因此晶圓產(chǎn)能的擴(kuò)張節(jié)奏，可以作為整個(gè)半導(dǎo)體材料的景氣度風(fēng)向標(biāo)。我國(guó)在世界晶圓產(chǎn)能占比逐步提高，半導(dǎo)體光刻膠需求隨之提升。未來(lái)隨著我國(guó)積極推動(dòng)芯片自主化政策，晶圓廠產(chǎn)能大幅提升，2010、2019年分別超越歐洲、北美，2020年接近日本，月產(chǎn)能約318．4萬(wàn)片（折合8寸晶圓），全球市占率約15．3%，排名全球第四。此外，2020~2025年間受惠當(dāng)?shù)貥I(yè)者不斷投資，以及三星、SK海力士等內(nèi)存大廠進(jìn)駐，中國(guó)大陸晶圓廠月產(chǎn)能將持續(xù)增加，預(yù)計(jì)將增加3．7個(gè)百分點(diǎn)，達(dá)到世界占比接近20%，有望升至全球第二。新增晶圓廠將極大提升KrF和ArF光刻膠需求量。根據(jù)Gartner預(yù)測(cè)，預(yù)計(jì)2022年20nm及以下占比12%，28nm至90nm占比41%，0．13μm及以上的微米級(jí)制程占比47%。目前，90nm以下主要使用12寸晶圓，90nm以上使用8寸或更小尺寸晶圓。由于KrF和ArF膠主要應(yīng)用于0．35μm以下，應(yīng)用晶圓為8寸或12寸，隨著未來(lái)我國(guó)整體晶圓新增產(chǎn)能集中在12寸線，相比于g/i線價(jià)值量更高的KrF和ArF光刻膠將成為未來(lái)我國(guó)光刻膠需求增長(zhǎng)的絕對(duì)主流。未來(lái)我國(guó)半導(dǎo)體光刻膠市場(chǎng)KrF和ArF膠的占比將繼續(xù)提升。根據(jù)TrendBank數(shù)據(jù)，2020年我國(guó)ArF和KrF膠占比分別為44．0%和37．0%，占比最高，預(yù)計(jì)2021年我國(guó)半導(dǎo)體光刻膠規(guī)模達(dá)到29．0億元。由于我國(guó)在建的晶圓產(chǎn)能基本為8寸和12寸產(chǎn)能，ArF和KrF膠的占比將會(huì)持續(xù)增高。未來(lái)我國(guó)半導(dǎo)體光刻膠增速將遠(yuǎn)超世界增速。由于世界新增晶圓產(chǎn)能大部分在中國(guó)大陸，光刻膠需求也將隨之增長(zhǎng)。根據(jù)Techcet預(yù)測(cè)，2021年全球半導(dǎo)體光刻膠市場(chǎng)規(guī)模約19億美元，預(yù)計(jì)到2025年超過(guò)24億美元，年化增長(zhǎng)率為6%以上。根據(jù)TrendBank，我國(guó)2021年半導(dǎo)體光刻膠市場(chǎng)預(yù)計(jì)29．0億元。中國(guó)作為未來(lái)全球晶圓產(chǎn)能增長(zhǎng)的主力軍，當(dāng)前到2025年在建和計(jì)劃8寸和12寸晶圓產(chǎn)能總共達(dá)到84萬(wàn)/片，增幅為當(dāng)前的60%，結(jié)合到2021-2025年五年時(shí)間完全達(dá)產(chǎn)，給予平均每年12%作為我國(guó)半導(dǎo)體光刻膠中性復(fù)合增速；由于我國(guó)的芯片產(chǎn)能結(jié)構(gòu)將整體提高，2020年KrF和ArF的占比分別為37．0%和44．0%，給予二者未來(lái)更大的占比假設(shè)，KrF膠占比40．0%，ArF膠占比45．0%。綜上情況和假設(shè)判斷到2025年，我國(guó)半導(dǎo)體光刻膠市場(chǎng)規(guī)模將保守在40億元，樂(lè)觀50億元以上。光刻機(jī)：驗(yàn)證光刻膠的必需設(shè)備開發(fā)出的光刻膠是否滿足需求，需要光刻機(jī)來(lái)配合驗(yàn)證。光刻機(jī)，又名掩模對(duì)準(zhǔn)曝光機(jī)，是芯片光刻工藝的核心設(shè)備，發(fā)展至今集成了各種尖端科技，是現(xiàn)代精密科技的集大成者。從g線的436納米到EUV的13．5納米，隨著光源波長(zhǎng)的不斷縮短，對(duì)科技的要求也越來(lái)越高。目前高端光刻機(jī)市場(chǎng)90%的市場(chǎng)份額均屬于荷蘭公司ASML，最先進(jìn)的EUV光刻機(jī)目前也只有ASML有能力生產(chǎn)。一臺(tái)最先進(jìn)的EUV光刻機(jī)的售價(jià)高達(dá)26億元人民幣。光刻工藝的流程按照先后順序可分為：前處理、涂膠、軟烘烤、對(duì)準(zhǔn)曝光、PEB、顯影、硬烘烤、檢驗(yàn)等八步。每一步對(duì)于工藝都有極高的要求。極其細(xì)微的差錯(cuò)都有可能導(dǎo)致成品良品率的急劇下降。光刻膠是集成電路制造的核心材料。在集成電路制造工藝中，光刻的成本往往占到整個(gè)制造工藝35%，耗費(fèi)的時(shí)間則高達(dá)60%，光刻膠的質(zhì)量將直接影響集成電路制造成本、良率及性能。面板光刻膠市場(chǎng)格局高端面板光刻膠市場(chǎng)依然被國(guó)外公司占據(jù)。根據(jù)富士經(jīng)濟(jì)的數(shù)據(jù)，2018年，TFT面板光刻膠市場(chǎng)，默克市場(chǎng)份額近半，韓企東進(jìn)世美肯及日企東京應(yīng)化各占約四分之一；LCD/TP襯墊料光刻膠市場(chǎng)，韓企三洋光學(xué)占34．3%，日企JSR及三菱化學(xué)分別占22．8%及21．0%；彩色光刻膠及黑色光刻膠市場(chǎng)也呈現(xiàn)日韓企業(yè)主導(dǎo)的格局。光刻膠發(fā)展迎來(lái)國(guó)產(chǎn)化機(jī)遇期客戶壁壘極高，客戶導(dǎo)入新供應(yīng)商意愿不高，過(guò)程繁瑣，耗時(shí)長(zhǎng)。企業(yè)在研發(fā)成功后需要不斷進(jìn)行送樣、問(wèn)題反饋和技術(shù)改進(jìn)等循環(huán)過(guò)程，此過(guò)程多達(dá)50次以上，完成整個(gè)客戶導(dǎo)入過(guò)程也因此需要2-3年時(shí)間。光刻膠廠商購(gòu)買原材料后通過(guò)調(diào)配進(jìn)行光刻驗(yàn)證，得到大致實(shí)驗(yàn)結(jié)果后再進(jìn)行微調(diào)，不斷重復(fù)實(shí)驗(yàn)過(guò)程以達(dá)到客戶要求的性能數(shù)據(jù)，并適配客戶的產(chǎn)線，也因此光刻膠企業(yè)與客戶產(chǎn)生的粘性較高，客戶不愿意花費(fèi)時(shí)間導(dǎo)入其它供應(yīng)商。而為了加速驗(yàn)證過(guò)程及擁有自我驗(yàn)證能力，部分光刻膠企業(yè)選擇自購(gòu)光刻機(jī)。光刻機(jī)購(gòu)置成本極高，并且開機(jī)成本幾乎與購(gòu)置成本相同，由于光刻機(jī)本身無(wú)法對(duì)光刻膠企業(yè)帶來(lái)任何利潤(rùn)，由此帶來(lái)的資金成本投入也是極高的。半導(dǎo)體材料市場(chǎng)規(guī)模（一）光刻膠市場(chǎng)規(guī)模光刻膠作為制造關(guān)鍵原材料，隨著未來(lái)汽車、人工智能、國(guó)防等領(lǐng)域的快速發(fā)展，全球光刻膠市場(chǎng)規(guī)模將有望持續(xù)增長(zhǎng)。根據(jù)Reportlinker數(shù)據(jù)，全球光刻膠市場(chǎng)預(yù)計(jì)2019-2026年復(fù)合年增長(zhǎng)率有望達(dá)到6．3%，至2023年突破100億美元，到2026年超過(guò)120億美元。疊加產(chǎn)業(yè)轉(zhuǎn)移因素，中國(guó)光刻膠市場(chǎng)的增長(zhǎng)速度超過(guò)了全球平均水平。根據(jù)相關(guān)研究機(jī)構(gòu)數(shù)據(jù)，2021年中國(guó)光刻膠市場(chǎng)達(dá)93．3億元，2016-2021年均復(fù)合增長(zhǎng)率為11．9%，2021年同比增長(zhǎng)11．7%，高于同期全球光刻膠增速5．75%。隨著未來(lái)PCB、顯示面板和半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)持續(xù)向中國(guó)轉(zhuǎn)移，中國(guó)光刻膠市場(chǎng)有望不斷擴(kuò)大，占全球光刻膠市場(chǎng)比例也將持續(xù)提升，預(yù)計(jì)到2026年占比有望從2019年的15%左右提升到19．3%。根據(jù)應(yīng)用領(lǐng)域的不同，光刻膠可分為PCB光刻膠、顯示面板光刻膠、半導(dǎo)體光刻膠和其他用途光刻膠。2020年半導(dǎo)體、顯示面板和PCB光刻膠占比分別為23．3%、25．9%、23．6%，為前三大應(yīng)用領(lǐng)域。1、半導(dǎo)體光刻膠市場(chǎng)規(guī)模全球半導(dǎo)體光刻膠市場(chǎng)增速遠(yuǎn)高于全球光刻膠平均水平，占比不斷提升。據(jù)SEMI統(tǒng)計(jì)，2021年全球半導(dǎo)體光刻膠市場(chǎng)規(guī)模達(dá)24．71億美元，較上年同期增長(zhǎng)19．49%，2015-2021年CAGR為12．03%。2019年全球半導(dǎo)體光刻膠市場(chǎng)規(guī)模約為18億美元，半導(dǎo)體光刻膠占整體光刻膠比重約21．9%，到2021年占比提升至26．85%。分地區(qū)看，中國(guó)大陸半導(dǎo)體光刻膠市場(chǎng)依舊保持著最快增速，2021年市場(chǎng)規(guī)模達(dá)到4．93億美元，較上年同期增長(zhǎng)43．69%，超過(guò)全球半導(dǎo)體光刻膠增速的兩倍；中國(guó)占比全球半導(dǎo)體光刻膠市場(chǎng)比重也將從2015年約10．4%提升到2021年接近20%。半導(dǎo)體光刻膠按照曝光波長(zhǎng)不同可分為g線（436nm）、i線（365nm）、KrF（248nm）、ArF（193nm）以及新興起的EUV光刻膠5大類。ArF（包括ArFi）光刻膠已是集成電路制造需求金額最大的光刻膠產(chǎn)品，隨著集成電路產(chǎn)業(yè)超先進(jìn)制程持續(xù)發(fā)展，ArF光刻膠持續(xù)迎來(lái)廣闊市場(chǎng)機(jī)遇。2、顯示面板光刻膠市場(chǎng)規(guī)模全球顯示面板光刻膠市場(chǎng)穩(wěn)步上升，2020年全球顯示面板光刻膠市場(chǎng)規(guī)模在23億美元左右。未來(lái)有望受益于LCD電視的大尺寸化、高清化趨勢(shì)，LCD面板出貨面積不斷提升，充分傳導(dǎo)至顯示面板光刻膠需求。根據(jù)智研咨詢數(shù)據(jù)，預(yù)計(jì)2019-2023年我國(guó)顯示面板光刻膠市場(chǎng)規(guī)模將會(huì)從40億元提升到69億元，年均復(fù)合增長(zhǎng)14．6%，預(yù)計(jì)國(guó)內(nèi)市場(chǎng)占比也將從2019年47．9%提升到2023年74．6%。3、PCB光刻膠市場(chǎng)規(guī)模根據(jù)Reportlinker數(shù)據(jù)，2020年全球PCB光刻膠市場(chǎng)規(guī)模在20億美元左右，中國(guó)市場(chǎng)規(guī)模占比達(dá)50%以上。隨著PCB光刻膠外企東移及內(nèi)資企業(yè)的不斷發(fā)展，中國(guó)已成為全球最大的PCB光刻膠生產(chǎn)基地。（二）光刻膠配套試劑市場(chǎng)規(guī)模根據(jù)《中國(guó)半導(dǎo)體支撐業(yè)發(fā)展?fàn)顩r報(bào)告（2022年編）》，光刻膠配套試劑主要包括顯影液、剝離液、邊膠劑和增粘劑等。全球光刻膠配套試劑的市場(chǎng)規(guī)模增長(zhǎng)態(tài)勢(shì)與光刻膠基本一致，2021年市場(chǎng)規(guī)模為29．5億美元，同比增長(zhǎng)11．1%，預(yù)計(jì)2022和2023年將分別為31．9億美元和32．6億美元。海外龍頭斷供提供良機(jī)日本信越化學(xué)光刻膠斷供產(chǎn)生供給缺口，為國(guó)產(chǎn)企業(yè)導(dǎo)入提供機(jī)會(huì)。由于2021年日本福島地震事件，信越化學(xué)光刻膠工廠暫停生產(chǎn)，引發(fā)新合約漲價(jià)事件。受地震影響，信越化學(xué)KrF光刻膠產(chǎn)線受到很大程度的破壞，2021年2月至今尚未完全恢復(fù)生產(chǎn)，雖然東京應(yīng)化（TOK）填補(bǔ)了信越化學(xué)海外大部分缺失的KrF光刻膠產(chǎn)能，但目前仍存在不小的缺口。另外，除了臺(tái)積電、三星、英特爾、聯(lián)電等晶圓廠積極擴(kuò)產(chǎn)外，SMIC、華虹宏力、廣州粵芯等多家本土晶圓廠積極擴(kuò)產(chǎn)和產(chǎn)能釋放，這也就導(dǎo)致國(guó)內(nèi)光刻膠需求量激增，供應(yīng)不足。2020年底美國(guó)商務(wù)部將SMIC列入實(shí)體清單，對(duì)SMIC實(shí)施出口限制，導(dǎo)致美國(guó)陶氏化學(xué)無(wú)法向SMIC供應(yīng)任何半導(dǎo)體材料，其中包括光刻膠。在國(guó)外廠商無(wú)法供應(yīng)的情況下，晶圓廠對(duì)導(dǎo)入新半導(dǎo)體材料供應(yīng)商的要求提升，利好國(guó)產(chǎn)光刻膠產(chǎn)業(yè)。原材料掐脖子對(duì)企業(yè)正常生產(chǎn)有潛在威脅。2019年日韓貿(mào)易戰(zhàn)中，日本對(duì)韓國(guó)半導(dǎo)體材料斷供，由于韓國(guó)對(duì)日本光刻膠依賴程度達(dá)84．5%，此舉讓韓國(guó)企業(yè)遭受巨大損失。2019年三季度，三星電子營(yíng)業(yè)利潤(rùn)從二季度12．8萬(wàn)億韓元，下降至7．7萬(wàn)億韓元，環(huán)比下降39．8%；SK海力士營(yíng)業(yè)利潤(rùn)從6316億韓元，下降至4100億韓元，環(huán)比下降35．1%。我國(guó)光刻膠對(duì)外依賴程度更為明顯，半導(dǎo)體光刻膠目前國(guó)產(chǎn)化率僅5%，因此我國(guó)存在極大的供應(yīng)鏈政策風(fēng)險(xiǎn)。我國(guó)光刻膠企業(yè)大部分供給G/I線光刻膠，僅彤程新材實(shí)現(xiàn)了KrF光刻膠商業(yè)化。我國(guó)的G/I線光刻膠已處于成熟量產(chǎn)階段，各企業(yè)仍處于擴(kuò)張KrF膠種類以及打入客戶驗(yàn)證周期，僅產(chǎn)生極少量KrF膠收入。由于口徑不同原因，晶瑞電材將輔材并入光刻膠板塊收入，其光刻膠純膠收入基本由G/I線貢獻(xiàn)。光刻膠是圖形復(fù)刻加工技術(shù)中的關(guān)鍵性材料。光刻膠是利用光化學(xué)反應(yīng)經(jīng)光刻工藝將所需要的微細(xì)圖形從掩模版轉(zhuǎn)移到待加工基片上的圖形轉(zhuǎn)移介質(zhì)，由成膜劑、光敏劑、溶劑和添加劑等主要化學(xué)品成分和其他助劑組成，在紫外光、深紫外光、電子束、離子束等光照或輻射下，其溶解度發(fā)生變化，經(jīng)適當(dāng)溶劑處理，溶去可溶性部分，最終得到所需圖像。在光刻工藝中，光刻膠被均勻涂布在硅片、玻璃和金屬等不同的襯底上，經(jīng)曝光、顯影和蝕刻等工序?qū)⒀谀ぐ嫔系膱D形轉(zhuǎn)移到薄膜上，形成與掩膜版完全對(duì)應(yīng)的幾何圖形。雖然不同光刻膠的成分百分比有差異，但半導(dǎo)體光刻膠中的樹脂的含量一般在20%以下?？傮w來(lái)說(shuō)適用于波長(zhǎng)越短的光刻膠，樹脂的含量越低，溶劑的含量越高，溶劑含量高的能到80%。例如G線和I線光刻膠的樹脂含量在10-20%，KrF光刻膠樹脂含量10%以下，ArF及EUV光刻膠樹脂含量在5%以下。光刻膠歷經(jīng)七十年發(fā)展歷史。光刻膠起源于美國(guó)，柯達(dá)KTFR光刻膠為光刻膠工業(yè)的開創(chuàng)者；1950s貝爾實(shí)驗(yàn)室嘗試開發(fā)首塊集成電路，半導(dǎo)體光刻膠由此誕生；光刻膠不斷推進(jìn)產(chǎn)業(yè)演進(jìn)，i線/g線光刻膠的產(chǎn)業(yè)化始于上世紀(jì)70年代，KrF光刻膠的產(chǎn)業(yè)化也早在上世紀(jì)80年代就由IBM完成。光刻膠是光刻工藝中最重要的耗材，其品質(zhì)決定了成品的精度和良率。微小的誤差即可能付出成本高昂的代價(jià)。因此，半導(dǎo)體制造商更關(guān)注光刻膠的品質(zhì)、性能、不同批次間的一致性而非價(jià)格。正光刻膠是指在光刻過(guò)程中，暴露在光線下的部分可溶于光刻膠顯影劑，而未曝光部分仍然溶于顯影劑。負(fù)光刻膠剛好和正光刻膠相反，是指在光刻工藝中，暴露在光線下的部分不溶于顯影劑，未曝光部分則可以被光刻膠顯影劑所溶解。由于負(fù)光刻膠在曝光和顯影過(guò)程中容易發(fā)生變形，導(dǎo)致其分辨率精度不如正光刻膠。因此正光刻膠在高端半導(dǎo)體光刻膠，如ArF光刻膠及EUV光刻膠中應(yīng)用更為普遍。一直以來(lái)半導(dǎo)體工業(yè)使用的光刻膠均為聚合物光刻膠，這些光刻膠也被稱為化學(xué)增幅型光刻膠（ChemicallyAmplifiedResists:CAR），其原理是吸收光并產(chǎn)生質(zhì)子（酸），從而改變聚合物在蝕刻溶液中的溶解度。然而，聚合物光刻膠在10nm級(jí)別時(shí)遇到了問(wèn)題。到目前為止，幾十nm級(jí)的線條圖案規(guī)則都是基于使用發(fā)射波長(zhǎng)為160nm左右的浸入式ArF光源的光刻技術(shù)，這在聚合物材料的光吸收和反應(yīng)范圍內(nèi)。然而，在EUV下，波長(zhǎng)是13．5nm，傳統(tǒng)的有機(jī)聚合物對(duì)這些超短波難以產(chǎn)生良好的反應(yīng)。另外，當(dāng)線寬幅度達(dá)到10nm左右時(shí)，即使做出圖案，也會(huì)發(fā)生抗蝕墻壁面塌陷或者粘連不穩(wěn)定等問(wèn)題。直觀地講，在納米水平上，要在緩慢溶解的系統(tǒng)中保持半導(dǎo)體內(nèi)的LWR、LER等互連相關(guān)值的穩(wěn)定性和低變異性極為困難。半導(dǎo)體材料行業(yè)發(fā)展趨勢(shì)（一）中國(guó)半導(dǎo)體材料市場(chǎng)穩(wěn)步增長(zhǎng)，逐步向中國(guó)大陸市場(chǎng)轉(zhuǎn)移隨著數(shù)字經(jīng)濟(jì)時(shí)代的到來(lái)，恰逢我國(guó)產(chǎn)業(yè)的轉(zhuǎn)型升級(jí)、國(guó)際半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)向大陸轉(zhuǎn)移，中國(guó)大陸半導(dǎo)體設(shè)備采購(gòu)量持續(xù)攀升。近些年來(lái)，全球半導(dǎo)體材料市場(chǎng)受周期性影響較大，尤其中國(guó)臺(tái)灣、韓國(guó)兩地波動(dòng)較大。北美和歐洲市場(chǎng)幾乎處于零增長(zhǎng)狀態(tài)，日本的半導(dǎo)體材料長(zhǎng)期處于負(fù)增長(zhǎng)狀態(tài)。全球范圍看，只有中國(guó)大陸半導(dǎo)體材料市場(chǎng)處于長(zhǎng)期增長(zhǎng)狀態(tài)，2016-2018年連續(xù)三年增速超過(guò)10%。2007-2021年，中國(guó)大陸半導(dǎo)體材料銷售額從全球占比7．7%大幅提升至18．8%。2020-2021年我國(guó)對(duì)新冠疫情的有效防控也幫助中國(guó)大陸半導(dǎo)體企業(yè)迅速恢復(fù)