基于LTCC工藝的設(shè)計(jì)規(guī)范總結(jié)

. . . .基于LTCC工藝的設(shè)計(jì)規(guī)范總結(jié)1．材料特性特性相關(guān)參數(shù)值1．相對(duì)介電常數(shù)Er：5.9±0.2@(1~100GH)2．介質(zhì)損耗角正切：<0.002@（1~100GHz)3．電阻率：>1012at100DVCΩ5．層數(shù)：最多30層6．每層層厚：0.1mm7．導(dǎo)體厚度：0.01mm8．孔徑：最小直徑0.1mm可選6mil8mil10mil12mil9．密度：Density3.2g/cm310．鍍金屬：銅（Cu）頂層：嵌入其中，中間層：上下各嵌入50％過(guò)孔鍍銀（Ag）11.基板尺寸（最大）105mm×105mm12．生瓷片精度橫向平面精度：±5um眾向生瓷精度：±10um.下載可編輯.. . . .2.導(dǎo)體線寬和間距建議尺寸 最小尺寸A B C頂層 45um 45um 45um內(nèi)層 100um 100um 100umNote:可能的情況下推薦更大的間距，密度過(guò)大或者焊盤(pán)過(guò)近將造成潛在的短路問(wèn)題相關(guān)參數(shù):網(wǎng)印最小線寬/間距100um/100um直描最小線寬/間距50um/75um蝕刻最小線寬/間距45um/45um.下載可編輯.. . . .3．導(dǎo)體到基板邊緣的間距/和腔體間隙推薦尺寸 最小尺寸4．電氣過(guò)孔的可選通孔直徑為：6mils、8mils、10mils、12mils互連通孔最小直徑：0.1mm5.同層通孔間距.下載可編輯.. . . .A一般取3倍于孔徑尺寸注意：散熱和RF通孔排除在此標(biāo)準(zhǔn)外相關(guān)參數(shù)：互連通孔最小節(jié)距：0.3mm6.過(guò)孔托盤(pán)在通孔上面和下面的托盤(pán)必須以一定的距離與通孔的所有邊都重疊，除非密集布線情況時(shí)不允許使用此方法（通孔直接與導(dǎo)線相連）7．基板邊緣電氣通孔A值推薦3～4倍于通孔直徑，最小為18～25mil.下載可編輯.. . . .8．器件安裝處通孔分布當(dāng)設(shè)計(jì)的密度需要長(zhǎng)的通孔串時(shí)，通孔必須交錯(cuò)分布以防發(fā)生突然折斷的裂縫。層與層直接的電氣通孔之間的交錯(cuò)連接：通孔采取垂直方向的交錯(cuò)（Z字型），以使傳送通道（routingchannels）的封閉(blockage)降到最小,并減小通孔的“加速效應(yīng)”（postingeffect）。以下是交錯(cuò)通孔技術(shù)的示例：可接受的Z字形 推薦的階梯型 堆疊通孔通孔堆棧：說(shuō)明：電連接建議使用交錯(cuò)通孔，在特別情況下，在同一通孔處最多可以通孔15層。.下載可編輯.. . . .9．地和電源面板大面積的裸露導(dǎo)體區(qū)域，比如面板，必須是實(shí)心的。燒結(jié)板在所有可能的地方應(yīng)該網(wǎng)格化。鋪地的區(qū)域必須是實(shí)心的，以此在需要時(shí)提供對(duì)傳輸線或其他關(guān)鍵信號(hào)線的保護(hù)。所有鋪地板的邊緣（在基板的周?chē)颓惑w附近）都必須造成城形，來(lái)提升生瓷帶層與層之間的迭片結(jié)構(gòu)的粘合性。相鄰層之間的面板的柵格形狀必須是可以相互抵消(offset)的，使基板頂層和地層表面較為平整注意：接地板的網(wǎng)格應(yīng)盡可能的大來(lái)減小多余增量和損耗，對(duì)于大面積地面/電源面，建議使用柵格形式，對(duì)于特別情況，局部可以使用面地面/面電源面。.下載可編輯.. . . .10．空腔空腔底部導(dǎo)體與空腔壁之間的間隙如果有必要，底部導(dǎo)體的電氣連接可以穿過(guò)空腔壁，但是不能超過(guò)壁長(zhǎng)的25％，最大50％，城形的金屬化設(shè)計(jì)可以用來(lái)滿足該設(shè)計(jì)。裸露/燒結(jié)導(dǎo)體到腔體壁之間的間隙11．通孔與腔體的間隙通孔和腔體壁之間的間隙.下載可編輯.. . . .連接架注意：在設(shè)計(jì)確認(rèn)前應(yīng)該檢查連接架上的空腔壁高度12．空腔與空腔的間隔：最小尺寸注意：1．燒結(jié)腔體壁長(zhǎng)度不應(yīng)超過(guò)50