直拉式單晶爐測溫方案課件

太陽能光伏產(chǎn)業(yè)紅外測溫儀應(yīng)用歡迎交流：郵箱1直拉式單晶爐

硅單晶是一種半導(dǎo)體材料。直拉式單晶爐是使用直拉方法獲得硅單晶的一種設(shè)備。1直拉式單晶爐直拉單晶爐型式盡管不同，總的說來，主要由爐體、電器部分、熱系統(tǒng)、水冷系統(tǒng)、真空系統(tǒng)和氬氣裝置五大部分組成。1直拉式單晶硅爐熱場示意圖1、硅液液面溫度的測量單晶硅是在熱場中進(jìn)行拉制的，熱場的優(yōu)劣對單晶硅質(zhì)量有很大影響。單晶硅生長過程中，好的熱場，能生產(chǎn)出高質(zhì)量的單晶。不好的熱場容易使單晶變成多晶，甚至根本引不出單晶。有的熱場雖然能生長單晶，但質(zhì)量較差，有位錯和其他結(jié)構(gòu)缺陷。因此，配置最佳熱場，對熱場的實(shí)時監(jiān)測非常重要,特別是結(jié)晶處的硅液液面的溫度監(jiān)測，尤為重要。直拉式單晶爐測溫應(yīng)用解決方案采用一款短波雙色測溫儀（DSR10N），短波選擇非常適合液態(tài)硅料溫度測量，而雙色設(shè)計可以克服爐內(nèi)熱場變化的影響。光學(xué)測溫探頭封裝在緊湊型的機(jī)械外殼中，非常適合應(yīng)用于直拉式單晶爐副室安裝。籽晶硅棒結(jié)晶體拉桿爐塔融化控制系統(tǒng)爐缸控制系統(tǒng)硅融體爐缸溫度監(jiān)測系統(tǒng)PYROSPOTDSR10N溫度范圍：700~1800℃

光學(xué)鏡頭：可變焦距，帶石英玻璃保護(hù)窗，最小測量目標(biāo)1.2mm

測量距離：距離250~4000mm,

光譜范圍：0.7~1.1μm

測量精度：0.5%測量值

重復(fù)精度：0.2%測量值

響應(yīng)時間：5ms，可調(diào)直10s

比色系數(shù)（雙色）：0.800~1.200可通過軟件或測溫儀上的按鈕調(diào)節(jié)

輸出信號：0/4~20毫安,溫度線性1多晶硅鑄錠爐1多晶硅生產(chǎn)過程簡介1、裝爐將多晶硅料和摻雜劑放入爐內(nèi)，給爐室抽真空并通氬氣，保持氣壓為：400～600mbar2、加熱熔化硅料

給爐室內(nèi)的石墨加熱器通電加熱。先預(yù)熱，使石英坩堝的溫度達(dá)到1200～1300℃左右，保持4~5小時。然后逐漸增加加熱功率，使石英坩堝內(nèi)的溫度達(dá)到1500℃（大于硅熔點(diǎn)）左右，硅原料開始熔化。該時間約為9~11小時。3、鑄錠硅生長使石英坩堝的溫度降至1420～1440℃（硅熔點(diǎn)）左右，通過緩慢提升隔熱系統(tǒng)或緩慢降低坩堝的方法，使下部的液態(tài)硅溫度降低首先凝固成晶體，并從下往上非常緩慢地長晶。4、退火處理坩堝內(nèi)的液態(tài)硅全部結(jié)晶成固態(tài)后，把爐溫控制在稍比熔點(diǎn)低一些，并讓硅錠整體溫度保持一致，退火處理3～4個小時，以消除硅錠內(nèi)部的應(yīng)力和裂紋，減少位錯5、停爐冷卻把加熱功率降低并關(guān)閉，并充入氬氣，提升氣壓至大氣壓。讓鑄錠硅在爐內(nèi)自然冷卻8～13個小時。方可打開爐室，取出鑄錠硅塊。多晶硅液面

測溫方案

PYROSPOTDSR10N

坩堝加熱器溫度測量方案PYROSPOTDG40N溫度范圍：700~1800℃

光學(xué)鏡頭：可變焦距，帶石英玻璃保護(hù)窗，最小測量目標(biāo)1.2mm

測量距離：距離250~4000mm,

光譜范圍：0.7~1.1μm

測量精度：0.5%測量值

重復(fù)精度：0.2%測量值

響應(yīng)時間：5ms，可調(diào)直10s

比色系數(shù)（雙色）：0.800~1.200可通過軟件或測溫儀上的按鈕調(diào)節(jié)

輸出信號：0/4~20毫安,溫度線性溫度范圍：350~1800℃

光學(xué)鏡頭：固定或可變焦距，最小測量目標(biāo)1.2mm

光譜范圍：1.5~1.8μm

測量精度：0.5%測量值

重復(fù)精度：0.1%測量值

響應(yīng)時間：10ms，可調(diào)直10s

發(fā)射率：0.05~1.