第5章-半導體存儲器

微機原理與接口技術

第5章半導體存儲器存儲器：存放程序和數(shù)據(jù)存儲器內存外存磁芯存儲器半導體存儲器第一節(jié)半導體存儲器基礎磁表面存儲器光盤存儲器一、存儲器分類二、半導體存儲器分類半導體存儲器RAM：隨機讀寫，斷電信息丟失ROM：只能讀不能寫，斷電信息仍在RAM存儲器的分類ROM存儲器的分類EPROM：紫外線擦除的只讀存儲器EEPROM：電擦除只讀存儲器ROM只能讀不能寫，那其中的內容是怎么放進去的？三、半導體存儲器的技術指標四、半導體存儲器的基本結構單譯碼編址的存儲器雙譯碼編址的存儲器第二節(jié)只讀存儲器（ROM）2716： 2K×8（11根地址線，211=2048）2732： 4K×8（12根地址線）2764： 8K×8（13根地址線）27128：16K×8（14根地址線）27256：32K×8（15根地址線）27512：64K×8（16根地址線，216=64K）一、只讀存儲器，常用27系列EPROM二、2764內部結構A12～A0:13根地址線D7～D0：8根數(shù)據(jù)線CE：片選線OE：輸出允許PGM：編程控制Vpp：編程電源Vcc：+5V電源GND：地三、2764引腳功能四、2764擦除特性五、2815EEPROM簡介2815工作方式第三節(jié)隨機讀寫存儲器(RAM)一、隨機存儲器，常用62系列SRAM6116： 2K×8（11根地址線）6232：4K×8（12根地址線）6264： 8K×8（13根地址線）62128：16K×8（14根地址線）62256：32K×8（15根地址線）二、6264內部結構三、6264引腳功能為什么6264是13根地址線？芯片容量與地址線之間什么關系？第四節(jié)51單片機存儲器的擴展一、存儲器擴展概述（一）存儲器的選取原則（二）系統(tǒng)擴展的結構系統(tǒng)擴展就是往系統(tǒng)總線上“掛”存儲器芯片或I/O接口芯片，“掛”存儲器芯片就是存儲器擴展，“掛”I/O接口芯片就是I/O擴展（三）MCS-51單片機片外三總線的構成MCS-51數(shù)據(jù)線和低8位地址線復用。為了將它們分離出來，需要外加地址鎖存器，從而構成片外三總線（四）外部存儲器的地址分配由多片存儲芯片組成的存儲空間，CPU是怎樣正確選中每個存儲單元？（五）存儲器的地址譯碼方式地址譯碼方式全譯碼方式部分譯碼方式線選法在擴展外部存儲器時，有哪三種地址譯碼方式？各有什么特點？1.全譯碼方式2-4譯碼器真值表BAY0Y1Y2Y3000110110111

101111011110G為選通控制端2.部分譯碼方式3.線選法4.基本地址和重疊地址二、MCS-51單片機擴展程序存儲器地址線：低8位從P0口發(fā)出，用

74LS373鎖存，高8位從P2口發(fā)出數(shù)據(jù)線：P0口（分時復用）控制線：ALE、PSEN、EA基本地址范圍和重疊地址范圍三、MCS-51單片機擴展數(shù)據(jù)存儲器地址線：低8位從P0口發(fā)出，用74LS373鎖存，高8位從P2口發(fā)出數(shù)據(jù)線：P0口（分時復用）控制線：ALE、RD、WR基本地址范圍和重疊地址范圍四、程序和數(shù)據(jù)存儲器的擴展控制線的連接地址范圍在8031擴展系統(tǒng)中，外部程序存儲器和數(shù)據(jù)存儲器共用16位地址線和8位數(shù)據(jù)線，為什么兩個存儲器的地址不會發(fā)生沖突？思考題為什么當P2口作為擴展存儲器高8位地址后，不再適宜作通用I/O口了？8031如只外接了程序存儲器，實際上還有多少根I/O口線可供用戶使用？如只外接了數(shù)據(jù)存儲器，實際上還有多少根I/O口線可供用戶使用？并說明原因。什么叫中斷源？MCS-51提供了哪些中斷源？各有什么用途？如果將外中斷0和外中斷1都設為高優(yōu)先級，當/INT0和/INT1引腳上同時有中斷請求信號輸入時，CPU先響應哪個中斷請求？MCS-51響應中斷的條件是什么？如果將外中斷0和外中斷1都設為高優(yōu)先級，當CPU正在相應外中斷1的中斷請求期間，外中斷0