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文檔簡介

討論：雜質能級與費米能級的相對位置明顯反映了電子和空穴占據雜質能級的情況。當說明了什么？當重合時，，即施主雜質有1/3電離，還有2/3沒有電離。同理，當EF遠在EA之上時，受主雜質幾乎全部電離；當EF遠在EA之下時，受主雜質基本上沒有電離；當EF等于EA時，受主雜質有1/5電離，4/5沒有電離。(思考題)1、雜質半導體的載流子濃度n型半導體的載流子濃度（只含一種施主雜質的n型半導體）電中性條件：

求出EF(關鍵所在)方法：利用電中性條件→確定該狀態(tài)的費米能級→T、EF確定后，計算幾種典型情形考慮存在單一雜質能級的情形電中性條件：溫度和摻雜濃度既決定了雜質能級的電離程度，又決定了載流子的來源是本征激發(fā)還是雜質能級激發(fā)。費米能級隨之變化。弱電離情形中等電離情形強電離情形過渡區(qū)高溫本征激發(fā)區(qū)以N型摻雜為例，P型同理(1)低溫弱電離區(qū)（遠比ND為?。┡c溫度、雜質濃度、雜質種類有關大部分施主雜質能級仍為電子所占據，少量施主電離（弱電離）價帶中只靠本征激發(fā)躍遷至導電的電子數很少取對數簡化導帶中的電子全部由電離施主雜質提供討論

低溫弱電離區(qū)EF與T關系可以了解變化情況T→0k時，Nc→0，dEF/dT→+，上升快T↑，Nc↑dEF/dT↓T↑↑T↑↑↑，dEF/dT<0，開始下降

雜質含量越高，EF達到極值的溫度也越高①②為直線，直線斜率為

可通過實驗測定n0~T關系，確定雜質電離能，從而得到雜質能級的位置。與溫度的關系是什么?。?！取對數簡化(2)中間電離區(qū)T↑2Nc>NDEF下降至以下當溫度升高到EF=ED時，

施主雜質有1/3電離

當溫度升高至大部分雜質都電離時稱為強電離。(3)強電離區(qū)此時，電中性條件：強電離區(qū)飽和區(qū)：載流子濃度與溫度無關，特點：1.雜質全部電離2.本征激發(fā)不可忽略電中性條件：同時存在本征激發(fā)和雜質電離的情形要會分析（費米能級，載流子濃度）(4)過渡區(qū)n和p的變換本征半導體時，

普遍適用

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