講義課件參考

1/4’’QSXGACMOSImageGS5604(withGalaxyCore電 DVP接 Single Double 設(shè)計(jì)說 GS5604封裝（單位 封裝點(diǎn)陣 封裝管腳說 PCB焊盤設(shè)計(jì)說明示意圖（單位 模組成像方 封裝尺寸圖（單位 Layout說 電DVPAVDD285

54165416 PWDNMCLKSDAM3注：C7(2.2uF)請(qǐng)用0402封裝。注注：C7(2.2uF)請(qǐng)用0402封裝。注：AGND和DGNDAFGND請(qǐng)分開走

2VCMDriver(以DW9714為例2圖1-1DVP接 AVDD2856注：AGND和DGNDAFGND請(qǐng)分開走

26注：C7(2.2uF)請(qǐng)用0402注：C7(2.2uF)請(qǐng)用0402封裝。PWDNMCLK

1 1 SDAM273

2VCMDriver(以DW9714為例2 電路PWDNMCLKPWDNMCLKSDAM3 4 VCMDriver(以DW9714為例1-3MIPI接口(double 22GS5604分三路電源：AVDD、DVDD、VDDIOPowerVPower VPowerVAVDD為模擬供電電源;DVDD為數(shù)字電路供電電源;IOVDD為I/O電源。當(dāng)IOVDD選擇2.7V時(shí)，建議IOVDD與AVDD使用獨(dú)立的電源系統(tǒng)，否則會(huì)影響圖像 AVDD與AFVDD間隔要盡量AGND與AFGND要間隔盡量遠(yuǎn)。GND走線盡量要粗，至少加粗至0.2mmClock線兩側(cè)要有地保護(hù)，特別是MCLKFPC/PCB布線時(shí)盡量讓SBDA/SBCL（如PCLK/D0~D2并行輸出線（D0~D7，RAW1、RAW0）盡量等長以使相 、盡量等行走線；盡量少打或不打過孔；且要遠(yuǎn)離高頻信號(hào)線（如MCLK，最好是能用地線保護(hù)起來，且差分線對(duì)走線的背面也盡量100?10%。MDP、MDN盡量等行走線；盡量少打或不打過孔；且要遠(yuǎn)離高頻信號(hào)線（如MCLK，最好是能用地線保護(hù)起來，且差分線對(duì)走線的背面也盡量100?10%。的走線和不同組的MDPMDN的走線相互之間也需要是不同組的MDP、MDNChipCenter封裝點(diǎn)陣表

PinPin123456789封裝管腳說明PinPin123456789ParalleldataParalleldataParalleldataParalleldataParalleldataParalleldataParalleldataParalleldataAFdriverAFdriverF_ON0：復(fù)3.9VMIPIdata<1>(-MIPIdata<1>MIPIclock(-MIPIclockMIPIdata<2>(-MIPIdata<2> 焊盤設(shè)計(jì)說明示意圖（單位：圖3-2PCB焊盤設(shè)計(jì)說明示意圖(Top注：Sensor封裝錫球大小為262μm，焊盤設(shè)計(jì)大小建議為180~220μm模組成像方向3-3封裝尺寸圖（單位：TOPSIDE3-4Layout出線角度必須大于454-1LayoutVi