標(biāo)準(zhǔn)解讀

《GB/T 24578-2015 硅片表面金屬沾污的全反射X光熒光光譜測試方法》相較于《GB/T 24578-2009 硅片表面金屬沾污的全反射X光熒光光譜測試方法》，主要在以下幾個方面進(jìn)行了修訂和更新：

首先，在術(shù)語定義部分，2015版對某些專業(yè)術(shù)語進(jìn)行了更加明確的定義或調(diào)整，以確保標(biāo)準(zhǔn)中使用的術(shù)語與當(dāng)前行業(yè)內(nèi)通用表述保持一致。這有助于減少因理解差異而產(chǎn)生的誤差。

其次，對于樣品制備的要求有所變化。新版標(biāo)準(zhǔn)可能細(xì)化了硅片清洗、處理過程中的具體步驟及條件要求，旨在提高測試結(jié)果的一致性和可比性。

再者，關(guān)于測量設(shè)備的規(guī)格描述也得到了更新。隨著技術(shù)進(jìn)步，市場上出現(xiàn)了更多新型號的全反射X射線熒光光譜儀，因此2015版本針對這些新設(shè)備的特點(diǎn)做了相應(yīng)的規(guī)定，包括但不限于探測器類型、能量分辨率等方面的要求。

此外，還增加了質(zhì)量控制方面的內(nèi)容。比如通過設(shè)置參考物質(zhì)定期校準(zhǔn)儀器性能、采用空白實(shí)驗(yàn)等方式來監(jiān)控整個分析流程的有效性，并確保長期穩(wěn)定性。

最后，數(shù)據(jù)處理及報告格式也有相應(yīng)改動。新版標(biāo)準(zhǔn)可能會引入更先進(jìn)的數(shù)據(jù)分析軟件或算法，同時對最終檢測報告的內(nèi)容結(jié)構(gòu)提出了新的建議，以便于用戶更好地理解和使用測試結(jié)果。


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....

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  • 現(xiàn)行
  • 正在執(zhí)行有效
  • 2015-12-10 頒布
  • 2017-01-01 實(shí)施
?正版授權(quán)
GB/T 24578-2015硅片表面金屬沾污的全反射X光熒光光譜測試方法_第1頁
GB/T 24578-2015硅片表面金屬沾污的全反射X光熒光光譜測試方法_第2頁
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文檔簡介

ICS77040

H17.

中華人民共和國國家標(biāo)準(zhǔn)

GB/T24578—2015

代替

GB/T24578—2009

硅片表面金屬沾污的全反射

X光熒光光譜測試方法

Testmethodformeasuringsurfacemetalcontaminationonsiliconwafers

bytotalreflectionX-Rayfluorescencespectroscopy

2015-12-10發(fā)布2017-01-01實(shí)施

中華人民共和國國家質(zhì)量監(jiān)督檢驗(yàn)檢疫總局發(fā)布

中國國家標(biāo)準(zhǔn)化管理委員會

GB/T24578—2015

前言

本標(biāo)準(zhǔn)按照給出的規(guī)則起草

GB/T1.1—2009。

本標(biāo)準(zhǔn)代替硅片表面金屬沾污的全反射光熒光光譜測試方法

GB/T24578—2009《X》。

本標(biāo)準(zhǔn)與相比主要變化如下

GB/T24578—2009,:

擴(kuò)大了標(biāo)準(zhǔn)適用范圍除適用于硅拋光片外延片外同樣適用于測定砷化鎵碳化硅等

———,、,、、SOI

材料鏡面拋光晶片表面的金屬沾污見第章

(1);

干擾因素中增加了晶片表面對測試結(jié)果的影響見第章

———(6)。

本標(biāo)準(zhǔn)由全國半導(dǎo)體設(shè)備和材料標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會與全國半導(dǎo)體設(shè)備和材料標(biāo)準(zhǔn)

(SAC/TC203)

化技術(shù)委員會材料分會共同提出并歸口

(SAC/TC203/SC2)。

本標(biāo)準(zhǔn)起草單位有研新材料股份有限公司萬向硅峰電子股份有限公司浙江省硅材料質(zhì)量檢驗(yàn)

:、、

中心

。

本標(biāo)準(zhǔn)主要起草人孫燕李俊峰樓春蘭潘紫龍朱興萍

:、、、、。

本標(biāo)準(zhǔn)所代替標(biāo)準(zhǔn)的歷次版本發(fā)布情況為

:

———GB/T24578—2009。

Ⅰ

GB/T24578—2015

硅片表面金屬沾污的全反射

X光熒光光譜測試方法

1范圍

11本標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定了使用全反射光熒光光譜定量測定硅拋光襯底表面層的元素面密度的方法本標(biāo)

.X,。

準(zhǔn)適用于硅單晶拋光片外延片以下稱硅片尤其適用于硅片清洗后自然氧化層或經(jīng)化學(xué)方法生長

、(),,

的氧化層中沾污元素面密度的測定測定范圍為92152本標(biāo)準(zhǔn)同樣適用于

,10atoms/cm~10atoms/cm。

其他半導(dǎo)體材料如砷化鎵碳化硅等鏡面拋光晶片表面金屬沾污的測定

,、、SOI。

12對良好的鏡面拋光表面可探測深度約分析深度隨表面粗糙度的改善而增大

.,5nm,。

13本方法可檢測元素周期表中原子序數(shù)的元素尤其適用于測定以下元素鉀鈣

.16(S)~92(U),:、、

鈦釩鉻錳鐵鈷鎳銅鋅砷鉬鈀銀錫鉭鎢鉑金汞和鉛

、、、、、、、、、、、、、、、、、、。

14本方法的檢測限取決于原子序數(shù)激勵能激勵射線的光通量設(shè)備的本底積分時間以及空白

.、、X、

值對恒定的設(shè)備參數(shù)無干擾檢測限是元素原子序數(shù)的函數(shù)其變化超過兩個數(shù)量級重復(fù)性和檢測

。,,。

限的關(guān)系見附錄

A。

15本方法是非破壞性的是對其他測試方法的補(bǔ)充與不同表面金屬測試方法的比較及校準(zhǔn)樣品的

.,,

標(biāo)定參見附錄

B。

2規(guī)范性引用文件

下列文件對于本文件的應(yīng)用是必不可少的凡是注日期的引用文件僅注日期的版本適用于本文

。,

件凡是不注日期的引用文件其最新版本包括所有的修改單適用于本文件

。,()。

半導(dǎo)體材料術(shù)語

GB/T14264

潔凈廠房設(shè)計(jì)規(guī)范

GB50073—2013

3術(shù)語和定義

界定的以及下列術(shù)語和定義適用于本文件

GB/T14264。

31

.

掠射角glancingangle

全反射光熒光光譜測試方法中射線的入射角度

XX。

32

.

角掃描anglescan

作為掠射角函數(shù)對發(fā)射的熒光信號的測量

,。

33

.

臨界角criticalangle

能產(chǎn)生全反射的最大角度當(dāng)掠射角低于這一角度時被測表面發(fā)生對入射

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