GB/T 1557-1989硅晶體中間隙氧含量的紅外吸收測(cè)量方法

UDC669.782:543.42H21中華人民共和國(guó)國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)GB1557-89硅晶體中間隙氧含量的紅外吸收測(cè)量方法Themethodofdetermininginterstitialoxygencontentinsiliconbyinfraredabsorption1989-03-31發(fā)布1990-02-01實(shí)施國(guó)家技術(shù)監(jiān)督局發(fā)布

中華人民共和國(guó)國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)硅晶體中間隙氧含量的GB1557-89紅外吸收測(cè)量方法Themethodofdetermininginterstitial代竹GB1557-83oxygencontentinsiliconbyinfraredabsorption主題內(nèi)容與適用范圍本標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定了用紅外吸收測(cè)定硅晶體中間隙氧含量的方法。本標(biāo)準(zhǔn)適用于室溫電阻率大于0.12·cm的硅晶體中氧含量的測(cè)量。量范圍為：的濃度從3.5×101at·cmr3至最大固溶度。2原理2.1本方法是用紅外光譜儀測(cè)定硅－氧鍵在1107cm-（9.03344m）處的紅外吸收系數(shù)來(lái)確定硅晶體中間隙氧的含量。凡是有該硅－氧鍵特征吸收帶的任何晶體均可適用。2.2本方法借助于硅單晶中氧含量與1107cm-處紅外吸收系數(shù)之間的關(guān)系。3測(cè)量?jī)x器1雙光束紅外分光光度計(jì)或傅立葉變換紅外光譜儀。，儀器在1107cm3.1處的分辨率應(yīng)小于5cm。3.22測(cè)量樣品架。3.3低溫測(cè)量裝置，能使試樣和參比樣品維持78K的溫度。3.4千分尺，精度0.01mm。3.5標(biāo)準(zhǔn)平面平晶。試樣制備4.1測(cè)量試樣的制備4.1.1切取的試樣經(jīng)雙面研磨，兩表面無(wú)刀痕、劃傷，試樣的厚度偏差應(yīng)小于104m?！?1.2研磨后的試樣經(jīng)機(jī)械拋光或化學(xué)拋光（仲裁時(shí)應(yīng)用機(jī)械拋光樣品），使兩表面均呈鏡面，在測(cè)量部位應(yīng)無(wú)桔皮和小坑。4.1.3在試樣測(cè)量部位，兩表面的中整度均不大于2.2Pm.4.1.4在測(cè)量部位試樣的厚度差應(yīng)不大于10Pm。氧含量大于或等于1×10！at·cm-3的試樣厚度約為2mm；4.1.5氧含量小于1×10"at·cm-3的試樣厚度約為10mm。4.2參比樣品的選取與制備“.2.1參比樣品用78K空氣參為法選取（見(jiàn)附錄A）。4.2.2參比樣品的制備同4.1.1～4.1.4條。4.2.3參比樣品與待測(cè)