GB/T 12965-2005硅單晶切割片和研磨片

ICS29.045H82中華人民共和國國家標(biāo)準(zhǔn)GB/T12965—2005代替GB/T12965—1996硅單晶切割片和研磨片Monocrystallinesiliconascutslicesandlappedslices2005-09-19發(fā)布2006-04-01實(shí)施中華人民共和國國家質(zhì)量監(jiān)督檢驗(yàn)檢疫總局愛布中國國家標(biāo)準(zhǔn)化管理委員會(huì)

GB/T12965-2005本標(biāo)準(zhǔn)的指標(biāo)參照了國外有關(guān)標(biāo)準(zhǔn)（見參考文獻(xiàn)）結(jié)合我國硅材料的實(shí)際生產(chǎn)和使用情況，并考慮國際上硅材料的生產(chǎn)及微電子產(chǎn)業(yè)的發(fā)展和現(xiàn)狀進(jìn)行修訂而成的。本標(biāo)準(zhǔn)代替GB/T12965—1996。本標(biāo)準(zhǔn)與GB/T12965—1996相比，有如下變動(dòng)：-增加了150mm、200mm的切割片和研磨片的相關(guān)內(nèi)容；根據(jù)近年來國內(nèi)硅單品的發(fā)展情況,并參照國際標(biāo)準(zhǔn)的相關(guān)內(nèi)容修改了<125mm切割片和研磨片的標(biāo)準(zhǔn)：增加了“術(shù)語”；刪除了原標(biāo)準(zhǔn)中的63.5mm的產(chǎn)品參數(shù)一項(xiàng);在切割片和研磨片厚度中增加了注1.由供需雙方根據(jù)需要制定厚度要求：-對(duì)150mm的切割片和研磨片規(guī)定了兩種主副參考面的位置,即與主參考面成180"和135°兩種：-對(duì)200mm切割片和研磨片規(guī)定了兩種：由切口的和有參考面的(僅有主參考面而無副參考面）.表征參考面尺寸采用主參考面直徑：增加了對(duì)倒角后邊緣輪摩的要求。本標(biāo)準(zhǔn)應(yīng)與GB/T12962、GB/T12964配套使用。本標(biāo)準(zhǔn)由中國有色金屬工業(yè)協(xié)會(huì)提出。本標(biāo)準(zhǔn)由全國有色金屬標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會(huì)歸口，本標(biāo)準(zhǔn)由北京有色金屬研究總院、中國有色金屬工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)計(jì)量質(zhì)量研究所負(fù)責(zé)起草本標(biāo)準(zhǔn)主要起草人：孫燕、王敬、盧立延、賀東江、翟富義，本標(biāo)準(zhǔn)由全國有色金屬標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會(huì)負(fù)責(zé)解釋。本標(biāo)準(zhǔn)所代替標(biāo)準(zhǔn)的歷次版本發(fā)布情況為：GB/T12965-1991:-GB/T12965-1996。

GB/T12965-2005硅單晶切割片和研磨片T范圍本標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定了硅單品切割片和研磨片(簡(jiǎn)稱硅片)的產(chǎn)品分類、術(shù)語、技術(shù)要求、試驗(yàn)方法、檢測(cè)規(guī)則以及標(biāo)志、包裝、運(yùn)輸、購存等。本標(biāo)準(zhǔn)適用于由直拉、懸浮區(qū)熔和中子嬉變摻雜硅單品經(jīng)切割、雙面研磨制備的圓形硅片。產(chǎn)品主要用于制作品體管、整流器件等半導(dǎo)體器件.或進(jìn)一步加工成拋光片。規(guī)范性引用文件下列文件中的條款通過本標(biāo)準(zhǔn)的引用而成為本標(biāo)準(zhǔn)的條款。凡是注年代的引用文件,其隨后所有的修改單(不包括勒誤的內(nèi)容)或修訂版均不適用于本標(biāo)準(zhǔn)，然而，鼓勵(lì)根據(jù)本標(biāo)準(zhǔn)達(dá)成協(xié)議的各方研究是否可使用這些文件的最新版本。凡是不注年代的引用文件,其最新版本適用于本標(biāo)準(zhǔn)GB/T1550非本征半導(dǎo)體材料導(dǎo)電類型測(cè)試方法GB/T1552硅、錯(cuò)單品電阻率測(cè)定直排四探針法GB/T1554硅品體完整性化學(xué)擇優(yōu)腐蝕檢驗(yàn)方法GB/T1555半導(dǎo)體單品品向測(cè)定方法GB/T2828.1計(jì)數(shù)抽樣檢驗(yàn)程序第一部分：按接收質(zhì)量限（AQL)檢索的逐批檢驗(yàn)抽樣計(jì)劃GB/T6616半導(dǎo)體硅片電阻率及硅薄膜薄層電阻測(cè)定非接觸渦流法GB/T6618硅片厚度和總厚度變化測(cè)試方法GB/T6620硅片翹曲度非接觸式測(cè)試方法GB/T6624硅拋光片表面質(zhì)量目測(cè)檢驗(yàn)方法GB/T11073硅片徑向電阻率變化的測(cè)量方法GB/T12962硅單晶GB/T12964桂單晶拋光片GB/T13387電子材料品片參考面長度測(cè)試方法GB/T13388硅片參考面結(jié)品學(xué)取向X射線測(cè)量方法硅片直徑測(cè)量方法（所有部分)GB/T14844半導(dǎo)體材料牌號(hào)表示方法YS/T26硅片邊緣輪廊檢驗(yàn)方法3術(shù)語下列術(shù)語適用于本標(biāo)準(zhǔn)主參考面直徑DrimaryFlatdiameter從主參考面的中心沿著垂直主參考面的直徑,通過硅片達(dá)對(duì)面的邊緣周邊處的直線長度。參見GB/T12964元3.2桂片切口notchonasiliconwafer在硅片上加工的具有規(guī)定形狀和尺寸的凹槽。參見GB/T12964。切口由平行規(guī)定的低指數(shù)品向并通過切口中心的直徑來