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場(chǎng)效應(yīng)管放大電路N溝道P溝道增強(qiáng)型耗盡型N溝道P溝道N溝道P溝道(耗盡型)FET場(chǎng)效應(yīng)管JFET結(jié)型MOSFET絕緣柵型(IGFET)分類(lèi):場(chǎng)效應(yīng)管放大電路4.1結(jié)型
場(chǎng)效應(yīng)管結(jié)構(gòu)工作原理輸出特性轉(zhuǎn)移特性主要參數(shù)
一、
JFET的結(jié)構(gòu)和工作原理
二、
JFET的特性曲線及參數(shù)
結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管
結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管的結(jié)構(gòu)示意圖及其表示符號(hào)(a)N溝道JFET;(b)P溝道JFET1.結(jié)構(gòu):N溝道管:電子導(dǎo)電,導(dǎo)電溝道為N型半導(dǎo)體P溝道管:空穴導(dǎo)電,導(dǎo)電溝道為P型半導(dǎo)體
一、JFET的結(jié)構(gòu)和工作原理2.工作原理①VGS對(duì)溝道的控制作用當(dāng)VGS<0時(shí)(以N溝道JFET為例)當(dāng)溝道夾斷時(shí),對(duì)應(yīng)的柵源電壓VGS稱為夾斷電壓VP(或VGS(off))。對(duì)于N溝道的JFET,VP<0。PN結(jié)反偏耗盡層加厚溝道變窄。VGS繼續(xù)減小,溝道繼續(xù)變窄4.1結(jié)型
場(chǎng)效應(yīng)管②VDS對(duì)溝道的控制作用當(dāng)VGS=0時(shí),VDSID當(dāng)VDS增加到使VGD=VP時(shí),在緊靠漏極處出現(xiàn)預(yù)夾斷。G、D間PN結(jié)的反向電壓增加,使靠近漏極處的耗盡層加寬,溝道變窄,從上至下呈楔形分布。此時(shí)VDS夾斷區(qū)延長(zhǎng)溝道電阻ID基本不變③
VGS和VDS同時(shí)作用時(shí)當(dāng)VP<VGS<0時(shí),導(dǎo)電溝道更容易夾斷,對(duì)于同樣的VDS,
ID的值比VGS=0時(shí)的值要小。VGD=VGS-VDS=VP在預(yù)夾斷處(以N溝道JFET為例)2.工作原理4.1結(jié)型
場(chǎng)效應(yīng)管綜上分析可知溝道中只有一種類(lèi)型的多數(shù)載流子參與導(dǎo)電,
所以場(chǎng)效應(yīng)管也稱為單極型三極管。JFET是電壓控制電流器件,iD受vGS控制預(yù)夾斷前iD與vDS呈近似線性關(guān)系;預(yù)夾斷后,iD趨于飽和。
P溝道JFET工作時(shí),其電源極性與N溝道JFET的電源極性相反。JFET柵極與溝道間的PN結(jié)是反向偏置的,因
此iG0,輸入電阻很高。1.轉(zhuǎn)移特性
VP2.輸出特性
4.1結(jié)型
場(chǎng)效應(yīng)管二、JFET的特性曲線及參數(shù)4.1結(jié)型
場(chǎng)效應(yīng)管1)飽和區(qū)輸出特性
輸出特性曲線表達(dá)以UGS為參變量時(shí)iD與uDS的關(guān)系。根據(jù)特性曲線的各部分特征,分為四個(gè)區(qū)域:
飽和區(qū)區(qū)相當(dāng)于雙極型晶體管的放大區(qū)。其主要特征為:uGS對(duì)iD的控制能力很強(qiáng),uDS的變化對(duì)iD影響很小。2)可變電阻區(qū)與雙極型晶體管不同,在JFET中,柵源電壓uGS對(duì)iD上升的斜率影響較大,隨著|UGS|增大,曲線斜率變小,說(shuō)明JFET的輸出電阻變大。3)截止區(qū)當(dāng)|UGS|>|UP|時(shí),溝道被全部夾斷,iD=0,故此區(qū)為截止區(qū)。若利用JFET作為開(kāi)關(guān),則工作在截止區(qū),即相當(dāng)于開(kāi)關(guān)打開(kāi)。
4)擊穿區(qū)隨著uDS增大,靠近漏區(qū)的PN結(jié)反偏電壓uDG也隨之增大。①夾斷電壓VP(或VGS(off)):②飽和漏極電流IDSS:
③
低頻跨導(dǎo)gm:或漏極電流約為零時(shí)的VGS值。VGS=0時(shí)對(duì)應(yīng)的漏極電流。低頻跨導(dǎo)反映了vGS對(duì)iD的控制作用。gm可以在轉(zhuǎn)移特性曲線上求得,單位是mS(毫西門(mén)子)。④輸出電阻rd:4.1結(jié)型
場(chǎng)效應(yīng)管3.主要參數(shù)3.主要參數(shù)4.1結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管⑤直流輸入電阻RGS
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