三極管開(kāi)關(guān)特性經(jīng)典

三極管開(kāi)關(guān)特性經(jīng)典二、動(dòng)態(tài)特性1.開(kāi)通時(shí)間：2.關(guān)斷時(shí)間：閉合）（斷開(kāi)斷開(kāi)）（閉合普通開(kāi)關(guān)：靜態(tài)特性好，動(dòng)態(tài)特性差半導(dǎo)體開(kāi)關(guān)：靜態(tài)特性較差，動(dòng)態(tài)特性好幾百萬(wàn)/秒幾千萬(wàn)/秒SAK2.1.2半導(dǎo)體二極管的開(kāi)關(guān)特性一、靜態(tài)特性1.外加正向電壓(正偏)二極管導(dǎo)通(相當(dāng)于開(kāi)關(guān)閉合)2.外加反向電壓(反偏)二極管截止(相當(dāng)于開(kāi)關(guān)斷開(kāi))硅二極管伏安特性陰極A陽(yáng)極KPN結(jié)-AK+P區(qū)N區(qū)++++++++--------正向?qū)▍^(qū)反向截止區(qū)反向擊穿區(qū)0.50.7/mA/V0D+-+-二極管的開(kāi)關(guān)作用：[例]uO=0VuO=2.3V電路如圖所示，試判別二極管的工作狀態(tài)及輸出電壓。二極管截止二極管導(dǎo)通[解]D0.7V+-二、動(dòng)態(tài)特性1.二極管的電容效應(yīng)結(jié)電容C

j擴(kuò)散電容CD2.二極管的開(kāi)關(guān)時(shí)間電容效應(yīng)使二極管的通斷需要一段延遲時(shí)間才能完成tt00(反向恢復(fù)時(shí)間)≤ton—開(kāi)通時(shí)間toff—關(guān)斷時(shí)間一、靜態(tài)特性NPN2.1.3半導(dǎo)體三極管的開(kāi)關(guān)特性發(fā)射結(jié)集電結(jié)發(fā)射極emitter基極base集電極collectorbiBiCec(電流控制型)1.結(jié)構(gòu)、符號(hào)和輸入、輸出特性(2)

符號(hào)NNP(Transistor)(1)

結(jié)構(gòu)(3)

輸入特性(4)輸出特性iC

/mAuCE

/V50μA40μA30μA20μA10μAiB=0024684321放大區(qū)截止區(qū)飽和區(qū)0uBE

/ViB

/μA發(fā)射結(jié)正偏放大i

C=

iB集電結(jié)反偏飽和iC

＜

iB兩個(gè)結(jié)正偏I(xiàn)

CS=

IBS臨界截止iB≈0,iC≈0兩個(gè)結(jié)反偏電流關(guān)系狀態(tài)

條件2.開(kāi)關(guān)應(yīng)用舉例發(fā)射結(jié)反偏T截止發(fā)射結(jié)正偏T導(dǎo)通+RcRb+VCC(12V)+uoiBiCTuI3V-2V2k2.3k放大還是飽和？飽和導(dǎo)通條件：+RcRb+VCC+12V+uoiBiCTuI3V-2V2k2.3k≤因?yàn)樗远?、?dòng)態(tài)特性3-2t00.9ICS0.1ICSt030.3t02.1.4MOS管的開(kāi)關(guān)特性(電壓控制型)MOS（Mental–Oxide–Semiconductor）

金屬

–

氧化物

–

半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)管一、靜態(tài)特性1.結(jié)構(gòu)和特性：(1)N溝道柵極

G漏極

DB源極

S3V4V5VuGS=6ViD/mA42643210uGS/ViD/mA43210246810uDS/V可變電阻區(qū)恒流區(qū)UTNiD開(kāi)啟電壓UTN=2V+-uGS+-uDS襯底漏極特性轉(zhuǎn)移特性u(píng)DS=6V截止區(qū)2.MOS管的開(kāi)關(guān)作用：(1)N溝道增強(qiáng)型MOS管+VDD+10VRD20kBGDSuIuO+VDD+10VRD20kGDSuIuO開(kāi)啟電壓UTN=2ViD+VDD+10VRD20kGDSuIuORONRD(2)P溝道增強(qiáng)型MOS管-VDD-10VRD20kBGDSuIuO-