電磁兼容-試驗(yàn)和測(cè)量技術(shù)-浪涌(沖擊)抗擾度試驗(yàn)課件

SURGE-浪涌拼搏凝成燦爛的日子勤奮托出亮麗的人生SURGE-浪涌浪涌的定義浪涌的表現(xiàn)浪涌保護(hù)器工業(yè)以太網(wǎng)交換機(jī)浪涌測(cè)試結(jié)束語浪涌的定義浪涌也叫電涌、突波，就是超出正常工作電壓的瞬間過電壓浪涌是發(fā)生在僅僅幾百萬分之一秒時(shí)間內(nèi)的一種劇烈脈沖。浪涌的特點(diǎn)是產(chǎn)生的時(shí)間非常短，大概在微微秒級(jí)破壞器件1、浪涌電壓擊穿半導(dǎo)體器件2、破壞元器件金屬化表層3、破壞印刷電路板的印刷電路或接觸點(diǎn)4、破壞三端雙可控硅元件、晶匣管等干擾設(shè)備工作1、鎖死晶閘管或三端雙向可控硅元件失控2、數(shù)據(jù)文件部分破壞，數(shù)據(jù)處理程序出錯(cuò)3、接受、傳輸數(shù)據(jù)錯(cuò)誤和失敗4、輸出音質(zhì)、畫面質(zhì)質(zhì)量下降浪涌保護(hù)器氣體放電管壓敏電阻嵌位二極管

浪涌保護(hù)器是一種高效能電路保護(hù)器，當(dāng)它承受瞬態(tài)高壓、高能量脈沖時(shí)，快速由原來的高阻抗變?yōu)榈妥杩?，并將瞬變高壓干擾脈沖抑制到預(yù)定電壓，從而有效地保護(hù)設(shè)備和敏感器件不受損壞，電路工作不受干擾。

浪涌保護(hù)器的作用是把灌入電力線、信號(hào)線傳輸線的瞬時(shí)過電壓限制在設(shè)備或系統(tǒng)所能承受的電壓范圍內(nèi)，或?qū)?qiáng)大的雷電電流泄入地，保護(hù)被保護(hù)的設(shè)備或系統(tǒng)不受沖擊而損壞。氣體放電管工作原理：氣體放電管采用陶瓷密閉封裝，內(nèi)部由兩個(gè)或數(shù)個(gè)帶間隙的金屬電極，充以惰性氣體（氬氣或氖氣）構(gòu)成。當(dāng)加到兩電極端的電壓達(dá)到使氣體放電管內(nèi)的氣體擊穿時(shí)，氣體放電管便開始放電，并由高阻變成低阻，使電極兩端的電壓不超過擊穿電壓。優(yōu)點(diǎn)：通流量容量大，絕緣電阻高，漏電流小，寄生電容小，一般小于2pf缺點(diǎn)：響應(yīng)時(shí)間長，反應(yīng)慢（=<100ns），殘壓高，動(dòng)作電壓精度低，有持續(xù)電流主要參數(shù)：

反應(yīng)時(shí)間、功率容量、電容量指、直流擊穿電壓、溫度范圍、絕緣電阻嵌位二極管（TVS）工作原理：當(dāng)TVS上的電壓超過一定幅度時(shí)，器件迅速導(dǎo)通，從而將浪涌能量泄放掉，并將浪涌電壓幅值限制在一定幅度。優(yōu)點(diǎn)：殘壓低，動(dòng)作精度高，反應(yīng)時(shí)間快（<1ns），無跟隨電流（續(xù)流），嵌位電容低。缺點(diǎn)：耐流能力差，通流容量小，一般只有幾百安培。7項(xiàng)主要參數(shù)：

VRWV：指TVS管最大連續(xù)工作的直流或脈沖電壓、

IPP：指TVS管允許流過的最大浪涌電流、

VBR:在指定測(cè)試電流下TVS管發(fā)生雪崩擊穿時(shí)的電壓、

VC：指TVS管流過最大浪涌電流（峰值為IPP

）時(shí)其端電壓由VRWM

上升到一定值后保持不變的電壓值、

IR：指在最大反向工作電壓下流過TVS管的最大漏電流、

IT：指TVS的測(cè)試電流、

電容量C術(shù)語與定義1、雪崩器件：在規(guī)定電壓擊穿導(dǎo)通的二極管、氣體放電管或其他元件2、組合波發(fā)生器：能產(chǎn)生1.2/50μs開路電壓波形、8/20μs短路電流波形，或10/700μs開路電壓波形、5/320μs短路電流波形的發(fā)生器3、耦合網(wǎng)絡(luò)：能將能量從一個(gè)電路傳送到另一個(gè)電路的電路4、去耦網(wǎng)絡(luò)：用于防止施加到受試設(shè)備上的浪涌影響其他未試驗(yàn)的裝置、設(shè)備或系統(tǒng)的電路5、參考地：位于接地布置影響區(qū)域以外、點(diǎn)位通常被認(rèn)為是零的導(dǎo)電大地的一部分以上僅是浪涌術(shù)語的部分電力系統(tǒng)開關(guān)瞬態(tài)1、主要的電力系統(tǒng)切換騷擾，例如電容器組的切換2、配電系統(tǒng)中較少的局部開關(guān)動(dòng)作或負(fù)載變化3、與開關(guān)器件相關(guān)聯(lián)的諧振現(xiàn)象4、各種系統(tǒng)故障，例如設(shè)備組合對(duì)地系統(tǒng)的斷路和電弧故障雷電瞬態(tài)1、直接雷，它擊于外部電路，注入的大電流流過接地電阻或外部電路阻抗而產(chǎn)生電壓2、間接雷，雷擊產(chǎn)生的磁場(chǎng)在建筑物內(nèi)外導(dǎo)體上產(chǎn)生感應(yīng)電壓和電流3、附近直接對(duì)地放電的雷電電流，當(dāng)它耦合到設(shè)備組合接地系統(tǒng)的公共接地路徑時(shí)產(chǎn)生的感應(yīng)電壓瞬態(tài)的模擬實(shí)驗(yàn)發(fā)生器的特性應(yīng)盡可能的模擬電力系統(tǒng)開關(guān)瞬態(tài)和雷電瞬態(tài)如果騷擾源在同一線路中，例如在電源網(wǎng)絡(luò)中，那么發(fā)生器在EUT的端口模擬一個(gè)低阻抗源如果騷擾源與EUT不在同一線路中，那么發(fā)生器模擬一個(gè)高阻抗源規(guī)范性引用文件以下文件中的條款通過GB/T17626的本部分的引用而成為本部分的條款GB/T4365電工術(shù)語電磁兼容（GB/T4365-2003，IEC60050（161）：1990，IDTGB/T16927.1高電壓試驗(yàn)技術(shù)第一部分：一般要求（GB/T16927.1-1997，eqvIEC60060-1:1989）GB/Z18509-2001電磁兼容電磁兼容標(biāo)準(zhǔn)起草導(dǎo)則（neqIECGuide107：1998）IEC62305雷擊電磁脈沖防護(hù)IEC60469-1脈沖技術(shù)和設(shè)備第一部分：脈沖術(shù)語和定義試驗(yàn)引用標(biāo)準(zhǔn)與等級(jí)試驗(yàn)標(biāo)準(zhǔn):GB/T17626.5-2008/IEC61000-4-5:2005試驗(yàn)等級(jí)表試驗(yàn)等級(jí)應(yīng)根據(jù)安裝情況來選擇所有較低試驗(yàn)等級(jí)的電壓也應(yīng)得到滿足等級(jí)開路試驗(yàn)電壓（±10%）