拓荊科技：半導(dǎo)體薄膜沉積設(shè)備龍頭上市后駛?cè)氤砷L快車道

拓荊科技：半導(dǎo)體薄膜沉積設(shè)備龍頭，上市后駛?cè)氤砷L快車道1.拓荊科技：國內(nèi)半導(dǎo)體薄膜沉積設(shè)備領(lǐng)軍企業(yè)1.1深耕薄膜沉積十余年，打破壟斷成就領(lǐng)軍者國內(nèi)半導(dǎo)體薄膜沉積設(shè)備領(lǐng)域龍頭。公司成立于2010年，主要從事高端半導(dǎo)體專用設(shè)備的研發(fā)、生產(chǎn)、銷售與技術(shù)服務(wù)。公司擁有自主知識產(chǎn)權(quán)，且技術(shù)指標(biāo)已達(dá)到國際同類產(chǎn)品先進水平，產(chǎn)品已廣泛用于中芯國際、華虹集團、長江存儲、長鑫存儲、廈門聯(lián)芯、燕東微電子等國內(nèi)主流晶圓廠產(chǎn)線，打破了國際廠商對國內(nèi)市場的壟斷，與國際寡頭直接競爭。公司多次承擔(dān)國家重大專項，多次獲評中國半導(dǎo)體行業(yè)協(xié)會授予的“中國半導(dǎo)體設(shè)備五強企業(yè)”稱號。公司無控股股東和實際控制人，第一大股東為國家集成電路基金。上市前，國家集成電路基金持有公司26.48%的股份，其實控人為中國財政部。自然人股東呂光泉、劉憶軍、凌復(fù)華、吳飚、周仁、張先智、張孝勇，以及沈陽盛騰、芯鑫和等11個公司員工持股平臺，與股東姜謙屬于一致行動人，合計持有公司15.19%的股份。公司于2020年分別在北京、上海、海寧成立了三家子公司。其中，拓荊鍵科（海寧）主要從事高端半導(dǎo)體新興工藝設(shè)備研發(fā)與生產(chǎn)制造，拓荊北京、拓荊上海尚未開展經(jīng)營。1.2產(chǎn)品市場地位領(lǐng)先，PECVD貢獻(xiàn)主要業(yè)績公司聚焦薄膜沉積設(shè)備，三大系列均已批量供貨國內(nèi)主要集成電路晶圓廠產(chǎn)線。公司主要產(chǎn)品包括等離子體增強化學(xué)氣相沉積（PECVD）設(shè)備、原子層沉積（ALD）設(shè)備和次常壓化學(xué)氣相沉積（SACVD）設(shè)備三大系列薄膜沉積設(shè)備。經(jīng)過十余年的積累沉淀與快速發(fā)展，公司已形成覆蓋二十余種工藝型號的薄膜沉積設(shè)備，可以滿足下游集成電路制造客戶產(chǎn)線對于不同材料、不同芯片結(jié)構(gòu)薄膜沉積工序的設(shè)備需求。目前，三大系列產(chǎn)品均已批量發(fā)往國內(nèi)主要集成電路晶圓廠產(chǎn)線，廣泛應(yīng)用于國內(nèi)晶圓廠14nm及以上制程集成電路制造產(chǎn)線，累計發(fā)貨超150臺，并已展開10nm及以下制程產(chǎn)品驗證測試。公司PECVD設(shè)備貢獻(xiàn)主要營收，且毛利率逐年上升。2018-2021年，PECVD設(shè)備營收由0.52億元攀升至6.75億元，CAGR達(dá)135.52%。PECVD的高增長主要是因為下游需求增加，以及公司不斷創(chuàng)新、積累技術(shù)，從而獲得多家客戶驗證、認(rèn)可。PECVD設(shè)備的毛利率由2018年的29.25%逐年上升至2021年的42.64%，主要是隨著技術(shù)水平、市場地位的提升，公司議價能力有所提高，加之公司產(chǎn)品也開始進入價格更高的先進制程設(shè)備市場。1.3業(yè)績實現(xiàn)高增長，盈利狀況逐年改善經(jīng)營業(yè)績實現(xiàn)高增長，扣非虧損逐年收窄。2018-2021年，公司營收CAGR高達(dá)120.56%，2021年營收7.58億元，同比增長73.99%，實現(xiàn)高速增長。主要原因有：1）外部大環(huán)境良好：全球半導(dǎo)體行業(yè)處于需求增長的上行周期，下游晶圓廠的需求增加，對半導(dǎo)體專用設(shè)備的需求也隨之上升；2）國際設(shè)備廠商的壟斷被逐漸打破：國內(nèi)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)逐步成熟，晶圓制造廠商出于供應(yīng)鏈安全與成本控制的考慮，開始選擇國產(chǎn)半導(dǎo)體設(shè)備；3）公司前期的積累逐步進入收獲期：憑借自身技術(shù)優(yōu)勢和創(chuàng)新能力，公司的薄膜沉積設(shè)備在前期通過了多家客戶的驗證。2018-2021年，由于公司研發(fā)費用金額較高且占營業(yè)收入的比例較大，因此扣除非經(jīng)常性損益后尚未實現(xiàn)盈利。2018-2021年，公司研發(fā)費用率分別為152.84%、29.58%、28.18%、38.04%，維持高位。與此同時，隨著持續(xù)不斷地投入技術(shù)研發(fā)，公司產(chǎn)品日益成熟，客戶認(rèn)可度逐年提高，公司的虧損呈現(xiàn)收窄趨勢，盈利能力逐步改善。2.半導(dǎo)體行業(yè)景氣度高，國產(chǎn)半導(dǎo)體設(shè)備市場廣闊2.1集成電路占半導(dǎo)體八成份額，設(shè)備為產(chǎn)業(yè)鏈的關(guān)鍵要素集成電路占半導(dǎo)體產(chǎn)品80%以上份額，是絕大部分電子設(shè)備的核心組成部分。半導(dǎo)體指常溫下導(dǎo)電性能介于導(dǎo)體與絕緣體之間的材料。按產(chǎn)品來劃分，半導(dǎo)體產(chǎn)品可分為集成電路、分立器件、光電器件和傳感器，其中集成電路占80%以上的份額，是絕大多數(shù)電子設(shè)備的核心組成部分，也是現(xiàn)代信息產(chǎn)業(yè)的基礎(chǔ)，下游應(yīng)用最為廣泛。按照主要生產(chǎn)過程劃分，半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈整體可分為上游半導(dǎo)體支撐產(chǎn)業(yè)、中游晶圓制造產(chǎn)業(yè)、下游半導(dǎo)體應(yīng)用產(chǎn)業(yè)。上游半導(dǎo)體材料、設(shè)備產(chǎn)業(yè)為中游晶圓制造產(chǎn)業(yè)提供必要的原材料與生產(chǎn)設(shè)備。半導(dǎo)體產(chǎn)品下游應(yīng)用廣泛，涉及通訊技術(shù)、消費電子、工業(yè)電子、汽車電子、人工智能、物聯(lián)網(wǎng)、醫(yī)療、新能源、大數(shù)據(jù)等多個領(lǐng)域。全球半導(dǎo)體行業(yè)市場廣闊，市場規(guī)模整體呈現(xiàn)不斷增長趨勢。根據(jù)WSTS數(shù)據(jù)顯示，全球半導(dǎo)體行業(yè)銷售收入自2016起增長較快，2016-2018年CAGR為17.61%。2019年受全球宏觀經(jīng)濟低迷影響，半導(dǎo)體行業(yè)景氣度有所下降。2020年全球半導(dǎo)體收入恢復(fù)增長至4,404億美元。2021年全球半導(dǎo)體收入首次突破5,000億美元，實現(xiàn)同比26.23%的強勁增長。WSTS預(yù)計，2022年全球半導(dǎo)體市場規(guī)模將延續(xù)增長態(tài)勢，市場規(guī)模將再成長8.8％達(dá)6,014.90億美元。近十年中國集成電路行業(yè)消費額高速穩(wěn)步增長，中國大陸已占據(jù)全球35%的半導(dǎo)體消費市場。SIA2020年數(shù)據(jù)顯示，亞太地區(qū)是全球最大的半導(dǎo)體消費市場，2019年銷售額占比62.50%，其中中國大陸市場占據(jù)全球35.00%市場份額；美國為全球半導(dǎo)體消費第二大市場，占比約為19.10%；歐洲及日本市場份額分別為9.70%和8.70%。據(jù)中國半導(dǎo)體行業(yè)協(xié)會統(tǒng)計，2011-2021年，中國半導(dǎo)體行業(yè)銷售額持續(xù)增長，十年復(fù)合增長率達(dá)18.39%。2021年中國集成電路產(chǎn)業(yè)實現(xiàn)銷售額10,458億元，同比增長18.2%。半導(dǎo)體設(shè)備泛指用于生產(chǎn)各類半導(dǎo)體產(chǎn)品所需的生產(chǎn)設(shè)備，屬于半導(dǎo)體行業(yè)產(chǎn)業(yè)鏈的支撐環(huán)節(jié)。以半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈中技術(shù)難度最高、附加值最大、工藝最為復(fù)雜的集成電路為例，應(yīng)用于集成電路領(lǐng)域的設(shè)備通?？煞譃榍暗拦に囋O(shè)備（晶圓制造）和后道工藝設(shè)備（封裝測試）兩大類。其中，在前道晶圓制造中，共有七大工藝步驟，分別為氧化/擴散、光刻、刻蝕、離子注入、薄膜生長、清洗與拋光、金屬化，所對應(yīng)的專用設(shè)備主要包括氧化/擴散設(shè)備、光刻設(shè)備、刻蝕設(shè)備、清洗設(shè)備、離子注入設(shè)備、薄膜沉積設(shè)備、機械拋光設(shè)備等。其中，光刻設(shè)備、刻蝕設(shè)備、薄膜沉積設(shè)備為前道工藝中的三大核心設(shè)備。集成電路制造設(shè)備的投資中各工藝環(huán)節(jié)占比穩(wěn)定，薄膜沉積設(shè)備約占20%。集成電路制造中，70%-80%的資本開支用于設(shè)備投資，而設(shè)備投資中的78%-80%在晶圓制造環(huán)節(jié)的設(shè)備中。根據(jù)ASMI數(shù)據(jù)，2015-2021年，集成電路制造設(shè)備投資中各工藝環(huán)節(jié)占比穩(wěn)定，刻蝕&清洗、光刻、薄膜沉積分別約占集成電路制造設(shè)備投資的25%、20%、20%。2.2薄膜沉積為核心工藝環(huán)節(jié)，元器件復(fù)雜化提升設(shè)備需求芯片是微型結(jié)構(gòu)體，其內(nèi)部結(jié)構(gòu)是3D立體式形態(tài)，襯底之上的微米或納米級薄膜構(gòu)成了制作電路的功能材料層。為了形成多層的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，需要先制造器件疊層，即在晶圓表面交替堆疊多層金屬（導(dǎo)電）膜和介電（絕緣）膜，之后再通過重復(fù)刻蝕工藝去除多余部分并形成三維結(jié)構(gòu)。作為芯片結(jié)構(gòu)的功能材料層，在芯片完成制造、封測等工序后，薄膜會留存在芯片中，因此薄膜的技術(shù)參數(shù)將直接影響芯片性能。芯片內(nèi)部的薄膜厚度為微米到納米級，無法通過普通機械加工方法制造，而需要采用薄膜沉積技術(shù)。薄膜沉積技術(shù)是以各類適當(dāng)?shù)幕瘜W(xué)反應(yīng)源在外加能量（包括熱、光、等離子體等）的驅(qū)動下激活，將由此形成的原子、離子、活性反應(yīng)基團等在襯底表面進行吸附，并在適當(dāng)?shù)奈恢冒l(fā)生化學(xué)反應(yīng)或聚結(jié)，漸漸形成幾納米至幾微米不等厚度的金屬、介質(zhì)、或半導(dǎo)體材料薄膜。薄膜沉積設(shè)備主要負(fù)責(zé)各個步驟當(dāng)中的介質(zhì)層與金屬層的沉積，包括CVD（化學(xué)氣相沉積）設(shè)備、PVD（物理氣相沉積）設(shè)備/電鍍設(shè)備和ALD（原子層沉積）設(shè)備。CVD是一種通過氣體混合的化學(xué)反應(yīng)在硅片表面沉積薄膜的工藝，可應(yīng)用于絕緣薄膜、硬掩模層以及金屬膜層的沉積。其原理是通過化學(xué)反應(yīng)的方式，利用加熱、等離子或光輻射等各種能源，在反應(yīng)器內(nèi)使氣態(tài)或蒸汽狀態(tài)的化學(xué)物質(zhì)在氣相或氣固界面上經(jīng)化學(xué)反應(yīng)形成固態(tài)沉積物。常用CVD設(shè)備包括PECVD、SACVD、APCVD、LPCVD等，適用于不同工藝節(jié)點對膜質(zhì)量、厚度以及孔隙溝槽填充能力等的不同要求。其中，由于等離子體的作用，化學(xué)反應(yīng)溫度明顯降低，薄膜純度得到提高，致密度得以加強，不傷害芯片已完成的電路，PECVD在從亞微米發(fā)展到90nm的IC制造技術(shù)過程中，扮演了重要的角色。由于SACVD反應(yīng)腔環(huán)境具有特有的高溫（400-550℃）、高壓（30-600Torr）環(huán)境，具有快速填空（Gapfill）能力，因此SACVD主要應(yīng)用于溝槽填充工藝。PVD是用物理的方法使材料沉積在被鍍工件上的薄膜制備技術(shù)。在真空條件下，采用物理方法，將材料源（固體或液體）表面氣化成氣態(tài)原子、分子或部分電離成離子，并通過低壓氣體（或等離子體）過程，在基體表面沉積具有某種特殊功能的薄膜的技術(shù)。PVD主要方法包括真空蒸發(fā)鍍膜、真空濺射鍍膜和真空離子鍍膜，不僅可沉積金屬膜、合金膜，還可以沉積化合物、陶瓷、半導(dǎo)體、聚合物膜等。PVD具有成膜速率高、鍍膜厚度及均勻性可控、薄膜致密性好、粘結(jié)力強及純凈度高等優(yōu)點。ALD可以將物質(zhì)以單原子膜形式一層一層地鍍在基底表面的方法。從原理上說，ALD是通過化學(xué)反應(yīng)得到生成物，但在沉積反應(yīng)原理、沉積反應(yīng)條件的要求和沉積層的質(zhì)量上都與傳統(tǒng)的CVD不同。相對于傳統(tǒng)的沉積工藝而言，ALD工藝具有自限制生長的特點，可精確控制薄膜的厚度，制備的薄膜具有均勻的厚度和優(yōu)異的一致性，臺階覆蓋率高，特別適合深槽結(jié)構(gòu)中的薄膜生長，因此ALD設(shè)備在28nm以下關(guān)鍵尺寸縮小的雙曝光工藝方面取得了越來越廣泛的應(yīng)用。集成電路尺寸及線寬的縮小、產(chǎn)品結(jié)構(gòu)的立體化及生產(chǎn)工藝的復(fù)雜化等因素都對半導(dǎo)體設(shè)備行業(yè)提出了更高的要求和更多的需求，并為以薄膜沉積設(shè)備為代表的核心裝備的發(fā)展提供了廣闊的市場空間。多重曝光工藝需要重復(fù)多次薄膜沉積，從而實現(xiàn)更小的線寬。在摩爾定律的推動下，元器件集成度的大幅提高要求集成電路線寬不斷縮小，影響集成電路制造工序愈為復(fù)雜。尤其當(dāng)線寬向7nm及以下制程發(fā)展，當(dāng)前市場普遍使用的光刻機受波長的限制精度無法滿足要求，需要采用多重曝光工藝，重復(fù)多次薄膜沉積和刻蝕工序以實現(xiàn)更小的線寬，使得薄膜沉積次數(shù)顯著增加。半導(dǎo)體產(chǎn)品結(jié)構(gòu)的立體化大幅增加了薄膜沉積工序。在FLASH存儲芯片領(lǐng)域，主流制造工藝已由2DNAND發(fā)展為3DNAND結(jié)構(gòu)。而在3DNAND制造工藝中，增加集成度的主要方法不再是縮小單層上線寬，而是增大三維立體堆疊的層數(shù)，疊堆層數(shù)也從32/64層量產(chǎn)向128/196層發(fā)展，每層均需要經(jīng)過薄膜沉積工藝步驟。根據(jù)東京電子披露，薄膜沉積設(shè)備占FLASH芯片產(chǎn)線的資本開支比例從2D時代的18%增長至3D時代的26%。隨著3DNANDFLASH芯片的內(nèi)部層數(shù)不斷增高，對于薄膜沉積設(shè)備的需求提升的趨勢也將延續(xù)。從上游晶圓廠的角度來看，先進產(chǎn)線對薄膜沉積設(shè)備的需求量陡增。隨著產(chǎn)線的逐漸升級，晶圓制造的復(fù)雜度和工序量都大大提升，在實現(xiàn)相同芯片制造產(chǎn)能的情況下，晶圓廠對薄膜沉積設(shè)備的需求量和性能也將相應(yīng)增加。以中芯國際的不同制程邏輯芯片產(chǎn)線為例，從180nm8寸晶圓產(chǎn)線到90nm12寸晶圓產(chǎn)線，產(chǎn)線對CVD設(shè)備的需求量從月產(chǎn)能每萬片9.9臺增至42臺，PVD設(shè)備的需求量從月產(chǎn)能每萬片4.8臺增至24臺，需求量提升了4-5倍。2.3產(chǎn)能轉(zhuǎn)移疊加國產(chǎn)化，國內(nèi)薄膜沉積設(shè)備市場大有可為2.3.1半導(dǎo)體設(shè)備空間廣闊，中國大陸已成全球最大市場自2019年起全球半導(dǎo)體設(shè)備市場迎來高速增長，中國大陸連續(xù)兩年成為全球第一大半導(dǎo)體設(shè)備市場。據(jù)SEMI統(tǒng)計，2019年全球半導(dǎo)體設(shè)備銷售規(guī)模為598億美元，2021年首次突破1000億美元，達(dá)到1026億美元，年均復(fù)合增長率達(dá)30.99%。2019-2021年，中國大陸地區(qū)半導(dǎo)體設(shè)備銷售額由135億美元增長至296億美元，年均復(fù)合增長率達(dá)48.40%，高于全球增速。2021年，中國大陸地區(qū)半導(dǎo)體設(shè)備銷售額較2020年大幅增長58.23%，大陸地區(qū)連續(xù)兩年成為全球第一大半導(dǎo)體設(shè)備市場，占全球半導(dǎo)體設(shè)備市場的28.86%。全球半導(dǎo)體薄膜沉積設(shè)備市場規(guī)模逐年增長，預(yù)計2025年達(dá)340億美元。根據(jù)MaximizeMarketResearch數(shù)據(jù)統(tǒng)計，2017-2019年全球半導(dǎo)體薄膜沉積設(shè)備市場規(guī)模分別為125億美元、145億美元和155億美元，2020年擴大至約172億美元，年復(fù)合增長率為11.2%。隨著半導(dǎo)體行業(yè)整體景氣度的提升，全球半導(dǎo)體設(shè)備市場呈現(xiàn)快速增長態(tài)勢，拉動市場對薄膜沉積設(shè)備需求的增加。MaximizeMarketResearch預(yù)計全球半導(dǎo)體薄膜沉積設(shè)備市場規(guī)模在2025年將從2020年的172億美元擴大至340億美元，保持年復(fù)合14.6%的增長速度。PECVD占整體薄膜沉積設(shè)備市場的33%，為占比最高的設(shè)備類型。薄膜沉積工藝的不斷發(fā)展，形成了較為固定的工藝流程，同時也根據(jù)不同的應(yīng)用演化出了PECVD、濺射PVD、ALD、LPCVD等不同的設(shè)備用于晶圓制造的不同工藝。其中，PECVD是薄膜設(shè)備中占比最高的設(shè)備類型，占整體薄膜沉積設(shè)備市場的33%；ALD設(shè)備目前占據(jù)薄膜沉積設(shè)備市場的11%；SACVD是新興的設(shè)備類型，屬于其他薄膜沉積設(shè)備類目下的產(chǎn)品，占比較小。預(yù)計2025年中國大陸PECVD設(shè)備、ALD設(shè)備市場規(guī)模分別達(dá)37.03、12.34億美元。根據(jù)MaximizeMarketResearch預(yù)測，2025年全球半導(dǎo)體薄膜沉積設(shè)備市場規(guī)模將達(dá)340億美元；假設(shè)到2025年，中國大陸半導(dǎo)體設(shè)備市場占全球市場的比例逐步提升至33%，則可測算出中國大陸薄膜沉積設(shè)備市場規(guī)模（全球薄膜沉積市場規(guī)模×中國大陸半導(dǎo)體市場占全球市場的比例）；假設(shè)2022-2025年，PECVD設(shè)備、ALD設(shè)備占整體薄膜沉積設(shè)備市場的比例分別保持33%、11%不變，則可測算中國大陸PECVD、ALD設(shè)備市場規(guī)模（中國大陸薄膜沉積設(shè)備市場規(guī)?！罰ECVD或ALD設(shè)備占薄膜沉積設(shè)備市場的比例）分別為37.03、12.34億美元。2.3.2薄膜沉積設(shè)備被高度壟斷，產(chǎn)能轉(zhuǎn)移或拉動國產(chǎn)替代薄膜沉積設(shè)備行業(yè)呈現(xiàn)出高度壟斷的競爭局面，行業(yè)基本由應(yīng)用材料（AMAT）、先晶半導(dǎo)體（ASMI）、泛林半導(dǎo)體（Lam）、東京電子（TEL）等國際巨頭壟斷。2019年，ALD設(shè)備龍頭東京電子（TEL）和先晶半導(dǎo)體（ASMI）分別占據(jù)了31%和29%的市場份額，剩下40%的份額由其他廠商占據(jù)；在CVD市場中，應(yīng)用材料（AMAT）全球占比約為30%，連同泛林半導(dǎo)體（Lam）的21%和TEL的19%，三大廠商占據(jù)了全球70%的市場份額；而應(yīng)用材料（AMAT）則基本壟斷了PVD市場，占85%的比重，處于絕對龍頭地位。中國半導(dǎo)體設(shè)備整體仍嚴(yán)重依賴進口，集成電路設(shè)備自給率僅有5%左右，進口替代空間巨大。根據(jù)中國電子專用設(shè)備工業(yè)協(xié)會數(shù)據(jù)統(tǒng)計，2020年國產(chǎn)半導(dǎo)體設(shè)備銷售額約為213億元，自給率約為16%。如僅考慮集成電路設(shè)備，國內(nèi)自給率僅有5%左右，在全球市場僅占1-2%，技術(shù)含量最高的集成電路前道設(shè)備則自給率更低。半導(dǎo)體設(shè)備嚴(yán)重依賴進口不僅影響我國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的發(fā)展，更對我國信息產(chǎn)業(yè)安全造成重大隱患。3.技術(shù)與客戶共筑護城河，募投或延續(xù)業(yè)績高增長3.1技術(shù)優(yōu)勢：布局先進制程產(chǎn)線，不斷拓寬產(chǎn)品覆蓋面半導(dǎo)體行業(yè)技術(shù)更新快要求設(shè)備廠商保持技術(shù)領(lǐng)先性。以臺積電為例，從1987年的3微米制程到預(yù)計2022量產(chǎn)的3納米制程，臺積電平均2年開發(fā)一代新制程。而半導(dǎo)體行業(yè)通常是“一代產(chǎn)品、一代工藝、一代設(shè)備”，晶圓制造要超前下游應(yīng)用開發(fā)新一代工藝，而半導(dǎo)體設(shè)備要超前晶圓制造開發(fā)新一代設(shè)備。因此，半導(dǎo)體設(shè)備供應(yīng)商必須每隔18-24個月推出更先進的制造工藝。公司自成立以來就高度重視技術(shù)研發(fā)，在研發(fā)費用與人才方面均進行了大量投入。1）研發(fā)：2018-2021年，公司研發(fā)費用率一直維持高位，2021年研發(fā)費用為2.88億元，較2020年同比大幅增長134.81%。2）人才：公司創(chuàng)始團隊以歸國海外專家為核心，憑借國際化、專業(yè)化的高級管理團隊，以及全員持股的激勵制度，公司吸引了大量具有豐富經(jīng)驗的國內(nèi)外半導(dǎo)體設(shè)備行業(yè)專家。從公司員工結(jié)構(gòu)來看，截至2021年Q3，公司共有189名技術(shù)研發(fā)人員，占公司員工總數(shù)的44.06%。經(jīng)過十余年的大力投入與快速發(fā)展，公司已形成研發(fā)技術(shù)及研發(fā)平臺優(yōu)勢。截至2022年3月8日，公司累計已獲授權(quán)的專利174項（境內(nèi)153項，其他國家或地區(qū)21項），其中發(fā)明專利共計98項（境內(nèi)77項，其他國家或地區(qū)21項）。此外，公司還先后承擔(dān)了“90-65nm等離子體增強化學(xué)氣相沉積設(shè)備研發(fā)與應(yīng)用”和“1xnm3DNANDPECVD研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化”等4項國家重大科技專項/課題，已研發(fā)了支持不同工藝型號的PECVD、ALD和SACVD設(shè)備，在半導(dǎo)體薄膜沉積設(shè)備領(lǐng)域積累了多項研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化的核心技術(shù)，構(gòu)建了具有設(shè)備種類、工藝型號外延開發(fā)能力的研發(fā)平臺。依托公司積累的技術(shù)優(yōu)勢，公司已形成覆蓋二十余種工藝型號的薄膜沉積設(shè)備，可以滿足下游集成電路制造客戶產(chǎn)線對于不同材料、不同芯片結(jié)構(gòu)薄膜沉積工序的設(shè)備需求。具體而言，公司的產(chǎn)品已適配國內(nèi)最先進的28/14nm邏輯芯片、19/17nmDRAM芯片和64/128層3DNANDFLASH晶圓制造產(chǎn)線。其中，PECVD設(shè)備已全面覆蓋邏輯電路、DRAM存儲、FLASH閃存集成電路制造各技術(shù)節(jié)點產(chǎn)線多種通用介質(zhì)材料薄膜沉積工序，并研發(fā)了LokⅠ、LokⅡ、ACHM、ADCⅠ等先進介質(zhì)材料工藝，拓寬了公司PECVD產(chǎn)品在晶圓制造產(chǎn)線薄膜沉積工序的應(yīng)用。同時，公司產(chǎn)品也已展開10nm及以下制程產(chǎn)品驗證測試。3.2客戶優(yōu)勢：前期積累進入收獲期，未來有望受益于擴產(chǎn)薄膜沉積設(shè)備設(shè)計制造技術(shù)難度大，產(chǎn)業(yè)化驗證周期長。由于薄膜是芯片結(jié)構(gòu)的功能材料層，在芯片完成制造、封測等工序后會留存在芯片中，薄膜的技術(shù)參數(shù)直接影響芯片性能。生產(chǎn)中不僅需要在成膜后檢測薄膜厚度、均勻性、光學(xué)系數(shù)、機械應(yīng)力及顆粒度等性能指標(biāo)，還需要在完成晶圓生產(chǎn)流程及芯片封裝后，對最終芯片產(chǎn)品進行可靠性和生命周期測試，以衡量薄膜沉積設(shè)備是否最終滿足技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)。因此，晶圓廠對薄膜沉積設(shè)備所需要的驗證時間較長。公司具備優(yōu)越的客戶資源基礎(chǔ)，且在國內(nèi)領(lǐng)先的行業(yè)地位有助于進一步拓展客戶。在集成電路PECVD、SACVD設(shè)備方面，公司都是國內(nèi)唯一一家產(chǎn)業(yè)化應(yīng)用的廠商，ALD設(shè)備方面，公司也居于國內(nèi)領(lǐng)先地位。1）國內(nèi)市場：公司產(chǎn)品已廣泛用于中芯國際、華虹集團、長江存儲、長鑫存儲、廈門聯(lián)芯、燕東微電子等國內(nèi)主流晶圓廠產(chǎn)線，打破了國際廠商對國內(nèi)市場的壟斷，與國際寡頭直接競爭。根據(jù)公司公告，2019-2020年公司PECVD設(shè)備中標(biāo)數(shù)量占長江存儲、上海華力、無錫華虹和上海積塔四家招標(biāo)總量的17%，SACVD設(shè)備約占25%。2）國際市場：依據(jù)公司公告，公司已與某國際領(lǐng)先晶圓廠建立業(yè)務(wù)聯(lián)系，發(fā)貨兩臺設(shè)備至客戶先進制程研發(fā)產(chǎn)線，為打開國際市場奠定了基礎(chǔ)。區(qū)位優(yōu)勢有利于公司快速響應(yīng)本土客戶需求。目前，公司的主要競爭對手均位于美國和日本，服務(wù)中國大陸客戶的成本較高。公司的研發(fā)和生產(chǎn)主要位于中國大陸，具備針對客戶提出的特定工藝材料、特定制造工序薄膜性能的快速響應(yīng)能力，可以及時滿足客戶產(chǎn)線的定制化設(shè)備需求。這對于中國本土客戶近年來能夠快速擴充產(chǎn)能極其重要，便于公司建立和鞏固與客戶穩(wěn)定的合作關(guān)系。此外，公司在北京、上海、武漢、合肥、天津、中國臺灣等20多個地區(qū)的近40條生產(chǎn)線都設(shè)有技術(shù)服務(wù)中心，可為客戶提供每周7天，每天24小時的技術(shù)服務(wù)。3.3募投項目：擴充PECVD與ALD產(chǎn)品線，有望延續(xù)業(yè)績高增長公司IPO計劃募資10.00億元（實際募資22.73億元），用于擴大現(xiàn)有基地產(chǎn)能、新建研發(fā)生產(chǎn)基地。1）高端半導(dǎo)體設(shè)備擴產(chǎn)項目：該項目計劃在公司現(xiàn)有的半導(dǎo)體薄膜設(shè)備研發(fā)和生產(chǎn)基地基礎(chǔ)上進行二期潔凈廠房建設(shè)、配套設(shè)施及生產(chǎn)自動化管理系統(tǒng)建設(shè)。該項目建成后將擴充公司產(chǎn)能，解決隨業(yè)務(wù)擴大帶來的場地不足問題；2）先進半導(dǎo)體設(shè)備的技術(shù)研發(fā)與改進項目：該項目主要面向28nm-10nm制程PECVD設(shè)備的多種工藝型號開發(fā)、面向10nm以下制程PECVD設(shè)備的平臺架構(gòu)研發(fā)及UVCure系統(tǒng)設(shè)備研發(fā)。PECVD是化學(xué)氣相沉積中應(yīng)用最為廣泛的技術(shù)，也是公司目前營收來源最主要的產(chǎn)品，該項目配合高端半導(dǎo)體設(shè)備擴產(chǎn)項目有利于公司抓住國內(nèi)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)高速發(fā)展的市場機遇、提高市占率；3）ALD設(shè)備研發(fā)與產(chǎn)業(yè)化項目：該項目擬通過開展系列技術(shù)研發(fā)，基于公司現(xiàn)有ALD設(shè)備技術(shù)基礎(chǔ)，開發(fā)面向28nm-10nm制程的ALD設(shè)備平臺架構(gòu)，發(fā)展多種工藝機型，同步開發(fā)不同腔室數(shù)量的機臺型號，滿足邏輯芯片、存儲芯片制造不同的工藝需求，并進行規(guī)?；慨a(chǎn)。目前ALD設(shè)備占公司營收比例較小，而ALD設(shè)備是先進制程晶圓制造的關(guān)鍵設(shè)備，因此該項目響應(yīng)了當(dāng)前環(huán)境的下游客戶發(fā)展先進制程產(chǎn)線的市場需求，有助于為公司貢獻(xiàn)業(yè)績增長點。4.盈利預(yù)測4.1盈利預(yù)測根據(jù)我們對公司各項業(yè)務(wù)的拆分，匯總得到公司財務(wù)預(yù)測數(shù)據(jù)：預(yù)計公司2022-2024年營業(yè)收入分別為11.68、16.85、23.49億元，同比增長54.06%、44.28%、39.42%；

歸母凈利潤分別為1.24、2.07