課件無(wú)機(jī)材料科學(xué)基礎(chǔ)24常見(jiàn)硅酸鹽的晶體結(jié)構(gòu)精

上一講主要內(nèi)容回顧1離子晶體的結(jié)構(gòu)及其影響因素2鮑林規(guī)則3二元化合物的典型晶體結(jié)構(gòu)上一講主要內(nèi)容回顧1離子晶體的結(jié)構(gòu)及其影響因素2.4硅酸鹽的晶體結(jié)構(gòu)一、硅酸鹽晶體組成表征、結(jié)構(gòu)特點(diǎn)及分類

二、島狀結(jié)構(gòu)

三、組群狀結(jié)構(gòu)四、鏈狀結(jié)構(gòu)五、層狀結(jié)構(gòu)六、架狀結(jié)構(gòu)2.4硅酸鹽的晶體結(jié)構(gòu)一、硅酸鹽晶體組成表征、結(jié)構(gòu)特點(diǎn)2.4硅酸鹽晶體結(jié)構(gòu)

硅

26.0wt%

地殼中：鋁

7.45wt%

氧

49.130wt%

優(yōu)勢(shì)礦物：硅酸鹽鋁硅酸鹽基本結(jié)構(gòu)單元構(gòu)造基本結(jié)構(gòu)單元之間連接

結(jié)構(gòu)和性質(zhì)上特征等2.4硅酸鹽晶體結(jié)構(gòu)硅一、硅酸鹽晶體組成表征、結(jié)構(gòu)特點(diǎn)及分類

硅酸鹽晶體化學(xué)組成復(fù)雜，常采用兩種方法表征：

氧化物表示法無(wú)機(jī)絡(luò)鹽表示法（結(jié)構(gòu)式）一、硅酸鹽晶體組成表征、結(jié)構(gòu)特點(diǎn)及分類硅酸鹽晶體化學(xué)組成復(fù)氧化物表示法：按一定比例和順序?qū)懗鰳?gòu)成硅酸鹽晶體所有氧化物，先1價(jià)堿金屬氧化物，其次2價(jià)、3價(jià)金屬氧化物，最后SiO2。如，鉀長(zhǎng)石化學(xué)式：K2O·Al2O3·6SiO2；無(wú)機(jī)絡(luò)鹽表示法：按一定比例和順序全部寫(xiě)出構(gòu)成硅酸鹽晶體所有離子，再用[]將相關(guān)絡(luò)陰離子括起，先是1價(jià)、2價(jià)金屬離子，其次Al3+和Si4+，最后O2-或OH-。如，鉀長(zhǎng)石：K[AlSi3O8]。氧化物表示法：按一定比例和順序?qū)懗鰳?gòu)成硅酸鹽晶體所有氧化物，基本結(jié)構(gòu)單元：[SiO4]四面體。Si－O－Si鍵為夾角不等折線，一般145o左右；[SiO4]每個(gè)頂點(diǎn)，即O2-最多為兩個(gè)[SiO4]所共用；兩相鄰[SiO4]之間只能共頂而不能共棱或共面連接；[SiO4]中心Si4+可部分被Al3+

所取代。硅酸鹽晶體結(jié)構(gòu)特點(diǎn)：基本結(jié)構(gòu)單元：[SiO4]四面體。Si－O－Si鍵為夾角不等以不同Si/O比對(duì)應(yīng)基本結(jié)構(gòu)單元[SiO4]之間不同結(jié)合方式，分為五種方式：島狀

組群狀

鏈狀

層狀

架狀對(duì)應(yīng)Si/O由1/4→1/2，結(jié)構(gòu)趨于復(fù)雜。硅酸鹽晶體分類方法：以不同Si/O比對(duì)應(yīng)基本結(jié)構(gòu)單元[SiO4]之間不同結(jié)合方硅酸鹽晶體結(jié)構(gòu)類型與Si/O比的關(guān)系硅酸鹽晶體結(jié)構(gòu)類型與Si/O比的關(guān)系二、島狀結(jié)構(gòu)

[SiO4]以孤島狀存在，各頂點(diǎn)之間互不連接，每個(gè)O2-一側(cè)與1個(gè)Si4+連接，另一側(cè)與其它金屬離子相配位使電價(jià)平衡。結(jié)構(gòu)中Si/O比為1:4。如：鋯石英Zr[SiO4]、鎂橄欖石Mg2[SiO4]、藍(lán)晶石Al2O3·SiO2、莫來(lái)石3Al2O3·2SiO2以及水泥熟料中-C2S、-C2S（Ca2SiO4）和C3S（Ca3SiO5）等。二、島狀結(jié)構(gòu)[SiO4]以孤島狀存在，各頂點(diǎn)之間互不連接鎂橄欖石Mg2[SiO4]結(jié)構(gòu)屬斜方晶系，空間群Pbnm晶胞參數(shù)a=0.476nm，b=1.021nm，c=0.599nm晶胞分子數(shù)Z=4O2-近似于六方最緊密堆積排列（即ABAB……層序堆積），Si4+填充1/8四面體空隙；Mg2+填充1/2八面體空隙每個(gè)[SiO4]被[MgO6]隔開(kāi)，呈孤島狀分布鎂橄欖石Mg2[SiO4]結(jié)構(gòu)屬斜方晶系，空間群Pbnm鎂橄欖石晶體結(jié)構(gòu)（1）（a）（100）面上的投影圖（b）（001）面上的投影圖（c）立體側(cè)視圖鎂橄欖石晶體結(jié)構(gòu)（1）（a）（100）面上的投影圖（b）（鎂橄欖石晶體結(jié)構(gòu)（2）鎂橄欖石晶體結(jié)構(gòu)（2）（a）（100）面上的投影圖鎂橄欖石晶體結(jié)構(gòu)（3）（a）（100）面上的投影圖鎂橄欖石晶體結(jié)構(gòu)（3）（b）（001）面上的投影圖鎂橄欖石晶體結(jié)構(gòu)（4）（b）（001）面上的投影圖鎂橄欖石晶體結(jié)構(gòu)（4）鎂橄欖石結(jié)構(gòu)中的同晶取代（1）Mg2+被Fe2+以任意比例取代，則形成橄欖石（FexMg1-x）SiO4固溶體；（2）若上圖（b）中25、75的Mg2+被Ca2+取代，則形成鈣橄欖石CaMgSiO4；（3）若Mg2+全部被Ca2+取代，則形成-Ca2SiO4（即-C2S），其中Ca2+配位數(shù)為6。由于配位規(guī)則，在水中幾乎為惰性注意：另一種島狀結(jié)構(gòu)的水泥熟料礦物-Ca2SiO4（即-C2S）屬單斜晶系，其中Ca2+有8和6兩種配位。由于其配位不規(guī)則，化學(xué)性質(zhì)活潑，能與水發(fā)生水化反應(yīng)。

鎂橄欖石結(jié)構(gòu)中的同晶取代鎂橄欖石結(jié)構(gòu)與性質(zhì)的關(guān)系（1）結(jié)構(gòu)中每個(gè)O2-同時(shí)和1個(gè)[SiO4]和3個(gè)[MgO6]相連接，其電價(jià)飽和，晶體結(jié)構(gòu)穩(wěn)定；（2）Mg－O鍵和Si－O鍵均較強(qiáng)，則表現(xiàn)出較高硬度，熔點(diǎn)達(dá)到1890℃，是鎂質(zhì)耐火材料的主要礦物；（3）結(jié)構(gòu)中各個(gè)方向上鍵力分布較均勻，則無(wú)明顯解理，破碎后呈現(xiàn)粒狀。鎂橄欖石結(jié)構(gòu)與性質(zhì)的關(guān)系三、組群狀結(jié)構(gòu)2個(gè)、3個(gè)、4個(gè)或6個(gè)[SiO4]通過(guò)共用氧相連接形成單獨(dú)硅氧絡(luò)陰離子團(tuán)（有限硅氧四面體群），它們之間再通過(guò)其它金屬離子連接。（1）橋氧（或公共氧、非活性氧）：有限四面體群中連接兩個(gè)Si4+的氧，其電價(jià)已飽和，一般不再與其它正離子配位（2）非橋氧（或非公共氧、活性氧）：只有一側(cè)與Si4+相連接的氧三、組群狀結(jié)構(gòu)2個(gè)、3個(gè)、4個(gè)或6個(gè)[SiO4]通過(guò)共用孤立的有限硅氧四面體群雙四面體[Si2O7]6-三節(jié)環(huán)[Si3O9]6-四節(jié)環(huán)[Si4O12]8-六節(jié)環(huán)[Si6O18]12-孤立的有限硅氧四面體群雙四面體[Si2O7]6-三節(jié)環(huán)[Si組群狀結(jié)構(gòu)中Si/O比：2:7或1:3雙四面體：硅鈣石Ca3[Si2O7]

鋁方柱石Ca2Al[AlSiO7]

鎂方柱石Ca2Mg[Si2O7]三節(jié)環(huán)：藍(lán)錐礦BaTi[Si3O9]六節(jié)環(huán)：綠寶石Be3Al2[Si6O18]組群狀結(jié)構(gòu)中Si/O比：2:7或1:3綠寶石Be3Al2[Si6O18]結(jié)構(gòu)六方晶系，空間群P6/mcc，晶胞參數(shù)：a=0.921nm，c=0.917nm晶胞分子數(shù)Z=2，如圖1-34?；窘Y(jié)構(gòu)單元是由6個(gè)[SiO4]組成六節(jié)環(huán)，其中1個(gè)Si4+和2個(gè)O2-處在同一高度，環(huán)與環(huán)相疊。綠寶石Be3Al2[Si6O18]結(jié)構(gòu)六方晶系，空間群P6綠寶石晶胞在（0001）面上的投影（上半個(gè)晶胞）粗黑線六節(jié)環(huán)在上，標(biāo)高100，細(xì)黑線六節(jié)環(huán)在下，標(biāo)高50上下兩層環(huán)錯(cuò)開(kāi)30o，投影方向不重疊環(huán)與環(huán)之間通過(guò)Be2+和Al3+連接綠寶石晶胞在（0001）面上的投影（上半個(gè)晶胞）粗黑線六節(jié)環(huán)

綠寶石結(jié)構(gòu)與性質(zhì)的關(guān)系六節(jié)環(huán)內(nèi)無(wú)其它離子存在，結(jié)構(gòu)中存在大的環(huán)形空腔。有電價(jià)低、半徑小離子（如Na+）存在時(shí)，直流電場(chǎng)中表現(xiàn)出顯著離子電導(dǎo)，交流電場(chǎng)中有較大介電損耗；當(dāng)晶體受熱時(shí)，質(zhì)點(diǎn)熱振動(dòng)振幅增大，大空腔使晶體不會(huì)有明顯膨脹，表現(xiàn)出較小的膨脹系數(shù)；結(jié)晶學(xué)方面，常呈現(xiàn)六方或復(fù)六方柱晶形。綠寶石結(jié)構(gòu)與性質(zhì)的關(guān)系堇青石Mg2Al3[AlSi5O18]結(jié)構(gòu)與性質(zhì)綠寶石結(jié)構(gòu)的六節(jié)環(huán)中有一個(gè)Si4+被Al3+取代，且環(huán)外正離子由（Be3Al2）變?yōu)椋∕g2Al3），使電價(jià)平衡。由于正離子在環(huán)形空腔遷移阻力增大，故介電性質(zhì)較綠寶石提高。性質(zhì)：熱學(xué)性能良好，但因其高頻損耗大，不宜作無(wú)線電陶瓷。注意：（1）有學(xué)者將綠寶石中[BeO4]歸到硅氧骨架中，則綠寶石便屬于架狀硅酸鹽礦物，化學(xué)式改寫(xiě)為Al2[Be3Si6O18]；（2）有學(xué)者提出堇青石是一種帶有六節(jié)環(huán)和四節(jié)環(huán)的結(jié)構(gòu)，化學(xué)式為Mg2[Al4Si5O18]。

堇青石Mg2Al3[AlSi5O18]結(jié)構(gòu)與性質(zhì)四、鏈狀結(jié)構(gòu)1.鏈的類型、重復(fù)單元與化學(xué)式

[SiO4]通過(guò)橋氧相連接，形成向一維方向無(wú)限延伸的鏈。依照[SiO4]共用O2-數(shù)目不同，分為單鏈和雙鏈。四、鏈狀結(jié)構(gòu)1.鏈的類型、重復(fù)單元與化學(xué)式單鏈：每個(gè)[SiO4]通過(guò)共用2個(gè)頂點(diǎn)向一維方向無(wú)限延伸，按重復(fù)出現(xiàn)與第一個(gè)[SiO4]空間取向完全一致的周期不等，分為1節(jié)鏈、2節(jié)鏈、3節(jié)鏈……7節(jié)鏈等7種類型，2節(jié)鏈以[Si2O6]4-為結(jié)構(gòu)單元無(wú)限重復(fù)，化學(xué)式為[Si2O6]n4n-。雙鏈：兩條相同單鏈通過(guò)尚未共用的氧組成帶狀，2節(jié)雙鏈以[Si4O11]6-為結(jié)構(gòu)單元向一維方向無(wú)限伸展，化學(xué)式為[Si4O11]n6n-。單鏈：每個(gè)[SiO4]通過(guò)共用2個(gè)頂點(diǎn)向一維方向無(wú)限延伸，按

（1）硅氧四面體所構(gòu)成的鏈（a）單鏈結(jié)構(gòu)；（b）雙鏈結(jié)構(gòu)；（c）（d）（e）為從箭頭方向觀察所得的投影圖

（1）硅氧四面體所構(gòu)成的鏈（a）單鏈結(jié)構(gòu)；（（2）單鏈結(jié)構(gòu)類型（2）單鏈結(jié)構(gòu)類型單鏈結(jié)構(gòu)：輝石類硅酸鹽礦物，如：透輝石CaMg[Si2O6]

頑火輝石Mg2[Si2O6]雙鏈結(jié)構(gòu)：角閃石類硅酸鹽礦物，如：斜方角閃石(Mg,Fe)7[Si4O11]2(OH)2

透閃石Ca2Mg5[Si4O11]2(OH)2單鏈結(jié)構(gòu)：輝石類硅酸鹽礦物，如：

無(wú)論單鏈或雙鏈，由于鏈內(nèi)結(jié)構(gòu)牢固，鏈間通過(guò)其它金屬陽(yáng)離子連接，最常見(jiàn)的是Mg2+和Ca2+。而金屬陽(yáng)離子與O2－之間的鍵比Si－O鍵弱，容易斷。則鏈狀結(jié)構(gòu)礦物總是形成柱狀、針狀、或纖維狀解理。無(wú)論單鏈或雙鏈，由于鏈內(nèi)結(jié)構(gòu)牢固，鏈間通透輝石CaMg[Si2O6]結(jié)構(gòu)單斜晶系，空間群C2/c，晶胞參數(shù)a=0.971nm，b=0.889nm，c=0.524nm，=105o37，；晶胞分子數(shù)Z=4。如圖所示，[Si2O6]單鏈平行于c軸方向伸展，兩個(gè)重疊硅氧鏈分別以粗黑線和細(xì)黑線表示。單鏈之間依靠Ca2+、Mg2+連接。Ca2+配位數(shù)為8，其中4個(gè)活性氧，4個(gè)非活性氧；Mg2+為6，6個(gè)均為活性氧

。Ca2+負(fù)責(zé)[SiO4]底面間的連接，Mg2+負(fù)責(zé)頂點(diǎn)間的連接。若透輝石結(jié)構(gòu)中的Ca2+全部被Mg2+取代，則形成斜方晶系的頑火輝石Mg2[Si2O6]。透輝石CaMg[Si2O6]結(jié)構(gòu)單斜晶系，空間群C2/c，透輝石結(jié)構(gòu)（a）（010）面上的投影（b）（001）面上的投影透輝石結(jié)構(gòu)（a）（010）面上的投影（b）（001）面上的投

（1）結(jié)構(gòu)特征

2節(jié)單鏈，結(jié)構(gòu)單元［Si2O6］，Z＝4。

(a)圖為（010）面，即a－c面投影。硅氧鏈沿c軸發(fā)展。鏈與鏈之間通過(guò)Mg2+和Ca2+連接起來(lái)，鏈與鏈不直接結(jié)合。

Mg2+和Ca2+在b軸方向重疊，現(xiàn)稍稍錯(cuò)開(kāi)便于觀察其位置。鏈中的四面體在b方向是一高一低排列呈鋸齒狀，即在(a)圖中，［SiO4］中的一個(gè)活性氧朝上朝下的重復(fù)排列。從(a)圖和(b)圖中可以看出：在沿a和b的方向上相鄰的鏈上［SiO4］活性氧的所指向方向相反，且交替出現(xiàn)。（1）結(jié)構(gòu)特征

（2）Mg2＋和Ca2＋的配位

8處Mg2+與2個(gè)25、2個(gè)-10、2個(gè)10的O2-配位，配位數(shù)為6。

31處Ca2+與2個(gè)52，2個(gè)75，2個(gè)10，2個(gè)48的O2-配位，配位數(shù)為8。

（3）電價(jià)檢驗(yàn)

出現(xiàn)電價(jià)過(guò)飽和情況，如：52處非活性O(shè)2-與2個(gè)［SiO4］連接，又和1個(gè)［CaO8］配位。則:

注意：有電價(jià)過(guò)飽和的O2-也會(huì)有電價(jià)不飽和的O2-（2）Mg2＋和Ca2＋的配位

圖（b）上部頂朝下，［SiO4］頂端的活性O(shè)2-同時(shí)與1個(gè)Si4＋、2個(gè)Mg2＋、1個(gè)Ca2＋配位。則:

圖（b）上部頂朝上，［SiO4］底部的活性O(shè)2-同時(shí)與1個(gè)Si4＋、1個(gè)Mg2＋、1個(gè)Ca2＋配位。則:

活性O(shè)2-平均電價(jià)：

非活性O(shè)2-和活性O(shè)2-的電價(jià)平均值為：所以總電價(jià)是平衡的。圖（b）上部頂朝下，［SiO4］頂端的活性O(shè)2-同時(shí)與1個(gè)（4）結(jié)構(gòu)與性質(zhì)的關(guān)系

a．介電性質(zhì)輝石類晶體比綠寶石類晶體緊密，則頑火輝石Mg2[Si2O6]、鋰輝石LiAl[Si2O6]等均具有良好電絕緣性能，是高頻無(wú)線電陶瓷和微晶玻璃的主要晶相；當(dāng)結(jié)構(gòu)中存在變價(jià)正離子時(shí)，則晶體又呈現(xiàn)顯著電子電導(dǎo)，這與結(jié)構(gòu)中局部電荷不平衡有關(guān)。（4）結(jié)構(gòu)與性質(zhì)的關(guān)系a．介電性質(zhì)

b.鍵型與解理角的關(guān)系

解理角面交角：透輝石為93o，透閃石為56o，由于結(jié)構(gòu)中單鏈或雙鏈造成——區(qū)分輝石類和角閃石類晶體的基本特征之一。由于Si－O鍵強(qiáng)于Ca－O和Mg－O鍵，則破裂總發(fā)生在金屬離子和O2-之間。Mg2+負(fù)責(zé)［SiO4］頂角與頂角之間聯(lián)系。Ca2+負(fù)責(zé)［SiO4］底面和底面之間聯(lián)系。由于Mg2+半徑小，所以Mg－O鍵強(qiáng)于Ca－O鍵，即礦物受外力作用破壞時(shí)Ca－O鍵將斷裂。由于透輝石是單鍵，則其夾角為93o；而角閃石式雙鍵，則其夾角為56o。b.鍵型與解理角的關(guān)系透輝石和透閃石單位晶胞在（001）面上的投影

透輝石和透閃石單位晶胞在（001）面上的投影五、層狀結(jié)構(gòu)1.層狀結(jié)構(gòu)的基本單元、化學(xué)式與類型每個(gè)[SiO4]通過(guò)3個(gè)橋氧連接，構(gòu)成向二維方向伸展的六節(jié)環(huán)狀硅氧層（無(wú)限硅氧四面體群），其中可取出一個(gè)矩形單元[Si4O10]4-，則化學(xué)式：[Si4O10]n4n-。見(jiàn)圖。五、層狀結(jié)構(gòu)1.層狀結(jié)構(gòu)的基本單元、化學(xué)式與類型層狀結(jié)構(gòu)硅氧四面體

（a）立體圖（b）投影圖層狀結(jié)構(gòu)硅氧四面體（a）立體圖（b）投影圖

活性氧電價(jià)由其它金屬離子來(lái)平衡，一般為6配位的Mg2+或Al3+離子，同時(shí)水分子以O(shè)H-形式存在于這些離子周圍，形成水鋁石或水鎂石層。根據(jù)活性氧空間取向不同，硅氧層分為：

單網(wǎng)層：一層硅氧層所有活性氧均指向同一個(gè)方向，相當(dāng)于一個(gè)硅氧層加上一個(gè)水鋁（鎂）石層，稱為1∶1層；復(fù)網(wǎng)層：兩層硅氧層中活性氧交替地指向相反方向，相當(dāng)于兩個(gè)硅氧層中間加上一個(gè)水鋁（鎂）石層，稱為2∶1層?；钚匝蹼妰r(jià)由其它金屬離子來(lái)平衡，一般為6配位根據(jù)水鋁（鎂）石層中八面體空隙填充情況，結(jié)構(gòu)又分為：三八面體型：八面體空隙全部被金屬離子所占據(jù)

二八面體型：2/3八面體空隙被填充結(jié)構(gòu)中的水

結(jié)構(gòu)水：以O(shè)H-形式占據(jù)結(jié)點(diǎn)位置的水，需400～600℃排除，排除時(shí)結(jié)構(gòu)被破壞。

結(jié)合水：以H2O形式進(jìn)入層間的水，100～120℃可排除，排除時(shí)結(jié)構(gòu)不被破壞。根據(jù)水鋁（鎂）石層中八面體空隙填充情況，結(jié)構(gòu)又分為：（1）層狀結(jié)構(gòu)硅酸鹽晶體中硅氧四面體層和

鋁氧八面體層的連接方式（A）１∶１型（B）２∶１型（1）層狀結(jié)構(gòu)硅酸鹽晶體中硅氧四面體層和

單網(wǎng)層及復(fù)網(wǎng)層的構(gòu)成

單網(wǎng)層及復(fù)網(wǎng)層的構(gòu)成單網(wǎng)層的構(gòu)成

單網(wǎng)層的構(gòu)成滑石Mg3[Si4O10](OH)2的結(jié)構(gòu)

單斜晶系，空間群C2/c，復(fù)網(wǎng)層結(jié)構(gòu)，晶胞參數(shù)a=0.525nm，b=0.910nm，c=1.881nm，=100o，如圖所示?；疢g3[Si4O10](OH)2的結(jié)構(gòu)單滑石的結(jié)構(gòu)

（a）（001）面上的投影（b）圖（a）結(jié)構(gòu)的縱剖面圖OH-位于六節(jié)環(huán)中心，Mg2+位于Si4+與OH-形成的三角形中心，但高度不同兩個(gè)硅氧層的活性氧指向相反，中間通過(guò)鎂氫氧層連接，形成復(fù)網(wǎng)層復(fù)網(wǎng)層平行排列形成滑石結(jié)構(gòu)水鎂石層中Mg2+配位數(shù)為6，形成[MgO4(OH)2]八面體。其中全部八面體空隙被Mg2+所填充，屬三八面體型結(jié)構(gòu)滑石的結(jié)構(gòu)（a）（001）面上的投影（b）圖（a）結(jié)構(gòu)的結(jié)構(gòu)與性質(zhì)的關(guān)系：復(fù)網(wǎng)層中每個(gè)活性O(shè)2-同時(shí)與3個(gè)Mg2+相連接，電價(jià)飽和；OH-中氧的電價(jià)也飽和，則復(fù)網(wǎng)層內(nèi)為電中性，層與層之間靠微弱分子力結(jié)合，致使層間易相對(duì)滑動(dòng)，則具有良好片狀解理，并有滑膩感。

結(jié)構(gòu)與性質(zhì)的關(guān)系：離子取代現(xiàn)象：用2個(gè)Al3+取代滑石中的3個(gè)Mg2+，則形成二八面體型的葉蠟石Al2[Si4O10]（OH）2結(jié)構(gòu)（Al3+占據(jù)2/3八面體空隙）。葉蠟石同樣具有良好片狀解理和滑膩感。晶體加熱時(shí)結(jié)構(gòu)變化：都含有OH-，加熱時(shí)產(chǎn)生脫水效應(yīng)。滑石斜斜頑火輝石-Mg2[Si2O6]

葉蠟石莫來(lái)石3Al2O3·2SiO2

離子取代現(xiàn)象：用2個(gè)Al3+取代滑石中的3個(gè)Mg2+，則形成

滑石和葉蠟石都是玻璃和陶瓷工業(yè)重要原料

滑石：用于制備絕緣、介電性能良好的滑石瓷和堇青石瓷葉蠟石：常用作硼硅質(zhì)玻璃中引入Al2O3的原料滑石和葉蠟石都是玻璃和陶瓷工業(yè)重要原料高嶺石Al2O3·2SiO2·2H2O的結(jié)構(gòu)

(即Al4[Si4O10](OH)8)

高嶺石是一種主要粘土礦物，屬三斜晶系，空間群C1；晶胞參數(shù)a=0.514nm，b=0.893nm，c=0.737nm，=91o36，，=104o48，，=89o54，；晶胞分子數(shù)Z=1，結(jié)構(gòu)如圖?；窘Y(jié)構(gòu)單元：[SiO4]層＋水鋁石層→單網(wǎng)層。

Al3+配位數(shù)為6，形成[AlO2(OH)4]八面體，這兩個(gè)O2-把水鋁石層和硅氧層連接起來(lái)。水鋁石層中，Al3+占據(jù)2/3八面體空隙，屬二八面體型結(jié)構(gòu)。高嶺石Al2O3·2SiO2·2H2O的結(jié)構(gòu)

(即Al高嶺石的結(jié)構(gòu)（1）高嶺石的結(jié)構(gòu)（1）高嶺石的結(jié)構(gòu)（2）(b)(010)面上的投影(a)（001）面上的投影（顯示出硅氧層的六節(jié)環(huán)及各離子的配位信息）(c)（100）面上的投影（顯示出單網(wǎng)層中Al3+填充2/3八面體空隙）（d）（100）面上的投影（顯示出單網(wǎng)層的構(gòu)成）(d)高嶺石的結(jié)構(gòu)（2）(b)(010)面上的投影(a)（001）

結(jié)構(gòu)與性質(zhì)的關(guān)系：?jiǎn)尉W(wǎng)層中O2-電價(jià)飽和，即層內(nèi)為電中性，則層間只能靠物理鍵結(jié)合——片狀解理；水鋁石層OH-與硅氧層O2-相接觸——層間氫鍵結(jié)合；氫鍵結(jié)合比分子間力強(qiáng)——水分子不易進(jìn)入單網(wǎng)層之間，無(wú)加水膨脹性，也無(wú)滑膩感；不易發(fā)生同晶取代，陽(yáng)離子交換容量較低；質(zhì)地較純，熔點(diǎn)較高。

結(jié)構(gòu)與性質(zhì)的關(guān)系：蒙脫石（微晶高嶺石）的結(jié)構(gòu)蒙脫石是一種粘土類礦物，屬單斜晶系，空間群C2/ma；理論化學(xué)式為Al2[Si4O10](OH)2·nH2O；晶胞參數(shù)a=0.515nm，b=0.894nm，c=1.520nm，=90o；單位晶胞中Z=2。實(shí)際化學(xué)式為

(Al2-xMgx)[Si4O10](OH)2·（Nax·nH2O），式中x=0.33，晶胞參數(shù)a0.532nm，b

0.906nm，c的數(shù)值隨含水量而變化，無(wú)水時(shí)c

0.960nm。蒙脫石（微晶高嶺石）的結(jié)構(gòu)蒙脫石是一種粘土類礦物，屬單斜晶蒙脫石具有復(fù)網(wǎng)層結(jié)構(gòu)：兩層[SiO4]層＋水鋁石層。理論上復(fù)網(wǎng)層內(nèi)呈電中性，層間靠分子間力結(jié)合。實(shí)際上，由于結(jié)構(gòu)中Al3+可被Mg2+取代，使復(fù)網(wǎng)層并不呈電中性，帶有少量負(fù)電荷（一般為-0.33e，也可有很大變化）；因而復(fù)網(wǎng)層之間有斥力，使略帶正電性的水化正離子易于進(jìn)入層間；與此同時(shí)，水分子也易滲透進(jìn)入層間，使晶胞c軸膨脹，隨含水量變化，由0.960nm變化至2.140nm，則蒙脫石又稱為膨潤(rùn)土。蒙脫石具有復(fù)網(wǎng)層結(jié)構(gòu)：兩層[SiO4]層＋水鋁石層。蒙脫石的結(jié)構(gòu)

蒙脫石的結(jié)構(gòu)結(jié)構(gòu)中的離子置換現(xiàn)象：由于晶格中可發(fā)生多種離子置換，使蒙脫石的組成常與理論化學(xué)式有出入。其中硅氧四面體層內(nèi)的Si4+可以被Al3+或P5+等取代，這種取代量有限；八面體層（即水鋁石層）中的Al3+可被Mg2+、Ca2+、Fe2+、Zn2+或Li+等所取代，取代量可以從極少量到全部被取代。結(jié)構(gòu)中的離子置換現(xiàn)象：由于晶格中可發(fā)生多種離子置換，使蒙脫石結(jié)構(gòu)與性質(zhì)關(guān)系：蒙脫石復(fù)網(wǎng)層之間靠微弱的分子力作用，因此呈良好的片狀解理，且晶粒細(xì)小，所以也稱之為微晶高嶺石；蒙脫石晶胞c軸長(zhǎng)度隨含水量而變化，甚至空氣濕度的波動(dòng)也能導(dǎo)致c軸參數(shù)的變化，所以晶體易于膨脹或壓縮：加水膨脹，加熱脫水并產(chǎn)生較大收縮，一直干燥到脫去結(jié)構(gòu)水之前，其晶格結(jié)構(gòu)不會(huì)被破壞；隨層間水進(jìn)入的正離子使復(fù)網(wǎng)層電價(jià)平衡，它們易于被交換，使礦物具有很高的陽(yáng)離子交換能力。由于蒙脫石易發(fā)生同晶取代，因而質(zhì)地不純，熔點(diǎn)較低。

結(jié)構(gòu)與性質(zhì)關(guān)系：蒙脫石復(fù)網(wǎng)層之間靠微弱的分子力作用，因此呈良伊利石K1~1.5Al4［Si7~6·5Al1~1.5O20］(OH)4結(jié)構(gòu)

伊利石屬于單斜晶系，C2/c空間群，晶胞參數(shù)a＝0.520nm，b＝0.900nm，c＝1.000nm。β角尚無(wú)確切值，晶胞分子數(shù)Z＝2。伊利石也是復(fù)網(wǎng)層結(jié)構(gòu)，和蒙脫石不同的是Si－O四面體中大約的Si4＋被Al3＋離子所取代。為平衡多余的負(fù)電荷，結(jié)構(gòu)中將近有1~1.5個(gè)K＋進(jìn)入結(jié)構(gòu)單位層之間。K＋處于上下兩個(gè)硅氧四面體六節(jié)環(huán)的中心，相當(dāng)于結(jié)合成配位數(shù)為12的K－O配位多面體。因此層間的結(jié)合力較牢固，這種陽(yáng)離子不易被交換。伊利石K1~1.5Al4［Si7~6·5Al1~1.5O2白云母KAl2[AlSi3O10](OH)2的結(jié)構(gòu)屬單斜晶系，空間群C2/c；晶胞參數(shù)a=0.519nm，b=0.900nm，c=2.004nm，=95o11，；Z=2。其結(jié)構(gòu)如圖1-42所示，圖中重疊的O2-已稍行移開(kāi)。白云母屬于復(fù)網(wǎng)層結(jié)構(gòu)，復(fù)網(wǎng)層由兩個(gè)硅氧層及其中間的水鋁石層所構(gòu)成。連接兩個(gè)硅氧層的水鋁石層中的Al3+之配位數(shù)為6，形成[AlO4(OH)2]八面體。由圖1-42（a）可以看出，兩相鄰復(fù)網(wǎng)層之間呈現(xiàn)對(duì)稱狀態(tài)，因此相鄰兩硅氧六節(jié)環(huán)處形成一個(gè)巨大的空隙。白云母KAl2[AlSi3O10](OH)2的結(jié)構(gòu)屬單斜晶白云母的結(jié)構(gòu)（a）（100）面上的投影（b）（010）面上的投影白云母的結(jié)構(gòu)（a）（100）面上的投影（b）（010）面上的結(jié)構(gòu)與性質(zhì)關(guān)系：白云母結(jié)構(gòu)與蒙脫石相似，但因其硅氧層中有1/4的Si4+被Al3+取代，復(fù)網(wǎng)層不呈電中性，所以，層間有K+進(jìn)入以平衡其負(fù)電荷。K+的配位數(shù)為12，呈統(tǒng)計(jì)地分布于復(fù)網(wǎng)層的六節(jié)環(huán)的空隙間，與硅氧層的結(jié)合力較層內(nèi)化學(xué)鍵弱得多，故云母易沿層間發(fā)生解理，可剝離成片狀。結(jié)構(gòu)與性質(zhì)關(guān)系：白云母結(jié)構(gòu)與蒙脫石相似，但因其硅氧層中有1/（1）2個(gè)Al3+被3個(gè)Mg2+取代，形成金云母KMg3[AlSi3O10](OH)2；用F－取代OH－，得到人工合成的氟金云母KMg3[AlSi3O10]F2，作絕緣材料使用時(shí)耐高溫達(dá)1000℃，而天然的僅600℃。（2）用(Mg2+,

Fe2+)代替Al3+，形成黑云母K(Mg，F(xiàn)e

)3[AlSi3O10](OH

)2；（3）用(Li+，F(xiàn)e2+)

取代1個(gè)Al3+，得鋰鐵云母KLiFe2+Al[AlSi3O10](OH

)2；

結(jié)構(gòu)中的離子取代：（1）2個(gè)Al3+被3個(gè)Mg2+取代，形成金云母KMg3[A（4）若2個(gè)Li+取代1個(gè)Al3+，同時(shí)[AlSi3O10]中的Al3+被Si4+取代，則形成鋰云母Kli2Al[Si4O10](OH)2。（5）如果K+被Na+取代，形成鈉云母；若K+被Ca2+取代，同時(shí)硅氧層內(nèi)有1/2的Si4+被Al3+取代，則成為珍珠云母CaAl2[Al2Si2O10](OH)2，由于Ca2+連接復(fù)網(wǎng)層較K+牢固，因而珍珠云母的解理性較白云母差。

（4）若2個(gè)Li+取代1個(gè)Al3+，同時(shí)[AlSi3O10]云母類礦物的用途：合成云母作為一種新型材料，在現(xiàn)代工業(yè)和科技領(lǐng)域用途很廣。云母陶瓷具有良好的抗腐蝕性、耐熱沖擊性、機(jī)械強(qiáng)度和高溫介電性能，可作為新型的電絕緣材料。云母型微晶玻璃具有高強(qiáng)度、耐熱沖擊、可切削等特性，廣泛應(yīng)用于國(guó)防和現(xiàn)代工業(yè)中。云母類礦物的用途：合成云母作為一種新型材料，在現(xiàn)代工業(yè)和科技六、架狀結(jié)構(gòu)架狀結(jié)構(gòu)中硅氧四面體的每個(gè)頂點(diǎn)均為橋氧，硅氧四面體之間共頂連接，形成三維“骨架”結(jié)構(gòu)。作為骨架的硅氧結(jié)構(gòu)單元的化學(xué)式為[SiO2]n，其中Si/O為1∶2。六、架狀結(jié)構(gòu)架狀結(jié)構(gòu)中硅氧四面體的每個(gè)頂點(diǎn)均為橋氧，硅氧四

當(dāng)硅氧骨架中Si被Al取代時(shí)，結(jié)構(gòu)單元化學(xué)式可寫(xiě)成[AlSiO4]或[AlSi3O8]，其中（Al+Si）∶O仍為1∶2。此時(shí)，由于結(jié)構(gòu)中有剩余負(fù)電荷，一些電價(jià)低、半徑大的正離子（如K+、Na+、Ca2+、Ba2+等）會(huì)進(jìn)入結(jié)構(gòu)中。典型的架狀結(jié)構(gòu)有石英族晶體，化學(xué)式為SiO2，以及一些鋁硅酸鹽礦物，如霞石Na[AlSiO4]、長(zhǎng)石(Na,K)[AlSi3O8]、方沸石Na[AlSi2O6]·H2O等礦物。當(dāng)硅氧骨架中Si被Al取代時(shí)，結(jié)構(gòu)1.石英族晶體的結(jié)構(gòu)

SiO2晶體具有多種變體，常壓下可分為三個(gè)系列：石英、鱗石英和方石英，其轉(zhuǎn)變關(guān)系如下：

1.石英族晶體的結(jié)構(gòu)SiO2晶位移性轉(zhuǎn)變：同一系列（即縱向）之間轉(zhuǎn)變，如-石英和β-石英之間轉(zhuǎn)變，不涉及晶體結(jié)構(gòu)中鍵的破裂和重建，僅是鍵長(zhǎng)、鍵角的調(diào)整，轉(zhuǎn)變迅速且可逆；重建性轉(zhuǎn)變：不同系列（即橫向）之間的轉(zhuǎn)變，如-石英和-鱗石英、-鱗石英和-方石英之間轉(zhuǎn)變，都涉及鍵的破裂和重建，轉(zhuǎn)變速度緩慢。位移性轉(zhuǎn)變：同一系列（即縱向）之間轉(zhuǎn)變，如-石英和β-石

石英的三個(gè)主要變體：-石英、-鱗石英、-方石英，其結(jié)構(gòu)差別在于硅氧四面體之間的連接方式不同（見(jiàn)圖）。-方石英：兩個(gè)共頂硅氧四面體以共用O2-為中心處于中心對(duì)稱狀態(tài)，Si-O-Si鍵角為180o

；-鱗石英：兩個(gè)共頂硅氧四面體之間相當(dāng)于有一對(duì)稱面，Si-O-Si鍵角為180o；-石英：相當(dāng)于在-方石英結(jié)構(gòu)基礎(chǔ)上，使Si-O-Si鍵角由180o轉(zhuǎn)變?yōu)?50o。由于這三種石英中硅氧四面體的連接方式不同，因此，它們之間的轉(zhuǎn)變屬于重建性轉(zhuǎn)變。

石英的三個(gè)主要變體：-石英、硅氧四面體的連接方式硅氧四面體的連接方式

（1）-方石英結(jié)構(gòu)

-方石英屬立方晶系，空間群Fd3m；晶胞參數(shù)a=0.713nm；晶胞分子數(shù)Z=8。結(jié)構(gòu)如圖所示，其中Si4+位于晶胞頂點(diǎn)及面心，晶胞內(nèi)部還有4個(gè)Si4+，其位置相當(dāng)于金剛石中C原子的位置。它是由交替地指向相反方向的硅氧四面體組成六節(jié)環(huán)狀的硅氧層（不同于層狀結(jié)構(gòu)中的硅氧層，該硅氧層內(nèi)四面體取向的一致的），以3層為一個(gè)重復(fù)周期在平行于（111）面的方向上平行疊放而形成的架狀結(jié)構(gòu)。疊放時(shí)，兩平行的硅氧層中的四面體相互錯(cuò)開(kāi)60o，并以共頂方式對(duì)接，共頂?shù)腛2-形成對(duì)稱中心，如圖所示。-方石英冷卻到268℃會(huì)轉(zhuǎn)變?yōu)樗姆骄档?方石英，其晶胞參數(shù)a=0.497nm，c=0.692nm。（1）-方石英結(jié)構(gòu)-方石英的結(jié)構(gòu)

-方石英的結(jié)構(gòu)-方石英的硅氧層的平行疊放

（從體對(duì)角線方向觀察，顯示出以3層為周期的平行堆積）-方石英的硅氧層的平行疊放

（從體對(duì)角線方向觀察，顯-方石英的硅氧層的平行疊放

（從體對(duì)角線方向觀察，顯示出以3層為周期的平行堆積）-方石英的硅氧層的平行疊放

（從體對(duì)角線方向觀察，顯（2）-鱗石英的結(jié)構(gòu)

-鱗石英屬六方晶系，空間群P63/mmc；晶胞參數(shù)a=0.504nm，c=0.825nm；晶胞分子數(shù)Z=4。其結(jié)構(gòu)如圖所示。結(jié)構(gòu)由交替指向相反方向的硅氧四面體組成的六節(jié)環(huán)狀的硅氧層平行于（0001）面疊放而形成架狀結(jié)構(gòu)。平行疊放時(shí)，硅氧層中的四面體共頂連接，并且共頂?shù)膬蓚€(gè)四面體處于鏡面對(duì)稱狀態(tài)，Si-O-Si鍵角是180o，對(duì)于-鱗石英，有的認(rèn)為屬于斜方晶系，晶胞參數(shù)a=0.874nm，b=0.504nm，c=0.824nm。而有的認(rèn)為屬于單斜晶系，參數(shù)為a=1.845nm，b=0.499nm，c=2.383nm，=105o39，。（2）-鱗石英的結(jié)構(gòu)-鱗石英的結(jié)構(gòu)

-鱗石英的結(jié)構(gòu)-方石英和-鱗石英中硅氧四面體的不同連接方式對(duì)比-方石英和-鱗石英中硅氧四面體的不同連接方式對(duì)比（3）石英的結(jié)構(gòu)

-石英屬六方晶系，空間群P6422或P6222；晶胞參數(shù)a=0.496nm，c=0.545nm；晶胞分子數(shù)Z=3。-石英在（0001）面上的投影如圖所示。結(jié)構(gòu)中每個(gè)Si4+周圍有4個(gè)O2-，空間取向是2個(gè)在Si4+上方、2個(gè)在其下方。各四面體中的離子，排列于高度不同的三層面上，最上一層用粗線表示，其次一層用細(xì)線表示，最下方一層以虛線表示。（3）石英的結(jié)構(gòu)

-石英結(jié)構(gòu)中存在6次螺旋軸，圍繞螺旋軸的Si4+離子，在（0001）面上的投影可連接成正六邊形。根據(jù)螺旋軸的旋轉(zhuǎn)方向不同，-石英有左形和右形之分，其空間群分別為P6422和P6222。-石英中Si-O-Si鍵角為150o。-石英結(jié)構(gòu)中存在6次螺旋軸，圍繞螺-石英在（0001）面上的投影-石英在（0001）面上的投影-石英屬三方晶系，空間群P3221或P3121；晶胞參數(shù)a=0.491nm，c=0.540nm；晶胞分子數(shù)Z=3。-石英是-石英的低溫變體，兩者之間通過(guò)位移性轉(zhuǎn)變實(shí)現(xiàn)結(jié)構(gòu)的相互轉(zhuǎn)換。兩結(jié)構(gòu)中的Si4+在（0001）面上的投影示于圖1-48。在-石英結(jié)構(gòu)中，Si-O-Si鍵角由-石英中的150o變?yōu)?37o，這一鍵角變化，使對(duì)稱要素從-石英中的6次螺旋軸轉(zhuǎn)變?yōu)?石英中的3次螺旋軸。圍繞3次螺旋軸的Si4+在（0001）面上的投影已不再是正六邊形，而是復(fù)三角形，見(jiàn)圖1-49（b）。-石英也有左、右形之分。-石英屬三方晶系，空間群P3221或P3121；晶胞參數(shù)a（a）

-石英、（b）

-石英中

Si4+在（0001）面上的投影

（a）-石英、（b）-石英中

Si4+在（0（a）

-石英

（b）

-石英中硅氧四面體在（0001）面上的投影（a）-石英

（b）-石英中硅氧四面體在（000結(jié)構(gòu)與性質(zhì)的關(guān)系：SiO2結(jié)構(gòu)中Si-O鍵的強(qiáng)度很高，鍵力分別在三維空間比較均勻，因此SiO2晶體的熔點(diǎn)高、硬度大、化學(xué)穩(wěn)定性好，無(wú)明顯解理；且由于結(jié)構(gòu)中存在較大空隙，表現(xiàn)出熱膨脹系數(shù)小，密度小。結(jié)構(gòu)與性質(zhì)的關(guān)系：SiO2結(jié)構(gòu)中Si-O鍵的強(qiáng)度很高，鍵力分-石英的壓電效應(yīng)：正壓電效應(yīng)(directpiezoelectriceffect)：由“壓力”產(chǎn)生“電”的現(xiàn)象，即晶體在機(jī)械力作用下發(fā)生變形，使晶體內(nèi)正負(fù)電荷中心相對(duì)位移而極化，致使晶體兩端表面出現(xiàn)符號(hào)相反的束縛電荷，其電荷密度與應(yīng)力成比例。逆壓電效應(yīng)(conversepiezoelectriceffect)：由“電”產(chǎn)生“機(jī)械形變”的現(xiàn)象，即具有壓電效應(yīng)的晶體置于外電場(chǎng)中，電場(chǎng)使晶體內(nèi)部正負(fù)電荷中心位移，導(dǎo)致晶體產(chǎn)生形變。正壓電效應(yīng)和逆壓電效應(yīng)統(tǒng)稱為壓電效應(yīng)。-石英的壓電效應(yīng)：產(chǎn)生壓電效應(yīng)的條件：晶體結(jié)構(gòu)中無(wú)對(duì)稱中心。根據(jù)轉(zhuǎn)動(dòng)對(duì)稱性，晶體分為32個(gè)點(diǎn)群，在無(wú)對(duì)稱中心的21個(gè)點(diǎn)群中，除O-432點(diǎn)群外，有20種點(diǎn)群具有壓電效應(yīng)。在20種壓電晶體中又有10種具有熱釋電效應(yīng)（pyroelectriceffect）。晶體的壓電性質(zhì)與自發(fā)極化性質(zhì)都是由晶體的對(duì)稱性決定的。存在對(duì)稱中心的晶體受外力時(shí)，正負(fù)電荷中心不會(huì)分離，因而沒(méi)有壓電性。產(chǎn)生壓電效應(yīng)的條件：晶體結(jié)構(gòu)中無(wú)對(duì)稱中心。

由于晶體的各向異性，壓電效應(yīng)產(chǎn)生的方向、電荷的正負(fù)等都隨晶體切片的方位而變化。如圖(a)顯示無(wú)外力作用時(shí)，晶體中正負(fù)電荷中心是重合的，整個(gè)晶體中總電矩為零；圖(b)表明，在垂直方向?qū)w施加壓力時(shí)，晶體發(fā)生變形，使正電荷中心相對(duì)下移，負(fù)電荷中心相對(duì)上移，導(dǎo)致正負(fù)電荷中心分離，使晶體在垂直于外力方向的表面上產(chǎn)生電荷(上負(fù)、下正)。圖(c)顯示出晶體水平方向受壓時(shí)，在平行于外力的表面上產(chǎn)生電荷的過(guò)程，此時(shí)，電荷為上正下負(fù)。由于晶體的各向異性，壓電效應(yīng)產(chǎn)生的方向、電荷的正負(fù)等都隨晶-石英中壓電效應(yīng)產(chǎn)生的機(jī)理及方位關(guān)系無(wú)外力作用時(shí)，晶體中正負(fù)電荷中心是重合的，整個(gè)晶體中總電矩為零垂直方向?qū)w施加壓力時(shí)，晶體發(fā)生變形，使正電荷中心相對(duì)下移，負(fù)電荷中心相對(duì)上移，導(dǎo)致正負(fù)電荷中心分離，使晶體在垂直于外力方向的表面上產(chǎn)生電荷（上負(fù)、下正）。晶體水平方向受壓時(shí)，在平行于外力的表面上產(chǎn)生電荷的過(guò)程，此時(shí)，電荷為上正下負(fù)。-石英中壓電效應(yīng)產(chǎn)生的機(jī)理及方位關(guān)系無(wú)外力作用時(shí)，晶體中

由此可見(jiàn)，壓電效應(yīng)是由于晶體在外力作用下發(fā)生變形，正負(fù)電荷中心產(chǎn)生相對(duì)位移，使晶體總電矩發(fā)生變化造成的。因此，在使用壓電晶體時(shí)，為了獲得良好的壓電性，須根據(jù)實(shí)際要求，切割出相應(yīng)方位的晶片。由此可見(jiàn)，壓電效應(yīng)是由于晶體在外力作壓電晶體的應(yīng)用：壓電材料在宇航、電子、激光、計(jì)算機(jī)、微波、能源等領(lǐng)域得到廣泛應(yīng)用。目前主要用作壓電振子和壓電換能器。前者主要利用振子本身的諧振特性，要求壓電、介電、彈性等性能的溫度變化、經(jīng)時(shí)變化穩(wěn)定，機(jī)械品質(zhì)因數(shù)高。后者主要將一種形式的能能量轉(zhuǎn)換成另一種形式的能量，要求換能效益（即機(jī)電耦合系數(shù)和品質(zhì)因數(shù)）高。壓電晶體的應(yīng)用：壓電材料在宇航、電子、激光、計(jì)算機(jī)、微波、能2、長(zhǎng)石的結(jié)構(gòu)

長(zhǎng)石類硅酸鹽分為正長(zhǎng)石系和斜長(zhǎng)石系兩大類，其中有代表性的為：正長(zhǎng)石系：鉀長(zhǎng)石K[AlSi3O8]；鋇長(zhǎng)石Ba[Al2Si2O8]。斜長(zhǎng)石系：鈉長(zhǎng)石Na[AlSi3O8]；鈣長(zhǎng)石Ca[Al2Si2O8]。長(zhǎng)石的基本結(jié)構(gòu)單元：由[TO4]四面體連接成四聯(lián)環(huán)，其中2個(gè)四面體頂角向上、2個(gè)向下；四節(jié)環(huán)中的四面體通過(guò)共頂連方式接成曲軸狀的鏈，見(jiàn)圖。鏈與鏈之間在三維空間連接成架狀結(jié)構(gòu)。2、長(zhǎng)石的結(jié)構(gòu)長(zhǎng)石類硅酸鹽分為正長(zhǎng)石系和斜長(zhǎng)石系兩大長(zhǎng)石結(jié)構(gòu)中基本結(jié)構(gòu)單元的構(gòu)造(a)理想的曲軸長(zhǎng)鏈(b)四聯(lián)環(huán)(c)實(shí)際的曲軸長(zhǎng)鏈長(zhǎng)石結(jié)構(gòu)中基本結(jié)構(gòu)單元的構(gòu)造(a)理想的曲軸長(zhǎng)鏈(b)四長(zhǎng)石結(jié)構(gòu)中基本結(jié)構(gòu)單元的構(gòu)造(a)理想的曲軸長(zhǎng)鏈(b)四聯(lián)環(huán)(c)實(shí)際的曲軸長(zhǎng)鏈長(zhǎng)石結(jié)構(gòu)中基本結(jié)構(gòu)單元的構(gòu)造(a)理想的曲軸長(zhǎng)鏈(b)四鉀長(zhǎng)石的結(jié)構(gòu)

高溫型鉀長(zhǎng)石（即透長(zhǎng)石）屬單斜晶系，空間群C2/m；晶胞參數(shù)a=0.856nm，b=1.303nm，c=0.718nm，=115o59，；晶胞分子數(shù)Z=4。透長(zhǎng)石結(jié)構(gòu)在（001）面上的投影示于圖。結(jié)構(gòu)由四節(jié)環(huán)構(gòu)成的曲軸狀鏈平行于a軸方向伸展，K+位于鏈間空隙處，在K+處存在一對(duì)稱面，結(jié)構(gòu)呈左右對(duì)稱，K+的平均配位數(shù)為10；低溫型鉀長(zhǎng)石中，K+的配位數(shù)平均為8。K+的電價(jià)除了平衡骨架中[AlO4]多余的負(fù)電荷外，還與骨架中的橋氧之間產(chǎn)生誘導(dǎo)鍵力。鉀長(zhǎng)石的結(jié)構(gòu)透長(zhǎng)石晶體結(jié)構(gòu)圖（一部分）透長(zhǎng)石晶體結(jié)構(gòu)圖（一部分）透長(zhǎng)石的結(jié)構(gòu)

透長(zhǎng)石的結(jié)構(gòu)鈉長(zhǎng)石的結(jié)構(gòu)鈉長(zhǎng)石屬三斜晶系，空間群C1；晶胞參數(shù)a=0.814nm，b=1.279nm，c=0.716nm，=94o19，，=116o34，，=87o39，。其結(jié)構(gòu)如圖1-53所示。與透長(zhǎng)石比較，鈉長(zhǎng)石結(jié)構(gòu)出現(xiàn)輕微的扭曲，左右不再呈現(xiàn)鏡面對(duì)稱。扭曲作用是由于四面體的移動(dòng)，致使某些O2-環(huán)繞Na+更為緊密，而另一些O2-更為遠(yuǎn)離。晶體結(jié)構(gòu)從單斜變?yōu)槿?。鈉長(zhǎng)石中Na+的配位數(shù)為6。鈉長(zhǎng)石的結(jié)構(gòu)鈉長(zhǎng)石結(jié)構(gòu)在（001）面上的投影鈉長(zhǎng)石結(jié)構(gòu)在（001）面上的投影透長(zhǎng)石與鈉長(zhǎng)石結(jié)構(gòu)差異的原因

長(zhǎng)石結(jié)構(gòu)的曲軸狀鏈間有較大的空隙，半徑較大的陽(yáng)離子位于空隙時(shí)，配位數(shù)較大，配位多面體較規(guī)則，能撐起[TO4]骨架，使對(duì)稱性提高到單斜晶系；半徑較小的陽(yáng)離子位于空隙時(shí)，配位多面體不規(guī)則，致使骨架折陷，對(duì)稱性降為三斜晶系。

透長(zhǎng)石與鈉長(zhǎng)石結(jié)構(gòu)差異的原因

在曲軸狀鏈中，Al3+取代Si+后，Al3+、Si+分布的有序－無(wú)序性也會(huì)影響結(jié)構(gòu)的對(duì)稱性和軸長(zhǎng)。當(dāng)Al3+、Si+離子在鏈中的四面體位完全無(wú)序分布時(shí)，晶體具有單斜對(duì)稱，如透長(zhǎng)石的c=0.72nm；而當(dāng)Al3+、Si+離子在四面體位完全有序、呈相間排列時(shí)，晶體屬三斜晶系，如鈣長(zhǎng)石c=1.43nm。

在曲軸狀鏈中，Al3+取代Si+后長(zhǎng)石結(jié)構(gòu)的解理性：長(zhǎng)石結(jié)構(gòu)的四節(jié)環(huán)鏈內(nèi)結(jié)合牢固，鏈平行于a軸伸展，故沿a軸晶體不易斷裂；而在b軸和c軸方向，鏈間雖然也有橋氧連接，但有一部分是靠金屬離子與O2-之間的鍵來(lái)結(jié)合，較a軸方向結(jié)合弱得多；因此，長(zhǎng)石在平行于鏈的方向上有較好的解理。

長(zhǎng)石結(jié)構(gòu)的解理性：長(zhǎng)石結(jié)構(gòu)的四節(jié)環(huán)鏈內(nèi)結(jié)合牢固，鏈平行于a軸上一講主要內(nèi)容回顧1離子晶體的結(jié)構(gòu)及其影響因素2鮑林規(guī)則3二元化合物的典型晶體結(jié)構(gòu)上一講主要內(nèi)容回顧1離子晶體的結(jié)構(gòu)及其影響因素2.4硅酸鹽的晶體結(jié)構(gòu)一、硅酸鹽晶體組成表征、結(jié)構(gòu)特點(diǎn)及分類

二、島狀結(jié)構(gòu)

三、組群狀結(jié)構(gòu)四、鏈狀結(jié)構(gòu)五、層狀結(jié)構(gòu)六、架狀結(jié)構(gòu)2.4硅酸鹽的晶體結(jié)構(gòu)一、硅酸鹽晶體組成表征、結(jié)構(gòu)特點(diǎn)2.4硅酸鹽晶體結(jié)構(gòu)

硅

26.0wt%

地殼中：鋁

7.45wt%

氧

49.130wt%

優(yōu)勢(shì)礦物：硅酸鹽鋁硅酸鹽基本結(jié)構(gòu)單元構(gòu)造基本結(jié)構(gòu)單元之間連接

結(jié)構(gòu)和性質(zhì)上特征等2.4硅酸鹽晶體結(jié)構(gòu)硅一、硅酸鹽晶體組成表征、結(jié)構(gòu)特點(diǎn)及分類

硅酸鹽晶體化學(xué)組成復(fù)雜，常采用兩種方法表征：

氧化物表示法無(wú)機(jī)絡(luò)鹽表示法（結(jié)構(gòu)式）一、硅酸鹽晶體組成表征、結(jié)構(gòu)特點(diǎn)及分類硅酸鹽晶體化學(xué)組成復(fù)氧化物表示法：按一定比例和順序?qū)懗鰳?gòu)成硅酸鹽晶體所有氧化物，先1價(jià)堿金屬氧化物，其次2價(jià)、3價(jià)金屬氧化物，最后SiO2。如，鉀長(zhǎng)石化學(xué)式：K2O·Al2O3·6SiO2；無(wú)機(jī)絡(luò)鹽表示法：按一定比例和順序全部寫(xiě)出構(gòu)成硅酸鹽晶體所有離子，再用[]將相關(guān)絡(luò)陰離子括起，先是1價(jià)、2價(jià)金屬離子，其次Al3+和Si4+，最后O2-或OH-。如，鉀長(zhǎng)石：K[AlSi3O8]。氧化物表示法：按一定比例和順序?qū)懗鰳?gòu)成硅酸鹽晶體所有氧化物，基本結(jié)構(gòu)單元：[SiO4]四面體。Si－O－Si鍵為夾角不等折線，一般145o左右；[SiO4]每個(gè)頂點(diǎn)，即O2-最多為兩個(gè)[SiO4]所共用；兩相鄰[SiO4]之間只能共頂而不能共棱或共面連接；[SiO4]中心Si4+可部分被Al3+

所取代。硅酸鹽晶體結(jié)構(gòu)特點(diǎn)：基本結(jié)構(gòu)單元：[SiO4]四面體。Si－O－Si鍵為夾角不等以不同Si/O比對(duì)應(yīng)基本結(jié)構(gòu)單元[SiO4]之間不同結(jié)合方式，分為五種方式：島狀

組群狀

鏈狀

層狀

架狀對(duì)應(yīng)Si/O由1/4→1/2，結(jié)構(gòu)趨于復(fù)雜。硅酸鹽晶體分類方法：以不同Si/O比對(duì)應(yīng)基本結(jié)構(gòu)單元[SiO4]之間不同結(jié)合方硅酸鹽晶體結(jié)構(gòu)類型與Si/O比的關(guān)系硅酸鹽晶體結(jié)構(gòu)類型與Si/O比的關(guān)系二、島狀結(jié)構(gòu)

[SiO4]以孤島狀存在，各頂點(diǎn)之間互不連接，每個(gè)O2-一側(cè)與1個(gè)Si4+連接，另一側(cè)與其它金屬離子相配位使電價(jià)平衡。結(jié)構(gòu)中Si/O比為1:4。如：鋯石英Zr[SiO4]、鎂橄欖石Mg2[SiO4]、藍(lán)晶石Al2O3·SiO2、莫來(lái)石3Al2O3·2SiO2以及水泥熟料中-C2S、-C2S（Ca2SiO4）和C3S（Ca3SiO5）等。二、島狀結(jié)構(gòu)[SiO4]以孤島狀存在，各頂點(diǎn)之間互不連接鎂橄欖石Mg2[SiO4]結(jié)構(gòu)屬斜方晶系，空間群Pbnm晶胞參數(shù)a=0.476nm，b=1.021nm，c=0.599nm晶胞分子數(shù)Z=4O2-近似于六方最緊密堆積排列（即ABAB……層序堆積），Si4+填充1/8四面體空隙；Mg2+填充1/2八面體空隙每個(gè)[SiO4]被[MgO6]隔開(kāi)，呈孤島狀分布鎂橄欖石Mg2[SiO4]結(jié)構(gòu)屬斜方晶系，空間群Pbnm鎂橄欖石晶體結(jié)構(gòu)（1）（a）（100）面上的投影圖（b）（001）面上的投影圖（c）立體側(cè)視圖鎂橄欖石晶體結(jié)構(gòu)（1）（a）（100）面上的投影圖（b）（鎂橄欖石晶體結(jié)構(gòu)（2）鎂橄欖石晶體結(jié)構(gòu)（2）（a）（100）面上的投影圖鎂橄欖石晶體結(jié)構(gòu)（3）（a）（100）面上的投影圖鎂橄欖石晶體結(jié)構(gòu)（3）（b）（001）面上的投影圖鎂橄欖石晶體結(jié)構(gòu)（4）（b）（001）面上的投影圖鎂橄欖石晶體結(jié)構(gòu)（4）鎂橄欖石結(jié)構(gòu)中的同晶取代（1）Mg2+被Fe2+以任意比例取代，則形成橄欖石（FexMg1-x）SiO4固溶體；（2）若上圖（b）中25、75的Mg2+被Ca2+取代，則形成鈣橄欖石CaMgSiO4；（3）若Mg2+全部被Ca2+取代，則形成-Ca2SiO4（即-C2S），其中Ca2+配位數(shù)為6。由于配位規(guī)則，在水中幾乎為惰性注意：另一種島狀結(jié)構(gòu)的水泥熟料礦物-Ca2SiO4（即-C2S）屬單斜晶系，其中Ca2+有8和6兩種配位。由于其配位不規(guī)則，化學(xué)性質(zhì)活潑，能與水發(fā)生水化反應(yīng)。

鎂橄欖石結(jié)構(gòu)中的同晶取代鎂橄欖石結(jié)構(gòu)與性質(zhì)的關(guān)系（1）結(jié)構(gòu)中每個(gè)O2-同時(shí)和1個(gè)[SiO4]和3個(gè)[MgO6]相連接，其電價(jià)飽和，晶體結(jié)構(gòu)穩(wěn)定；（2）Mg－O鍵和Si－O鍵均較強(qiáng)，則表現(xiàn)出較高硬度，熔點(diǎn)達(dá)到1890℃，是鎂質(zhì)耐火材料的主要礦物；（3）結(jié)構(gòu)中各個(gè)方向上鍵力分布較均勻，則無(wú)明顯解理，破碎后呈現(xiàn)粒狀。鎂橄欖石結(jié)構(gòu)與性質(zhì)的關(guān)系三、組群狀結(jié)構(gòu)2個(gè)、3個(gè)、4個(gè)或6個(gè)[SiO4]通過(guò)共用氧相連接形成單獨(dú)硅氧絡(luò)陰離子團(tuán)（有限硅氧四面體群），它們之間再通過(guò)其它金屬離子連接。（1）橋氧（或公共氧、非活性氧）：有限四面體群中連接兩個(gè)Si4+的氧，其電價(jià)已飽和，一般不再與其它正離子配位（2）非橋氧（或非公共氧、活性氧）：只有一側(cè)與Si4+相連接的氧三、組群狀結(jié)構(gòu)2個(gè)、3個(gè)、4個(gè)或6個(gè)[SiO4]通過(guò)共用孤立的有限硅氧四面體群雙四面體[Si2O7]6-三節(jié)環(huán)[Si3O9]6-四節(jié)環(huán)[Si4O12]8-六節(jié)環(huán)[Si6O18]12-孤立的有限硅氧四面體群雙四面體[Si2O7]6-三節(jié)環(huán)[Si組群狀結(jié)構(gòu)中Si/O比：2:7或1:3雙四面體：硅鈣石Ca3[Si2O7]

鋁方柱石Ca2Al[AlSiO7]

鎂方柱石Ca2Mg[Si2O7]三節(jié)環(huán)：藍(lán)錐礦BaTi[Si3O9]六節(jié)環(huán)：綠寶石Be3Al2[Si6O18]組群狀結(jié)構(gòu)中Si/O比：2:7或1:3綠寶石Be3Al2[Si6O18]結(jié)構(gòu)六方晶系，空間群P6/mcc，晶胞參數(shù)：a=0.921nm，c=0.917nm晶胞分子數(shù)Z=2，如圖1-34?；窘Y(jié)構(gòu)單元是由6個(gè)[SiO4]組成六節(jié)環(huán)，其中1個(gè)Si4+和2個(gè)O2-處在同一高度，環(huán)與環(huán)相疊。綠寶石Be3Al2[Si6O18]結(jié)構(gòu)六方晶系，空間群P6綠寶石晶胞在（0001）面上的投影（上半個(gè)晶胞）粗黑線六節(jié)環(huán)在上，標(biāo)高100，細(xì)黑線六節(jié)環(huán)在下，標(biāo)高50上下兩層環(huán)錯(cuò)開(kāi)30o，投影方向不重疊環(huán)與環(huán)之間通過(guò)Be2+和Al3+連接綠寶石晶胞在（0001）面上的投影（上半個(gè)晶胞）粗黑線六節(jié)環(huán)

綠寶石結(jié)構(gòu)與性質(zhì)的關(guān)系六節(jié)環(huán)內(nèi)無(wú)其它離子存在，結(jié)構(gòu)中存在大的環(huán)形空腔。有電價(jià)低、半徑小離子（如Na+）存在時(shí)，直流電場(chǎng)中表現(xiàn)出顯著離子電導(dǎo)，交流電場(chǎng)中有較大介電損耗；當(dāng)晶體受熱時(shí)，質(zhì)點(diǎn)熱振動(dòng)振幅增大，大空腔使晶體不會(huì)有明顯膨脹，表現(xiàn)出較小的膨脹系數(shù)；結(jié)晶學(xué)方面，常呈現(xiàn)六方或復(fù)六方柱晶形。綠寶石結(jié)構(gòu)與性質(zhì)的關(guān)系堇青石Mg2Al3[AlSi5O18]結(jié)構(gòu)與性質(zhì)綠寶石結(jié)構(gòu)的六節(jié)環(huán)中有一個(gè)Si4+被Al3+取代，且環(huán)外正離子由（Be3Al2）變?yōu)椋∕g2Al3），使電價(jià)平衡。由于正離子在環(huán)形空腔遷移阻力增大，故介電性質(zhì)較綠寶石提高。性質(zhì)：熱學(xué)性能良好，但因其高頻損耗大，不宜作無(wú)線電陶瓷。注意：（1）有學(xué)者將綠寶石中[BeO4]歸到硅氧骨架中，則綠寶石便屬于架狀硅酸鹽礦物，化學(xué)式改寫(xiě)為Al2[Be3Si6O18]；（2）有學(xué)者提出堇青石是一種帶有六節(jié)環(huán)和四節(jié)環(huán)的結(jié)構(gòu)，化學(xué)式為Mg2[Al4Si5O18]。

堇青石Mg2Al3[AlSi5O18]結(jié)構(gòu)與性質(zhì)四、鏈狀結(jié)構(gòu)1.鏈的類型、重復(fù)單元與化學(xué)式

[SiO4]通過(guò)橋氧相連接，形成向一維方向無(wú)限延伸的鏈。依照[SiO4]共用O2-數(shù)目不同，分為單鏈和雙鏈。四、鏈狀結(jié)構(gòu)1.鏈的類型、重復(fù)單元與化學(xué)式單鏈：每個(gè)[SiO4]通過(guò)共用2個(gè)頂點(diǎn)向一維方向無(wú)限延伸，按重復(fù)出現(xiàn)與第一個(gè)[SiO4]空間取向完全一致的周期不等，分為1節(jié)鏈、2節(jié)鏈、3節(jié)鏈……7節(jié)鏈等7種類型，2節(jié)鏈以[Si2O6]4-為結(jié)構(gòu)單元無(wú)限重復(fù)，化學(xué)式為[Si2O6]n4n-。雙鏈：兩條相同單鏈通過(guò)尚未共用的氧組成帶狀，2節(jié)雙鏈以[Si4O11]6-為結(jié)構(gòu)單元向一維方向無(wú)限伸展，化學(xué)式為[Si4O11]n6n-。單鏈：每個(gè)[SiO4]通過(guò)共用2個(gè)頂點(diǎn)向一維方向無(wú)限延伸，按

（1）硅氧四面體所構(gòu)成的鏈（a）單鏈結(jié)構(gòu)；（b）雙鏈結(jié)構(gòu)；（c）（d）（e）為從箭頭方向觀察所得的投影圖

（1）硅氧四面體所構(gòu)成的鏈（a）單鏈結(jié)構(gòu)；（（2）單鏈結(jié)構(gòu)類型（2）單鏈結(jié)構(gòu)類型單鏈結(jié)構(gòu)：輝石類硅酸鹽礦物，如：透輝石CaMg[Si2O6]

頑火輝石Mg2[Si2O6]雙鏈結(jié)構(gòu)：角閃石類硅酸鹽礦物，如：斜方角閃石(Mg,Fe)7[Si4O11]2(OH)2

透閃石Ca2Mg5[Si4O11]2(OH)2單鏈結(jié)構(gòu)：輝石類硅酸鹽礦物，如：

無(wú)論單鏈或雙鏈，由于鏈內(nèi)結(jié)構(gòu)牢固，鏈間通過(guò)其它金屬陽(yáng)離子連接，最常見(jiàn)的是Mg2+和Ca2+。而金屬陽(yáng)離子與O2－之間的鍵比Si－O鍵弱，容易斷。則鏈狀結(jié)構(gòu)礦物總是形成柱狀、針狀、或纖維狀解理。無(wú)論單鏈或雙鏈，由于鏈內(nèi)結(jié)構(gòu)牢固，鏈間通透輝石CaMg[Si2O6]結(jié)構(gòu)單斜晶系，空間群C2/c，晶胞參數(shù)a=0.971nm，b=0.889nm，c=0.524nm，=105o37，；晶胞分子數(shù)Z=4。如圖所示，[Si2O6]單鏈平行于c軸方向伸展，兩個(gè)重疊硅氧鏈分別以粗黑線和細(xì)黑線表示。單鏈之間依靠Ca2+、Mg2+連接。Ca2+配位數(shù)為8，其中4個(gè)活性氧，4個(gè)非活性氧；Mg2+為6，6個(gè)均為活性氧

。Ca2+負(fù)責(zé)[SiO4]底面間的連接，Mg2+負(fù)責(zé)頂點(diǎn)間的連接。若透輝石結(jié)構(gòu)中的Ca2+全部被Mg2+取代，則形成斜方晶系的頑火輝石Mg2[Si2O6]。透輝石CaMg[Si2O6]結(jié)構(gòu)單斜晶系，空間群C2/c，透輝石結(jié)構(gòu)（a）（010）面上的投影（b）（001）面上的投影透輝石結(jié)構(gòu)（a）（010）面上的投影（b）（001）面上的投

（1）結(jié)構(gòu)特征

2節(jié)單鏈，結(jié)構(gòu)單元［Si2O6］，Z＝4。

(a)圖為（010）面，即a－c面投影。硅氧鏈沿c軸發(fā)展。鏈與鏈之間通過(guò)Mg2+和Ca2+連接起來(lái)，鏈與鏈不直接結(jié)合。

Mg2+和Ca2+在b軸方向重疊，現(xiàn)稍稍錯(cuò)開(kāi)便于觀察其位置。鏈中的四面體在b方向是一高一低排列呈鋸齒狀，即在(a)圖中，［SiO4］中的一個(gè)活性氧朝上朝下的重復(fù)排列。從(a)圖和(b)圖中可以看出：在沿a和b的方向上相鄰的鏈上［SiO4］活性氧的所指向方向相反，且交替出現(xiàn)。（1）結(jié)構(gòu)特征

（2）Mg2＋和Ca2＋的配位

8處Mg2+與2個(gè)25、2個(gè)-10、2個(gè)10的O2-配位，配位數(shù)為6。

31處Ca2+與2個(gè)52，2個(gè)75，2個(gè)10，2個(gè)48的O2-配位，配位數(shù)為8。

（3）電價(jià)檢驗(yàn)

出現(xiàn)電價(jià)過(guò)飽和情況，如：52處非活性O(shè)2-與2個(gè)［SiO4］連接，又和1個(gè)［CaO8］配位。則:

注意：有電價(jià)過(guò)飽和的O2-也會(huì)有電價(jià)不飽和的O2-（2）Mg2＋和Ca2＋的配位

圖（b）上部頂朝下，［SiO4］頂端的活性O(shè)2-同時(shí)與1個(gè)Si4＋、2個(gè)Mg2＋、1個(gè)Ca2＋配位。則:

圖（b）上部頂朝上，［SiO4］底部的活性O(shè)2-同時(shí)與1個(gè)Si4＋、1個(gè)Mg2＋、1個(gè)Ca2＋配位。則:

活性O(shè)2-平均電價(jià)：

非活性O(shè)2-和活性O(shè)2-的電價(jià)平均值為：所以總電價(jià)是平衡的。圖（b）上部頂朝下，［SiO4］頂端的活性O(shè)2-同時(shí)與1個(gè)（4）結(jié)構(gòu)與性質(zhì)的關(guān)系

a．介電性質(zhì)輝石類晶體比綠寶石類晶體緊密，則頑火輝石Mg2[Si2O6]、鋰輝石LiAl[Si2O6]等均具有良好電絕緣性能，是高頻無(wú)線電陶瓷和微晶玻璃的主要晶相；當(dāng)結(jié)構(gòu)中存在變價(jià)正離子時(shí)，則晶體又呈現(xiàn)顯著電子電導(dǎo)，這與結(jié)構(gòu)中局部電荷不平衡有關(guān)。（4）結(jié)構(gòu)與性質(zhì)的關(guān)系a．介電性質(zhì)

b.鍵型與解理角的關(guān)系

解理角面交角：透輝石為93o，透閃石為56o，由于結(jié)構(gòu)中單鏈或雙鏈造成——區(qū)分輝石類和角閃石類晶體的基本特征之一。由于Si－O鍵強(qiáng)于Ca－O和Mg－O鍵，則破裂總發(fā)生在金屬離子和O2-之間。Mg2+負(fù)責(zé)［SiO4］頂角與頂角之間聯(lián)系。Ca2+負(fù)責(zé)［SiO4］底面和底面之間聯(lián)系。由于Mg2+半徑小，所以Mg－O鍵強(qiáng)于Ca－O鍵，即礦物受外力作用破壞時(shí)Ca－O鍵將斷裂。由于透輝石是單鍵，則其夾角為93o；而角閃石式雙鍵，則其夾角為56o。b.鍵型與解理角的關(guān)系透輝石和透閃石單位晶胞在（001）面上的投影

透輝石和透閃石單位晶胞在（001）面上的投影五、層狀結(jié)構(gòu)1.層狀結(jié)構(gòu)的基本單元、化學(xué)式與類型每個(gè)[SiO4]通過(guò)3個(gè)橋氧連接，構(gòu)成向二維方向伸展的六節(jié)環(huán)狀硅氧層（無(wú)限硅氧四面體群），其中可取出一個(gè)矩形單元[Si4O10]4-，則化學(xué)式：[Si4O10]n4n-。見(jiàn)圖。五、層狀結(jié)構(gòu)1.層狀結(jié)構(gòu)的基本單元、化學(xué)式與類型層狀結(jié)構(gòu)硅氧四面體

（a）立體圖（b）投影圖層狀結(jié)構(gòu)硅氧四面體（a）立體圖（b）投影圖

活性氧電價(jià)由其它金屬離子來(lái)平衡，一般為6配位的Mg2+或Al3+離子，同時(shí)水分子以O(shè)H-形式存在于這些離子周圍，形成水鋁石或水鎂石層。根據(jù)活性氧空間取向不同，硅氧層分為：

單網(wǎng)層：一層硅氧層所有活性氧均指向同一個(gè)方向，相當(dāng)于一個(gè)硅氧層加上一個(gè)水鋁（鎂）石層，稱為1∶1層；復(fù)網(wǎng)層：兩層硅氧層中活性氧交替地指向相反方向，相當(dāng)于兩個(gè)硅氧層中間加上一個(gè)水鋁（鎂）石層，稱為2∶1層。活性氧電價(jià)由其它金屬離子來(lái)平衡，一般為6配位根據(jù)水鋁（鎂）石層中八面體空隙填充情況，結(jié)構(gòu)又分為：三八面體型：八面體空隙全部被金屬離子所占據(jù)

二八面體型：2/3八面體空隙被填充結(jié)構(gòu)中的水

結(jié)構(gòu)水：以O(shè)H-形式占據(jù)結(jié)點(diǎn)位置的水，需400～600℃排除，排除時(shí)結(jié)構(gòu)被破壞。

結(jié)合水：以H2O形式進(jìn)入層間的水，100～120℃可排除，排除時(shí)結(jié)構(gòu)不被破壞。根據(jù)水鋁（鎂）石層中八面體空隙填充情況，結(jié)構(gòu)又分為：（1）層狀結(jié)構(gòu)硅酸鹽晶體中硅氧四面體層和

鋁氧八面體層的連接方式（A）１∶１型（B）２∶１型（1）層狀結(jié)構(gòu)硅酸鹽晶體中硅氧四面體層和

單網(wǎng)層及復(fù)網(wǎng)層的構(gòu)成

單網(wǎng)層及復(fù)網(wǎng)層的構(gòu)成單網(wǎng)層的構(gòu)成

單網(wǎng)層的構(gòu)成滑石Mg3[Si4O10](OH)2的結(jié)構(gòu)

單斜晶系，空間群C2/c，復(fù)網(wǎng)層結(jié)構(gòu)，晶胞參數(shù)a=0.525nm，b=0.910nm，c=1.881nm，=100o，如圖所示?；疢g3[Si4O10](OH)2的結(jié)構(gòu)單滑石的結(jié)構(gòu)

（a）（001）面上的投影（b）圖（a）結(jié)構(gòu)的縱剖面圖OH-位于六節(jié)環(huán)中心，Mg2+位于Si4+與OH-形成的三角形中心，但高度不同兩個(gè)硅氧層的活性氧指向相反，中間通過(guò)鎂氫氧層連接，形成復(fù)網(wǎng)層復(fù)網(wǎng)層平行排列形成滑石結(jié)構(gòu)水鎂石層中Mg2+配位數(shù)為6，形成[MgO4(OH)2]八面體。其中全部八面體空隙被Mg2+所填充，屬三八面體型結(jié)構(gòu)滑石的結(jié)構(gòu)（a）（001）面上的投影（b）圖（a）結(jié)構(gòu)的結(jié)構(gòu)與性質(zhì)的關(guān)系：復(fù)網(wǎng)層中每個(gè)活性O(shè)2-同時(shí)與3個(gè)Mg2+相連接，電價(jià)飽和；OH-中氧的電價(jià)也飽和，則復(fù)網(wǎng)層內(nèi)為電中性，層與層之間靠微弱分子力結(jié)合，致使層間易相對(duì)滑動(dòng)，則具有良好片狀解理，并有滑膩感。

結(jié)構(gòu)與性質(zhì)的關(guān)系：離子取代現(xiàn)象：用2個(gè)Al