半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)深度報告：半導(dǎo)體的兩次跨越和引領(lǐng)主線

1、半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)深度報告：半導(dǎo)體的兩次跨越和引領(lǐng)主線1、 復(fù)盤半導(dǎo)體第一次跨越：估值提升主導(dǎo)，全面提速大方向確立1.1、 電子板塊迎景氣周期，半導(dǎo)體漲幅遙遙領(lǐng)先2019-2020H1 電子行業(yè)板塊漲幅遠超同期滬深 300 指數(shù)漲幅。2019 年初至 2020H1，滬深 300 指數(shù)漲幅 40.2%，電子板塊漲幅為 117.4%，遠超滬深 300 指 數(shù)漲幅，電子行業(yè)整體景氣度快速提升。2019-2020H1 半導(dǎo)體行業(yè)漲幅領(lǐng)跑電子行業(yè)，實現(xiàn)第一次指數(shù)上的跨越。以 2019 年初價格指數(shù) 100 為基數(shù)，對申萬一級電子行業(yè)及申萬二級電子行業(yè)進行 統(tǒng)計分析。2019 年初至 2020H1，電子行業(yè)漲幅為

2、 117.4%，其中半導(dǎo)體漲幅為 226.9%，其他電子漲幅為 92.0%，元件 II 漲幅為 101.8%，光學(xué)光電子漲幅為 60.8%， 電子制造 II 漲幅為 141.6%。1.2、 2019-2020H1 半導(dǎo)體指數(shù)上行主要源于估值提升多因素助推國內(nèi)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)景氣度持續(xù)上行，自主可控是主要驅(qū)動力。2019 年初至 2020 中旬半導(dǎo)體板塊大漲的主要原因為：（1）華為、中芯等事件性影響 凸顯國內(nèi)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈自主可控的必要性和緊迫性，是國內(nèi)半導(dǎo)體發(fā)展 的最大推動力；（2）半導(dǎo)體行業(yè)進入景氣周期，產(chǎn)業(yè)持續(xù)東移的同時國產(chǎn)化率仍 較低，國產(chǎn)化空間廣闊；（3）國內(nèi)政策、資金持續(xù)加大力度支持半導(dǎo)體產(chǎn)

3、業(yè)發(fā)展。（1）華為、中芯等事件凸顯國內(nèi)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈自主可控的必要性和緊迫性， 是國內(nèi)半導(dǎo)體發(fā)展的最大推動力。2018 年美國對中興通訊發(fā)起制裁， 2019-2020 年間，美國多次對華為進行制裁，從最初的禁令名單限制到最終完全 限制華為向第三方采購芯片，一系列制裁迫使華為芯片斷供，手機業(yè)務(wù)分拆。此 外，美方更進一步升級對中芯國際的制裁，嚴重限制了中國半導(dǎo)體先進制程的發(fā) 展，國內(nèi)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈自主可控迫在眉睫。（2）半導(dǎo)體行業(yè)景氣度持續(xù)提升，產(chǎn)能持續(xù)向中國大陸轉(zhuǎn)移。進入 5G 時 代，半導(dǎo)體行業(yè)新的上行周期開啟，中國作為全球 5G 建設(shè)的領(lǐng)軍企業(yè)，5G 基 站的建設(shè)速度全面領(lǐng)先，受益于 5G 鋪開

4、，5G 下游包括醫(yī)療、汽車、工業(yè)、消 費電子多個領(lǐng)域的新興應(yīng)用快速成長，半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的發(fā)展空間進一步打開。產(chǎn)業(yè)東移帶來大量產(chǎn)業(yè)鏈配套需求。過去幾十年，全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈經(jīng)歷了 兩次轉(zhuǎn)移，一次是 1970s，從美國轉(zhuǎn)移至日本，日本半導(dǎo)體崛起，一度成為全球 最大芯片出口國；后美國限制、干預(yù)了日本半導(dǎo)體的發(fā)展，在 1990s 出現(xiàn)了第二 次產(chǎn)業(yè)轉(zhuǎn)移，韓國三星、中國臺灣臺積電等廠商迅速崛起；如今，隨著中國市場 廣闊的半導(dǎo)體需求以及晶圓制造產(chǎn)能的擴張，中國大陸正承接第三次半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè) 轉(zhuǎn)移，晶圓產(chǎn)能份額持續(xù)提升，優(yōu)質(zhì)本土企業(yè)迅速涌現(xiàn)。半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)本土化率仍較低，空間廣闊。2015-2019 年，中國集成 電路銷

5、售額從 3609.8 億元增至 7562.3 億元，中國集成電路進口額從 2299.28 億 美元增至 3055.5 億美元，國產(chǎn)化率從 25.21%提升至 35.88%，盡管國產(chǎn)化率顯著 提升，但是我國本土企業(yè)主要集中在后段的封測環(huán)節(jié)，在關(guān)鍵的晶圓制造、IC 設(shè)計、設(shè)備和材料等領(lǐng)域，空間依然廣闊。（3）國家政策、資金持續(xù)加大力度，支持國內(nèi)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展。在半導(dǎo)體 行業(yè)景氣度提升以及美國制裁持續(xù)的大背景下，國內(nèi)在半導(dǎo)體相關(guān)政策端利好不 斷，具體措施包括投資補助、稅收優(yōu)惠等，為半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展保駕護航。國家集成電路產(chǎn)業(yè)基金牽頭注資，半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)基本實現(xiàn)“不差錢”。從資本 端投入來看，2014 年國家

6、集成電路產(chǎn)業(yè)投資基金一期股份有限公司成立，投資 1387 億元；2019 年 10 月，國家大基金二期成立，注冊資本 2041.5 億元。國家 資本的投入帶動民間資本持續(xù)流入半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)，產(chǎn)業(yè)實現(xiàn)“不差錢”。根據(jù) Wind 數(shù)據(jù)，2019 年及 2020H1 半導(dǎo)體企業(yè)的 IPO、可轉(zhuǎn)債、定增融資額分別達到 643 億元、313 億元；2020 年投融資事件相比 2019 年近乎翻倍達到 413 件。半導(dǎo)體板塊指數(shù)上漲歸因分析：2019-2020H1 半導(dǎo)體指數(shù)上升主要來源于估值提升，2020Q3-2021Q1 指數(shù)震蕩源于業(yè)績兌現(xiàn)與估值的消化。股價可以拆分 為歸母凈利潤和 PE 的乘積，我們對

7、 2019 初至今的申萬半導(dǎo)體行業(yè) PE(TTM)及 歸母凈利潤(TTM)的數(shù)據(jù)進行處理，運用兩個因子的相對貢獻率進行歸因分析， 即估值（PE）因子貢獻率、歸母凈利潤因子貢獻率相乘得出對市值上漲的貢獻 率為 100%，若一個因子貢獻率大于 100%則說明該段時間指數(shù)上漲更多來源于 該因子驅(qū)動，小于 100%則說明該因子對指數(shù)上漲貢獻相對更小，2019 年至今估值因素和業(yè)績因素對股價的相對貢獻率對比，2019-2020H1，估值貢獻 率100%歸母凈利潤貢獻率，說明 2019-2020H1 半導(dǎo)體指數(shù)上漲主要來源于估 值提升而非業(yè)績上漲，而 2020Q3-2021Q1 的指數(shù)震蕩則來源于業(yè)績和估

8、值的此 漲彼消，業(yè)績是這段時間指數(shù)沒有繼續(xù)下跌的主要支撐。1.3、 2020Q3-2021Q1 震蕩行情下業(yè)績和估值此漲彼消2020Q3-2021Q1 全球半導(dǎo)體景氣度持續(xù)高漲，而申萬半導(dǎo)體板塊持續(xù)震蕩，形成鮮明反差。2020H2 以來伴隨著需求的逐步恢復(fù)，全球半導(dǎo)體需求旺盛，處 于供不應(yīng)求的態(tài)勢，行業(yè)高度景氣。以 2020 年 7 月 15 日作為基期，截至 2021 年 3 月 14 日，費城半導(dǎo)體指數(shù)累計漲幅達 43.65%，同期國內(nèi)申萬半導(dǎo)體板塊指 數(shù)累計下跌 17.53%，國內(nèi)外半導(dǎo)體指數(shù)分化顯著。2020Q3-2021Q1 半導(dǎo)體板塊的震蕩主要源于事件性影響以及估值的消化：我們判斷

9、分化明顯主要有以下原因：（1）事件影響：華為禁令等事件性影響對市 場的預(yù)期影響已經(jīng)反映，但是對產(chǎn)業(yè)鏈上市公司業(yè)績的影響并未完全體現(xiàn)，事件 性影響對半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展造成了較大的不確定性，基于此，我們先前報告判斷 2021Q1 為半導(dǎo)體板塊重要時間點；（2）板塊估值消化：基期申萬半導(dǎo)體指數(shù) PE TTM 為 161.59 倍，費城半導(dǎo)體指數(shù) PE TTM 為 26.80 倍，當(dāng)前申萬半導(dǎo)體指數(shù) PE TTM 為 85.87 倍，費城半導(dǎo)體指數(shù) PE TTM 為 32.45 倍，國內(nèi)半導(dǎo)體指數(shù)整 體估值明顯高于美國費城半導(dǎo)體指數(shù)，估值消化是板塊震蕩分化的重要原因。2、 半導(dǎo)體第二次跨越：業(yè)績主導(dǎo)，業(yè)績

10、兌現(xiàn)和行業(yè)景氣度是核心影響要素2.1、 2021Q1 至今半導(dǎo)體板塊表現(xiàn)亮眼，業(yè)績持續(xù)兌現(xiàn) 能力較高的細分龍頭引領(lǐng)此輪行情預(yù)期業(yè)績兌現(xiàn)，半導(dǎo)體表現(xiàn)亮眼。相比于電子行業(yè)其他板塊，半導(dǎo) 體板塊業(yè)績持續(xù)高速增長。我們可以看到，2020Q1 至今，半導(dǎo)體營收單季度營 業(yè)收入同比增幅持續(xù)提升，從 2020Q1 的同比增長 20.04%提升至 2021Q1 的 93.06%。同期，半導(dǎo)體板塊單季度歸母凈利潤同比增速從 180.03%升至 202.84%， 邏輯在業(yè)績上持續(xù)快速兌現(xiàn)。以 2019 年初為基期，半導(dǎo)體行業(yè)累計 PE 漲幅于 2020 年中旬出現(xiàn)高點，隨 后回調(diào)，高估值逐漸消化，累計單季度歸母凈

11、利潤漲幅不斷上行，預(yù)期 逐步反映?？偨Y(jié)來說，2019-2020H1 半導(dǎo)體指數(shù)上行主要源于估值的提升，而 2020Q3-2021Q1 指數(shù)震蕩則主要是華為、中芯等事件性影響及估值的消化的結(jié)果。2021Q1 至今半導(dǎo)體板塊表現(xiàn)亮眼，大幅跑贏滬深 300 指數(shù)。以 2021 年 4 月 1 日為基期，截至 2020 年 6 月 27 日，申萬半導(dǎo)體指數(shù)累計上漲 34.88%，滬 深 300 指數(shù)累計上漲 2.53%，2021Q2 半導(dǎo)體指數(shù)跑贏滬深 300 指數(shù) 32.35 個百分 點。本輪行情呈現(xiàn) K 型分化走勢，產(chǎn)業(yè)趨勢和競爭格局良好、行業(yè)壁壘較高的各細分板塊龍頭表現(xiàn)亮眼。我們先前判斷，202

12、1Q1 為半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)重要的時間節(jié) 點，華為、中芯等事件對供應(yīng)鏈預(yù)期和業(yè)績上的影響全面落地。事實上，半導(dǎo)體 板塊從 2021Q1 開始表現(xiàn)亮眼，迎來反轉(zhuǎn)行情。我們梳理了 2020Q1 至今 （2021-06-27）申萬半導(dǎo)體漲幅表現(xiàn)較好的個股（我們選取市值大于 100 億的個 股，同時剔除新股，以剔除擾動因素），其中，LED 驅(qū)動芯片企業(yè)表現(xiàn)亮眼，富 滿電子、晶豐明源主要產(chǎn)品均為 LED 驅(qū)動類芯片，2020 年下半年開始的缺芯持 續(xù)至今，主要表現(xiàn)為 8 英寸產(chǎn)能的緊缺，LED 芯片、電源管理類芯片、低端 MCU 等產(chǎn)品尤為緊缺，該類產(chǎn)品行業(yè)景氣指數(shù)在半導(dǎo)體板塊中相對較高，因此市場給 予較高的預(yù)

13、期；而以士蘭微、斯達半導(dǎo)、華潤微、捷捷微電、北京君正等為代 表的汽車半導(dǎo)體企業(yè)在電動車持續(xù)景氣的大背景下，表現(xiàn)亮眼；卓勝微作為國內(nèi) 射頻前端器件領(lǐng)域龍頭企業(yè)，所處賽道市場空間廣闊、行業(yè)壁壘較高、競爭格局 良好，同樣表現(xiàn)優(yōu)異；此外，半導(dǎo)體設(shè)備和材料方面，受益于國內(nèi)晶圓擴產(chǎn)大潮 持續(xù)推動，國內(nèi)半導(dǎo)體刻蝕設(shè)備龍頭北方華創(chuàng)、半導(dǎo)體材料平臺型巨頭雅克科技 業(yè)績增長具備較高確定性，同樣獲得了較大漲幅。我們認為華為、中芯等事件后， 半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈自主可控的必要性和緊迫性凸顯，中短期而言，本輪行情將會呈現(xiàn) K 型分化走勢，產(chǎn)業(yè)趨勢、競爭格局以及技術(shù)壁壘是核心影響要素；長期而言， 半導(dǎo)體行業(yè)仍然是未來 3-5 年

14、的科技投資主線。2.2、 下游需求旺盛+行業(yè)高景氣,半導(dǎo)體第二次跨越在路上2.2.1、汽車半導(dǎo)體：變革大時代，汽車半導(dǎo)體有望站上歷史的進程汽車電子器件種類多樣，汽車芯片應(yīng)用廣泛。汽車電子包括車體電子控制裝 置和車載電子控制裝置，前者需要和汽車機械系統(tǒng)配合，后者能夠獨立使用。汽 車電子控制技術(shù)及系統(tǒng)的綜合性能，直接影響整車的動力性、舒適性、操縱穩(wěn)定 性和經(jīng)濟性等，是現(xiàn)代汽車的靈魂。隨著汽車電動化與智能化，電動汽車和無人 駕駛發(fā)展迅猛，相應(yīng)的輔助駕駛系統(tǒng) ADAS、電池管理系統(tǒng) BMS 等被廣泛應(yīng)用， 汽車中配置的電子零組件占比越來越高，與物聯(lián)網(wǎng)、汽車電子等應(yīng)用相關(guān)的器件， 如模擬芯片、邏輯芯片、

15、存儲芯片、微控制器芯片、分立器件、光學(xué)半導(dǎo)體、傳 感器和執(zhí)行器等，都成為各大半導(dǎo)體廠商（包括 IDM 和 Fabless）重點布局的領(lǐng) 域，據(jù)測算平均每輛車搭載半導(dǎo)體為 1600 個。汽車上下游產(chǎn)業(yè)鏈芯片主要分為 環(huán)境感知層、決策控制層、網(wǎng)絡(luò)通信層、人機交互層和電氣電力層五大方面，廣 泛應(yīng)用于下游乘用車、商用車等主機廠和 OTA、信息安全、新能源充換電等應(yīng) 用服務(wù)。電動化、智能化、網(wǎng)聯(lián)化是汽車行業(yè)大勢所趨。電動化：由于電動車機械 結(jié)構(gòu)較傳統(tǒng)燃油車更簡單，電機較內(nèi)燃機能量利用率更高，其動力鋰電池成本、 續(xù)航里程和充電配套設(shè)施等問題正逐步得到優(yōu)化，特別是在碳達峰、碳中和政策 背景下，全球各地陸續(xù)立

16、法通過了燃油車禁售時間點，隨著特斯拉 model 3 和 model Y 等極具產(chǎn)品力車型進入主流中端價位市場攻城略地帶來鯰魚效應(yīng)，各大 車企紛紛轉(zhuǎn)型加速布局新能源車。全球新能源車產(chǎn)量從 2014 年的 54.9 萬輛增至 2020 年的 324 萬輛，2014-2020 年 CAGR 為 42.62%，滲透率從 0.61%增至 4.24%；智能化：智能汽車將通過搭載先進傳感器等裝置，運用人工智能等新技術(shù)，具有 自動駕駛功能，逐步成為兼具娛樂、社交、工作屬性的智能移動空間和應(yīng)用終端， 智能化由于其先進的體驗感將成為汽車變革下半頁，目前絕大部分整車廠商均在 布局智能化。實現(xiàn)智能化的關(guān)鍵和終極目標

17、是自動駕駛技術(shù)，SAE 將自動駕駛 水平分為 L0 級（純由駕駛員控制）至 L5 級（完全自動駕駛），級別越高，車輛 自動化程度越高；網(wǎng)聯(lián)化：網(wǎng)聯(lián)化通過車聯(lián)網(wǎng)（V2X）對智能化（自動駕駛技術(shù)、 智慧座艙）進行了補充，車聯(lián)網(wǎng)（V2X）是實現(xiàn)車輛與周圍的車、人、交通基礎(chǔ) 設(shè)施和網(wǎng)絡(luò)等全方位連接和通信的新一代信息通信技術(shù)，IDC 數(shù)據(jù)顯示，2020 年全球智能網(wǎng)聯(lián)汽車出貨量約為 4440 萬輛，2024 年或達 7620 萬輛，2020-2024 年 CAGR 為 14.5%?！叭壁厔莩掷m(xù)推動汽車硅含量提升。汽車在向“三化”發(fā)展的同時，產(chǎn)業(yè)鏈 價值構(gòu)成也正發(fā)生劇變，與內(nèi)燃機相關(guān)的系統(tǒng)和元器件正在

18、縮減，而三電（電池、 電驅(qū)、電控）的引入快速推升汽車硅含量。成本結(jié)構(gòu)上來看，傳統(tǒng)燃油車中發(fā)動機、傳動系統(tǒng)、車身、汽車電子、底盤、內(nèi)外飾一般分別占據(jù)總成本的 15%/10%/15%/15%/10%/10%；而常規(guī)電動汽車中，電驅(qū)動力系統(tǒng)主要由電池、 電機和電控組成，一般占 50%的價格成本，其中電池又占比 38%，電機占比 6.5%， 電控占比 5.5%，此外，底盤占比 14%，車身占比 5%，內(nèi)飾占比 15%，電子占 比 9%，其他占比 7%。以 2019 年典型的某 L1 級豪華品牌燃油車為例，根據(jù)羅 蘭貝格測算，汽車電動化推動豪華品牌電池管理、電控系統(tǒng)電子元件單車價值凈 提升 2235 美

19、元，自動駕駛推動豪華品牌單車電子元件價值量凈提升 925 美元， 數(shù)字互聯(lián)推動豪華品牌單車電子電氣架構(gòu)相關(guān)元器件價值凈提升 725 美元，汽車 電子電氣相關(guān)的 BOM（物料清單）價值（不含電池與電機）將從 2019 年的 3145 美元提升至 2025 年的 7030 美元，單車增量達 3885 美元，增幅為 123.53%。汽車半導(dǎo)體受益“三化”趨勢多點開花，各細分領(lǐng)域打開增量空間。根據(jù) IHS 數(shù)據(jù)，2020 年全球汽車半導(dǎo)體市場規(guī)模為 380 億美元，受益于汽車行業(yè)“三化” 趨勢，預(yù)計到 2026 年將達到 676 億美元，2020-2026 年 CAGR 為 10.08%。我國 作為汽

20、車制造大國，汽車產(chǎn)量蟬聯(lián)全球第一，對汽車半導(dǎo)體需求同樣旺盛，2020 年中國汽車半導(dǎo)體市場規(guī)模約為 94 億美元，預(yù)計到 2030 年將達到 159 億美元， 2020-2030 年 CAGR 為 5.40%。具體拆分來看：功率半導(dǎo)體：全球汽車功率半導(dǎo)體市場規(guī)模 2018 年為 90 億美元，隨著單車功 率器件價值以及電動車滲透率繼續(xù)提升，預(yù)計 2023 年或達 136 億美元， 2018-2023 年 CAGR 為 8.61%；計算和控制芯片：芯片算力提升將帶動主控芯片價值量成長，2020 年汽車計 算和控制類芯片市場規(guī)模約為 108 億美元，預(yù)計到 2025 年增長至 164 億美元， 2

21、020-2025 年 CAGR 為 8.71%；存儲芯片：增量主要來源于汽車智能化帶來的數(shù)據(jù)存儲需求，2020 年全球汽 車存儲芯片的市場規(guī)模約為 40 億美元，預(yù)計到 2025 年或達 83 億美元， 2020-2025 年 CAGR 為 15.72%；模擬芯片：電動化、網(wǎng)聯(lián)化為電源管理芯片、射頻芯片帶來了增量需求，2019 年汽車模擬芯片市場規(guī)模為 98 億美元，預(yù)計到 2024 年達到 150 億美元， 2019-2024 年 CAGR 為 8.89%；傳感器：我們測算到 2025 年汽車半導(dǎo)體傳感器市場增量將達到 31 億美元，增 量主要來源于車載 CIS、毫米波雷達、激光雷達等智能汽

22、車標配硬件。低市場份額及高進口依賴度，汽車半導(dǎo)體空間廣闊。全球半導(dǎo)體 市場的競爭格局來看，優(yōu)勢企業(yè)主要集中于美國、歐洲地區(qū)的德國、法國、荷蘭、 瑞士等國家，以及亞太地區(qū)的日本、韓國、中國和以色列等。恩智浦、瑞薩電子、 英飛凌、意法半導(dǎo)體、德州儀器等傳統(tǒng)汽車芯片巨頭具備豐富的產(chǎn)品布局和領(lǐng)先 的技術(shù)實力，2019 年占據(jù)全球汽車芯片 50%的市場份額。由于設(shè)計、生產(chǎn)等方 面的技術(shù)差距較大，至今我國未形成具備國際競爭力的汽車芯片供應(yīng)商，在汽車 芯片領(lǐng)域的市場份額較低，整體來看，我國汽車芯片進口依賴度超 90%，缺芯 背景下海外汽車芯片廠商供應(yīng)短缺增加了國內(nèi)廠商的供應(yīng)鏈導(dǎo)入機會，汽車半導(dǎo) 體進程有望全

23、面提速。我國汽車半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈上已逐步涌現(xiàn)出以斯達半 導(dǎo)、北京君正、士蘭微、韋爾股份、聞泰科技等為代表的具備競爭力的企業(yè)。我 國汽車半導(dǎo)體優(yōu)秀企業(yè)有望借行業(yè)景氣周期與共振迅速崛起，縮短在各 領(lǐng)域的主要差距并不斷提升自主率。2.2.2、5G 時代已來，硅含量持續(xù)提升全球智能手機出貨量重回正增長。在連續(xù)兩個季度的正增長之后，IDC 近日提高了對全球智能手機市場的出貨量預(yù)測。IDC 全球季度手機追蹤顯示，2021 年，智能手機出貨量預(yù)計將達到 13.8 億臺，同比增長 7.7%，預(yù)計 2022 年出貨 量或達 14.3 億臺，同比增長 3.8%?？傮w來看，扣除 2020 年疫情特殊影響，未 來智能手機

24、出貨量增長趨勢將逐步放緩，智能手機市場總體已步入存量競爭階段。2021 年 5G 手機將繼續(xù)放量增長。2021 年 4 月，國內(nèi)市場 5G 手機出貨量 2142 萬部，占同期手機出貨量的 77.9%，市場占比持續(xù)增長。IDC 預(yù)測，2021 年全球 5G 手機出貨量將增長近 130，預(yù)計 2021 年底，除中國以外的大部分國 家 5G 手機銷售量也都將迎來超過 3 位數(shù)的增長，中國 5G 手機市場份額將占據(jù) 全球近 50，美國將緊隨其后，占有 16的份額，而西歐和亞太地區(qū)（中國和 日本除外）將占據(jù)全球 5G 手機市場 23.1的份額，總體來看，2021 年將是 5G 手機放量大增的一年。5G

25、手機與 4G 手機相比，帶來更高的硅價值量。根據(jù) SUMCO 測算，5G 手 機對存儲和邏輯類芯片需求是原來 4G 的 1.7 倍。相比于 4G 手機，5G 手機 DRAM 由 1-12GB 升級為 6-13GB，NAND 閃存由 8-512GB 升級至 128-512GB，AP（應(yīng) 用處理器）由 4-8 核升級為 8 核，圖像處理芯片由 1-7 個升級為 4-7 個。5G 手機 還需額外外掛一顆基帶芯片或集成于 AP 之中。SUMCO 測算，5G 手機相較于 4G 手機，12 寸晶圓需求量總體提升約 1.7 倍。根據(jù)韓國信息與通訊技術(shù)研究所稱，平均一部 4G 手機含有的半導(dǎo)體價值量為 126

26、.1 美元，一部 5G 手機含有 的半導(dǎo)體價值量為 233.9 美元，增長將近 85%。5G 基站建設(shè)正當(dāng)時，半導(dǎo)體器件量價齊升市場空間廣闊。根據(jù)中國聯(lián)通 5G 無線網(wǎng)演進策略研究中對 3.5GHz 及 1.8GHz 在密集城區(qū)和普通城區(qū)覆蓋能 力的模擬測算，密集城區(qū)中 3.5GHz 頻段上行需要的基站數(shù)量是 1.8GHz 的 1.86 倍，普通城區(qū)中 3.5GHz 頻段上行需要的基站數(shù)量則是 1.8GHz 的 1.82 倍；從連 續(xù)覆蓋角度來看，5G 的基站數(shù)量是 4G 的 1.5-2 倍?？紤]到 5G 獨立組網(wǎng)和非獨 立組網(wǎng)的結(jié)合，預(yù)測 5G 基站總數(shù)將達到 4G 基站數(shù)的 1.3 至 1

27、.5 倍。據(jù)工信部數(shù) 據(jù)，2020 年，中國新建開通 5G 基站超 60 萬個，終端連接數(shù)突破 2 億，全部已 開通 5G 基站超過 71.8 萬個，實現(xiàn)全國所有地級以上城市覆蓋，2021 年計劃繼 續(xù)建設(shè) 5G 基站 60 萬個，向有條件的縣鎮(zhèn)延伸。受益于 5G 基站高半導(dǎo)體價值及 建設(shè)數(shù)量增長，全球 5G 通信基礎(chǔ)設(shè)施市場規(guī)模有望大幅增長，以其中的射頻前 端市場為例，預(yù)計將從 2019 年的 152 億美元增長至 2025 年的 254 億美元， 2019-2025 年 CAGR 為 11%。2.2.3、VR/AR：規(guī)模放量前夜，市場反饋良好VR，即虛擬現(xiàn)實，指借助計算機系統(tǒng)及傳感器技術(shù)生

28、成一個虛擬的 3D 環(huán) 境，創(chuàng)造出一種嶄新的人機交互狀態(tài)。實現(xiàn) VR 技術(shù)主要需要考慮模擬環(huán)境、感 知、傳感交互等方面。感知是指理想的 VR 應(yīng)該具有一切人所具有的感知。換言 之，除最基本的視覺之外，還有聽覺、觸覺、力覺、運動等感知，甚至還包括嗅 覺和味覺等，也稱為多感知。傳感交互旨在感知人的頭部轉(zhuǎn)動，眼睛、手勢、或 其他人體行為動作，由計算機進行處理，并對用戶的輸入作出實時響應(yīng)、分別反 饋到用戶的五官。上述三維交互過程是達到 VR 理想的仿真標準的重要因素。AR，即增強現(xiàn)實，指將現(xiàn)實世界的景象與虛擬的物體相結(jié)合，通過投射裝 置，實現(xiàn)現(xiàn)實世界的虛擬疊加。攝像頭和傳感器采集真實場景的視頻或者圖像

29、， 傳入處理單元對其進行識別和生成數(shù)據(jù)模型，同時結(jié)合頭部跟蹤設(shè)備的數(shù)據(jù)來分 析虛擬場景和真實場景的相對位置，實現(xiàn)坐標系的對齊并進行虛擬場景的建模繪 制融合計算。設(shè)備采集外部控制信號實現(xiàn)交互操作，最終達到“虛實結(jié)合”效果。VR/AR 產(chǎn)業(yè)鏈上包含芯片、捕捉/反饋設(shè)備、主機、系統(tǒng)/平臺、應(yīng)用/內(nèi)容 幾個層面。芯片領(lǐng)域主要供應(yīng)商為高通、AMD、英偉達、華為、德州儀器等； 傳感器領(lǐng)域主要有意法半導(dǎo)體；顯示屏主要為三星、京東方、LG；整機品牌商 有 Oculus、索尼、HTC；在內(nèi)容方面，以游戲為例有索尼、游久、愷英網(wǎng)絡(luò)等。VR/AR 作為當(dāng)前科技領(lǐng)域最熱門技術(shù)之一，被眾多科技公司和互聯(lián)網(wǎng)公司 爭相布局

30、。根據(jù)華為5G 時代十大應(yīng)用場景白皮書，在與 5G 高度相關(guān)的下游 應(yīng)用中，無線家庭娛樂和云 VR/AR 領(lǐng)域具備廣闊的市場潛力，因此，VR/AR 市 場在 5G 時代有望大幅受益。VR 設(shè)備在 2016 年引起廣泛關(guān)注后步入資本寒冬的 主要原因為無線傳輸速率、傳輸時延、設(shè)備重量、電池容量、便攜度等方面的瓶 頸，隨著 5G 時代到來以及傳感器、芯片、電池集成化程度持續(xù)提升，VR 設(shè)備 的痛點被逐個擊破，市場需求有望重振。AR/VR 正處于規(guī)模放量前夜。繼 2016 年虛擬現(xiàn)實產(chǎn)業(yè)元年、2018 年云 VR 產(chǎn)業(yè)元年、2019 年 5G 云 VR 產(chǎn)業(yè)元年過后，2020-2021 年將成為虛擬現(xiàn)

31、實快速 發(fā)展的轉(zhuǎn)折點，2022-2025 年將步入深度沉浸的 5G 進階期，目前全球正處于規(guī) 模上量和生態(tài)繁榮前夜。比之 2018-2020 年相對平緩的終端出貨量，隨著 Facebook Quest2、微軟 Hololens2 等標桿 VR/AR 終端迭代發(fā)售以及電信運營商 虛擬現(xiàn)實終端的發(fā)展推廣，2021 年有望成為 AR/VR 終端規(guī)模上量、顯著增長的 關(guān)鍵年份。VR/AR 終端產(chǎn)品市場反饋良好。據(jù) IDC 數(shù)據(jù)，2020 年全球虛擬顯示終端出 貨量約為 630 萬臺，VR、AR 終端出貨量占比分別 90%、10%，預(yù)計 2024 年終 端出貨量超 7500 萬臺，AR 占比升至 55%

32、，2020-2024 五年期間虛擬顯示出貨量 增速約為 86%，其中 VR、AR 增長分別為 56%、188%，預(yù)計 2023 年 AR 終端 出貨量有望超過 VR。據(jù) SuperData 數(shù)據(jù)，F(xiàn)acebook 旗下 2020 年 9 月推出的 VR 品牌 Oculus Quest 2 于 2020Q4 成為市場爆品，銷量超過 100 萬臺，遠超第二位 PlayStation VR 的 12.5 萬臺，Oculus Quest 平臺上已有超 35 款游戲已經(jīng)達成了百 萬美元的收入。AR/VR 市場規(guī)模有望快速增長。在 VR/AR 終端出貨量不斷增長的背景下， 信通院數(shù)據(jù)顯示，2020 年全球

33、虛擬現(xiàn)實市場規(guī)模約為 900 億元人民幣，其中 VR 市場為620億元，AR市場為280億元。預(yù)計2020-2024年全球虛擬現(xiàn)實產(chǎn)業(yè)CAGR 約為 54%，其中 VR 增速約 45%，AR 增速約 66%，2024 年兩者份額均為 2400 億元人民幣，增長迅速。目前 A 股布局 AR/VR 的公司較多。全球最大顯示展會 SID Display Week 2021 上，TCL 華星光電推出首款 LCD VR 顯示屏，其尺寸為 2.02 英寸，分辨率 為 2160*2160，刷新率 120Hz，響應(yīng)時間 4ms，PPI 高達 1512，是迄今為止 PPI 最高的 VR 顯示屏；京東方已有定位于

34、超高 PPI VR /AR 顯示產(chǎn)品的 8 英寸硅基 OLED （已建成）和 12 英寸硅基 OLED （在建）產(chǎn)線；歌爾股份提供 VR 光學(xué) 解決方案和全面的 VR 系統(tǒng)解決方案，AR/VR 及相關(guān)光學(xué)模組項目共募集 10 億 元，預(yù)計 2022 年 8 月建設(shè)完畢；新型顯示（AR+）是水晶光電的五大業(yè)務(wù)板塊 之一，公司致力于從行業(yè)應(yīng)用、消費類電子和汽車電子三個方向開展技術(shù)布局和 市場開拓。除此之外，還有提供組裝與代工服務(wù)的立訊精密、供貨鋰電池和進行 VR 代工的欣旺達以及布局 LCOS 顯示芯片的韋爾股份等。2.3、 缺芯成行業(yè)主旋律，國內(nèi)廠商迎來供應(yīng)鏈導(dǎo)入良機缺芯潮持續(xù)且短期難見緩解，產(chǎn)

35、業(yè)鏈各廠商產(chǎn)品貨期及價格上漲。2020 年 下半年至今，受多重因素影響，半導(dǎo)體行業(yè)缺芯情況愈演愈烈。上游晶圓產(chǎn)能方 面，自 2020Q3 起，包括臺積電、聯(lián)電等就已將 8 英寸晶圓代工價格調(diào)漲了 10% 至 20%。力積電 2020 年代工報價漲幅約較 2019 年增 3040%，包括驅(qū)動 IC、電 源管理 IC、存儲器、MOSFET 等全部都吃緊，部分產(chǎn)能安排已排至 2023 年。終 端產(chǎn)品方面，全球功率半導(dǎo)體龍頭英飛凌旗下 MOSFET 等產(chǎn)品預(yù)計將在 6 月中 旬會執(zhí)行 12%的漲幅，ST 宣布全系列產(chǎn)品于 6 月 1 日開始漲價，安森美的部分 產(chǎn)品價格將于今年 7 月 10 日起上調(diào)。

36、整體來看，缺貨漲價已成為 2021 年半導(dǎo)體 行業(yè)的主旋律。缺芯原因有事件性沖擊影響。華為在美國禁令生效前大量囤貨，OVM 等廠 商爭奪華為空出來的市場份額，亦開始大量備貨。IDC 數(shù)據(jù)顯示，華為手機業(yè)務(wù) 受美國制裁和芯片斷供影響較為明顯，市占率在 2021Q1 已跌出前五，小米和 OPPO 出貨量分別同比增加 64.8%和 64.5%，受益顯著；此外，美國二月暴風(fēng)雪 導(dǎo)致得克薩斯州奧斯丁市等美國芯片制造的核心地區(qū)缺電，三星、NXP、英飛凌 等廠商的工廠陸續(xù)停產(chǎn)；東南亞是全球重要的半導(dǎo)體芯片封裝測試中心，中國小 米、華為、韓國三星、美國英特爾、蘋果等都在越南有產(chǎn)業(yè)鏈布局，五月越南、 馬來西亞等

37、國疫情形勢惡化，極可能加劇全球芯片短缺問題。短期的事件性沖擊 和供需失衡致使部分下游客戶因缺芯而發(fā)生較大規(guī)模的停產(chǎn)。缺芯亦由新一輪需求擴張與產(chǎn)能建設(shè)之間的錯配導(dǎo)致。首先，是總體需求 擴張與有限產(chǎn)能之間的矛盾。需求端來看，2020 年新冠疫情催生宅經(jīng)濟，線上 居家辦公等帶動平板、PC 等需求增長，加速了各行業(yè)萬物互聯(lián)和數(shù)字化進程。 5G 的進一步商業(yè)化、IDC 數(shù)量增加、電動汽車銷量回暖和無人駕駛等應(yīng)用興起 帶動了更多需求，SIA 數(shù)據(jù)顯示，2020 年全球半導(dǎo)體市場銷售額達到了 4390 億 美元，同比增長 6.5%，WSTS 預(yù)測 2021 年全球半導(dǎo)體銷售額或達 4690 億元，同比增長

38、6.83%。供給端來看，疫情給海外的一些半導(dǎo)體公司供應(yīng)鏈帶來了比較 大的影響和沖擊，各大制造廠商對全年預(yù)期較低，整個行業(yè)整體備貨不足，而新 建晶圓廠成本高昂且從興建到量產(chǎn)至少需要兩年，新建產(chǎn)能的“遠水”難救“近火”。 此外，消費電子等其他領(lǐng)域的產(chǎn)能擠占，汽車芯片、MCU 等領(lǐng)域缺芯較為突出， 目前來看，資本開支較低、折舊壓力相對較小的 8 英寸晶圓產(chǎn)能尤為緊缺并已進 一步傳導(dǎo)至 12 英寸晶圓，主要半導(dǎo)體廠商的產(chǎn)品貨期和價格都有所增加。SEMI 預(yù)計，2019 年至 2022 年，全球 8 英寸晶圓產(chǎn)量將增加 70 萬片，增加幅度為 14%， 年均增速約為 4.5%；其中，MEMS 傳感器相關(guān)

39、產(chǎn)能約增加 25%，功率器件產(chǎn)能 約增加 23%，年均增速約為 6%。未來幾年將推升全球 8 寸晶圓廠產(chǎn)能至每月接 近 650 萬片。行業(yè)缺芯狀態(tài)更加凸顯芯片國產(chǎn)化瓶頸現(xiàn)狀，疫情控制得當(dāng)有望助推芯片國產(chǎn)化率進一步提升。以汽車行業(yè)為例，據(jù) Wind 數(shù)據(jù)顯示，目前國內(nèi)汽車行業(yè) 中車用芯片自研率僅占 10%，90%的汽車芯片必須依賴國外進口；除汽車外，國 產(chǎn)芯片在通訊設(shè)備、消費電子等領(lǐng)域的市占率也多在 10%以下。多領(lǐng)域依賴國 外進口芯片疊加海外疫情嚴重導(dǎo)致生產(chǎn)縮減，芯片國產(chǎn)化率提升迫在眉睫。IC insight 數(shù)據(jù)顯示，2020 年我國芯片產(chǎn)值為 227 億美元，自給率為 15.87%。隨著

40、國內(nèi)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈自主可控必要性和緊迫性凸顯，國家政策、資金大力支持，國 內(nèi)部分廠商已實現(xiàn)技術(shù)突破，未來芯片國產(chǎn)化率進一步提升指日可待。過去終端客戶芯片采購本土化意愿較低的一個重要原因是對質(zhì)量的嚴格要求和對供應(yīng)鏈廠商切換的驗證成本。以車規(guī)級芯片為例，車規(guī)級芯片較消費級和 工業(yè)級別芯片對可靠性、穩(wěn)定性有更高的要求，如工作溫度高于消費級芯片 （0-40）和工業(yè)級芯片（40-155），使用時間也更長（15 年，消費級和 工業(yè)級芯片分別為 1-3 年和 5-10 年）。車規(guī)級芯片對于存儲解決方案的挑戰(zhàn)性在 于，自動駕駛汽車的每個系統(tǒng)都有獨特要求，任何一款存儲解決方案都無法適用 于整輛汽車，此外，車規(guī)級芯

41、片相比消費芯片和一般工業(yè)芯片開發(fā)難度更高，工 作環(huán)境也更嚴苛，同時由于涉及到人身安全，要求極高的安全性和可靠性。缺貨給了國產(chǎn)廠商難得的“試錯”機會，國產(chǎn)廠商迎來供應(yīng)鏈導(dǎo)入良機。國 內(nèi)汽車半導(dǎo)體在基礎(chǔ)環(huán)節(jié)、標準和驗證體系、車規(guī)產(chǎn)品驗證、產(chǎn)業(yè)配套等方面能 力薄弱，同時在半導(dǎo)體各個產(chǎn)品自主率較低，與我國與消費電子半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈相 比，由于汽車半導(dǎo)體在可靠性、穩(wěn)定性等領(lǐng)域要求更高，且我國終端車企品牌市 占率遠不如消費電子領(lǐng)域，國內(nèi)品牌對產(chǎn)業(yè)鏈扶持力度有限，國內(nèi)企業(yè)在汽車半 導(dǎo)體領(lǐng)域的整體市占率更低，同時也對應(yīng)著可觀的空間。汽車芯片供應(yīng)鏈恢復(fù)時間不確定，缺芯致使下游需求方提高了對國產(chǎn)汽車芯片產(chǎn)品的試錯容忍

42、 度并選擇國產(chǎn)廠商產(chǎn)品以解決部分燃眉之急，為汽車芯片企業(yè)提供了絕佳的導(dǎo)入 機會，在得到客戶驗證通過并大規(guī)模放量后，國產(chǎn)芯片廠商將進一步鞏固其行業(yè) 地位并實現(xiàn)更高的國產(chǎn)化率和延續(xù)本土化趨勢。部分廠商正抓住的機遇 窗口，在各自領(lǐng)域取得突破，實現(xiàn)業(yè)績規(guī)模快速增長。3、半導(dǎo)體引領(lǐng)主線：汽車半導(dǎo)體、核心設(shè)備和材料、射頻與模擬等細分方向3.1、半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈環(huán)節(jié)眾多，核心芯片國產(chǎn)化率較低半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈環(huán)節(jié)眾多，專業(yè)分工程度高，新技術(shù)新應(yīng)用是行業(yè)下游重要 驅(qū)動力。半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈上下游包括三大環(huán)節(jié)：IC 設(shè)計、晶圓制造加工以及封裝 測試、應(yīng)用。IC 設(shè)計是指根據(jù)終端產(chǎn)品的需求，從系統(tǒng)、模塊、電路等各個層 級進行選擇

43、并組合，確定器件結(jié)構(gòu)、工藝方案等，實現(xiàn)相關(guān)的功能和性能要求， 并將其委托給晶圓代工廠進行生產(chǎn)加工；晶圓制造廠根據(jù)設(shè)計版圖進行掩膜制作 形成模板，在晶圓上批量制造集成電路，通過多次重復(fù)運用摻雜、沉積、光刻等 工藝最終將 IC 設(shè)計公司設(shè)計好的電路圖移植到晶圓上；完成后的晶圓再送往下 游封測廠進行切割、焊線、塑封，以防止物理損壞或化學(xué)腐蝕，同時使芯片電路 與外部器件實現(xiàn)電氣連接，最后移交給下游廠商。核心芯片國產(chǎn)化率偏低。我國集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展迅猛，但目前在終端應(yīng)用的 核心芯片中，國產(chǎn)芯片占比仍較低，由下表可以看出，我國在計算機系統(tǒng)、通用 電子系統(tǒng)的終端核心芯片上國產(chǎn)芯片市占率仍接近于 0，在內(nèi)存設(shè)備

44、和顯示系統(tǒng) 中的國產(chǎn)核心芯片市場才剛起步，在通信裝備方面，國產(chǎn)芯片已實現(xiàn)部分進口替 代，應(yīng)用處理器和通信處理器中國產(chǎn)芯片占比分別達到 18%和 22%。3.2、汽車半導(dǎo)體大有可為，功率、存儲、控制類芯片深度受益3.2.1、功率器件：行業(yè)景氣度持續(xù)提升，MOSFET、IGBT 市場廣闊功率半導(dǎo)體是電子裝置電能轉(zhuǎn)換與電路控制的核心，應(yīng)用領(lǐng)域廣泛。功率 半導(dǎo)體通過利用半導(dǎo)體的單向?qū)щ娦詫崿F(xiàn)電源開關(guān)和電力轉(zhuǎn)換的功能，功率半導(dǎo) 體主要分為功率器件、功率 IC。功率器件可以分為二極管、晶閘管、MOSFET、 IGBT 等。據(jù) IHS 數(shù)據(jù)，2020 年全球功率半導(dǎo)體市場規(guī)模為 422 億美元，同比增 長

45、4.6%；中國功率半導(dǎo)體市場規(guī)模為 153 億美元，同比增長 6.3%。其中，工業(yè)、 汽車和消費電子是功率半導(dǎo)體的前三大終端市場。根據(jù)智研咨詢的數(shù)據(jù)，2019 年汽車領(lǐng)域占全球功率半導(dǎo)體市場的 35.4%，工業(yè)應(yīng)用市場占比為 26.8%，消費 電子占比為 13.2%。隨著對節(jié)能減排的需求日益迫切，功率半導(dǎo)體的應(yīng)用領(lǐng)域從 傳統(tǒng)的工業(yè)領(lǐng)域和 4C 領(lǐng)域逐步進入新能源、智能電網(wǎng)、軌道交通、變頻家電等 市場。受益于工業(yè)、電網(wǎng)、新能源汽車和消費電子領(lǐng)域新興應(yīng)用不斷出現(xiàn)，功率 半導(dǎo)體器件市場規(guī)模不斷增長。根據(jù) Yole 數(shù)據(jù)，2019 年全球功率器件市場規(guī)模 為 175 億美元，預(yù)計 2025 年或達 2

46、25 億美元，復(fù)合增長率為 4.28%。MOSFET：高頻開關(guān)，功率器件主要的細分市場。MOSFET 在功率器件中 占比最高。根據(jù)智研咨詢和華經(jīng)情報網(wǎng)數(shù)據(jù)，2019 年 MOSFET 占比 35.9%，市 場規(guī)模達 62.59 億美元；中國是全球最主要的功率器件消費國，功率器件細分的 主要產(chǎn)品在中國的市場份額均處于第一位。其中，中國 MOSFET 市場規(guī)模占比 全球為 44.3%，中國 MOSFET 市場規(guī)模約 26.4 億美元。目前國內(nèi)以低端 MOSFET 產(chǎn)品為主，在中高端 MOSFET 器件中，90%依賴進口，空間廣闊。2022 年 MOSFET 終端應(yīng)用占比預(yù)測：根據(jù)華經(jīng)情報網(wǎng)數(shù)據(jù)，隨

47、著汽車電子 化以及工業(yè)系統(tǒng)智能化程度的不斷加深，預(yù)計到 2022 年 MOSFET 下游應(yīng)用中， 汽車占比為 22%，計算機及存儲占比為 19%，工業(yè)占比為 14%。IGBT 是電機驅(qū)動的核心：廣泛應(yīng)用于逆變器、變頻器等，在 UPS、開關(guān)電 源、電車、交流電機等領(lǐng)域，逐步替代 GTO、GTR 等產(chǎn)品。IGBT 下游應(yīng)用領(lǐng) 域廣泛，由于 IGBT 具有能源轉(zhuǎn)換和高效節(jié)能等優(yōu)點，汽車行業(yè)、消費電子行業(yè)、 能源行業(yè)、電機行業(yè)等都需要利用 IGBT 來提高能源使用效率。隨著新能源、智 慧城市建設(shè)等下游領(lǐng)域的發(fā)展，IGBT 市場規(guī)模也在不斷擴大。由于 IGBT 模塊 集成度高，存在較高的進入壁壘，目前全

48、球 IGBT 市場主要被歐洲和日本企業(yè)壟 斷，IGBT 國產(chǎn)化率不足 10%，以斯達半導(dǎo)為代表的國內(nèi)廠商日漸崛起，空間廣闊。IGBT 市場空間：IGBT 分為 IGBT 芯片和 IGBT 模塊，其中 IGBT 模塊是由 IGBT 芯片封裝而來，具有參數(shù)優(yōu)秀、最高電壓高、引線電感小的特點，是 IGBT 最常見的應(yīng)用形式，IGBT 模塊常用于大電流和大電壓環(huán)境。據(jù)集邦咨詢數(shù)據(jù)， 受益于新能源汽車和工業(yè)領(lǐng)域的需求大幅增加，2025 年中國 IGBT 市場規(guī)模將 達到 522 億人民幣，復(fù)合增長率達 19.11%。以英飛凌、安森美等企業(yè)為代表的龍頭廠商均為 IDM 模式，擁有完整的晶圓廠、 芯片制造廠

49、和封裝廠，對成本和質(zhì)量控制能力很強，以高端產(chǎn)品為主，實力強勁。中 國大陸的廠商 IDM 和 Fabless 模式兼有，產(chǎn)品以晶閘管、二極管等分立器件和低壓 MOSFET 為主，與歐美日廠商存在較大差距，以斯達半導(dǎo)為代表的廠商日漸崛起， 逐步趕超歐美日龍頭廠商；以茂達、富鼎電子等為代表的的中國臺灣廠商以 Fabless 模式為主，主要負責(zé)芯片制造和封裝。從競爭格局看，功率半導(dǎo)體行業(yè)集中度較高，歐美廠商占據(jù)第一梯隊，國產(chǎn)廠 商日漸崛起。英飛凌和 Omdia 數(shù)據(jù)顯示，2019 年全球功率器件/MOSFET/IGBT 芯片 /IGBT 模塊 CR10 分別為 58.30%/78.20%/84.4%/

50、81.1%。其中英飛凌是全球最大的功 率半導(dǎo)體廠商，功率器件市場份額為 19%，MOS 產(chǎn)品市場份額約 25%，IGBT 產(chǎn)品 市場份額超 30%。功率半導(dǎo)體廠商以歐美日為主，中國廠商起步較晚，技術(shù)積累與歐 美日廠商差距較大。目前功率半導(dǎo)體廠商可以分為三個梯隊，第一梯隊是英飛凌、安 森美等歐美廠商為主，第二梯隊以三菱電機、富士電機等日本廠商為主，第三梯隊以 斯達半導(dǎo)、捷捷微電、新潔能、聞泰科技（安世半導(dǎo)體）等中國廠商為主。3.2.2、控制類芯片：汽車算力需求推升控制類芯片市場空間當(dāng)前汽車主控芯片主要是 MCU(流微控制單元 Microcontroller Unit)，負責(zé) 計算和控制。MCU

51、是把中央處理器(Central Process Unit;CPU)的頻率與規(guī)格做適 當(dāng)縮減，并將內(nèi)存(memory)、計數(shù)器(Timer)、USB、A/D 轉(zhuǎn)換、UART、PLC、 DMA 等周邊接口，甚至 LCD 驅(qū)動電路都整合在單一主板上，形成能完整處理 任務(wù)的微型計算機。MCU 主要作用于最核心的安全與駕駛方面，自動駕駛（輔 助）系統(tǒng)的控制，中控系統(tǒng)的顯示與運算、發(fā)動機、底盤和車身控制等。L3 級自動駕駛需要 30TOPS 的算力，未來車載計算芯片空間廣闊。根據(jù)國 內(nèi)自動駕駛芯片廠商地平線數(shù)據(jù)，L1/L2 級別對算力的需求不足 2TOPS（1TOPS 代表一秒鐘進行 1 萬億次計算），而

52、到了 L3 級別自動駕駛，算力需求將迅速來 到 30TOPS，為了冗余設(shè)計的考慮，我們看到當(dāng)前主流自動駕駛芯片的設(shè)計算力 多達到了大幾十 TOPS，到 L4 和 L5 級別，自動駕駛對算力的需求將來到 300 和 4000TOPS，當(dāng)然，目前滿足 L3 級別的芯片已經(jīng)陸續(xù)流片，而 L3 級別的自動駕 駛技術(shù)仍需時日，自動駕駛芯片算力再短期內(nèi)并沒有顯著再提升的需求。汽車計算、控制類芯片市場規(guī)模約為 108 億美元，SoC 將成為主要增量。 根據(jù) IHS 數(shù)據(jù)顯示，當(dāng)前 MCU 芯片市場規(guī)模約為 70 億美元，預(yù)計 2025 年將增 長至 78 億美元，受益于汽車電動化以及自動駕駛技術(shù)的發(fā)展，汽車

53、電子電氣架 構(gòu)由分布式向集中化躍進，SoC 是未來汽車計算、控制類芯片的主要增量來源， 2020 年汽車 SOC 芯片市場規(guī)模約為 37 億美元，預(yù)計到 2025 年將迅速增長至約 82 億美元，CAGR 達 14.87%。功能芯片：在 MCU 領(lǐng)域，英飛凌、瑞薩、恩智浦、ST 為頭部企業(yè)，均具 有覆蓋不同應(yīng)用和功能的完整 MCU 產(chǎn)品線，近年加快了并購步伐，市場進一步 集中，CR5 占據(jù)全球約 80%的市場份額。國內(nèi)份額與國外企業(yè)差距較大，上市 公司中穎電子、兆易創(chuàng)新、東軟載波都涉及汽車電子領(lǐng)域，但市占率極少。計算類芯片：瑞薩電子、恩智浦、德州儀器等傳統(tǒng)汽車芯片企業(yè)是當(dāng)前量產(chǎn) 環(huán)節(jié)的主導(dǎo)力量

54、，憑借深厚的汽車芯片設(shè)計經(jīng)驗，在嵌入式計算處理器領(lǐng)域與汽 車軟件、系統(tǒng)開發(fā)商深度綁定，能夠更好地協(xié)同車輛控制，把控功能安全需求。 英偉達、高通、Intel 雖為傳統(tǒng) ICT 企業(yè)，近年來在汽車主控芯片領(lǐng)域大舉布局， 現(xiàn)已躋身全球汽車半導(dǎo)體前 25，主打 ADAS、自動駕駛以及智能座艙領(lǐng)域的芯 片設(shè)計，具備傳統(tǒng)芯片企業(yè)難以比擬的算力優(yōu)勢，Intel Mobileye 的 EyeQ 系列芯 片、高通驍龍 820A 就是典型代表，而其他產(chǎn)品多處于研發(fā)應(yīng)用和預(yù)量產(chǎn)階段。3.2.3、存儲芯片：汽車數(shù)據(jù)量推動車規(guī)存儲芯片需求快速成長存儲器芯片是信息系統(tǒng)的基礎(chǔ)核心芯片，也是集成電路產(chǎn)業(yè)的核心產(chǎn)品之 一。不同

55、技術(shù)原理催生不同的產(chǎn)品，具有各自的優(yōu)缺點和適用領(lǐng)域。按存儲形式 不同，可分為：光學(xué)存儲、磁性存儲、半導(dǎo)體存儲。若按照信息保存的角度來分 類，可以分為易失性存儲芯片和非易失性存儲芯片。易失性存儲芯片在所在電路 斷電后，將無法保存數(shù)據(jù)，代表性產(chǎn)品有 DRAM 和 SRAM；非易失性存儲芯片 在所在電路斷電后，仍保有數(shù)據(jù)，代表性產(chǎn)品為 NAND Flash 和 NOR Flash。DRAM 和 Flash 是目前市場上最為重要的存儲器芯片。DRAM 具有高容量、 大帶寬、低功耗、短延時、低成本等特征，是主要用于個人電腦、服務(wù)器、手機 等設(shè)備的最為常見的系統(tǒng)內(nèi)存，也是半導(dǎo)體行業(yè)最大的單一產(chǎn)品類別，20

56、19 年 市場規(guī)模為 620 億美元，占比 56%。由于采用不同的設(shè)計結(jié)構(gòu)，SRAM 比 DRAM 的讀寫速度更快、功耗水平更低，但電路結(jié)構(gòu)的差異也造成了相同容量的 SRAM 的成本高于 DRAM，通常情況下只會使用在 CPU 的一、二級緩存等對存儲速度 要求嚴格的領(lǐng)域；Flash 主要有 NAND 和 NOR 兩種，區(qū)別在于存儲單元連接方 式不同，導(dǎo)致兩者讀取方式不同，2019 年二者市場規(guī)模分別為 460 億和 22 億美 元，占比為 42%和 2%。Flash 具有壽命長、體積小、功耗低、非易失性等特點 和優(yōu)勢，廣泛應(yīng)用于消費電子、移動通信、網(wǎng)絡(luò)通信、個人電腦、服務(wù)器等領(lǐng)域， 主要用于代

57、碼存儲和數(shù)據(jù)存儲等，是近年來發(fā)展較快的存儲器芯片產(chǎn)品。存儲芯片下游應(yīng)用廣泛。以 DRAM 和 NAND Flash 為例，DRAM 下游主要 應(yīng)用于移動式（33%）、服務(wù)器（28%）、PC（20%）等領(lǐng)域，在消費電子、 繪圖等領(lǐng)域亦有應(yīng)用，NAND 下游主要用用于手機（48%）、SSD（43%）等 領(lǐng)域，此外在游戲機、USB 存儲設(shè)備、平板電腦等領(lǐng)域也有較廣泛的應(yīng)用。存儲芯片為汽車芯片重要組成部分，車載存儲產(chǎn)品性能要求不斷提升。搜 狐汽車研究室數(shù)據(jù)顯示，2019 年模擬芯片、傳感器與執(zhí)行器和分立器件位列汽 車半導(dǎo)體價值量前三位，占汽車半導(dǎo)體市場規(guī)模比例分別為 28%、17%和 14%， 合計占

58、比近六成，存儲芯片以 8%的占比位居第七。汽車“三化”趨勢明顯，由于 車載導(dǎo)航系統(tǒng)、娛樂系統(tǒng)、行車記錄儀、ADAS 輔助駕駛以及未來的無人駕駛、 5G 通信應(yīng)用的加入，需要處理和連接越來越大數(shù)據(jù)量的汽車正逐漸成為一個移 動的服務(wù)器，以汽車駕駛輔助系統(tǒng) ADAS 為例，由于需要大容量存儲和高效運 算支撐系統(tǒng)的快速反映，特別是高清的圖像傳輸，對于存儲產(chǎn)品的容量、性能、 可靠性也提出了越來越高的需求。搜狐汽車研究室預(yù)測，2025 年存儲芯片占汽 車半導(dǎo)體的比例將提升至第五位，為 12%。汽車存儲芯片市場規(guī)模：L3 自動駕駛落地關(guān)鍵時期已來，各大龍頭車企相 繼推出重磅 L3 自動駕駛車型，相較于 L1

59、 和 L2 級車型而言，L3 及以上級自動 駕駛的高精度地圖、數(shù)據(jù)、算法都需要大容量存儲來支持，一臺 L3 級的自動駕 駛汽車將需要 16GB DRAM 和 256GB NAND，一臺 L5 級的全自動駕駛汽車估計 需要 74GB DRAM 和 1TB NAND。此外，無人駕駛汽車（感應(yīng)+認知+行動）將 配備大量的傳感系統(tǒng)，比如：GPS 接收器、激光雷達、超聲波傳感器、毫米波 雷達、高清攝像頭等，為實現(xiàn)自動駕駛汽車的互聯(lián)性，包括儀表盤系統(tǒng)、導(dǎo)航系 統(tǒng)、信息娛樂系統(tǒng)、動力傳動系統(tǒng)等，都需要存儲數(shù)據(jù)為自動駕駛汽車提供基礎(chǔ) 數(shù)據(jù)作為參數(shù)，催生對大容量存儲需求提升，為存儲器廠商提供了廣闊的市場空 間。

60、根據(jù)搜狐汽車研究室預(yù)測，受益于新能源汽車、5G 及物聯(lián)網(wǎng)、可穿戴設(shè)備 等賦能，全球汽車存儲芯片市場規(guī)模將從 2016 年的 22 億美元增至 2025 年的 83 億美元，2016-2025 年 CAGR 為 15.90%。競爭格局：存儲芯片總體呈壟斷趨勢，市場集中度較高。從競爭格局看， 三星在 DRAM 和 NAND Flash 占據(jù)絕對優(yōu)勢地位，海力士和美光市場份額亦較 高，行業(yè)整體呈壟斷趨勢，DRAM CR3 超 95%，NAND Flash CR3 為 68.8%。在 NOR Flash 領(lǐng)域，行業(yè)前三分別為旺宏、華邦和兆易創(chuàng)新，CR3 達 69.5%。3.3、 設(shè)備和材料：半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)