集成電路思考題

1、思考題1、將硅單晶棒制作成硅片包括哪些工序？切斷、滾磨、定晶向、切片、倒角、研磨、腐蝕、拋光、清洗、檢驗(yàn)。2、切片可決定晶片的哪四個參數(shù)？晶向、厚度、斜度、翹度和平行度。3、硅單晶片研磨后為何要清洗？硅片清洗的重要性：硅片表面層原子因垂直切片方向的化學(xué)鍵被破壞成為懸掛鍵，形 成表面附近的自由力場，極易吸附各種雜質(zhì)，如顆粒、有機(jī)雜質(zhì)、無機(jī)雜質(zhì)、金屬離子等， 造成磨片后的硅片易發(fā)生變花發(fā)藍(lán)發(fā)黑等現(xiàn)象，導(dǎo)致低擊穿、管道擊穿、光刻產(chǎn)生針孔， 金屬離子和原子易造成pn結(jié)軟擊穿，漏電流增加，嚴(yán)重影響器件性能與成品率4、硅片表面吸附雜質(zhì)的存在形態(tài)有哪些？對這些形態(tài)按何種順序進(jìn)行清洗？被吸附雜質(zhì)的存在狀態(tài)：分

2、子型、離子型、原子型清洗順序：去分子一去離子一夫原子一去離子水沖洗一烘干、用干5、硅片研磨及清洗后為何要進(jìn)行化學(xué)腐蝕？腐蝕方法有哪些？工序目的：去除表面因加工應(yīng)力而形成的損傷層及污染腐蝕方式：噴淋及浸泡6、CMP包括哪2個動力學(xué)過程？控制參數(shù)有哪些？包括：邊緣拋光：分散應(yīng)力，減少微裂紋，1降低位錯排與滑移線，1降低因碰撞而產(chǎn)生 碎片的機(jī)會。表面拋光：粗拋光，細(xì)拋光，精拋光7、集成電路制造過程中常用的1號、2號、3號清洗液組成是什么？各有什么用途？硅片的清洗名稱配方使用條件作用備注I號洗液NH4OH:H2O2:H20 =1:1:5-1:27805T10min去油脂去光刻膠殘膜去金屬離子去金屬原子

3、去重離子II號洗液HCI:H2O2:H2O =1:1:61:2:8805C 10min去金屬離子去金屬原子去一般金屬 離子，K.Na 等III號洗液H2SO4:H2O2 =3:112010r10si5min去油、去光刻膠、去臘去金屬離子去金屬原子8、硅氣相外延工藝采用的襯底不是準(zhǔn)確的晶向，通常偏離（100）或（111）等晶向一個小角度，為什么？為了得到原子層臺階和結(jié)點(diǎn)位置，以利于表面外延生長。9、外延層雜質(zhì)的分布主要受哪幾種因素影響？外延溫度，襯底雜質(zhì)及其濃度，外延方法，外延設(shè)備等因素影響。10、異質(zhì)外延對襯底和外延層有什么要求？襯底與外延層不發(fā)生化學(xué)反應(yīng)，不發(fā)生大量的溶解現(xiàn)象；襯底與外延層熱

4、力學(xué)參數(shù)相匹配，即然膨脹系數(shù)接近。以避免外延層由生長溫度冷卻 至室溫時，產(chǎn)生殘余熱應(yīng)力，界面位錯，甚至外延層破裂。襯底與外延層晶格參數(shù)相匹配，即晶體結(jié)構(gòu)，晶格常數(shù)接近，以避免晶格參數(shù)不匹配 引起的外延層與襯底接觸的界面晶格缺陷多和應(yīng)力大的現(xiàn)象。11、比較分子束外延（MBE）生長硅與氣相外延（VPE）生長硅的優(yōu)缺點(diǎn)MBE點(diǎn)：超高真空度達(dá)10-910-11Torr，外延過程污染少，外延層潔凈。溫度低，（100）Si最低外延溫度470K，所以無雜質(zhì)的再分布現(xiàn)象。外延分子由噴射爐噴出， 速率可調(diào)，易于控制，可瞬間開/停，能生長極薄外延層，厚度可薄至A量級。設(shè)備上有多 個噴射口，可生長多層、雜質(zhì)分布復(fù)雜

5、的外延層，最多層數(shù)可達(dá)104層。在整個外延過程 中全程監(jiān)控，外延層質(zhì)量高。一一 點(diǎn)：設(shè)備復(fù)雜、價格昂貴。VPE 點(diǎn)：外延生長溫度高，生長時間長，可以制造較厚的外延層。在外延過程 中可以任意改變雜質(zhì)的濃度和導(dǎo)電類型。一 點(diǎn)：操作過程繁冗，在摻雜劑氣體中較難 控制通入雜質(zhì)氣體劑量的精確度。12、SiO2按結(jié)構(gòu)特點(diǎn)分為哪些類型？熱氧化生長的SiO2屬那一類？結(jié)晶形和非結(jié)晶形，是非結(jié)晶形13、在SiO2中何謂橋鍵氧？何謂非橋鍵氧？，對SiO2密度有何影響？連接兩個SiO四面體的氧原子稱橋聯(lián)氧原子，只與一個四面體連接的氧原子稱非橋 聯(lián)氧原子。橋聯(lián)的氧原子數(shù)目越多，網(wǎng)絡(luò)結(jié)合越緊密，反之則越疏松14、二氧化

6、硅層的主要作用有哪些？1）作為掩膜。2）作為芯片的鈍化和保護(hù)膜。3）作為電隔離膜。4）作為元器件的組成部分。15、二氧化硅網(wǎng)絡(luò)中按雜質(zhì)在網(wǎng)絡(luò)中所處位置不同可分為哪幾類？替位式雜質(zhì)和間隙式雜質(zhì)16、熱氧化方法有哪幾種？各有何優(yōu)缺點(diǎn)？有干氧氧化、濕氧氧化、水汽氧化干氧氧化：（優(yōu)）結(jié)構(gòu)致密，表面平整光亮：對雜質(zhì)掩蔽能力強(qiáng)：鈍化效果好：生長均 勻性、重復(fù)性好：表面對光刻膠的粘附好，（缺）生長速率非常慢。濕氧氧化：（優(yōu)）生長諫率介于干O2與水汽氧化之間：可由水溫、爐溫調(diào)節(jié)生長諫率， 工藝靈活性大；對雜質(zhì)的掩蔽能力、鈍化效果能滿足工藝要求，（缺）表面存在羥基使其對 光刻膠的粘附不好。17、影響氧化速率的因

7、素有哪些？溫度、氣體分壓、硅晶向、摻雜18、影響SiO2熱氧化層電性的電荷來源主要有哪些種類？這些電荷對器件有何危害？降低 這些電荷濃度的措施有哪些？1）可動離子電荷（Qm）：加強(qiáng)工藝衛(wèi)生方可以避免Na+沾污：也可采用摻氯氧化，固 定Na+離子：高純試劑2）固定離子電荷Qf ： （1）采用干氧氧化方法（2）氧化后，高溫惰性氣體中退火3）界面陷阱電荷Qit：在金屬化后退火（PMA）：低溫、惰性氣體退火可降低4）氧化層陷阱電荷Qot：選擇適當(dāng)?shù)难趸に嚄l件；在惰性氣體中進(jìn)行低溫退火；采 用對輻照不靈敏的鈍化層可降低19、為何熱氧化時要控制鈉離子的含量？降低鈉離子污染的措施有哪些？因?yàn)檠趸瘜又腥绾?/p>

8、高濃度的鈉，則線性和拋物型氧化諫率常數(shù)明顯變大。措施有：加強(qiáng)工藝衛(wèi)生方可以避免Na+沾污；也可采用摻氯氧化，固定Na+離子；高 純試劑。20、摻氯氧化工藝對提高氧化膜質(zhì)量有哪些作用？6.摻氯氧化為何對提高氧化層質(zhì)量有作用？HUI的軻化過程，實(shí)質(zhì)上就是在熱生長S】。上膜的同時.在引6中揍入一定數(shù)量的氯離 子的過程，所摻入的氛離于主要分布在SiOz界面附近皿&左右處。氯在氧化膜中的行 為是比較復(fù)雜的，從實(shí)驗(yàn)觀察分析認(rèn)為有以下幾種情況：口）氯是負(fù)離子，在氧化膜中集中 曬然造成負(fù)電倚中心，它與正電荷的高子起中和作擔(dān)；它能在氧化膜中形成某些陷防態(tài) 來停獲可幼離子；（3）堿金屬離子和亟金.屬離于能與氯形成

9、蒸氣壓高的賓化物而被除去；（4） 在氧化膜中填補(bǔ)氧空位，與硅形成Sici罐或Si-o-a復(fù)合休，因此降低了固定正電荷密度 和界商態(tài)密度（可使固定止電倚密度降低約一個數(shù)坦級摻氯氧化同時減少固定電荷等氧化 膜缺陷，提高氧化膜平均擊穿電壓1曾加軾化速率，提用硅中少數(shù)載挽于壽命等。21、由熱氧化機(jī)理解釋干、濕氧氧化速率相差很大這一現(xiàn)象的原因？4.由熱氧化機(jī)理解釋干、濕氧速率相差很大這現(xiàn)象由二氧化硅基本結(jié)構(gòu)單元可知，位于四面體中心的si原子與四個頂伯上的氧原于以共 價鍵方式結(jié)合在一起，。原子運(yùn)動要打斷四個Sio鍵，而橋聯(lián)O原子的運(yùn)孕只需打斷二個 Si-O 非橋聯(lián)氧原子只需打斷一個Si-Oo因此，在叩必網(wǎng)

10、絡(luò)結(jié)構(gòu)中，Q原子比Si原 于更容易運(yùn)幼*軾原子離開其四面體位也蹤卻5,生成氧奕位U在熱氧化過程中敏離子或 水分子皈駕在已生長的序6中擴(kuò)散進(jìn)入序。必 界面，與甌原子反盧生成新的sg網(wǎng)絡(luò)結(jié) 構(gòu),SiOi膜不斷增厚.與此相反，璉體內(nèi)的序帔子則不容易掙脫&共價察如少呻，也不 容易在巳生長的Si。-岬斜|移劫。所以，在熱弱化的過程中，氧:化反應(yīng)將在SSO3-Si界面處 姓行，而不發(fā)生在Sig層的外表層，這一特性決定了熱氧化的機(jī)埋。為了解賽線性速率常數(shù)與硅表而晶向的關(guān)系，有人提出了一個模型。根據(jù)這個模型，在 二氧化硅中的水分子和Si-SiO3界而的Si-Si罐之何能直接發(fā)生反應(yīng)耳在這個界面上的所有的 硅原

11、子，一部分和上,而的單原子橋聯(lián)，一部分和下面的序原子橋聯(lián)，這樣軾化速率與晶向 的關(guān)系就變成了氧化速率與氧化激活能和反應(yīng)格點(diǎn)的濃度的關(guān)系了。在SiOi-Si界面上,任 何一個時刻并不是處于不同位置的所有硅原子對氧化反應(yīng)來激都是等效的，也就是晚不是所 有硅原子與水分子都能發(fā)生反應(yīng)生成Si0i.實(shí)驗(yàn)發(fā)現(xiàn)，在干氧氧化的氣筑中只要存在極小量的水汽，就會對氧化速率產(chǎn)生重要影 響。對于硅的1曲）晶面，在X0UQ的溫度下進(jìn)行干氧氧化時，土氧化劑氣氛中的水汽含量小 于1 ppm時氧化7。0分鐘，軾化層厚度為300Ai在同樣條件下，水汽含量為25ppm時， 氧化層厚度為370 A.在上述實(shí)驗(yàn)中，為了準(zhǔn)確控制水汽含

12、量氧氣源是液態(tài)的；為了防止 用溫下水汽通過石英管壁進(jìn)入軾化爐內(nèi)，氧化五英管是雙層的，井在兩層中間通有高純氯或 靛.這樣可以把通過外層石英管姓入到央層中的水汽及時排除。22、薄層工藝（10nm以下氧化層）過程中應(yīng)注意哪些要求？現(xiàn)采用的工藝有哪些?5一薄層氧化過程需注意哪些要求？現(xiàn)采用的工藝有哪些？在ULSI中，MOS薄根氧化層 IOOA）制備應(yīng)滿足以下關(guān)罐條件：低缺陷密度一以降低在低電扇下的突然性失效次數(shù)I（2）好的抗雜質(zhì)擴(kuò)散的勢壘持性劇p多晶硅知的p-MOSFET 別重要； a J bi |18 ai J a! ii a k h i i J fc m i * J i i n 廣 i r ihi

13、 -個關(guān)耗:回的反應(yīng)毫、沿氣流方向反應(yīng)劑3 w 消耗；.濃度降低”因此）.膜防.知;鷲:： 氣體反應(yīng)劑被消耗而出:現(xiàn)的反應(yīng)劑濃度改斐季在水平方向上逐漸提高溫度來加快反應(yīng)速度，從 而提高淀積速率,卜償氣缺效應(yīng)的影響，減小各 處淀積厚度差別口I季采用分布式的氣體入口，就是反應(yīng)劑氣體通過一 系列氣體口注入列反應(yīng)室中。需要特殊設(shè)計的淀 積室來限制注入氣體所產(chǎn)生的氣流交叉效應(yīng)口44、增什么穆陟宰刻系統(tǒng)的主要指標(biāo)有櫻些？光刻（photolithography）就是將掩模版（光刻版）上的幾何圖形轉(zhuǎn)移到覆蓋在半導(dǎo)體襯 底表面的對光輻照敏感薄膜材料（光刻膠）上去的工藝過程。光刻系統(tǒng)的主要指標(biāo)包括分辨率、焦深、對

14、比度、特征線寬控制、對準(zhǔn)和套刻精度、 產(chǎn)率以及價格。45、IC制造中對光刻技術(shù)的基本要求有哪些？高分辨率：線寬為光刻水平的標(biāo)志，代表IC的工藝水平。高靈敏度（感光諫度）的光刻膠：減少曝光所需時間提高生產(chǎn)率。低缺陷：提高成品率。精密的套刻對準(zhǔn)：套刻 誤差一般為線寬的10%。對大尺寸硅片的加工：提高經(jīng)濟(jì)效益和硅片利用率46、光刻工藝包括哪些工序？底膜處理、涂膠、前烘、曝光、顯影、堅膜、刻蝕、去膠、檢驗(yàn)47、什么是分辨率、對比度、光敏度？分辨率：是指一個光學(xué)系統(tǒng)精確區(qū)分目標(biāo)的能力對比度：是評價成像圖形質(zhì)量的重要指標(biāo)光敏度：指單位面積上入射的使光刻膠全部發(fā)生反應(yīng)的最小光能量或最小荷量。48、影響顯影的

15、主要因素有哪些？曝光時間、前烘的溫度和時間、光刻膠的膜厚、顯影液的濃度、顯影液的溫度、顯影 液的攪動情況49、在光刻技術(shù)中為何顯影后必須進(jìn)行檢查？檢查的內(nèi)容有哪些？區(qū)分哪些有很低可能性通過最終掩膜檢驗(yàn)的襯底，提供工藝性能和工藝控制數(shù)據(jù)，以 及分揀出需要重做的襯底檢查內(nèi)容：掩膜版詵用是否正確、光刻膠層得質(zhì)量是否滿足要求、圖形的質(zhì)量、套刻 精度是否滿足要求50、什么是正光刻膠？什么是負(fù)光刻膠？其組成是什么？光刻膠的作用是什么？正光刻膠：膠的曝光區(qū)在顯影中除去，當(dāng)前常用正膠為DQN，組成為光敏劑重氮醌 （DQ），堿溶性的酚醛樹脂（N），和溶劑二甲苯等。負(fù)光刻膠：膠的曝光區(qū)在顯影中保留,未曝光區(qū)在顯影

16、中除去,負(fù)膠多由長鏈高分子 有機(jī)物組成51、常見的曝光光源有哪些？紫外光源、深紫外光源。52、常見的光刻對準(zhǔn)曝光設(shè)備有哪些？接觸式光刻機(jī)：接近式光刻機(jī)：掃描投影光刻機(jī)：分步重復(fù)投影光刻機(jī)：步進(jìn)掃描光 刻機(jī)。53、光刻工藝條件包括哪些方面？光刻膠種類、光刻膠厚度、曝光參數(shù)以及光學(xué)路徑上的設(shè)定。54、什么是駐波效應(yīng)？如何減少駐波效應(yīng)？駐波效應(yīng)是當(dāng)用單角光進(jìn)行曝光時.入射光會在光刻膠與襯底的界面上反射,由于入 射光與反射光是相干光，在界面處又存在180度的相移，在光刻膠內(nèi)形成駐波。55、影響線寬控制的因素有哪些？膠自身的性質(zhì)，光刻工藝（曝光源、時間，膠膜厚度，顯影條件，硅片平整度）56、什么是濕法刻

17、蝕？什么是干法刻蝕？各有何優(yōu)缺點(diǎn)？濕法刻蝕：晶片放在腐蝕液中，通過化學(xué)反應(yīng)去除窗口薄膜，得到晶片表面的薄膜圖 形。優(yōu)缺點(diǎn)：濕法腐蝕工藝簡單，無需復(fù)雜設(shè)備。保真度差，腐蝕為各向同性，人=0，圖形 分辨率低。選擇比高、均勻性好、清潔性較差干法刻蝕：刻蝕氣體在反應(yīng)器中等離子化，與被刻蝕材料反應(yīng)（或?yàn)R射），生成物是 氣態(tài)物質(zhì)，從反應(yīng)器中被抽出。優(yōu)缺點(diǎn)：保真度好，圖形分辨率高：濕法腐蝕難的薄膜如 氮化硅等可以進(jìn)行干法刻蝕、清潔性好，氣態(tài)生成物被抽出；無濕法腐蝕的大量酸堿廢液 設(shè)備復(fù)雜；選擇比不如濕法57、常見的干法刻蝕方法有哪些？各有何優(yōu)缺點(diǎn)？物理性刻蝕化學(xué)性刻蝕（又稱等離子體刻蝕）物理化學(xué)性刻蝕（又稱

18、反應(yīng)離子刻蝕RIE）答：干法刻蝕又會為三種：物理性刻蝕、化學(xué)性刻蝕、物埋化學(xué)性刻蝕U物理性刻蝕是 利用輝光放電將氣體（如Ar氣）電離成帶正電的離于，再利用偏壓將離子加速，舐?lián)粼诎?刻蝕物的表而而將被刻蝕物的原子擊出漉射，該過程完全是物理上的能量轉(zhuǎn)形，故稱物 理性刻蝕耳化學(xué)性刻蝕，或稱等離子體刻蝕（p】踮血ctehing）,是利用等離子體將刻蝕氣體電離并 形成站電高子、分子及反同活性很轍的原于團(tuán).它們擴(kuò)散到被刻蝕薄膜表面后與被刻蝕薄膜 的表面原子反應(yīng)生成具有揮發(fā)性的反應(yīng)產(chǎn)物并被其空設(shè)備抽離反應(yīng)瞠。因這種反應(yīng)完全利 用化學(xué)反成，故稱為化學(xué)性刻蝕。最為廣泛使用的方法是結(jié)合物理性的離子轟擊與化學(xué)反應(yīng)的

19、刻蝕又禰為反南離子刻蝕 Creactive iun etching, RIEL這種方式兼具非等向性與高刻帔選擇比的雙重優(yōu)點(diǎn)口刻蝕的進(jìn) 行主要靠化學(xué)反放來實(shí)現(xiàn)，加入離子轟方的作用有W破壞被刻蝕材質(zhì)表面的化學(xué)鍵以提 高反應(yīng)速率；將二次沉積在被刻蝕薄膜表血的產(chǎn)物或聚合物打掉，以使破刻蝕表而能充分 與刻悅氣體接觸耳由于在表而的.：次沉枳物可被離子打掉，而在側(cè)壁I：的：祝沉積物未受到 高于的轟擊，可以保留下來阻隔刻蝕表而與反應(yīng)氣體的接觸使得側(cè)壁不受刻蝕所以采用 這神方式可以獲得各向異性的刻蝕58、光刻技術(shù)中的常見問題有那些？半導(dǎo)體器件和集成電路的制造對光刻質(zhì)量有如下要求：一是刻蝕的圖形完整，尺寸準(zhǔn) 確，

20、邊緣整弁陡直；二是圖形內(nèi)沒有針孔；三是圖形外沒有殘留的被腐飩物質(zhì)。同時要求 圖形套刻準(zhǔn)確，無污染等等。但在光刻過程中，常出現(xiàn)浮膠、毛刺、鉆蝕、針孔和小島等 缺陷。59、光刻工藝對掩模版有那些質(zhì)量要求？構(gòu)成圖形陣列的每一個微小圖形要有高的圖像質(zhì)量，即圖形尺寸要準(zhǔn)確，盡可能接 近設(shè)計尺寸的要求，且圖形不發(fā)生畸變。圖形邊緣清晰、銳利，無毛刺，過渡區(qū)要小，即充分光密度區(qū)（黑區(qū)）應(yīng)盡可能陡 直地過渡到充分透明區(qū)（白區(qū)）。整套掩模中的各塊掩模能很好地套準(zhǔn)，對準(zhǔn)誤差要盡量地小。圖形與襯底要有足夠的反差（光密度差），一般要求達(dá)25以上，同時透明區(qū)應(yīng)無灰 霧。掩模應(yīng)盡可能做到無“針孔”、“小島”和劃痕等缺陷。版

21、面平整、光潔、結(jié)實(shí)耐用。版子要堅固耐磨，不易變形。圖形應(yīng)不易損壞。60、簡述集成電路的常規(guī)掩模版制備的工藝流程。ffl at nn i ik皿，a ro 心ix 旅i rax-i wi。6一筒述集成電路的常規(guī)掩模版制備的. I ：藝流程言答：硅平面晶體管或集成電路掩模版的制作.一般地講，要經(jīng)過原圖繪制（包括繪總圖和刻 分圖）、初縮、精編兼分步重復(fù)、復(fù)印阻版和夏印陽版等幾步。掩模版倒造人昆根據(jù)圖形產(chǎn) 生的磁帶數(shù)據(jù),再加上不同的應(yīng)用需求及地格，會選用不同的制作流程。版圖繪制：在版圖設(shè)計完成后，一般特其放大007000倍（通常為500倍），在坐標(biāo) 俄上面出版圖總閣?？谭謱訄D，生產(chǎn)過程中需要幾次光刻版

22、，總圖上就含有幾個層次的圖形-為了分層制 出各次光刻版，首先分別在表血貼有紅色膜的透明聚酣塑料膠片（稱為紅膜）的紅色薄膜層 匕刻出各個層次的圖形，揭掉不要的部分，形成紅膜表示的各層次圖形言這一步又稱為到紅膜。初箱：對紅膜圖形進(jìn)行第一次縮小，得到大小為最后圖形十僭的各層初編版。其過程 與照相完A樣。精箱兼分布重如：T大國片硅片上包含有成百上干的管芯，所用的光刻版上當(dāng)然就 成重復(fù)排列有成百上干個相同的圖形=因此木步任務(wù)有兩個：首先將初縮版的圖形進(jìn)一步蜩 小為最后的實(shí)際大小，并同時進(jìn)行分布重復(fù)得到可用于光刻的止式掩模版。直接由精縮和 分步重復(fù)得到的叫做母版。復(fù)印：在集成電路生產(chǎn)的光刻過程中，掩模版會

23、受磨損產(chǎn)生傷痕*使用一定次數(shù)后就 要換用新掩模版。因此同一掩?！浚鹤靼娴男枰獢?shù)量是很大的，若每次I.作版都采用精婿得到 的母版是很不經(jīng)濟(jì)的因此在得到母版后要采用復(fù)印技術(shù)復(fù)制多塊工作掩模版供光刻用。61、光學(xué)分辨率增強(qiáng)技術(shù)主要包括那些？移相掩模技術(shù)、離軸照明技術(shù)、光學(xué)鄰近效應(yīng)校正技術(shù)、光瞳濾波技術(shù)等。62、簡述表征光刻膠特性、性能和質(zhì)量的參數(shù)。響應(yīng)波長：靈敏度，又稱光敏度，指最小曝光劑量E0 :抗蝕性，指耐酸、堿能力； 粘滯性，指流動特性的定量指標(biāo)；粘附性，指與硅、二氧化硅表面結(jié)合力的大??；光刻 膠的膨脹：微粒數(shù)量和金屬含量：儲存壽命63、理想的刻蝕工藝應(yīng)具有哪些特點(diǎn)？各向異性刻蝕，即只有垂直刻蝕，沒有橫向鉆蝕。良好的刻蝕選擇性，即對作為掩模的抗蝕劑和處于其下的另一層薄膜或材料的刻蝕 諫率都比被刻蝕薄膜的刻蝕諫率小得多，以保證刻蝕過程中抗蝕劑掩蔽的有效性，不致發(fā) 生因?yàn)檫^刻蝕而損壞薄膜下面的其他材料；加工批量大，控制容易，成本低，對環(huán)境污染小，適用于工業(yè)生產(chǎn)。64、影響刻蝕工藝的因素有那些？影響刻蝕工藝的因素分為外部因素和內(nèi)部因素。外部因素主要包括設(shè)備硬件的配置以及環(huán)境的溫度、濕度影響，對于操作人員來說， 外部因素只能記錄，很難改變，要做好的就是優(yōu)化工藝參數(shù)，實(shí)現(xiàn)比較理想的實(shí)驗(yàn)結(jié)果。內(nèi)部因素就是在設(shè)備穩(wěn)定的情況下對工