BJ2939分立器件綜合參數(shù)測試儀

1、BJ2939分立器件綜合參數(shù)測試儀使用說明書 北京無線電儀器廠PAGE PAGE 42BJ2939 分立器件綜合參數(shù)測試儀使用說明書北京無線電儀器 錄第一章 概述 11.1 BJ2939分立器件綜合參數(shù)測試儀簡介 11.2系統(tǒng)具有的主要技術(shù)特征 11.3系統(tǒng)結(jié)構(gòu)框圖 2第二章 測試儀主要技術(shù)指標 32.1各個源及表的技術(shù)指標 32.2可測試器件種類 52.3測試參數(shù)匯總 62.4基本配置 62.5選用配置 7第三章 測試儀控制面板介紹 83.1鍵盤 83.2指示燈103.3測試鍵103.4蜂鳴器103.5復(fù)位鍵103.6串口接口113.7電源插口113.8電源開關(guān)1

2、13.9測試插座與測試盒11第四章 測試儀測試界面說明 134.1開機界面 134.2測試界面 134.2.1測試界面操作說明 134.2.2“選擇器件”按鈕操作說明 154.2.3“保存器件”按鈕操作說明 154.2.4“選擇測試結(jié)果”按鈕操作說明 164.2.5“保存測試結(jié)果”按鈕操作說明 16第五章 器件測試操作方法及注意事項175.1 晶體管（Transistor） 175.1.1晶體管測試界面 175.1.2晶體管測試參數(shù)及測試條件 175.1.3晶體管測試參數(shù)定義 195.1.4晶體管參數(shù)測試 195.2二極管（Diode） 225.2.1二極管測試界面 225.2.2二極管測試參

3、數(shù)及測試條件 225.2.3二極管測試參數(shù)定 235.2.4二極管參數(shù)測試 235.3穩(wěn)壓二極管（Zener Diode） 245.3.1穩(wěn)壓二極管測試界面 245.3.2穩(wěn)壓二極管測試參數(shù)及測試條件 245.3.3穩(wěn)壓二極管測試參數(shù)定義 255.3.4穩(wěn)壓二極管參數(shù)測試 255.4結(jié)型場效應(yīng)管（JFet）265.4.1結(jié)型場效應(yīng)管測試界面 265.4.2結(jié)型場效應(yīng)管測試參數(shù)及測試條件 265.4.3結(jié)型場效應(yīng)管測試參數(shù)定義及測試條件說明 285.4.4結(jié)型場效應(yīng)管參數(shù)測試 285.5 MOS場效應(yīng)管（MOSFet） 295.5.1 MOS場效應(yīng)管測試界面 295.5.2 MOS場效應(yīng)管測試參

4、數(shù)及測試條件 295.5.3 MOS場效應(yīng)管測試參數(shù)定義及測試條件說明 305.5.4 MOS場效應(yīng)管參數(shù)測試 315.6可控硅（晶閘管）（Thyristor） 325.6.1可控硅測試界面 325.6.2可控硅測試參數(shù)及測試條件 325.6.3可控硅測試參數(shù)定義及測試條件說明 335.6.4可控硅參數(shù)測試 335.7光電耦合器（OptoCoupler） 355.7.1光電耦合器測試界面 355.7.2光電耦合器測試參數(shù)及測試條件 355.7.3光電耦合器測試參數(shù)定義及測試條件說明 365.7.4光電耦合器參數(shù)測試 37第六章 存儲器管理 39技術(shù)服務(wù) 41第一章 概 述1.1 BJ2939分

5、立器件綜合參數(shù)測試儀簡介:BJ2939是我公司推出的一種高端半導(dǎo)體分立器件測試系統(tǒng)。該系統(tǒng)充分吸收國外先進測試系統(tǒng)的特點，采用了先進的嵌入式計算機技術(shù)和優(yōu)化結(jié)構(gòu)技術(shù)、12位并行A/D和D/A技術(shù)、多級開爾文反饋技術(shù)、小信號精密測試技術(shù)以及陣列開關(guān)結(jié)構(gòu)技術(shù)。在系統(tǒng)設(shè)計、選材、工藝、制作、調(diào)試、校驗等諸多方面與國內(nèi)現(xiàn)有同類系統(tǒng)相比均有較大突破，從而大大提高了系統(tǒng)的技術(shù)性能和可靠性，保證了該系統(tǒng)各項技術(shù)性能指標處于國際先進、國內(nèi)領(lǐng)先的地位。其特點是：側(cè)重于中小功率器件、測試品種覆蓋面廣、測試精度高、電參數(shù)測試全、速度快、有良好的重復(fù)性和一致性、工作穩(wěn)定可靠，具有保護系統(tǒng)和被測器件的能力。系統(tǒng)軟件功能

6、全、使用靈活方便、操作簡單。系統(tǒng)軟件穩(wěn)定可靠、硬件故障率低，在實際測試應(yīng)用中各項技術(shù)指標均可達到器件手冊技術(shù)指標及國標要求。系統(tǒng)采用方便易學(xué)的窗口菜單界面，在液晶窗口中，按照相應(yīng)的要求輸入被測器件的測試條件，測試人員即可輕松快捷地控制系統(tǒng)，完成器件測試。操作人員不需具備專業(yè)計算機編程語言知識，使用簡捷方便。系統(tǒng)和測試夾具均采用多級開爾文結(jié)構(gòu)，自動補償系統(tǒng)內(nèi)部產(chǎn)生的任何壓降，保證各種情況下測試結(jié)果的精度和準確性。1.2 系統(tǒng)具有的主要技術(shù)特征：采用脈沖法測試參數(shù)、脈寬可為300S，符合國軍標的規(guī)定采用嵌入式計算機控制，實現(xiàn)脫機運行；12位并行D/A、A/D設(shè)計，測試速度快、精度高；采用多級開爾文

7、技術(shù)，系統(tǒng)穩(wěn)定性高，測試結(jié)果準確；采用三級保護技術(shù)，系統(tǒng)可靠，對被測器件無損傷；晶體三極管自動NPN和PNP 判別能力，防止選錯類型；二極管極性自動判別選擇，用戶測試二極管不必注意極性；完整的自檢/自校準能力；測試系統(tǒng)需要的其它多種數(shù)據(jù)后處理能力；1.3 系統(tǒng)結(jié)構(gòu)框圖：圖1.1 系統(tǒng)結(jié)構(gòu)框圖第二章 測試儀主要技術(shù)指標2.1 各個源及表的技術(shù)指標2.1.1 高壓電源電壓量程電流范圍分辨率(Dgt)電壓加壓精度20V1199V010mA0.293V1SetDgt2.1.2 主極電壓源2.1.2.1加壓檔位電壓量程電流范圍分辨率(Dgt)加壓精度1(0-4.99V)10A2.44mV1%SetDgt

8、2(5-9.99V)10A4.88mV1%SetDgt3(10-19.9V)10A9.76mV1%SetDgt2.1.2.2測流檔位測流量程測流電壓范圍分辨率(Dgt)測流精度1(1-10uA)5V9.76nA1%Rdg2Dgt2(10uA-100uA)5V97.6nA1%RdgDgt3(100uA-1mA)5V976nA1%RdgDgt4(1mA-10mA)5V9.76uA1%RdgDgt5(10mA-100mA)5V97.6uA1%RdgDgt6(100mA-1A)5V976uA1%RdgDgt7(1A-10A)5V9.76mA1%RdgDgt2.1.3 主極電流源檔位加流量程電壓范圍分辨

9、率(Dgt)測流精度1(1-10uA)20V4.88nA2%SetDgt2(10uA -100uA)20V48.8nA1%SetDgt3(100uA-1mA)20V0.488uA1%SetDgt4(1mA-10mA)20V4.88uA1%SetDgt5(10mA-100mA)20V48.8uA1%SetDgt6(100mA-1A)20V0.488mA1%SetDgt7(1A-10A)20V4.88mA2%SetDgt2.1.4 控制極電壓源檔位電壓量程電流范圍分辨率(Dgt)加壓精度1(0-4.99V)1A2.44mV1%SetDgt2(5-9.99V)1A4.88mV1%SetDgt3(10

10、-19.9V)1A9.76mV1%SetDgt2.1.5 控制極電流源檔位加流量程電壓范圍分辨率(Dgt)測流精度1(1uA-10uA)20V4.88nA2%SetDgt2(10uA -100uA)20V48.8nA1%SetDgt3(100uA-1mA)20V0.488uA1%SetDgt4(1mA-10mA)20V4.88uA1%SetDgt5(10mA-100mA)20V48.8uA1%SetDgt6(100mA-1A)20V0.488mA1%SetDgt2.1.6 微電流電流表檔位測流量程電壓范圍分辨率(Dgt)測流精度11nA-100nA10V48.8pA1%Rdg1nA2100nA

11、-1uA10V0.488nA1%Rdg4Dgt31uA-100uA10V48.8nA1%RdgDgt4100uA-10mA10V4.88uA1%RdgDgt2.1.7 電壓表一電壓量程分辨率(Dgt)讀取電壓精度10V4.88mV1%RdgDgt2.1.8 電壓表二電壓量程分辨率(Dgt)讀取電壓精度10V4.88mV1%RdgDgt注：Rdg 指實際真實值；Set 指實際設(shè)置值；Dgt 指分辨率（精度后面的數(shù)）；在后面器件指標當(dāng)中包含有上述符號的意義與上面表述相同，不再陳述；2.2 可測試器件種類BJ2939系統(tǒng)測試功能強大，可測試七類中、小功率的半導(dǎo)體分立器件：1 二極管Diode2 穩(wěn)壓

12、（齊納）二極管Zener3 晶體管Transistor（NPN型/PNP型）4 可控硅整流器（普通晶閘管）SCR5 MOS場效應(yīng)管Power MOSFET（N-溝/P-溝）6 結(jié)型場效應(yīng)管J-FET （N-溝/P-溝，耗盡型/增強型）7 光電耦合器OPTO-COUPLER上述所列類別包括各中、小功率半導(dǎo)體分立器件及其組成的陣列、組合、表貼器件。測試方法符合國家行業(yè)總規(guī)范、相應(yīng)的國家標準、國家軍用器件測試標準。2.3測試參數(shù)匯總：2.3.1 晶體管參數(shù)： ICEO 、ICES 、ICBO 、IEBO 、VCE(sat）、VBE(sat) 、VBE(VBE(on)、hFE 、V(BR)EBO 、V

13、(BR)CEO 、V(BR)CBO；2.3.2 二極管參數(shù)： VF 、IR 、V(BR) ；2.3.3 穩(wěn)壓二極管參數(shù)： VF 、IR 、VZ ；2.3.4結(jié)型場效應(yīng)管參數(shù):VGS(off) 、 gfs 、Yfs 、RDS(on) 、VDS(on) 、IGSS 、IDSS 、V(BR)GSS 、V(BR)GDO；2.3.5 MOS場效應(yīng)管參數(shù):IDSS 、IGSSF 、IGSSR 、V(BR)DSS 、V(BR)GSS 、VGS(th) 、RDS(on) 、VDS(on) 、ID(on) 、gfs；2.3.6 可控硅參數(shù): IGT 、VGT 、IH 、IL 、VTM；2.3.7 光電耦合器參數(shù)

14、: VF 、IR 、VCE(sat) 、CTR 、hFE 、V(BR)ECO 、V(BR)EBO 、ICEO 、ICBO 、V(BR)CEO、V(BR)CBO；2.4基本配置BJ2939分立器件綜合參數(shù)測試儀 1臺常用測試夾具 5個測試夾線 1套2.5選用配置主控PC機(可選) 1臺其它測試夾具（可選）第三章 測試儀控制面板介紹3.1 鍵盤3.1.1 鍵盤如圖3.1所示：圖3.1 測試儀鍵盤（1） 按鍵數(shù)量為20個；（2） 按鍵類型：數(shù)字與字符共用按鍵： 9個；數(shù)字“0”與字符“-”共用按鍵：1個；方向鍵： 4個；上下翻頁鍵： 2個；清除與返回鍵：1個；確認鍵：1個；“TAB”鍵：1個；小數(shù)點

15、鍵：1個；3.1.2 鍵盤使用說明：（1） 數(shù)字按鍵：數(shù)字按鍵共有10個，分別為數(shù)字09，向編輯框中輸入數(shù)字（編輯框處于編輯狀態(tài)時，這些按鍵有效）；（2） 字母按鍵：字母按鍵與數(shù)字按鍵的19共用，只有向器件類型名稱編輯框內(nèi)輸入器件型號時這些字母按鍵才有效，使用方法舉例：當(dāng)器件名稱編輯框處于編輯狀態(tài)時，按下數(shù)字1按鍵，此時輸入字符1，當(dāng)再次按下數(shù)字1按鍵時，輸入字符A，依次分別為字符B、C，四個字符循環(huán)輸入；當(dāng)某一位置的字符輸入完成后，用左右方向鍵移動到其它位置，再輸入字符，直到輸入完成后，按“Enter”按鍵則器件型號輸入完成；（3） .按鍵：此按鍵與符號共用，用來向數(shù)據(jù)編輯框中輸入小數(shù)點符號

16、或者向器件型號編輯框內(nèi)輸入符號（編輯框處于編輯狀態(tài)時，此按鍵有效）；（4） 方向按鍵：方向鍵用來控制界面上的編輯框、選擇框及按鈕之間的移動（編輯框處于編輯狀態(tài)時，這些方向鍵無效），當(dāng)向器件型號編輯框內(nèi)輸入型號時，左右方向鍵用來移動輸入字符的位置；（5） 翻頁按鍵：右側(cè)上方兩個按鍵“Page Up”和“Page Down”用來控制界面的上下翻頁；（在編輯框處于編輯狀態(tài)時，這兩個按鍵無效；有的界面沒有上下翻頁時，這兩個按鍵也無效）；（6） “TAB”按鍵：此按鍵與方向按鍵類似，不同的是這個按鍵只向前移動（編輯框處于編輯狀態(tài)時，此按鍵無效）；（7） “Return CLR”按鍵：這個按鍵有兩個作用；

17、一是在向編輯框內(nèi)輸入字符或者數(shù)字時，此按鍵用來清除輸入的字符或者數(shù)字（編輯框處于編輯狀態(tài)）；另一個是當(dāng)處于某一個界面時，按下此鍵可向上返回，直到返回開機主界面（編輯框處于非編輯狀態(tài)）；（8） “Enter”按鍵：此按鍵是確定鍵，功能比較多，分別用于對編輯框、選擇框及按鈕的確定操作；一是當(dāng)要向編輯框中輸入字符時請先按下此鍵，使編輯框處于可編輯狀態(tài)，當(dāng)編輯完成后再一次按下此鍵，表明字符或者數(shù)據(jù)輸入完成；二是用來選擇相應(yīng)的選擇框，例如測試選擇框當(dāng)按下此鍵時，選擇框內(nèi)會顯示一個“”，表明處于選擇狀態(tài)，再按一次則“”消失，表明沒有選擇；三是用來對單位按鍵進行單位變化，例如當(dāng)光標正移動到一個單位按鈕時，按

18、下此鍵，則單位會發(fā)生變化；3.2 指示燈本機在前面板上共有四個指示燈：1：通過指示燈，綠色，當(dāng)測試完結(jié)果全部正確時此燈亮；2：失效指示燈，紅色，當(dāng)測試完結(jié)果有錯誤時此燈亮；3：高壓指示燈，紅色，當(dāng)測試電壓大于30V時此燈亮，以警示測試人員，不要在此時觸碰測試插座；4：測試指示燈，橙色，當(dāng)測試時此燈亮，表示在測試器件，此時不要關(guān)閉電源，不要插撥測試器件及測試插座；3.3 測試鍵本機在前面板上有一個測試鍵，此鍵與測試指示燈共用，當(dāng)測試時請按此鍵，在測試過程中請不要再按下此鍵。3.4 蜂鳴器本機內(nèi)置一個蜂鳴器，當(dāng)開機及出現(xiàn)故障時蜂鳴器會發(fā)出響聲。3.5 復(fù)位鍵在本機背面有一個黑色的復(fù)位鍵，當(dāng)機器由于

19、一些故障或者其它原因出現(xiàn)死機等問題的時候，請按下此復(fù)位鍵，使測試儀重新復(fù)位。警告：當(dāng)正在進行測試的時候，請不要按下此復(fù)位鍵；3.6 串口接口在本機背面有二個RS232串口接口，分別為一個公口的一個母口，內(nèi)部對應(yīng)相同的接口；作用：用來與上位機連接調(diào)試、校準及數(shù)據(jù)傳輸；3.7 電源插口在本機背面有一個電源線插口，內(nèi)置過載保護；3.8 電源開關(guān)在本機背面有一個電源開關(guān)，用來接通電源；注意：當(dāng)關(guān)掉電源后請不要立即開啟電源，等待30秒后再開啟電源；3.9 測試插座與測試盒3.9.1測試插座如圖3.2所示圖3.2 測試插座示意圖3.9.2 測試插座共有六個插孔，與各類器件引腳對照如表3.1所示CBE其它兩

20、孔GND晶體管集電極(C)基極(B)發(fā)射極(E)空屏敝地二極管一端空另一端空屏敝地穩(wěn)壓二極管正向空反向空屏敝地結(jié)型場效應(yīng)管漏極(D)門極(G)源極(S)空屏敝地MOS場效應(yīng)管漏極(D)門極(G)源極(S)空屏敝地可控硅陽極（A）門極(G)陰極(K)空屏敝地光電耦合器集電極(C)基極(B)發(fā)射極(E)輸入端屏敝地表3.1 各類器件引腳與測試插座插孔對照表注：“空”代表在相應(yīng)器件測試時，沒有用到該測試插孔；“GND”為屏敝地；3.9.3 測試盒3.9.3.1 本儀器基本配置中共有四個測試盒；3.9.3.2 測試盒用途測試盒一專用于光電耦合器測試；測試盒二專用于二極管和穩(wěn)壓二極管的測試；測試盒三專用

21、于封裝類似TO-220的晶體管、J-FET、MOSFET及可控硅的測試；測試盒四專用于封裝類似TO-3的晶體管、J-FET、MOSFET及可控硅的測試；3.9.3.3 測試盒插入測試插座的時候，不用考慮方向；3.9.4 測試夾子線當(dāng)有的被測器件形狀比較特殊或者比較大，無法使用上述四個測試盒時，請用夾子線按照表3.1進行連接測試；第四章 測試儀測試界面說明4.1 開機界面開機以后，顯示圖4.1所示的開機界面，此時“晶體管”按鈕默認處于選擇狀態(tài)，此時可以通過方向鍵來選擇相應(yīng)的按鈕，當(dāng)選中需要使用的按鈕后，再按鍵盤中的“Enter ”鍵，則進入相應(yīng)的測試界面或者管理界面。圖4.1 開機界面4.2 測

22、試界面如圖4.2所示（以晶體管測試界面為例）4.2.1測試界面操作說明（1）界面中白色長條框為編輯框，可向其中輸入字符（測試結(jié)果列的編輯框均不可編輯，光標也無法移到）；（2）界面當(dāng)中白色小方框為選擇框，用來選擇測試條件和器件類型；（3）上方區(qū)域用來確定器件型號與類型，下方區(qū)域分為四列，分別用來設(shè)置器件測試條件、選擇測試參數(shù)、設(shè)置器件測試結(jié)果的最大值最小值、顯示測試結(jié)果；（4）上方區(qū)域的四個綠色按鈕用來打開相應(yīng)的界面，分別為“選擇器件”、“保存器件”、“查看測試結(jié)果”及“保存測試結(jié)果”界面；圖4.2 測試界面（5）下方區(qū)域的小綠色按鈕用來改變相應(yīng)測試條件及結(jié)果范圍的單位，若單位是電壓的，則在“V

23、”、“mV”、“uV”之間轉(zhuǎn)換，根據(jù)電壓范圍不同，其中一些電壓單位可能沒有；若單位是電流的，則在“A”、“mA”、“uA”之間轉(zhuǎn)換，根據(jù)電流范圍不同，其中一些電流單位可能沒有；（6）下方有向下藍色箭頭的表明有下一頁內(nèi)容，可以用下翻頁鍵來翻頁；同理，下方有藍色向上箭頭的表明有上一頁內(nèi)容，可以用上翻頁鍵來翻頁；（7） 當(dāng)打開晶體管測試界面時顯示圖4.2，此時顯示最后一次測試時的晶體管數(shù)據(jù)，若器件庫中沒有晶體管數(shù)據(jù)，則此時名稱框內(nèi)顯示為空、測試條件和測試結(jié)果都顯示為0（其它類型器件與此相同）；（8） 晶體管型號編輯框，用來輸入和顯示器件型號，打開此界面時默認光標在此位置，此時按下“Enter”鍵，即

24、可輸入器件名稱（其它類型器件勻與此相同）；（9） “NPN”與“PNP”用來選擇晶體管類型，默認為“NPN”的，通過上下方向鍵和“Enter”按鍵可以改變；（其它種類器件有的有型號選擇，但功能不同，請參照相應(yīng)種類器件的說明；有的無此類型選擇功能，則不用考慮）（10） “選擇器件”按鈕用來選擇已經(jīng)存儲在機器內(nèi)的晶體管型號數(shù)據(jù)；（11） “保存器件”按鈕用來保存正在顯示的晶體管型號數(shù)據(jù)；（12） “查看測試結(jié)果”按鈕用來顯示已經(jīng)測試完成的晶體管測試結(jié)果數(shù)據(jù)；（13） “保存測試結(jié)果”按鈕用來保存剛測試完成的晶體管測試結(jié)果數(shù)據(jù)；4.2.2“選擇器件”按鈕操作說明（其它種類器件操作與此相同)：圖4.3

25、 “選擇器件”界面4.2.2.1 若器件庫中沒有晶體管數(shù)據(jù)，則按下此按鈕后無任何反應(yīng)；4.2.2.2 若器件庫中有晶體管數(shù)據(jù)，則按下此按鈕后會顯示如圖4.3，此時默認處于最后調(diào)用晶體管的位置，移動方向鍵來選擇相應(yīng)型號的晶體管，當(dāng)移動到相應(yīng)型號晶體管位置時，按下“Enter”鍵，則把此型號晶體管的數(shù)據(jù)調(diào)入到當(dāng)前晶體管測試界面；若按下“Return ”鍵，則返回到測試界面，不進行任何操作；若此時按下“.”鍵，則刪除選擇型號的晶體管數(shù)據(jù)；4.2.2.3 在此界面的上方會顯示出晶體管的總數(shù)，總頁數(shù)及當(dāng)前頁碼，若頁碼大于1時，可以通過上下翻頁鍵翻頁查看；4.2.3“保存器件”按鈕操作說明（其它種類器件操

26、作與此相同)：4.2.3.1 當(dāng)按下“保存器件”按鈕后，當(dāng)前晶體管測試界面的數(shù)據(jù)會保存到存儲器中；4.2.3.2 若晶體管數(shù)據(jù)庫已經(jīng)有此型號的數(shù)據(jù)，此時會發(fā)出警告，是否覆蓋此前的數(shù)據(jù)，這時用戶根據(jù)情況自己選擇；4.2.3.3 晶體管數(shù)據(jù)庫中可以存放1110個不同型號的晶體管數(shù)據(jù)，超過時不能保存成功，請按照4.2.2.2說明刪除多余的數(shù)據(jù)或者在“存儲器管理”當(dāng)中刪除所有數(shù)據(jù)；4.2.4“查看測試結(jié)果”按鈕操作說明（其它種類器件操作與此相同)：4.2.4.1 若存儲器中沒有晶體管測試結(jié)果數(shù)據(jù)，則按下此按鈕后無任何反應(yīng)；4.2.4.2 若存儲器中有晶體管測試結(jié)果數(shù)據(jù)，則按下此按鈕后會顯示如圖4.3，

27、此時默認處于最后調(diào)用晶體管的位置，移動方向鍵來選擇相應(yīng)型號的晶體管，當(dāng)移動到相應(yīng)型號晶體管位置時，按下“Enter”鍵，則把此型號晶體管的測試結(jié)果數(shù)據(jù)調(diào)入到當(dāng)前晶體管測試界面；若按下“Return ”鍵，則返回到測試界面，不進行任何操作；若此時按下“.”鍵，則刪除選擇型號的晶體管測試結(jié)果數(shù)據(jù)；4.2.4.3 在此界面的上方會顯示出晶體管的測試結(jié)果的總數(shù)，總頁數(shù)及當(dāng)前頁碼，若頁碼大于1時，可以通過上下翻頁鍵翻頁查看；4.2.5“保存測試結(jié)果”按鈕操作說明（其它種類器件操作與此相同)：4.2.5.1 當(dāng)按下“保存測試結(jié)果”按鈕后，當(dāng)前晶體管測試界面的測試結(jié)果會保存到存儲器中；4.2.5.2 晶體管

28、數(shù)據(jù)庫中可以存放4900個晶體管測試結(jié)果數(shù)據(jù)，超過此數(shù)時不能保存成功，請按照4.2.4.2的說明刪除多余的測試結(jié)果數(shù)據(jù)或者在“存儲器管理”當(dāng)中刪除所有測試結(jié)果數(shù)據(jù)；4.2.5.3 為了使用方便、靈活請不要保存過多的測試結(jié)果數(shù)據(jù)，造成操作不便；對于過時的測試結(jié)果數(shù)據(jù)請及時刪除；第五章 器件測試操作方法及注意事項5.1 晶體管（Transistor）5.1.1 晶體管測試界面5.1 晶體管測試界面上5.2 晶體管測試界面下5.1.2 晶體管測試參數(shù)及測試條件晶體管共有11個測試參數(shù)，如表5.1所示：測試參數(shù)測試條件測試范圍測試精度名稱施加范圍ICEOICESICBOVCEVCEVCB0.1V-11

29、99V1nA-100nA2%Rdg1nA100nA-1uA2%Rdg2nA1uA-100uA2%Rdg20nA100uA-10mA2%Rdg2uAIEBOVEB0.10V-19.99V10uA-100uA100uA-1mA1mA-10mA10mA-100mA2%Rdg100nA2%Rdg1uA2%Rdg10uA2%Rdg100uAVCE(sat）VBE(sat)IB10uA-10A0.10V-19.99V2%Rdg10mVIC10uA-1AVBE(VBE(on)VCE0.10V-19.99V0.10V-19.99V2%Rdg10mVIC10uA-10AhFEVCE0.10V-19.99V199

30、9992%Rdg1(取整)IC10uA-10AV(BR)EBOIB10uA-1A0.10V-19.99V2%Rdg10mVV(BR)CEO V(BR)CBOIC10nA-10mA0.10V-20V2%Rdg10mV20V-1199V2%Rdg0.5V5.1 晶體管測試參數(shù)表注1:表中測試條件范圍、測試范圍及測試精度均為絕對值，向測試界面編輯框中輸入數(shù)據(jù)時，不需要考慮正負，器件測試數(shù)據(jù)的正負均由所選擇的器件種類及器件類型由CPU處理器決定（以下所有種類器件測試均與此相同，不再陳述）；注2:表中測試條件施加范圍即是向界面數(shù)據(jù)編輯框內(nèi)輸入數(shù)據(jù)時的范圍，輸入數(shù)據(jù)時不要超出表中范圍（以下所有種類器件測試

31、均與此相同，不再陳述）；注3：晶體管的維持電壓參數(shù)VCEO(sus) 和VCER(sus) 兩個參數(shù)不能測試，請不要把這兩個參數(shù)誤認為是擊穿電壓；5.1.3 晶體管測試參數(shù)定義 ICEO 基極開路時集電極-發(fā)射極截止電流； ICES 基極發(fā)射極短路時集電極-發(fā)射極截止電流； ICBO 發(fā)射極開路時集電極-基極截止電流； IEBO 集電極開路時發(fā)射極-基極截止電流； VCE(sat) 集電極-發(fā)射極飽合壓降； VBE(sat) 基極-發(fā)射極飽合壓降； VBE(VBE(on) 基極-發(fā)射極直流（開啟）電壓； hFE 正向電流傳輸比（放大倍數(shù)）； V(BR)EBO 發(fā)射極-基極擊穿電壓； V(BR)

32、CEO 集電極-發(fā)射極擊穿電壓； V(BR)CBO 集電極-發(fā)基極擊穿電壓；5.1.4 晶體管參數(shù)測試5.1.4.1 界面參數(shù)介紹界面當(dāng)中的每一個參數(shù)占用一行或者兩行，從左至右依次為測試條件、參數(shù)測試選擇框、測試結(jié)果的范圍（有的只有最小值，有的只有最大值，有的兩都皆有）以及測試結(jié)果（其它器件測試界面布局與此相同）；5.1.4.2 飽合壓降參數(shù)左側(cè)的兩個測試條件Ic和Ib為飽合壓降的測試條件，對于這兩個測試參數(shù)，因為條件相同，所以放在了一起；5.1.4.3 Vbe開啟電壓參數(shù)的測試條件有兩個，分別在其左側(cè)的Vce和左側(cè)下方的Ic（其它類型器件有兩個條件的測試參數(shù)布局與此相同）；5.1.4.4 在

33、測試之前請先選擇相應(yīng)的測試器件，或者輸入相應(yīng)的測試條件；5.1.4.5 晶體管的極性判別功能：測試之前請先選擇晶體管的類型，默認為NPN型；晶體管的測試有極性判別功能，能夠檢測出器件是NPN型，還是PNP型，當(dāng)插錯時，測試不會進行；當(dāng)極性判別出錯時會出現(xiàn)下圖提示信息：5.3 晶體管極性判別錯誤提示信息此時可能出現(xiàn)的問題：1：界面當(dāng)中晶體管極性設(shè)置與被測晶體管極性不一致；2：測試插座中的晶體管沒有插緊；3：測試插座中的晶體管沒有插對位置；4：被測晶體管已經(jīng)損壞，無法測試；此時單擊“Enter”按鍵并檢查后再重新測試；5.1.4.6 選擇測試參數(shù)；若沒有選擇測試參數(shù)，則只會進行極性判別而不進行測試

34、；5.1.4.7 按開始測試鍵開始測試，注意：1：測試時間隨著器件不同時間也會不相同； 2：測試期間請勿再按測試鍵；3：測試期間若高壓指示燈亮，請不要觸碰測試盒及被測器件；4：測試期間不要按下復(fù)位鍵；5：測試期間不要隨意停電或者關(guān)機；6：測試期間若出現(xiàn)不正常的響聲，或者有異常的氣味，請立即關(guān)機停電；7：測試期間若出現(xiàn)死機現(xiàn)象，請按復(fù)位鍵重新復(fù)位；8：其它器件測試注意事項與此相同，不再陳述；5.1.4.8 測試結(jié)果返回到測試界面的結(jié)果列表當(dāng)中；若沒有填寫測試結(jié)果范圍，則測試結(jié)果沒有正確與否的分別，若有測試結(jié)果范圍，則測試結(jié)果超出測試結(jié)果范圍后，則認為錯誤，顯示為紅色；（其它類型器件與此相同，不再

35、陳述）5.1.4.9 測試結(jié)果保存，請參照4.2.5章節(jié)；5.2 二極管（Diode）5.2.1 二極管測試界面5.4 二極管測試界面5.2.2 二極管測試參數(shù)及測試條件二極管共有3個測試參數(shù)，如表5.2所示：測試參數(shù)測試條件測試范圍測試精度名稱施加范圍IRVR1V-1199V1nA-100nA2%Rdg1nA100nA-1uA2%Rdg2nA1uA-100uA2%Rdg20nA100uA-10mA2%Rdg2uAVFIF10uA -10A0.10V-19.99V2%Rdg10mVV(BR)IR10uA 10mA1V-20V2%Rdg10mV20V-1199V2%Rdg0.3V5.2 二極管測

36、試參數(shù)表5.2.3 二極管測試參數(shù)定義 VF正向直流電壓； IR 反向直流電流； V(BR) 擊穿電壓；5.2.4 二極管參數(shù)測試5.2.4.1 極性判別二極管具有方向自動判別功能，能夠自動識別二極管的正向和反向；當(dāng)判別出錯后會出現(xiàn)下圖所示的提示信息：5.5 二極管方向判別錯誤提示信息此時可能出現(xiàn)的問題：1：測試插座中的二極管沒有插緊；2：被測二極管已經(jīng)損壞，無法測試；此時單擊“Enter”按鍵并檢查后再重新測試；5.2.4.2 測試測試過程與晶體管相同，不再陳述。5.3 穩(wěn)壓二極管（Zener Diode）5.3.1 穩(wěn)壓二極管測試界面5.6 穩(wěn)壓二極管測試界面5.3.2 穩(wěn)壓二極管測試參數(shù)

37、及測試條件穩(wěn)壓二極管共有3個測試參數(shù)，如表5.3所示：測試參數(shù)測試條件測試范圍測試精度名稱施加范圍IRVR0.10V-200V1nA-100nA2%Rdg1nA100nA-1uA2%Rdg2nA1uA-100uA2%Rdg20nA100uA-10mA2%Rdg2uAVFIF10uA -10A0.10V-19.99V2%Rdg10mVVZIZT10uA 10A0.10V-20V2%Rdg10mV10uA 10mA20V-100V2%Rdg0.3V5.3 穩(wěn)壓二極管測試參數(shù)表5.3.4 穩(wěn)壓二極管測試參數(shù)定義 VF正向直流電壓； IR 反向直流電流； VZ 齊納電壓；5.3.4 穩(wěn)壓二極管參數(shù)測試

38、注意：1.穩(wěn)壓二極管的穩(wěn)壓值Vz的測試分為兩個檔位，當(dāng)Vz超20V的時候，測試電流小于10mA，若給出的測試條件大于10mA，且穩(wěn)壓值大于20V，則不能測試；2.穩(wěn)壓二極管無正反向判別功能，不要插反，其它與二極管相同，不再陳述。5.4 結(jié)型場效應(yīng)管（JFet）5.4.1 結(jié)型場效應(yīng)管測試界面5.7 結(jié)型場效應(yīng)管測試界面上5.8 結(jié)型場效應(yīng)管測試界面下5.4.2 結(jié)型場效應(yīng)管測試參數(shù)及測試條件結(jié)型場效應(yīng)管共有9個測試參數(shù)，如表5.4所示：測試參數(shù)測試條件測試范圍測試精度名稱施加范圍VGS(off)VDS0.10V-19.99V0.10V-19.99V2%Rdg10mVID10uA-10AgfsV

39、DS0.10V-19.99V0.1mS-1000S2%Rdg0.1mSID10uA-10AYfsVDS0.10V-19.99V0.1mS-1000S2%Rdg0.1mSRDS(on)ID10uA-10A10m-100K2%Rdg0.1mVDS(on)ID10uA-10A0.10V-19.99V1%Rdg10mVIGSSVGS0.10V-1199V1nA-100nA2%Rdg1nA100nA-1uA2%Rdg2nA1uA-100uA2%Rdg20nA100uA-10mA2%Rdg2uAIDSSVDS0.10V-20V1nA-100nA2%Rdg1nA100nA-1uA2%Rdg2nA1uA-10

40、0uA2%Rdg20nA100uA-10mA2%Rdg2uA10mA-100mA2%Rdg20uA20V-1199V1nA-100nA2%Rdg1nA100nA-1uA2%Rdg2nA1uA-100uA2%Rdg20nA100uA-10mA2%Rdg2uAV(BR)GSSIG10nA-10mA0.10V-20V2%Rdg10mV20V-1199V2%Rdg0.5VV(BR)GDOIG10nA-10mA0.10V-20V2%Rdg10mV20V-1199V2%Rdg0.5V5.4 結(jié)型場效應(yīng)管測試參數(shù)表5.4.3 結(jié)型場效應(yīng)管測試參數(shù)定義及測試條件說明 VGS(off) 柵-源截止電壓，測試條件

41、：VDS ，ID為規(guī)定值； gfs 正向傳輸跨導(dǎo)，測試條件：VDS ，ID為規(guī)定值； Yfs 正向傳輸導(dǎo)納，測試條件：VDS為規(guī)定值，VGS=0； RDS(on) 漏-源通態(tài)電阻，測試條件：ID為規(guī)定值，VGS=0； VDS(on) 漏-源通態(tài)電壓，測試條件：ID為規(guī)定值，VGS=0； IGSS 漏-源短路時的柵極截止電流，測試條件：VGS為規(guī)定值，VDS=0； IDSS 柵-源短路時的漏極電流，測試條件：VDS為規(guī)定值，VGS=0； V(BR)GSS 漏-源短路時的柵源擊穿電壓，測試條件：IG為規(guī)定值，VDS=0； V(BR)GDO 漏極開路時的柵-源擊穿電壓，測試條件：IG為規(guī)定值；5.4

42、.4 結(jié)型場效應(yīng)管參數(shù)測試gfs和Yfs兩個參數(shù)，在同一個結(jié)型場效管器件手冊當(dāng)中一般不會同時存在，選擇手冊當(dāng)中有的參數(shù)進行測試；注意：結(jié)型場效應(yīng)無極性判別功能，安裝時不要插反，其它與晶體管相同，不再陳述。5.5 MOS場效應(yīng)管（MOSFet）5.5.1 MOS場效應(yīng)管測試界面5.9 MOS場效應(yīng)管測試界面上5.10 MOS場效應(yīng)管測試界面下5.5.2 MOS場效應(yīng)管測試參數(shù)及測試條件MOS場效應(yīng)管共有10個測試參數(shù)，如表5.5所示：測試參數(shù)測試條件測試范圍測試精度名稱施加范圍IDSSVDS 與表5.4中相同參數(shù)的范圍、精度相同IGSSFVGS 與表5.4中IGSS參數(shù)的范圍、精度相同IGSSR

43、VSG 與表5.4中IGSS參數(shù)的范圍、精度相同V(BR)DSSID 與表5.4中V(BR)GSS參數(shù)的范圍、精度相同V(BR)GSSIG 與表5.4中相同參數(shù)的范圍、精度相同VGS(th)ID10uA-10A0.10V-19.99V2%Rdg10mVRDS(on)VGS0.10V-19.99V與表5.4中相同參數(shù)的范圍、精度相同ID10uA-10AVDS(on)VGS0.10V-19.99V與表5.4中相同參數(shù)的范圍、精度相同ID10uA-10AID(on)VGS0.10V-19.99V10uA-10A2%Rdg2Dgt(Dgt 參考2.1.3)VDS0.10V-19.99VgfsVDS 與

44、表5.4中相同參數(shù)的范圍、精度相同ID5.5 MOS場效應(yīng)管測試參數(shù)表5.5.3 MOS場效應(yīng)管測試參數(shù)定義及測試條件說明 IDSS 柵-源短路時的漏極電流，測試條件：VDS為規(guī)定值，VGS =0； IGSSF 漏-源短路時，柵極正向漏電流，測試條件：VGS為規(guī)定值，VDS =0； IGSSR 漏-源短路時，柵極反向漏電流，測試條件：VGS為規(guī)定值，VDS=0； V(BR)DSS 柵-源短路時的漏源擊穿電壓，測試條件：ID為規(guī)定值，VGS =0； V(BR)GSS 漏-源短路時的柵源擊穿電壓，測試條件：IG為規(guī)定值，VDS =0； VGS(th) 柵-源閾值電壓，測試條件：ID為規(guī)定值，VGS

45、 =0； RDS(on) 靜態(tài)漏-源通態(tài)電阻；測試條件：VGS ,ID為規(guī)定值； VDS(on) 靜態(tài)漏-源通態(tài)電壓，測試條件：VGS ,ID為規(guī)定值； ID(on) 靜態(tài)源極通態(tài)電流，測試條件：VGS , VDS為規(guī)定值；gfs 正向跨導(dǎo)，測試條件：VDS ,ID為規(guī)定值；5.5.4 MOS場效應(yīng)管參數(shù)測試本測試儀只測試增強型MOS場效應(yīng)管；在測試MOS管之前請選擇MOS管的類型（默認是N溝道增強型），否則容易造成測試錯誤，甚至機器損壞；注意：MOS場效應(yīng)無極性判別功能，安裝時不要插反，其它與晶體管相同，不再陳述。5.6 可控硅（晶閘管）（SCR）5.6.1可控硅測試界面5.11 可控硅測試

46、界面5.6.2 可控硅測試參數(shù)及測試條件可控硅共有5個測試參數(shù)，如表5.6所示：測試參數(shù)測試條件測試范圍測試精度名稱施加范圍IGTVD 0.10V-19.99V10uA-200mA2%Rdg2Dgt(Dgt 參考2.1.5)RL10-1000IL10uA-1AVGTVD 0.10V-19.99V0.10V-19.99V2Rdg2Dgt(Dgt 參考2.1.4)RL10-1000IL10uA-1AIHVD0.10V-19.99V10uA-1A2%Rdg2Dgt(Dgt 參考2.1.3)IT10uA-1AIGT10uA-200mAILVD0.10V-19.99V10uA-1A2%Rdg2Dgt(D

47、gt 參考2.1.3)IT10uA-1AIGT10uA-200mAVTMITM10uA-10A0.10V-19.99V2%Rdg2Dgt(Dgt 參考2.1.2)5.6 可控硅測試參數(shù)表5.6.3 可控硅測試參數(shù)定義及測試條件說明 IGT 門極觸發(fā)電流，使可控硅由斷態(tài)轉(zhuǎn)入通態(tài)所必須的最小門極電流；測試條件：VD ,RL為規(guī)定值； 或：VD ,IL為規(guī)定值； VGT 門極觸發(fā)電壓，產(chǎn)生門極觸發(fā)電流所必須的門極電壓；測試條件：與IGT的測試條件相同； IH 維持電流，使可控硅維持通態(tài)所必須的最小電流測試條件：VD ,IT為規(guī)定值；必要時有RGK； 或：VD ,IGT為規(guī)定值；必要時有RGK；IL

48、擎住電流，可控硅剛從斷態(tài)轉(zhuǎn)入通態(tài)，并移除觸發(fā)信號之后，能維持通態(tài)所必須的最小主電流；測試條件：與IH 的測試條件相同； VTM 通態(tài)電壓，可控硅處于通態(tài)時的主電壓；測試條件：ITM為規(guī)定值；5.6.4 可控硅參數(shù)測試1. IGT和VGT的測試條件有兩種情況一種是Vd與Rl，另外一種是Vd和It，把這三個測試條件放在了這兩個參數(shù)的左邊，根據(jù)器件手冊中參數(shù)的測試條件選擇相應(yīng)測試條件；2. IGT和VGT的測試不可以在控制極和陰極之間加電阻；3. 當(dāng)有的可控硅器件要求測試時在控制極和陰極之間加1K電阻或者其它電阻時，請把IGT和VGT兩個參數(shù)的測試與其它參數(shù)測試分別測試；4. IH和IL的測試條件有

49、兩種測試條件，一種是VD 與IT，另外一種是VD 和IGT，把這三個測試條件放在了這兩個參數(shù)的左邊，根據(jù)實際器件參數(shù)的測試條件選擇相應(yīng)測試條件；測試這兩個參數(shù)的時候，可以不用輸入IGT條件，儀器有自動尋找功能，可以尋找到合適的IGT電流值，但是如果輸入了這個測試條件，而測試不正確時，可以相應(yīng)加大IGT值，使得管子處于導(dǎo)通狀態(tài)；5.當(dāng)測試IH、IL 和VTM 三個參數(shù)時，如果需要RGK ，請在測試盒插入相應(yīng)的電阻，正常時為1K； 并且與上述兩個測試參數(shù)分開測試；注意：可控硅應(yīng)無極性判別功能，安裝時不要插反，其它與晶體管相同，不再陳述。5.7 光電耦合器（OptoCoupler）5.7.1光電耦合器測試界面5.12 光電耦合器測試界面上5.13 光電耦合器測試界面下5.7.2 光電耦合器測試參數(shù)及測試條件光電耦合器共有11個測試參數(shù)，如表5.7所示：測試參數(shù)測試條件測試范圍測試精度名稱施加范圍VFIF10uA-1A0.10V-19.99V2%Rdg10mVIRVR0.1V-1199V1nA-100nA2%Rdg1nA100nA-1uA2%Rdg2nA1uA-100uA2%Rdg20nA100uA-10mA2%Rdg2uAVCE(sat）IB10uA-10A0.10V-19.99V2%Rdg10mVIC10uA-1ACTRVCE0.10V-