《數(shù)字電子技術(shù)基礎(chǔ)》（第五版）教學(xué)課件：第7章 半導(dǎo)體存儲器

1、第七章 半導(dǎo)體存儲器第七章 半導(dǎo)體存儲器7.1 概述能存儲大量二值信息的器件一、一般結(jié)構(gòu)形式輸入/出電路I/O輸入/出控制！單元數(shù)龐大！輸入/輸出引腳數(shù)目有限二、分類1、從存/取功能分：只讀存儲器(Read-Only-Memory）隨機讀/寫（Random-Access-Memory）2、從工藝分：雙極型MOS型7.2 ROM7.2.1 掩模ROM一、結(jié)構(gòu)二、舉例地 址數(shù) 據(jù)A1A0D3D2D1D0000101011011100100111110A0An-1W0W(2n-1)D0Dm兩個概念：存儲矩陣的每個交叉點是一個“存儲單元”，存儲單元中有器件存入“1”，無器件存入“0”存儲器的容量：“字

2、數(shù) x 位數(shù)”掩模ROM的特點：出廠時已經(jīng)固定，不能更改，適合大量生產(chǎn)簡單，便宜，非易失性7.2.2 可編程ROM（PROM）總體結(jié)構(gòu)與掩模ROM一樣，但存儲單元不同7.2.2 可編程ROM（PROM）總體結(jié)構(gòu)與掩模ROM一樣，但存儲單元不同寫入時，要使用編程器7.2.3 可擦除的可編程ROM（EPROM）總體結(jié)構(gòu)與掩模ROM一樣，但存儲單元不同一、用紫外線擦除的PROM（UVEPROM）二、電可擦除的可編程ROM（E2PROM）總體結(jié)構(gòu)與掩模ROM一樣，但存儲單元不同三、快閃存儲器（Flash Memory）為提高集成度，省去T2（選通管）改用疊柵MOS管（類似SIMOS管）7.3 隨機存儲

3、器RAM7.3.1 靜態(tài)隨機存儲器（SRAM）一、結(jié)構(gòu)與工作原理二、SRAM的存儲單元六管N溝道增強型MOS管7.3.2* 動態(tài)隨機存儲器（DRAM）動態(tài)存儲單元是利用MOS管柵極電容可以存儲電荷的原理7.4 存儲器容量的擴展7.4.1 位擴展方式適用于每片RAM,ROM字?jǐn)?shù)夠用而位數(shù)不夠時接法：將各片的地址線、讀寫線、片選線并聯(lián)即可例：用八片1024 x 1位 1024 x 8位的RAM7.4.2 字?jǐn)U展方式適用于每片RAM,ROM位數(shù)夠用而字?jǐn)?shù)不夠時1024 x 8RAM例：用四片256 x 8位1024 x 8位 RAM0001110110111011011111100001110110111011011111107.5 用存儲器實現(xiàn)組合邏輯函數(shù)一、基本原理從ROM的數(shù)據(jù)表可見：若以地址線為輸入變量，則數(shù)據(jù)線即為一組關(guān)于地址變量的邏輯函數(shù)地 址數(shù) 據(jù)A1A0D3D2D1D0000101011011100100111110A0An-1W0W(2n-1)7.5 用存儲器實現(xiàn)組合邏輯函數(shù)一、基本原理從ROM的數(shù)據(jù)表可見：若以地址線為輸入變量，則數(shù)據(jù)線即為一組關(guān)于地址變量的邏輯函數(shù)地 址數(shù) 據(jù)A1A0D3D2D1D000010101101