電子技術(shù)基礎(chǔ)(模擬部分)第五版_第3章_康華光_第1頁
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物質(zhì)按導(dǎo)電能力分導(dǎo)體半導(dǎo)體絕緣體元素半導(dǎo)體化合物半導(dǎo)體如砷化鎵GaAs硅Si鍺Ge1、半導(dǎo)體材料、半導(dǎo)體材料硅和鍺的原子結(jié)構(gòu)簡化模型及晶體結(jié)構(gòu)硅和鍺的原子結(jié)構(gòu)簡化模型及晶體結(jié)構(gòu)硅和鍺晶體硅和鍺晶體的空間排列的空間排列+3+3受主離子受主離子+5+5施主離子施主離子PN結(jié)的正向伏安特性iD=IS(eVD/VT-1)其中，VT為溫度的電壓當(dāng)量。300K時，約為26mV。(a)(a)點(diǎn)接觸型點(diǎn)接觸型 二極管的結(jié)構(gòu)示意圖二極管的結(jié)構(gòu)示意圖1、點(diǎn)接觸型二極管：(b)(b)面接觸型面接觸型 0 D/V0.2 0.4 0.6 0.8 10 20 30 405101520 10 20 30 40iD/ AiD/mA死區(qū)死區(qū)VthVBR硅二極管硅二極管2CP102CP10的的V V- -I I 特性特性0 D/V0.2 0.4 0.6 20 40 605101520 10 20 30 40iD/ AiD/mAVthVBR鍺二極管鍺二極管2AP152AP15的的V V- -I I 特性特性正向特性反向特性反向擊穿特性 1. 理想模型 2. 恒壓降模型(a)符號符號(b) 伏安

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