第六章__電致發(fā)光課件

1、第六章第六章 電致發(fā)光顯示器（電致發(fā)光顯示器（ELDELD） 第一節(jié)第一節(jié) 電致發(fā)光顯示器（電致發(fā)光顯示器（ELDELD） 第二節(jié)第二節(jié) 有機(jī)電致發(fā)光顯示器（有機(jī)電致發(fā)光顯示器（OLEDOLED）什么是電致發(fā)光？什么是電致發(fā)光？ 在電場(chǎng)作用下，發(fā)光層中的熒光材料發(fā)光，這便在電場(chǎng)作用下，發(fā)光層中的熒光材料發(fā)光，這便是電致發(fā)光。是電致發(fā)光。第一節(jié)第一節(jié) 電致發(fā)光顯示器（電致發(fā)光顯示器（ELDELD）一、全固態(tài)的電致發(fā)光顯示器一、全固態(tài)的電致發(fā)光顯示器二、電致發(fā)光的分類二、電致發(fā)光的分類三、無機(jī)薄膜電致發(fā)光（器件結(jié)構(gòu)及工作原理）三、無機(jī)薄膜電致發(fā)光（器件結(jié)構(gòu)及工作原理）四、電致發(fā)光元件的各種構(gòu)成材料

2、四、電致發(fā)光元件的各種構(gòu)成材料五、五、ELD的用途的用途六、六、TFEL器件最新進(jìn)展器件最新進(jìn)展七、七、 無機(jī)無機(jī)TFEL研究的一般方法研究的一般方法 1 1、電致發(fā)光的發(fā)展歷程：、電致發(fā)光的發(fā)展歷程： 19361936年，年，法國的法國的Destriau Destriau 發(fā)現(xiàn)發(fā)現(xiàn)ZnSZnS的電致發(fā)光現(xiàn)象。的電致發(fā)光現(xiàn)象。 19501950年，年，發(fā)明透明導(dǎo)電膜，開發(fā)成功分散型發(fā)明透明導(dǎo)電膜，開發(fā)成功分散型ELEL（第一代（第一代ELEL） 19681968年，年，分散型分散型ELEL元件可以實(shí)現(xiàn)直流驅(qū)動(dòng)；薄膜型元件可以實(shí)現(xiàn)直流驅(qū)動(dòng)；薄膜型ELEL可實(shí)現(xiàn)高亮可實(shí)現(xiàn)高亮度。（第二代度。（第二

3、代ELEL）。）。 19741974年年，通過實(shí)驗(yàn)證實(shí)了二層絕緣膜結(jié)構(gòu)的薄膜型，通過實(shí)驗(yàn)證實(shí)了二層絕緣膜結(jié)構(gòu)的薄膜型ELEL元件可用于元件可用于電視畫面顯示的可能性。電視畫面顯示的可能性。 19831983年，年，日本開始薄膜日本開始薄膜ELDELD的批量生產(chǎn)。的批量生產(chǎn)。 目前，夏普等公司生產(chǎn)橙紅色發(fā)光的目前，夏普等公司生產(chǎn)橙紅色發(fā)光的ELDELD；國內(nèi)有許多公司在生產(chǎn)國內(nèi)有許多公司在生產(chǎn)ELEL器件器件 一、全固態(tài)的電致發(fā)光顯示器一、全固態(tài)的電致發(fā)光顯示器 （1 1）第一階段：）第一階段：ZnS:MnZnS:Mn（橙黃色）單色顯示器的商品化；（橙黃色）單色顯示器的商品化； （2 2）第二階

4、段：二色（紅、綠）、三色（紅、綠、藍(lán)）、多色）第二階段：二色（紅、綠）、三色（紅、綠、藍(lán)）、多色顯示器的商品化；顯示器的商品化； （3 3）第三階段：全色顯示器的商品化。）第三階段：全色顯示器的商品化。 2 2、電致發(fā)光顯示的特征：、電致發(fā)光顯示的特征： （1 1）圖象顯示質(zhì)量高；）圖象顯示質(zhì)量高； （2 2）受溫度變化的影響??；）受溫度變化的影響小； （3 3）是目前唯一的全固體顯示元件；）是目前唯一的全固體顯示元件； （4 4）有小功耗、薄型、質(zhì)輕等特點(diǎn)。）有小功耗、薄型、質(zhì)輕等特點(diǎn)。 分散型分散型EL EL 交流驅(qū)動(dòng)型（商品階段）交流驅(qū)動(dòng)型（商品階段） 直流驅(qū)動(dòng)型（開發(fā)階段）直流驅(qū)動(dòng)型（

5、開發(fā)階段） 薄膜型薄膜型EL EL 交流驅(qū)動(dòng)型交流驅(qū)動(dòng)型 非存儲(chǔ)型（商品階段）非存儲(chǔ)型（商品階段） 存儲(chǔ)型（研究階段）存儲(chǔ)型（研究階段） 直流型（研究階段）直流型（研究階段） 有機(jī)電致發(fā)光（有機(jī)電致發(fā)光（OEL) OEL) ( (商品化階段商品化階段)發(fā)光層、電子傳輸層、發(fā)光層、電子傳輸層、空穴傳輸層構(gòu)成。在低壓下可以獲得高亮度發(fā)光，有可能實(shí)現(xiàn)藍(lán)空穴傳輸層構(gòu)成。在低壓下可以獲得高亮度發(fā)光，有可能實(shí)現(xiàn)藍(lán)色發(fā)光。有機(jī)電致發(fā)光屬于注入型色發(fā)光。有機(jī)電致發(fā)光屬于注入型ELEL，更類似于，更類似于LEDLED。二、電致發(fā)光的分類二、電致發(fā)光的分類1 1、TFELTFEL器件的結(jié)構(gòu)器件的結(jié)構(gòu)三、無機(jī)薄膜電

6、致發(fā)光（器件結(jié)構(gòu)及工作原理）三、無機(jī)薄膜電致發(fā)光（器件結(jié)構(gòu)及工作原理） 2 2、TFELTFEL器件的工作原理（器件的工作原理（碰撞激發(fā)碰撞激發(fā)） （1 1）在電場(chǎng)作用下，發(fā)光層與絕緣層界面能級(jí)處束縛的電子遂在電場(chǎng)作用下，發(fā)光層與絕緣層界面能級(jí)處束縛的電子遂穿發(fā)射至發(fā)光層；穿發(fā)射至發(fā)光層； （2 2）同時(shí)，發(fā)光層中雜質(zhì)和缺陷也電離一部分電子，這些電子同時(shí)，發(fā)光層中雜質(zhì)和缺陷也電離一部分電子，這些電子在電場(chǎng)作用下被加速在電場(chǎng)作用下被加速; ; （3 3）當(dāng)其能量增到足夠大時(shí)，碰撞激發(fā)發(fā)光中心，從而實(shí)現(xiàn)發(fā)當(dāng)其能量增到足夠大時(shí)，碰撞激發(fā)發(fā)光中心，從而實(shí)現(xiàn)發(fā)光光; ; （4 4）電子在穿過發(fā)光層后，被

7、另一側(cè)的界面俘獲。電子在穿過發(fā)光層后，被另一側(cè)的界面俘獲。 薄膜電致發(fā)光器件一般采用交流驅(qū)動(dòng)，在交流驅(qū)動(dòng)情況下，薄膜電致發(fā)光器件一般采用交流驅(qū)動(dòng)，在交流驅(qū)動(dòng)情況下，當(dāng)外加電壓反轉(zhuǎn)時(shí)，上述當(dāng)外加電壓反轉(zhuǎn)時(shí)，上述4 4個(gè)過程重復(fù)進(jìn)行，實(shí)現(xiàn)連續(xù)發(fā)光。個(gè)過程重復(fù)進(jìn)行，實(shí)現(xiàn)連續(xù)發(fā)光。 基板基板透 明透 明電極電極第第一一絕絕緣緣層層發(fā)光層發(fā)光層第第二二絕絕緣緣層層介介電電體體層層背背面面電電極極是 否是 否實(shí) 用實(shí) 用化化應(yīng) 用應(yīng) 用情況情況分 散 型分 散 型交 流 電交 流 電致發(fā)光致發(fā)光玻 璃玻 璃或 柔或 柔性 塑性 塑料板料板ITOITO膜膜ZnS:Cu,ClZnS:Cu,Cl（藍(lán)（藍(lán)綠）綠）

8、ZnS:Cu.Al(ZnS:Cu.Al(綠綠) )ZnS:Cu,Cl,MnZnS:Cu,Cl,Mn（黃（黃色）色）有有ALAL商 品商 品化 階化 階段段液 晶液 晶背 光背 光源源分 散 型分 散 型直 流 電直 流 電致發(fā)光致發(fā)光玻 璃玻 璃基板基板ITOITO膜膜ZnS:Cu,MnZnS:Cu,Mn（黃），（黃），ZnS:TmZnS:Tm3+3+( (藍(lán)藍(lán)) )ZnS:TbZnS:Tb3+3+,Er,Er3+3+( (綠綠) )ZnS:NdZnS:Nd3+3+,Sm,Sm3+3+( (紅紅) )AlAl開 發(fā)開 發(fā)階段階段薄 膜 型薄 膜 型交 流 電交 流 電致發(fā)光致發(fā)光玻 璃玻 璃基

9、板基板ITOITO膜膜有有ZnS:MnZnS:Mn薄薄膜膜有有AlAl商品化商品化階段階段精細(xì)精細(xì)矩陣矩陣顯示顯示薄 膜 型薄 膜 型直 流 電直 流 電致發(fā)光致發(fā)光玻 璃玻 璃基板基板ITOITO膜膜ZnS:MnZnS:Mn薄薄膜膜AlAl研 究研 究階段階段有機(jī)有機(jī)電致電致發(fā)光發(fā)光玻璃玻璃或柔或柔性塑性塑料板料板ITOITO膜膜空空穴穴輸輸運(yùn)運(yùn)層層有 機(jī) 薄 膜有 機(jī) 薄 膜（AlqAlq3 3）電電子子輸輸運(yùn)運(yùn)層層M gM gAgAg商 品商 品化化手機(jī)、手機(jī)、顯示顯示器等器等 四、電致發(fā)光元件的各種構(gòu)成材料四、電致發(fā)光元件的各種構(gòu)成材料 1 1、基板材料、基板材料一般采用玻璃一般采用玻

10、璃 （1 1）在可見光區(qū)域透明，熱膨脹系數(shù)與積層材料一致）在可見光區(qū)域透明，熱膨脹系數(shù)與積層材料一致 （2 2）能承受）能承受ELEL的退火溫度（的退火溫度（500600500600） （3 3）堿金屬離子含量盡量低，確保元件的長期可靠性。）堿金屬離子含量盡量低，確保元件的長期可靠性。 2 2、發(fā)光層材料、發(fā)光層材料 （1 1）薄膜型）薄膜型ELEL的發(fā)光材料：選擇合適的發(fā)光中心；能的發(fā)光材料：選擇合適的發(fā)光中心；能承受承受10105 5V/cmV/cm左右的強(qiáng)電場(chǎng)。左右的強(qiáng)電場(chǎng)。 母體母體：ZnSZnS、CaSCaS、SrSSrS等半導(dǎo)體材料。等半導(dǎo)體材料。 發(fā)光中心：發(fā)光中心：采用屬于定域

11、能級(jí)的元素，除采用屬于定域能級(jí)的元素，除MnMn外，還有許外，還有許多稀土元素。多稀土元素。 紅色：紅色：CaS:EuCaS:Eu，ZnS:Sm,FZnS:Sm,F，附加彩色濾光器的，附加彩色濾光器的SrS:Ce SrS:Ce ； 綠色：綠色：ZnS:Tb,FZnS:Tb,F； 藍(lán)色：藍(lán)色：CaGaCaGa2 2S:CeS:Ce或附加彩色濾光器的或附加彩色濾光器的SrS:CeSrS:Ce （2 2）分散型交流）分散型交流ELEL發(fā)光層材料發(fā)光層材料：主要采用與薄膜型相：主要采用與薄膜型相同的同的ZnSZnS，選擇合適的發(fā)光中心。，選擇合適的發(fā)光中心。 發(fā)光層的形成方法：發(fā)光層的形成方法： 物理

12、氣相沉積（物理氣相沉積（PVDPVD）電子束蒸發(fā)（電子束蒸發(fā)（EBEB）和多源蒸和多源蒸發(fā)（發(fā)（MSDMSD）以及濺射鍍膜等）以及濺射鍍膜等 化學(xué)氣相沉積（化學(xué)氣相沉積（CVDCVD）原子層外延（原子層外延（ALEALE）有機(jī)金屬有機(jī)金屬氣相沉積（氣相沉積（MOCVDMOCVD），氫化物輸送減壓法（），氫化物輸送減壓法（HTCVDHTCVD） 3 3、電極材料、電極材料 透明電極（透明電極（ITOITO，CdSnOCdSnO3 3，ZnOZnO）; ;背電極背電極AlAl。 EBEB蒸發(fā)、電阻加熱蒸發(fā)、濺射鍍膜等物理方法；噴涂法、蒸發(fā)、電阻加熱蒸發(fā)、濺射鍍膜等物理方法；噴涂法、CVDCVD等化

13、學(xué)方法。等化學(xué)方法。 目前：目前：濺射鍍膜法，特別是磁控濺射用的最多。濺射鍍膜法，特別是磁控濺射用的最多。 4 4、絕緣層材料、絕緣層材料 絕緣耐壓（使絕緣破壞的電場(chǎng)強(qiáng)度）高，針孔等缺陷少，絕緣耐壓（使絕緣破壞的電場(chǎng)強(qiáng)度）高，針孔等缺陷少，與發(fā)光層附著牢固。與發(fā)光層附著牢固。 （1 1）非晶態(tài)氧化物或氮化物：）非晶態(tài)氧化物或氮化物：（Y Y2 2O O3 3，AlAl2 2O O3 3，TaTa2 2O O5 5，SiOSiO2 2，SiSi3 3N N4 4） （2 2）鐵電體：）鐵電體：BaTiOBaTiO3 3，PbTiOPbTiO3 3 濺射鍍膜法是主要成膜方式。濺射鍍膜法是主要成膜方

14、式。 一般一般采用電子束蒸發(fā)等真空鍍膜法；采用電子束蒸發(fā)等真空鍍膜法； 難于難于真空蒸發(fā)的材料采用濺射鍍膜法；真空蒸發(fā)的材料采用濺射鍍膜法； 對(duì)均勻性對(duì)均勻性要求高的采用原子層外延法。要求高的采用原子層外延法。 電子束蒸發(fā)等真空鍍膜法電子束蒸發(fā)等真空鍍膜法 電子蒸發(fā)設(shè)備的核心是偏轉(zhuǎn)電子槍，偏轉(zhuǎn)電子槍是利用電子蒸發(fā)設(shè)備的核心是偏轉(zhuǎn)電子槍，偏轉(zhuǎn)電子槍是利用具有一定速度的帶點(diǎn)粒子在均勻磁場(chǎng)中受力做圓周運(yùn)動(dòng)這一原理具有一定速度的帶點(diǎn)粒子在均勻磁場(chǎng)中受力做圓周運(yùn)動(dòng)這一原理設(shè)計(jì)而成的。其結(jié)構(gòu)由兩部分組成：一是電子槍用來射高速運(yùn)動(dòng)設(shè)計(jì)而成的。其結(jié)構(gòu)由兩部分組成：一是電子槍用來射高速運(yùn)動(dòng)的電子；二是使電子做圓

15、周運(yùn)動(dòng)的均勻磁場(chǎng)。的電子；二是使電子做圓周運(yùn)動(dòng)的均勻磁場(chǎng)。 電子束蒸發(fā)對(duì)源材料的要求電子束蒸發(fā)對(duì)源材料的要求熔點(diǎn)要高熔點(diǎn)要高飽和蒸汽壓要低飽和蒸汽壓要低 化學(xué)性能要穩(wěn)定化學(xué)性能要穩(wěn)定蒸發(fā)材料對(duì)加熱材料的蒸發(fā)材料對(duì)加熱材料的“濕潤性濕潤性” 離子濺射鍍膜法離子濺射鍍膜法 在低真空在低真空(0.1(0.10.01 0.01 乇乇) )狀態(tài)下，在陽極與陰狀態(tài)下，在陽極與陰極兩個(gè)電極之間加上幾百至上千伏的直流電壓時(shí)，電極極兩個(gè)電極之間加上幾百至上千伏的直流電壓時(shí)，電極之間會(huì)產(chǎn)生輝光放電。在放電的過程中，氣體分子被電之間會(huì)產(chǎn)生輝光放電。在放電的過程中，氣體分子被電離成帶正電的陽離子和帶負(fù)電的電子，并在電

16、場(chǎng)的作用離成帶正電的陽離子和帶負(fù)電的電子，并在電場(chǎng)的作用下，陽離子被加速跑向陰極，而電子被加速跑向陽極。下，陽離子被加速跑向陰極，而電子被加速跑向陽極。如果陰極用金屬作為電極如果陰極用金屬作為電極( (常稱靶極常稱靶極) )，那么在陽離子沖，那么在陽離子沖擊其表面時(shí)，就會(huì)將其表面的金屬粒子打出，這種現(xiàn)象擊其表面時(shí)，就會(huì)將其表面的金屬粒子打出，這種現(xiàn)象稱為稱為濺射濺射。 此時(shí)被濺射的金屬粒子是中性，即不受電場(chǎng)的作用，而此時(shí)被濺射的金屬粒子是中性，即不受電場(chǎng)的作用，而靠重力作用下落。如果將樣品置于下面，被濺射的金屬靠重力作用下落。如果將樣品置于下面，被濺射的金屬粒子就會(huì)落到樣品表面，形成一層金屬膜

17、，用這種方法粒子就會(huì)落到樣品表面，形成一層金屬膜，用這種方法給樣品表面鍍膜，稱為給樣品表面鍍膜，稱為離子濺射鍍膜法。離子濺射鍍膜法。 特點(diǎn)：特點(diǎn)： 1. 1. 低電壓冷濺射低電壓冷濺射 2. 2. 全自動(dòng)操作，可控制獨(dú)立的真空泵全自動(dòng)操作，可控制獨(dú)立的真空泵 3. 3. 可預(yù)設(shè)沉積厚度，均勻厚度沉積，全自動(dòng)控制，膜可預(yù)設(shè)沉積厚度，均勻厚度沉積，全自動(dòng)控制，膜厚度重復(fù)性好厚度重復(fù)性好 、數(shù)字及符號(hào)顯示、數(shù)字及符號(hào)顯示 、圖形顯示、圖形顯示薄膜電致發(fā)光顯示器的結(jié)構(gòu)圖薄膜電致發(fā)光顯示器的結(jié)構(gòu)圖 五、五、ELDELD的用途的用途 、彩色顯示、彩色顯示 （1 1）ELEL積層型積層型，將多色發(fā)光層簡單的

18、堆積；，將多色發(fā)光層簡單的堆積； （2 2）ELEL平面布置型平面布置型，利用光刻工藝將三基色發(fā)光層在平面上布，利用光刻工藝將三基色發(fā)光層在平面上布置；置； （3 3）白色白色ELEL與彩色濾光器積層型與彩色濾光器積層型，使發(fā)光波長廣布于可見光范，使發(fā)光波長廣布于可見光范圍內(nèi)的白色發(fā)光層與彩色濾光器相沉積。圍內(nèi)的白色發(fā)光層與彩色濾光器相沉積。 （4 4）二層基板型二層基板型，是積層型與平面布置型相組合。，是積層型與平面布置型相組合。 目前目前，ELEL平面布置型在制作、結(jié)構(gòu)、驅(qū)動(dòng)電路等方面容易實(shí)現(xiàn)；平面布置型在制作、結(jié)構(gòu)、驅(qū)動(dòng)電路等方面容易實(shí)現(xiàn)；對(duì)白色發(fā)光層與彩色濾光器沉積的研制更多些。對(duì)白色

19、發(fā)光層與彩色濾光器沉積的研制更多些。 4 4、LCDLCD背照光源背照光源 夾層結(jié)構(gòu)中的絕緣層被一系列的電子加速層所代替，夾層結(jié)構(gòu)中的絕緣層被一系列的電子加速層所代替，就是我們所說的分層優(yōu)化結(jié)構(gòu)。就是我們所說的分層優(yōu)化結(jié)構(gòu)。 在這種結(jié)構(gòu)中，從電極處發(fā)射的電子，在這些加速在這種結(jié)構(gòu)中，從電極處發(fā)射的電子，在這些加速層中被多次加速，獲得了足夠高的能量，然后進(jìn)入發(fā)光層中被多次加速，獲得了足夠高的能量，然后進(jìn)入發(fā)光層，碰撞激發(fā)發(fā)光中心，實(shí)現(xiàn)發(fā)光。這種加速過程和發(fā)層，碰撞激發(fā)發(fā)光中心，實(shí)現(xiàn)發(fā)光。這種加速過程和發(fā)光過程的分離，使我們能夠獨(dú)立地對(duì)各層進(jìn)行分層優(yōu)化。光過程的分離，使我們能夠獨(dú)立地對(duì)各層進(jìn)行分層

20、優(yōu)化。這無論是對(duì)電子能量、發(fā)光亮度，還是發(fā)光效率的提高這無論是對(duì)電子能量、發(fā)光亮度，還是發(fā)光效率的提高都具有重要意義。都具有重要意義。六、六、TFELTFEL器件最新進(jìn)展器件最新進(jìn)展 1 1 薄膜的制備薄膜的制備 2 2 器件性能的測(cè)量器件性能的測(cè)量 一般說來，我們做成的器件都需要對(duì)其器件性能一般說來，我們做成的器件都需要對(duì)其器件性能進(jìn)行檢測(cè)。這些性能可以通過激發(fā)光譜、發(fā)射光譜、吸進(jìn)行檢測(cè)。這些性能可以通過激發(fā)光譜、發(fā)射光譜、吸收光譜、亮度電壓曲線、傳導(dǎo)電流等反映出來，它們分收光譜、亮度電壓曲線、傳導(dǎo)電流等反映出來，它們分別反映了器件不同方面的性能。別反映了器件不同方面的性能。 3 3 結(jié)構(gòu)和

21、成份分析結(jié)構(gòu)和成份分析七七 無機(jī)無機(jī)TFELTFEL研究的一般方法研究的一般方法第二節(jié)第二節(jié) 有機(jī)電致發(fā)光有機(jī)電致發(fā)光一、一、OLEDOLED發(fā)展歷程發(fā)展歷程二、二、OLEDOLED的分類的分類三、小分子三、小分子OLEDOLED的結(jié)構(gòu)、原理與材料的結(jié)構(gòu)、原理與材料四、四、PELPEL結(jié)構(gòu)、機(jī)理、材料結(jié)構(gòu)、機(jī)理、材料五、五、OLEDOLED的一般研究方法的一般研究方法六彩色顯示板的方法六彩色顯示板的方法七、影響器件失效和壽命的因素和解決方法七、影響器件失效和壽命的因素和解決方法八、八、 OLEDOLED的發(fā)展現(xiàn)狀及存在的主要問題應(yīng)用和前景的發(fā)展現(xiàn)狀及存在的主要問題應(yīng)用和前景19361936年，

22、年，DestriauDestriau將有機(jī)熒光化合物分散在聚合物中制成薄膜，得到最早的將有機(jī)熒光化合物分散在聚合物中制成薄膜，得到最早的電致發(fā)光器件。電致發(fā)光器件。2020 世紀(jì)世紀(jì)5050年代，年代，人們就開始用有機(jī)材料制作電致發(fā)光器件的探索，人們就開始用有機(jī)材料制作電致發(fā)光器件的探索，A.A. BernanoseBernanose等人在蒽單晶片的兩側(cè)加上等人在蒽單晶片的兩側(cè)加上400V400V的直流電壓觀測(cè)到發(fā)光現(xiàn)象，的直流電壓觀測(cè)到發(fā)光現(xiàn)象，單晶厚單晶厚10mm10mm20mm20mm，所以驅(qū)動(dòng)電壓較高。，所以驅(qū)動(dòng)電壓較高。19631963年，年，M.M. PopePope等人也獲得了蒽

23、單晶的電致發(fā)光。等人也獲得了蒽單晶的電致發(fā)光。7070年代，年代，賓夕法尼亞大學(xué)的賓夕法尼亞大學(xué)的HeegerHeeger探索了合成金屬。探索了合成金屬。19871987年，年，KodakKodak公司的鄧青云首次研制出具有實(shí)用價(jià)值的低驅(qū)動(dòng)電壓（公司的鄧青云首次研制出具有實(shí)用價(jià)值的低驅(qū)動(dòng)電壓（10V1000cd/m1000cd/m2 2）OLEDOLED器件（器件（AlqAlq作為發(fā)光層）。作為發(fā)光層）。19901990年年，BurroughesBurroughes及其合作者研究成功第一個(gè)高分子及其合作者研究成功第一個(gè)高分子ELEL（PLEDPLED）(PPV(PPV作為作為發(fā)光層發(fā)光層) )

24、，更為有機(jī)電致發(fā)光顯示器件實(shí)用化進(jìn)一步奠定了基礎(chǔ)。，更為有機(jī)電致發(fā)光顯示器件實(shí)用化進(jìn)一步奠定了基礎(chǔ)。一、一、OLED發(fā)展歷程發(fā)展歷程19971997年，年，單色有機(jī)電致發(fā)光顯示器件首先在日本產(chǎn)品化，單色有機(jī)電致發(fā)光顯示器件首先在日本產(chǎn)品化，19991999年，年，日本先鋒公司率先推出了為汽車音視通信設(shè)備而設(shè)計(jì)的多彩有機(jī)電日本先鋒公司率先推出了為汽車音視通信設(shè)備而設(shè)計(jì)的多彩有機(jī)電致發(fā)光顯示器面板，并開始量產(chǎn)，致發(fā)光顯示器面板，并開始量產(chǎn)，同年同年9 9月，月，使用了先鋒公司多色有機(jī)電致發(fā)光顯示器件的摩托羅拉手機(jī)大批量使用了先鋒公司多色有機(jī)電致發(fā)光顯示器件的摩托羅拉手機(jī)大批量上市。上市。近年來近年

25、來，OELOEL的突破性進(jìn)展，并引起產(chǎn)業(yè)界的高度重視，在世界范圍內(nèi)，已有的突破性進(jìn)展，并引起產(chǎn)業(yè)界的高度重視，在世界范圍內(nèi)，已有9090多家公司在開發(fā)多家公司在開發(fā)OELOEL，而且每個(gè)月都有新公司加入。，而且每個(gè)月都有新公司加入。國內(nèi)公司有國內(nèi)公司有：京東方科技集團(tuán)股份有限公司、維信諾公司（南風(fēng)化工集團(tuán)股：京東方科技集團(tuán)股份有限公司、維信諾公司（南風(fēng)化工集團(tuán)股份有限公司是清華大學(xué)企業(yè)集團(tuán)、清華創(chuàng)業(yè)投資公司、咸陽彩虹集團(tuán)等在北份有限公司是清華大學(xué)企業(yè)集團(tuán)、清華創(chuàng)業(yè)投資公司、咸陽彩虹集團(tuán)等在北京注冊(cè)成立維信諾科技有限公司）、清華大學(xué)與彩虹集團(tuán)合作已在建立京注冊(cè)成立維信諾科技有限公司）、清華大學(xué)與

26、彩虹集團(tuán)合作已在建立1 1條小條小試實(shí)驗(yàn)線、廊坊市錫豐化工有限公司、上海大學(xué)、吉林大學(xué)與有關(guān)公司合作試實(shí)驗(yàn)線、廊坊市錫豐化工有限公司、上海大學(xué)、吉林大學(xué)與有關(guān)公司合作開發(fā)的談判也在積極進(jìn)行之中等。開發(fā)的談判也在積極進(jìn)行之中等。這一切都表明，這一切都表明，OLEDOLED技術(shù)正在逐步實(shí)用化，顯示技術(shù)又將面臨新的革命。技術(shù)正在逐步實(shí)用化，顯示技術(shù)又將面臨新的革命。一是以有機(jī)染料和顏料等為發(fā)光材料的小分子基一是以有機(jī)染料和顏料等為發(fā)光材料的小分子基OLEDOLED，典型的小分子發(fā)光材，典型的小分子發(fā)光材料為料為AlqAlq3 3（3-3-羥基喹啉鋁）；羥基喹啉鋁）；另一種是以共軛高分子為發(fā)光材料的高

27、分子基另一種是以共軛高分子為發(fā)光材料的高分子基OLEDOLED，簡稱為，簡稱為PLEDPLED，典型的高，典型的高分子發(fā)光材料為分子發(fā)光材料為PPVPPV。二器件分類二器件分類 三、小分子三、小分子OLEDOLED的結(jié)構(gòu)、原理與材料的結(jié)構(gòu)、原理與材料1 1、結(jié)構(gòu)、結(jié)構(gòu)2 2、發(fā)光原理、發(fā)光原理3 3、小分子、小分子OLEDOLED材料材料1 1、結(jié)構(gòu)、結(jié)構(gòu) RGBRGB和白色和白色ELEL器件的結(jié)構(gòu)為：器件的結(jié)構(gòu)為： 器件器件R R: ITO/CuPc/NPB/Alq3: ITO/CuPc/NPB/Alq3:DCJTBDCJTB/MgAg/MgAg 器件器件G G: ITO/CuPc/NPB/

28、Alq3: ITO/CuPc/NPB/Alq3:QAQA/MgAg/MgAg 器件器件B B: : ITOITO/CuPc/NPB/CuPc/NPB/DPVBi:PeryleneDPVBi:Perylene/Alq3/MgAg/Alq3/MgAg 器件器件W: W: ITOITO/CuPc/NPB/CuPc/NPB/DPVBi:DCJTBDPVBi:DCJTB/Alq3/MgAg/Alq3/MgAg能帶理論模型：能帶理論模型：相對(duì)晶體固體的能帶模型來說：相對(duì)晶體固體的能帶模型來說：價(jià)帶頂價(jià)帶頂 HOMO HOMO （分子最高占據(jù)分子軌道（分子最高占據(jù)分子軌道 ）導(dǎo)帶底導(dǎo)帶底 LUMOLUMO（

29、分子最低未占據(jù)軌道（分子最低未占據(jù)軌道 ） 帶隙帶隙EgEg是是HOMOHOMO與與LUMOLUMO之間的寬度，離化能之間的寬度，離化能 IpIp是真空能級(jí)與是真空能級(jí)與HOMOHOMO之間的能量差之間的能量差, , 電子親和勢(shì)電子親和勢(shì)EaEa是真空能級(jí)與是真空能級(jí)與LUMOLUMO之間的能量差之間的能量差2 2、發(fā)光原理、發(fā)光原理發(fā)光機(jī)理發(fā)光機(jī)理 載流子的注入：載流子的注入：電子和空穴分別從陰極和陽極注入夾在電極間的有機(jī)功能薄電子和空穴分別從陰極和陽極注入夾在電極間的有機(jī)功能薄膜層；膜層；載流子的遷移：載流子的遷移：載流子分別從電子傳輸層和空穴傳輸層向發(fā)光層遷移；載流子分別從電子傳輸層和空

30、穴傳輸層向發(fā)光層遷移；激子的形成和擴(kuò)散激子的形成和擴(kuò)散：電子和空穴在發(fā)光層中相遇，形成激子，激子復(fù)合并將：電子和空穴在發(fā)光層中相遇，形成激子，激子復(fù)合并將能量傳遞給發(fā)光材料，使其從基態(tài)能級(jí)躍遷為激發(fā)態(tài)；能量傳遞給發(fā)光材料，使其從基態(tài)能級(jí)躍遷為激發(fā)態(tài)；發(fā)光：發(fā)光：激發(fā)態(tài)能量通過輻射馳豫過程產(chǎn)生光子，釋放出光能。激發(fā)態(tài)能量通過輻射馳豫過程產(chǎn)生光子，釋放出光能。陽極HTLEMLETL陰極LUMOHOMO三層結(jié)構(gòu)的三層結(jié)構(gòu)的OLEDOLED的能帶圖的能帶圖當(dāng)器件加正向偏壓時(shí)當(dāng)器件加正向偏壓時(shí), ,電電子和空穴分別從陰極和陽子和空穴分別從陰極和陽極注入到有機(jī)材料中極注入到有機(jī)材料中, ,外場(chǎng)外場(chǎng)的作用使

31、它們遷移至發(fā)光的作用使它們遷移至發(fā)光層層 電子和空穴在發(fā)光層相電子和空穴在發(fā)光層相遇后遇后, ,由于庫侖作用形成暫由于庫侖作用形成暫態(tài)激子態(tài)激子, ,處于不穩(wěn)定態(tài)處于不穩(wěn)定態(tài). .其其中大部分發(fā)生復(fù)合中大部分發(fā)生復(fù)合, ,電子落電子落入空穴入空穴, ,釋放出能量釋放出能量 發(fā)光材料原子的最外層發(fā)光材料原子的最外層電子吸收這些能量后將處電子吸收這些能量后將處于激發(fā)態(tài)于激發(fā)態(tài), ,當(dāng)激發(fā)態(tài)的電子當(dāng)激發(fā)態(tài)的電子躍遷回基態(tài)時(shí)輻射出光子躍遷回基態(tài)時(shí)輻射出光子, ,釋放出光能釋放出光能Name:電子AndIam:空穴（1 1）、空穴傳輸材料）、空穴傳輸材料傳輸空穴的空穴傳輸材料應(yīng)該具備以下條件：傳輸空穴的

32、空穴傳輸材料應(yīng)該具備以下條件： 具有良好的空穴傳輸特性；具有良好的空穴傳輸特性； 具有較低的具有較低的IpIp（離化勢(shì)），易于由陽極注入空穴；（離化勢(shì)），易于由陽極注入空穴； 激發(fā)能量高于發(fā)光層的激發(fā)能量；激發(fā)能量高于發(fā)光層的激發(fā)能量； 不能與發(fā)光層形成激基復(fù)合物；不能與發(fā)光層形成激基復(fù)合物； 具有良好的成膜性和較高的玻璃化溫度，熱穩(wěn)定性好，可以具有良好的成膜性和較高的玻璃化溫度，熱穩(wěn)定性好，可以用真空蒸發(fā)法形成致密的薄膜，不易結(jié)晶。用真空蒸發(fā)法形成致密的薄膜，不易結(jié)晶?？昭▊鬏敳牧现饕欠枷惆奉??？昭▊鬏敳牧现饕欠枷惆奉?。目前最常用的小分子空穴傳輸材料目前最常用的小分子空穴傳輸材料TPDT

33、PD和和-NPB-NPB3 3、小分子、小分子OLEDOLED材料材料TPDNNCH3H3CNNN PDNCH3NNNCHCH3MTDATA3NN芳二胺NNMeOCH3CH3CH3吡唑啉類化合物吡唑啉類化合物 NNOCH3（2 2）、電子傳輸材料）、電子傳輸材料傳輸電子的電子傳輸材料應(yīng)滿足以下要求：傳輸電子的電子傳輸材料應(yīng)滿足以下要求：（1 1）具有良好的電子傳輸特性；）具有良好的電子傳輸特性；（2 2）具有較低的）具有較低的EaEa（電子親和勢(shì)），易于由陰極注入電子；（電子親和勢(shì)），易于由陰極注入電子；（3 3）激發(fā)能量高于發(fā)光層的激發(fā)能量；）激發(fā)能量高于發(fā)光層的激發(fā)能量；（4 4）不能與發(fā)

34、光層形成激基復(fù)合物；）不能與發(fā)光層形成激基復(fù)合物；（5 5）成膜性和化學(xué)穩(wěn)定性良好，不易結(jié)晶。）成膜性和化學(xué)穩(wěn)定性良好，不易結(jié)晶。目前最常使用的電子傳輸材料是目前最常使用的電子傳輸材料是OXD-7OXD-7和許多有機(jī)金屬螯合和許多有機(jī)金屬螯合物如物如AlqAlq3 3 ButNNOButNNOOXD7NOAlONONAlq3噁噁二唑衍生物二唑衍生物DPVBiNNOOBeBeq2苯乙烯類衍生物苯乙烯類衍生物NNOButPBDButNNNTAZONSO香豆素衍生物香豆素化合物三唑化合物（3 3）、發(fā)光材料分類：）、發(fā)光材料分類：用于用于OELDOELD的發(fā)光材料首先要滿足以下五點(diǎn)要求：的發(fā)光材料首

35、先要滿足以下五點(diǎn)要求： 具有高效率的固態(tài)熒光，無明顯的濃度淬滅現(xiàn)象具有高效率的固態(tài)熒光，無明顯的濃度淬滅現(xiàn)象 具有良好的化學(xué)穩(wěn)定性和熱穩(wěn)定性，不與電極和載流子傳輸具有良好的化學(xué)穩(wěn)定性和熱穩(wěn)定性，不與電極和載流子傳輸材料發(fā)生反應(yīng)；材料發(fā)生反應(yīng)； 易形成致密的非晶態(tài)薄膜且不易結(jié)晶；易形成致密的非晶態(tài)薄膜且不易結(jié)晶； 具有適當(dāng)?shù)陌l(fā)光波長；具有適當(dāng)?shù)陌l(fā)光波長； 具有一定的載流子傳輸能力。具有一定的載流子傳輸能力。按材料的分子結(jié)構(gòu)特性分類：按材料的分子結(jié)構(gòu)特性分類：A A、有機(jī)小分子熒光染料、有機(jī)小分子熒光染料ElEl材料材料ONSO香豆素衍生物香豆素衍生物OCNCNNDCJONCH3CH3CNNCCH

36、3DCMOSNNOCoumarin6暈 苯 （ C oronene）NNMeOPyrazolineDPVBiPeryleneNC H3NCH3OOOO Perylene苝二酸酐衍生物苝二酸酐衍生物另外一些有機(jī)小分子熒光染料另外一些有機(jī)小分子熒光染料NHNHoOQuinacridoneRubrene稠環(huán)芳烴類衍生物稠環(huán)芳烴類衍生物配體微擾金屬離子發(fā)光的配合物發(fā)光材料配體微擾金屬離子發(fā)光的配合物發(fā)光材料A A、金屬離子微擾配體發(fā)光的配合物發(fā)光材料、金屬離子微擾配體發(fā)光的配合物發(fā)光材料具有優(yōu)良的載流子傳輸特性和成膜性能，是目前最常用的具有優(yōu)良的載流子傳輸特性和成膜性能，是目前最常用的OELOEL材料

37、。材料。NOAlONONAlq3NONOBeBebq2AZM1ONONRZnNNNNZnZnPc甲亞胺類絡(luò)合物甲亞胺類絡(luò)合物卟啉鋅絡(luò)合物卟啉鋅絡(luò)合物B B、配體微擾金屬離子發(fā)光的配合物發(fā)光材料、配體微擾金屬離子發(fā)光的配合物發(fā)光材料一般是稀土金屬螯合物。一般是稀土金屬螯合物。NNOOTb3Tb(AcA)3phenNNOOEu3Eu(DBM)3bath（4 4）、緩沖層材料）、緩沖層材料為了增強(qiáng)金屬及其氧化物電極與有機(jī)材料的附著強(qiáng)度引入的。為了增強(qiáng)金屬及其氧化物電極與有機(jī)材料的附著強(qiáng)度引入的。陽極處：陽極處：CuPcCuPc陰極處：陰極處：LiFLiF或或MgF2MgF2（5 5）、電極材料）、電

38、極材料為了有效注入載流子，對(duì)電極材料要求：為了有效注入載流子，對(duì)電極材料要求：陽極逸出功盡可能大（提供空穴，一般采用陽極逸出功盡可能大（提供空穴，一般采用ITO)ITO)；陰極逸出功；陰極逸出功盡可能?。ㄌ峁╇娮樱┍M可能小（提供電子）化學(xué)穩(wěn)定性好化學(xué)穩(wěn)定性好陽極：陽極： ITOITO、高功函數(shù)金屬、導(dǎo)電聚合物、高功函數(shù)金屬、導(dǎo)電聚合物陰極：陰極：MgAgMgAg、LiAlLiAl、LiF/AlLiF/Al1 1、結(jié)構(gòu)、結(jié)構(gòu)2 2、發(fā)光原理、發(fā)光原理3 3、材料、材料四、四、PELPEL結(jié)構(gòu)、機(jī)理、材料結(jié)構(gòu)、機(jī)理、材料1 1、PLEDPLED的結(jié)構(gòu)的結(jié)構(gòu) 單層薄膜夾心式單層薄膜夾心式ITO/PP

39、V/ALITO/PPV/AL 雙層或多層結(jié)構(gòu)，增加了載流子傳輸層雙層或多層結(jié)構(gòu)，增加了載流子傳輸層 幾種聚合物共混幾種聚合物共混 小分子染料摻雜聚合物小分子染料摻雜聚合物 基板：基板： 玻璃玻璃 聚碳酸酯柔性襯底聚碳酸酯柔性襯底 極化子在外加電場(chǎng)作用下，在鏈內(nèi)傳遞、跳躍、復(fù)合成為雙極極化子在外加電場(chǎng)作用下，在鏈內(nèi)傳遞、跳躍、復(fù)合成為雙極子，光輻射失活發(fā)光子，光輻射失活發(fā)光 聚合物聚合物ELDELD的發(fā)光過程，與小分子的發(fā)光過程，與小分子OELD OELD 相似，屬于注入式發(fā)相似，屬于注入式發(fā)光。光。 共軛鏈中的共軛鏈中的分子軌道，有一半成鍵分子軌道，有一半成鍵分子軌道，另一半是反分子軌道，另一

40、半是反鍵鍵分子軌道，這些軌道按能量高低依次排列。分子軌道，這些軌道按能量高低依次排列。 電子率先填充于能量較低的成鍵分子軌道，而能量較高的反鍵分電子率先填充于能量較低的成鍵分子軌道，而能量較高的反鍵分子軌道一般是空的。子軌道一般是空的。 在外加電場(chǎng)作用下，陰極電子被注入到最低未占據(jù)分子軌道在外加電場(chǎng)作用下，陰極電子被注入到最低未占據(jù)分子軌道（LUMOLUMO）中形成負(fù)極化子，陽極注入空穴到最高占據(jù)分子軌道）中形成負(fù)極化子，陽極注入空穴到最高占據(jù)分子軌道（HOMOHOMO）形成正極化子。）形成正極化子。 正、負(fù)極化子在共軛聚合物鏈段上反方向遷移，最后正、負(fù)極化正、負(fù)極化子在共軛聚合物鏈段上反方向

41、遷移，最后正、負(fù)極化子復(fù)合形成激子，激子通過輻射衰減而發(fā)光。子復(fù)合形成激子，激子通過輻射衰減而發(fā)光。2 2、PELDPELD的發(fā)光機(jī)制的發(fā)光機(jī)制h v 電 子 注 入 正 負(fù) 極 子 復(fù) 合 空 穴 注 入 （ ） 極 化 子 單 激 發(fā) 輻 射 衰 減 （ ） 極 化 子LU MOe-H O MOe- 圖圖1 1- -1 15 5 聚聚合合物物電電致致發(fā)發(fā)光光過過程程F Fi ig g. . 1 1- -1 15 5 T Th he e p pr ro oc ce es ss s o of f p po ol ly ym me er r e el le ec ct tr ro ol lu u

42、m mi in ne es sc ce en nc ce e圖1-15給出了聚合物電致發(fā)光過程。Transparent Anode+（1 1）用于）用于ELDELD的聚合物材料要滿足以下要求：的聚合物材料要滿足以下要求： 具有高效率的固態(tài)熒光具有高效率的固態(tài)熒光 具有良好的化學(xué)穩(wěn)定性和熱穩(wěn)定性，加工性能優(yōu)良具有良好的化學(xué)穩(wěn)定性和熱穩(wěn)定性，加工性能優(yōu)良 易形成致密的非晶態(tài)薄膜且不易結(jié)晶易形成致密的非晶態(tài)薄膜且不易結(jié)晶 具有一定的發(fā)光波長具有一定的發(fā)光波長 具有一定的載流子傳輸特性具有一定的載流子傳輸特性3 3、 PELDPELD的材料的材料按材料的分子結(jié)構(gòu)特性分為三類：按材料的分子結(jié)構(gòu)特性分為三

43、類：A A、主鏈共軛高分子材料、主鏈共軛高分子材料具有長的共軛鏈，載流子傳輸性能優(yōu)良具有長的共軛鏈，載流子傳輸性能優(yōu)良包括包括PPVPPV及其衍生物、聚對(duì)苯撐等及其衍生物、聚對(duì)苯撐等B B、非主鏈共軛高分子材料、非主鏈共軛高分子材料共軛度小，電子在側(cè)鏈的掛接發(fā)光片斷內(nèi)移動(dòng)共軛度小，電子在側(cè)鏈的掛接發(fā)光片斷內(nèi)移動(dòng)聚噻吩衍生物聚噻吩衍生物C C、摻雜高分子材料、摻雜高分子材料包括多種聚合物共混、將小分子材料分散在聚合物基質(zhì)中兩種方包括多種聚合物共混、將小分子材料分散在聚合物基質(zhì)中兩種方式。式。（2）聚合物空穴傳輸材料）聚合物空穴傳輸材料 PPV PPV 聚乙烯基咔唑(PVK) 聚硅烷 （3）聚合物

44、電子傳輸材料）聚合物電子傳輸材料 含有三唑結(jié)構(gòu)單元如含有三唑結(jié)構(gòu)單元如TAZTAZ的聚合物的聚合物 （ PFTAZ PFTAZ ） 聚喹啉聚喹啉( PPQ) ( PPQ) （4）電極材料）電極材料 ITOITO、聚吡咯、聚苯胺等導(dǎo)電聚合物可用作聚合物、聚吡咯、聚苯胺等導(dǎo)電聚合物可用作聚合物ELDELD的陽極的陽極 陰極材料則盡量選用功函數(shù)較低的堿金屬或堿土金屬合金如陰極材料則盡量選用功函數(shù)較低的堿金屬或堿土金屬合金如MgMg、AlAl、CaCa等活潑金屬等活潑金屬 1 1、器件制備、器件制備 ITOITO玻璃襯底經(jīng)玻璃襯底經(jīng)清洗清洗及等離子體處理后放入真空室內(nèi)，及等離子體處理后放入真空室內(nèi)，器

45、件的各層都是在真空下，采用連續(xù)蒸發(fā)的方法制器件的各層都是在真空下，采用連續(xù)蒸發(fā)的方法制備。有摻雜劑時(shí)采用共蒸發(fā)的方法。備。有摻雜劑時(shí)采用共蒸發(fā)的方法。Mg:AgMg:Ag合金電極合金電極用雙源蒸發(fā)制得，最后經(jīng)密封制成器件。用雙源蒸發(fā)制得，最后經(jīng)密封制成器件。 2 2、 OELOEL器件的特性器件的特性 器件的亮度、色度及光譜通過器件的亮度、色度及光譜通過PR650PR650光譜掃描色度計(jì)光譜掃描色度計(jì)測(cè)量，亮度測(cè)量，亮度- -電壓和亮度電壓和亮度- -電流密度特性由電流密度特性由2400 2400 Source MeterSource Meter及相關(guān)線路測(cè)量。及相關(guān)線路測(cè)量。五、五、OLED

46、OLED的一般研究方法：的一般研究方法：有機(jī)電致發(fā)光器件的制備 1、基片的清洗、基片的清洗 2、有機(jī)功能薄膜的制備和電極的準(zhǔn)備、有機(jī)功能薄膜的制備和電極的準(zhǔn)備 3、封裝、封裝1 1、基片的清洗、基片的清洗 玻璃（玻璃（ITOITO） 稀稀HClHCl（掩模）（掩模） 條狀條狀I(lǐng)TOITO電極電極 水洗除水洗除去去HClHCl 丙酮超聲除去有機(jī)雜質(zhì)丙酮超聲除去有機(jī)雜質(zhì) 等離子等離子 體清洗體清洗 干凈的干凈的ITOITO條基片條基片2 2、有機(jī)功能薄膜和電極的制備、有機(jī)功能薄膜和電極的制備（1 1）、有機(jī)小分子）、有機(jī)小分子ELDELD的制作的制作 真空鍍膜：真空鍍膜：10104 4PaPa真空

47、室里，依次蒸鍍緩沖層、真空室里，依次蒸鍍緩沖層、HTLHTL、EMLEML和和ETLETL，蒸鍍電極。有機(jī)層厚度控制在，蒸鍍電極。有機(jī)層厚度控制在151550nm50nm，蒸發(fā)速率，蒸發(fā)速率0.1-0.1-1nm/s1nm/s。 自組裝膜制備：自組裝膜制備： LBLB膜制備：膜制備：（2 2）、聚合物）、聚合物ELDELD的制作的制作 旋涂法：將材料溶解在有機(jī)溶劑中，滴加在基板上，甩膠，蒸旋涂法：將材料溶解在有機(jī)溶劑中，滴加在基板上，甩膠，蒸鍍電極。簡單，膜層均勻無針孔，易于大面積器件鍍電極。簡單，膜層均勻無針孔，易于大面積器件 噴涂（噴涂（intintjetjet）：噴墨方式制作三基色象元，

48、易于實(shí)現(xiàn)彩色）：噴墨方式制作三基色象元，易于實(shí)現(xiàn)彩色和全色顯示工藝簡單和全色顯示工藝簡單 浸取法浸取法 印刷法印刷法3 3、器件的封裝、器件的封裝 器件的有機(jī)材料和金屬電極遇到水汽和氧氣發(fā)生氧化、晶器件的有機(jī)材料和金屬電極遇到水汽和氧氣發(fā)生氧化、晶化等物理化學(xué)變化，從而失效，必須封裝化等物理化學(xué)變化，從而失效，必須封裝 環(huán)氧樹脂對(duì)器件封裝，添加分子篩吸濕等環(huán)氧樹脂對(duì)器件封裝，添加分子篩吸濕等有機(jī)電致發(fā)光器件特性1 1、發(fā)射光譜、發(fā)射光譜2 2、發(fā)光亮度、發(fā)光亮度3 3、發(fā)光效率、發(fā)光效率4 4、響應(yīng)速度快、響應(yīng)速度快 5 5、壽命、壽命 1 1、發(fā)射光譜：與基質(zhì)和摻雜有關(guān)、發(fā)射光譜：與基質(zhì)和摻

49、雜有關(guān) 下圖示出一組下圖示出一組R R、G G、B B有機(jī)有機(jī)ELEL器件的發(fā)射光譜器件的發(fā)射光譜OEL顏色BGR雜質(zhì)PeryleneCoumarin6DCJT亮度（cd/m2）3551980770發(fā)光效率（lm/w)0.563.91.3驅(qū)動(dòng)電壓（V）1089量子效率0.0120.030.025這組有機(jī)這組有機(jī)ELEL器件的發(fā)射材料特性器件的發(fā)射材料特性2 2、發(fā)光亮度：、發(fā)光亮度：與驅(qū)動(dòng)電壓、電流密度、摻雜有關(guān)與驅(qū)動(dòng)電壓、電流密度、摻雜有關(guān)（1 1）、）、B BV V呈現(xiàn)很好的開關(guān)特性呈現(xiàn)很好的開關(guān)特性（2 2）、）、B B隨工作電流密度增加而增加隨工作電流密度增加而增加（3 3）、同一基質(zhì)

50、的）、同一基質(zhì)的OELOEL材料，材料，B B與摻雜種類和濃度有關(guān)與摻雜種類和濃度有關(guān)BV104103102DC10100BJmA/cm210410310210100103 3、發(fā)光效率比無機(jī)、發(fā)光效率比無機(jī)ELEL器件的發(fā)光效率高器件的發(fā)光效率高4 4、響應(yīng)速度快、響應(yīng)速度快 1us 1us5 5、壽命、壽命 與與B B0 0和摻雜有關(guān)和摻雜有關(guān) 獲得全色獲得全色OLEDOLED顯示器的方法有三種：顯示器的方法有三種： (1)(1)發(fā)光層加濾色片。發(fā)光層加濾色片。這是獲得全色顯示最簡單的方法，這是獲得全色顯示最簡單的方法，它是在研發(fā)它是在研發(fā)LCDLCD和和CCDCCD時(shí)形成的一種成熟的濾色片技術(shù)時(shí)形成的一種成熟的濾色片技術(shù) (2)(2)采用紅綠藍(lán)三種采用紅綠藍(lán)三種ELEL發(fā)光材料，發(fā)光材料，因此發(fā)光層為三層結(jié)因此發(fā)光層為三層結(jié)構(gòu)。構(gòu)。 (3)(3)采用藍(lán)色采用藍(lán)色ELEL發(fā)光材料，及光致發(fā)光的顏色轉(zhuǎn)換材料發(fā)光材料，及光致發(fā)光的顏色轉(zhuǎn)換材料獲得全色顯示。獲得全色顯示。六彩色顯示板的方法六彩色顯示板的方法 除藍(lán)色外，再由藍(lán)色光通過激發(fā)