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文檔簡介
1、2013年9月份考試數(shù)字電子技術第二次作業(yè)一、填空題(本大題共10分,共 4 小題,每小題 2.5 分)1. 動態(tài)隨機存儲器具有 _ 、 _ 和 _ 操作,掉電時數(shù)據(jù) _ 。2. 可編程只讀存儲器是利用疊柵MOS管的浮柵 _ 存儲0或1的。3. (11100111.001)2 = ( _ )10 = ( _ )164. 按取樣、 _ 、 _ 和編碼4個步驟實現(xiàn)模數(shù)轉換。在 _ 電路中完成取樣和保持,實現(xiàn)模擬量的時間離散化。在保持期內完成 _ ,實現(xiàn)對模擬量的幅值離散化。二、判斷改錯題(本大題共10分,共 2 小題,每小題 5 分)1. 一般TTL門電路的輸出端可以直接相連,實現(xiàn)線與。 2. 判
2、斷時序邏輯電路能否自啟動可通過判斷該電路是否存在有效循環(huán)來實現(xiàn)。三、繪圖題(本大題共10分,共 2 小題,每小題 5 分)1. 畫出邏輯函數(shù)的實現(xiàn)電路。2. 在圖所示TTL門電路中,已知門電路輸出的高電平UOH=3V,輸出的低電平UOL=0.3V,輸入A、B、C的波形如圖(b)所示,試畫出Y的波形圖。四、計算題(本大題共30分,共 5 小題,每小題 6 分)1. 畫出由512字×4位RAM構成的1024字×4位的存儲體。2. 一個4位R-2R倒T型電阻D/A轉換器,當輸入數(shù)字量為0001時,對應的輸出模擬電壓為0.02V,試計算當數(shù)字量為1101時輸出電壓為多少伏?3. 若
3、A/D轉換器(包括取樣-保持電路)輸入模擬信號的最高變化頻率為10kHz,試說明取樣頻率的下限是多少。完成一次A/D轉換所用時間的上限應為多少?4. 分析圖所示電路的功能。5. 用公式法將函數(shù)化簡為最簡與或表達式。五、簡答題(本大題共10分,共 4 小題,每小題 2.5 分)1. 為什么TTL非門的工作速度較快?2. 簡述PMOS的開關作用。3. 閃存是如何寫入數(shù)據(jù)的?4. 簡述組合邏輯電路的特點。六、分析題(本大題共20分,共 4 小題,每小題 5 分)1. 二極管ROM電路如下圖所示。已知A1A0取值為00、01、10、11時,地址譯碼器輸出W0W3分別出現(xiàn)高電平。根據(jù)電路結構,說明內存單
4、元03中的內容是什么?圖中“·”表示如虛線框所示的二極管連接。2. 主從RS觸發(fā)器的邏輯符號和輸入波形如圖所示。設初始狀態(tài)Q0。畫出端的波形。3. 試分析題圖(a)、(b)所示電路的邏輯功能。寫出Y、Y2的邏輯表達式。圖中的門電路均為CMOS門電路,這種連接方式能否用于TTL門電路?4. 試畫出圖所示三態(tài)門和TG門的輸出電壓波形。七、設計題(本大題共10分,共 1 小題,每小題 10 分)設計一個電話機信號控制電路。電路有I0(火警)、I1(盜警)和I2(日常業(yè)務)三種輸入信號,通過排隊電路分別從Y0、Y1、Y2輸出,在同一時間只能有一個信號通過。如果同時有兩個以上信號出現(xiàn)時,應首先
5、接通火警信號,其次為盜警信號,最后是日常業(yè)務信號。試按照上述輕重緩急設計該信號控制電路。要求用集成門電路7400(每片含4個2輸入端與非門)實現(xiàn)。答案:一、填空題(10分,共 4 題,每小題 2.5 分)1. 參考答案:讀;寫;刷新;丟失解題方案:評分標準:2. 參考答案:有無電荷解題方案:評分標準:3. 參考答案:231.125 ,E7.2解題方案:評分標準:4. 參考答案:保持;量化;取樣和保持;量化和編碼解題方案:評分標準:二、判斷改錯題(10分,共 2 題,每小題 5 分)1. 參考答案:錯解題方案:評分標準:2. 參考答案:錯解題方案:評分標準:三、繪圖題(10分,共 2 題,每小題
6、 5 分)1. 參考答案:邏輯電路圖如下圖所示 解題方案:評分標準:2. 參考答案:根據(jù)圖寫出輸出邏輯表達式: 解題方案:評分標準:四、計算題(30分,共 5 題,每小題 6 分)1. 參考答案:電路如圖所示。 解題方案:評分標準:2. 參考答案:當數(shù)字量為1101時,輸出電壓為0.26V。解題方案:評分標準:3. 參考答案:取樣頻率的下限:完成一次A/D轉換所用時間的上限解題方案:評分標準:4. 參考答案:解題方案:評分標準:5. 參考答案:解題方案:評分標準:五、簡答題(10分,共 4 題,每小題 2.5 分)1. 參考答案:無論輸出低電平或是高電平,TTL非門的推拉輸出級輸出電
7、阻均很小,對負載電容的沖放電時間常數(shù)小,輸出電平轉換較快。解題方案:評分標準:2. 參考答案:解題方案:評分標準:3. 參考答案:在閃存中源極受編程電路的控制。讀寫時源極接地;擦除時源極接較高電壓。由于存儲陣列的閃存MOS管的源極全部連接在一起,利用隧道效應,可以實現(xiàn)眾多存儲單元的批量擦除。閃存的數(shù)據(jù)改寫同樣遵循先擦除后寫入的原則。通常先批量擦除欲改寫的眾多存儲單元,然后以字為單位寫入數(shù)據(jù)。解題方案:評分標準:4. 參考答案:組合邏輯電路具有下述特點: 組合電路是由邏輯門表示的數(shù)字器件和電子元件組成的電路,電路中沒有反饋,沒有記憶元件; 組合電路實現(xiàn)輸入輸出間的某種邏輯關系,任一時刻的輸出狀態(tài)僅取決于該時刻各輸入的狀態(tài)組合,而與時間變量無關。 解題方案:評分標準:六、分析題(20分,共 4 題,每小題 5 分)1. 參考答案:0、1、2、3單元的存儲數(shù)據(jù)分別是:1011,0110,1101,0111。解題方案:評分標準:2. 參考答案:主從RS觸發(fā)器的觸發(fā)時刻時在CP的下降沿,其它的特性方程是: 其波形如圖所示:解題方案:評
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