靜電場(chǎng)論文靜電場(chǎng)二次電子倍增效應(yīng)時(shí)間演化特性斜入射腔結(jié)構(gòu)

1、靜電場(chǎng)論文：基于HPM器件的二次電子倍增效應(yīng)的模型建立及特性研究【中文摘要】隨著近幾年科學(xué)技術(shù)的不斷進(jìn)步,各行各業(yè)對(duì)高功能率微波的需求越來(lái)越多,因此對(duì)其性能要求也在不斷提高,隨著對(duì)其諸如輸出功率,輸出頻率、能量等指標(biāo)要求的不斷提高,高功率微波技術(shù)的發(fā)展也會(huì)出現(xiàn)一些新的問(wèn)題需要我們?nèi)ソ鉀Q。在這些問(wèn)題中主要包含脈沖縮短和饋源介質(zhì)窗擊穿問(wèn)題。研究發(fā)現(xiàn)二次電子倍增是引起脈沖縮短、饋源介質(zhì)窗擊穿的最主要原因,因此對(duì)二次電子倍增效應(yīng)的研究具有很重要的理論研究和實(shí)際應(yīng)用價(jià)值,通過(guò)研究,掌握其產(chǎn)生原因,變化規(guī)律等特性,可以很好的解決上述兩個(gè)問(wèn)題,突破制約高功率微波源技術(shù)向高功率、高效率發(fā)展的瓶頸,從而可以更好

2、的推動(dòng)高功率微波技術(shù)的發(fā)展。在高功率微波源器件的波束相互作用腔中,一般有射頻場(chǎng)、聚焦磁場(chǎng)和空間電荷,空間電荷產(chǎn)生的靜電場(chǎng)與空間電荷形成自洽相互作用。在以往的研究中往往忽略了磁場(chǎng)的作用,并且空間靜電場(chǎng)以常數(shù)來(lái)處理。本論文以磁絕緣傳輸線振蕩器(MILO)的結(jié)構(gòu)為例,在考慮由內(nèi)部電流產(chǎn)生的聚焦磁場(chǎng)、空間電荷場(chǎng)和空間電荷相互作用基礎(chǔ)上,首先計(jì)算分析了自絕緣磁場(chǎng)對(duì)二次電子倍增效應(yīng)(multipactor)的影響；然后通過(guò)對(duì)泊松方程求解得到空間電荷的直流自洽場(chǎng),在此基礎(chǔ)上建立單邊二次電子倍增效應(yīng)(m.【英文摘要】Along with the of HPM source performance such a

3、s output power, output frequency, output energy continue to improve, HPM technology development also appeared in some new problems to solve. These issues included pulse shortening and feed media breakdown in main. Study found that the multipactor is the main reason to the problems, so study the mult

4、ipactor has important theoretical and practical value, through its research and grasp the causes, can solve these two problems, breakthroughs the bottleneck in high-.【關(guān)鍵詞】靜電場(chǎng) 二次電子倍增效應(yīng) 時(shí)間演化特性 斜入射 腔結(jié)構(gòu)【英文關(guān)鍵詞】electrostatic field multipactor time evolution oblique incidence cavity structure【索購(gòu)全文】聯(lián)系Q1：138

5、113721 Q2：139938848【目錄】基于HPM器件的二次電子倍增效應(yīng)的模型建立及特性研究摘要5-6Abstract6第1章 緒論9-141.1 選題背景及其意義9-101.2 國(guó)內(nèi)外研究動(dòng)態(tài)101.3 課題研究?jī)?nèi)容10-121.4 研究方案、工作特色及難點(diǎn)12-141.4.1 研究方案121.4.2 課題難點(diǎn)12-131.4.3 預(yù)期成果131.4.4 創(chuàng)新點(diǎn)13-14第2章 二次電子倍增效應(yīng)14-202.1 二次電子倍增效應(yīng)物理機(jī)制14-152.2 二次電子激發(fā)模型15-162.3 計(jì)算方案和程序設(shè)計(jì)16-20第3章 基于自洽相互作用的空間電荷產(chǎn)生的靜電場(chǎng)E_D20-233.1 空

6、間電荷勢(shì)的推導(dǎo)及靜電場(chǎng)的確定20-223.1.1 正弦函數(shù)分布的空間電荷勢(shì)20-213.1.2 貝塞爾函數(shù)分布的空間電荷勢(shì)21-223.2 本章小結(jié)22-23第4章 絕緣磁場(chǎng)對(duì)次級(jí)電子倍增效應(yīng)的影響23-334.1 動(dòng)力學(xué)模型23-244.2 磁場(chǎng)對(duì)次級(jí)電子倍增效應(yīng)的影響分析24-274.3 敏感曲線和次級(jí)電子的時(shí)間演化曲線27-304.3.1 磁場(chǎng)對(duì)敏感區(qū)域的影響27-294.3.2 磁場(chǎng)對(duì)次級(jí)電子時(shí)間演化的影響29-304.4 斜入射對(duì)敏感區(qū)域和二次電子時(shí)間演化的影響30-324.5 本章小結(jié)32-33第5章 基于直流空間電荷自洽場(chǎng)的單邊MULTIPACTOL33-435.1 動(dòng)力學(xué)原理及

7、MULTIPACTOR模型33-345.2 敏感區(qū)域及二次電子的時(shí)間演化34-385.2.1 敏感曲線34-355.2.2 磁場(chǎng)對(duì)multipactor的影響35-375.2.3 隨空間變化的E_d與空間恒定E_d兩種情況下multipactor的對(duì)比37-385.3 不同入射角_i入射對(duì)MULTIPACTOR的影響385.4 電子壁碰撞過(guò)程中的能量交換規(guī)律38-395.5 靜電場(chǎng)E_d的演化規(guī)律39-415.5.1 靜電場(chǎng)E_d在不同時(shí)刻隨空間的演化規(guī)律39-405.5.2 靜電場(chǎng)E_d隨時(shí)間的演化規(guī)律40-415.6 本章小結(jié)41-43第6章 參數(shù)變化對(duì)二次電子倍增的影響43-476.1 空間電荷勢(shì)改變對(duì)二次電子倍增的影響43-446.2 腔半徑改變對(duì)二次電子倍增的影響44-456.3 離子束半徑改變對(duì)二次電子倍增的影響45-466.4 器壁表面光滑系數(shù)改變對(duì)二次電子倍增的影響466.5 本章小結(jié)46-47第7章 總結(jié)與展望47-517.1 結(jié)論47-487