ETCH名詞解釋

1、專有名詞解說 一ETCH英文名詞：ETCH中文名詞：蝕刻定義：利用物理、化學或是物理加化學的方式將材料移除的過程說明：使用物理方法（離子撞擊）或是化學方法（薄膜與氣體或是液體反應）, 將薄膜或是基材不需要的部分去除。需要的部分可以由Mask保護, 保留下來。使用例子：Poly etch、SiN etch、Contact etch Metal etch、Pad etch上光阻作為Mask蝕刻步驟PRPRPRPR光阻去除可以控制蝕刻時的方向性，得到平直的蝕刻剖面，但一般一次都只 能蝕刻一片芯片Film專有名詞解說一ETCH英文名詞：Dry Etch中文名詞：干蝕刻定義：利用氣體作為與薄膜反應的物質

2、，用物理或是物理加化學的反應去 除材料說明：電漿蝕刻或是離子撞擊蝕刻，如 CF4電漿系統(tǒng)可蝕刻SiO2。特性：中文名詞：濕蝕刻定義：利用在溶液中的化學反應，將材料移除的過程使用例子：使用硫酸H2SO4溶液去除光阻、使用磷酸 H3PO4溶液去除Si3N4薄 膜、使用氫氟酸HF蝕刻SiO2。特性：蝕刻為等向性蝕刻，側壁不比直，為曲線狀，多為Batch式。PRPRPR _溶液溶液濕蝕刻制程示意圖專有名詞解說 一ETCH中文名詞：電漿定義：將氣體加上電壓，形成一個部分離子化的氣體系統(tǒng)，成分包含離子、 電子、分子與原子團。說明：電漿當中所含的正電和負電粒子具有相同的濃度。帶電粒子的密度 大概是10910

3、11/cm3,而離子比中性粒子的比例是10-410-6。使用例子：干蝕刻技術-電漿蝕刻、PECVD (Plasma En ha need CVD)l|'|l抽氣專有名詞解說 一ETCH英文名詞：Isotropic / Ani sotropic中文名詞：等向性/非等向性定義：蝕刻等向性：表示每個方向的蝕刻速率都是一樣的 蝕刻非等性性：表示不同方向的蝕刻速率不同說明：一般干蝕刻技術可以得到非等向性的蝕刻結果，濕蝕刻技術大多是 等向性的。非等向性蝕刻示意圖等向性蝕刻示意圖基材PRR3/R2PRjR1基材基材中文名詞：選擇比定義：蝕刻的選擇比，指同一個蝕刻方法對于不同薄膜蝕刻率的比值說明：被蝕

4、刻薄膜/下層薄膜的選擇比，會影響到蝕刻最后的結果，通常選 擇比愈大，蝕刻制程的控制能力愈好。選擇比小,下層薄膜受損而且光阻出現削角選擇比極小基材受損, 光阻削角成為錐狀PRPR被蝕刻 薄膜被蝕刻薄膜下層薄膜選擇比大控制良被蝕刻薄膜下層薄膜被蝕刻薄膜下層薄膜基材基材基材英文名詞：Profile中文名詞：剖面輪廓定義：半導體制程中，Profile指組件的側面剖面輪廓說明：蝕刻制程主要就是控制剖面輪廓，成為理想中的圖形。輪廓包含了 蝕刻的寬度、深度、角度等。側邊輪廓線Profile專有名詞解說 一ETCH英文名詞：CD (Critical Dime nsio n)中文名詞：微距定義：半導體制程中，重

5、要層次的線寬、線洞的距離尺寸說明：用來仿真黃光與蝕刻制程優(yōu)劣的重要參數，例如Poly CD、Con tactCD 等，通常以 SEM (Scanning Electron Microscope量測Contact CDPoly CD組件側面圖英文名詞：AEI (After Etchi ng In spectio n) 中文名詞：蝕刻后檢查定義:蝕刻站完成后，或是后續(xù)光阻去除后，以顯微鏡目檢的工作站別 說明：檢查蝕刻制程是否造成缺陷(pits凹洞、蝕刻不足、 光阻殘留等)，視情況處理產品，避免流入下一站。SiN ETCHSiN AEI K SiN Dry Stri SiN Wet Strip|Si

6、N ECDChamber ACO1 In spect蝕刻后檢查：中文名詞：定義：孔洞的寬度除以孔洞的深度之比值，Width / Thick ness說明:再黃光或是蝕刻的制程中，對于后段 Metallization，需要形成細長 的孔洞，利用Aspect Ratio來代表孔洞的寬/深比。寬深比愈小，表 示制程的難度愈高。專有名詞解說 一ETCH英文名詞：Chamber中文名詞：反應室定義：提供制程進行的反應環(huán)境，可控制環(huán)境的溫度、氣體與壓力等參數說明：一部機臺可能有一個或是多個的反應室，可以獨立進行不同的制程。 例如HPY機臺，有Poly Chamber和WSi Chamber用來沉積不同的 薄膜。CDE機臺，有Poly Chamber、Oxide Chamber用來蝕刻不同專有名詞解說 一ETCH專有名詞解說 一ETCH英文名詞中文名詞End Point蝕刻終點專有名詞解說 一ETC