SiC碳化硅實用教案

1、目錄(ml) 1.SiC的結(jié)構(gòu) 2.SiC的性質(zhì)與應(yīng)用 3.SiC的制備技術(shù) 4.SiC當(dāng)前的研究(ynji)情況第1頁/共8頁第一頁，共9頁。結(jié)構(gòu)(jigu)碳化硅存在著約250種結(jié)晶形態(tài)。由于碳化硅擁有一系列相似晶體結(jié)構(gòu)的同質(zhì)多型體使得(sh de)碳化硅具有同質(zhì)多晶的特點。地球上的碳化硅（莫桑石）非常稀有但在宇宙空間中卻相當(dāng)常見。宇宙中的碳化硅通常是碳星周圍的宇宙塵埃中的常見成分。在宇宙和隕石中發(fā)現(xiàn)的碳化硅幾乎無一例外都是相晶形的。()第2頁/共8頁第二頁，共9頁。結(jié)構(gòu)(jigu) -碳化硅(-SiC)是這些多型體中最為常見的，它是在大于1700C的溫度下形成(xngchng)的，具有類

2、似纖鋅礦的六方晶體結(jié)構(gòu)。 具有類似鉆石的閃鋅礦晶體結(jié)構(gòu)的-碳化硅(-SiC)則是在低于1700C的條件下形成(xngchng)的。第3頁/共8頁第三頁，共9頁。性質(zhì)(xngzh)與應(yīng)用 磨料和切割工具 汽車剎車片、離合器和防彈背心 結(jié)構(gòu)材料(cilio) 光學(xué)鏡面材料(cilio) 高溫、高壓半導(dǎo)體 催化劑載體 熱導(dǎo)率高 飽和電子遷移率高 抗電壓擊穿能力強(qiáng) 熱膨脹系數(shù)也非常低（4.010-6/K） -碳化硅擁有很高的比表面積 6H-SiC和4H-SiC最大的差異在于(ziy)4H-SiC的電子遷移率是6H-SiC的兩倍，這是因為4H-SiC有較高的水平軸(a-axis)移動率。第4頁/共8頁第

3、四頁，共9頁。制備(zhbi)技術(shù) 固相法第5頁/共8頁第五頁，共9頁。制備(zhbi)技術(shù) 氣相法熱分解法第6頁/共8頁第六頁，共9頁。當(dāng)前的研究(ynji)情況 蔡寧等通過松木(sn m)碳化后滲硅處理，在高溫條件下得到致密的Si/SiC復(fù)相材料。 錢軍民等以椴木木粉、酚醛樹脂和硅粉為原料，采用低溫碳化和高溫原位反應(yīng)燒結(jié)，而后排出游離硅的工藝制成具有椴木微觀結(jié)構(gòu)的多孔SiC陶瓷。 邢素麗等采用溶膠-凝膠法，億正硅酸乙酯和酚醛樹脂為原料，在草酸的催化作用下，制備均相SiC先驅(qū)體，并燒結(jié)為陶瓷材料。 在一維SiC納米材料方面的研究現(xiàn)在已有SiC納米棒、SiC納米線、SiC納米管、SiC納米線花、SiC納米Y字結(jié)、SiC同軸納米電纜等。第7頁/共8頁第七頁，共9頁。謝謝您的觀看(gunkn)！第8頁/共8頁第八頁，共9頁。NoImage內(nèi)容(nirng)總結(jié)目錄。由于碳化硅擁有一系列相似晶體結(jié)構(gòu)的同質(zhì)多型體使得碳化硅具有同質(zhì)多晶的特點。宇宙中的碳化硅通常是碳星周圍的宇宙塵埃中的常見成分。在宇宙和隕石中發(fā)現(xiàn)的碳化硅幾乎無一例外都是相晶形的。具有類似鉆石(zunsh)的閃鋅礦晶體結(jié)構(gòu)的-碳化硅(-SiC)則是在低于1700C的條件下形成的。錢軍民等以椴木木粉、酚醛樹脂