南昌理工學(xué)院《硅材料檢測技術(shù)》陳文彬

1、硅材料檢測技術(shù)一填空1.冷熱探筆法測太陽能電池導(dǎo)電類型。2.在冷熱二端之間建立電場，電場的方向冷 熱。3.電阻率公式： =US/IL( 二） =CU23/I （四 )4.太陽能電池片樣品二端電壓的變化量與半導(dǎo)體中非平衡載流子濃度成正比關(guān)系。5.刃型位錯的柏格斯矢量與位錯線垂直，而螺型位錯的柏格斯矢量平行。6.半導(dǎo)體硅是金剛石結(jié)構(gòu)，立方晶系。7.O 半峰寬 32cm1， C 半峰寬 6cm1。8.純水（去離子水）即去掉陰陽離子和有機(jī)物等雜質(zhì)的水。二名詞解釋1載流子的擴(kuò)散系數(shù)D （ cm2/s)2測試要滿足的小注入條件：無論是直流光電導(dǎo)法或高頻光電導(dǎo)法測量少數(shù)載流子壽命時應(yīng)滿足的小注入條件。注入比

2、的定義是p/no<1%就符合小注入條件。3電化學(xué)腐蝕： 金屬或半導(dǎo)體材料于高溫(1200 °C)在腐蝕氣體中所受到的腐蝕。4Sirtl 腐蝕液 : 可顯示（ 111）面缺陷，廣泛應(yīng)用。腐蝕時間 1015min 。1 儲備液（33%CrO3 水溶液） 1HF ； Dash腐蝕液 :可腐蝕各個晶面， 隨位錯線深入到晶體中會出現(xiàn)深的腐蝕坑，減少冰醋酸量可使腐蝕加快。腐蝕時間116 小時。1HF、 3HNO3 、812HAC 。5微缺陷淺坑與位錯蝕坑的區(qū)別：前者呈淺的平底坑，顯微鏡下呈白亮的芯，而后者呈深的尖底坑，顯微鏡下呈黑三角形。6半峰寬： 在吸收系數(shù)與波數(shù)關(guān)系曲線上，取 1/2m

3、ax為半峰高，在半峰高處吸收峰的寬度波數(shù)值。7離子交換樹脂：一種包含離子交換團(tuán)的的樹脂，可選擇性交換水中陰離子或陽離子；8水回收率：產(chǎn)品水流量除以整個的給水流量。如果考慮到濃水返回前置RO，回收率一般為99%，如果濃水被排放，回收率可為9095% 。三 .解答題1四探針法：用針距約為1mm 的四根探針同時壓在樣品平整表面上，利用恒流源給外面二根探針通以電流，然后在中間二根探針上用電位差計或其它高輸入阻抗的電壓表測 量 電 壓 降 ， 再 根 據(jù) 電 阻 率 公 式 計 算 樣 品 的 電 阻 率 =CU23/I ，一般情況下 =U23。2解理面： 礦物晶體在外力作用下嚴(yán)格沿著一定結(jié)晶方向破裂，

4、并且能裂出光滑平面的性質(zhì)稱為解理 ，這些平面稱為解理面。解理面一般平行于面間距最大，面網(wǎng)密度最大的晶面，因為面間距大， 面間的引力小， 這樣就造成解理面一般的晶面指數(shù)較低，如 Si 的解理面為（ 111）。3光圖定向的基本原理：硅單晶面經(jīng)過研磨、擇優(yōu)腐蝕后，表面會出現(xiàn)許許多多的小腐蝕坑。當(dāng)一束平行光入射到這些小坑上，反射回來的光會在光屏上成像。這種光像具有與腐蝕坑相應(yīng)的宏觀對稱性。根據(jù)反射光像的對稱性和光圖中心的偏離角，可以確定晶體生長方向和晶體的晶向偏離角度。4紅外吸收法原理：通過研究分子振動的能級來推斷分子結(jié)構(gòu)。利用物質(zhì)中的分子對紅外輻射的吸收，得到與分子結(jié)構(gòu)相應(yīng)的紅外光譜圖，從而鑒定分子結(jié)構(gòu)的方法稱為紅外吸收光譜法。5離子交換法制備純水的原理：利用離子的不斷交換與樹脂的不斷再生的反復(fù)進(jìn)行來制取純水。原水流過離子交換樹脂時，水中的陰、陽離子會與樹脂的H+ 和 OH- 離子交換而被吸附到樹脂上，若陰、陽離子樹脂比例適當(dāng)，則樹脂中等量的H+ 和 OH- 離子進(jìn)入水中，完全結(jié)合成水，這一過程直至樹脂失效。然后經(jīng)過樹脂的再生處理，恢復(fù)樹脂的交換能力，進(jìn)行再交換，如此往復(fù)制取純水。四 .計算題1已 知 四 探 針 的 探 針 間 距 為S1=1.002mm ，S2=1.000mmm,S3=1.001mm, 請計算該探針的探針系數(shù)C。解：由公式1-16 可得 :C=21/