第3章-二極管及其基本電路

1、物體導(dǎo)電性能分類物體導(dǎo)電性能分類： 導(dǎo)體、半導(dǎo)體和絕緣體導(dǎo)體、半導(dǎo)體和絕緣體導(dǎo)體：導(dǎo)體：自然界中很容易導(dǎo)電的物質(zhì)稱為自然界中很容易導(dǎo)電的物質(zhì)稱為導(dǎo)體導(dǎo)體，金屬一般，金屬一般都是導(dǎo)體。都是導(dǎo)體。絕緣體：絕緣體：有的物質(zhì)幾乎不導(dǎo)電，稱為有的物質(zhì)幾乎不導(dǎo)電，稱為絕緣體絕緣體，如橡皮、，如橡皮、陶瓷、塑料和石英。陶瓷、塑料和石英。半導(dǎo)體：半導(dǎo)體：另有一類物質(zhì)的導(dǎo)電特性處于導(dǎo)體和絕緣體之另有一類物質(zhì)的導(dǎo)電特性處于導(dǎo)體和絕緣體之間，稱為間，稱為半導(dǎo)體半導(dǎo)體，如鍺、硅、砷化鎵和一些硫，如鍺、硅、砷化鎵和一些硫化物、氧化物等?；?、氧化物等。3.1 半導(dǎo)體的基本知識(shí)半導(dǎo)體的基本知識(shí) 半導(dǎo)體半導(dǎo)體的導(dǎo)電機(jī)理不同

2、于其它物質(zhì)，所以它具有不的導(dǎo)電機(jī)理不同于其它物質(zhì)，所以它具有不同于其它物質(zhì)的特點(diǎn)。例如：同于其它物質(zhì)的特點(diǎn)。例如：3.1.1 半導(dǎo)體材料半導(dǎo)體材料共價(jià)鍵共共價(jià)鍵共用電子對(duì)用電子對(duì)（束縛電子）束縛電子）+4+4+4+4+4+4表示除表示除去價(jià)電子去價(jià)電子后的原子后的原子 共價(jià)鍵中的兩個(gè)電子被緊緊束縛在共價(jià)鍵中，稱為共價(jià)鍵中的兩個(gè)電子被緊緊束縛在共價(jià)鍵中，稱為束縛束縛電子電子，絕對(duì)零度時(shí)束縛電子很難脫離共價(jià)鍵成為，絕對(duì)零度時(shí)束縛電子很難脫離共價(jià)鍵成為自由電子自由電子，因此本征半導(dǎo)體中的自由電子很少，所以本征半導(dǎo)體的導(dǎo)電因此本征半導(dǎo)體中的自由電子很少，所以本征半導(dǎo)體的導(dǎo)電能力很弱。能力很弱。3.1.

3、2 半導(dǎo)體半導(dǎo)體 (硅和鍺硅和鍺)的共價(jià)鍵結(jié)構(gòu)的共價(jià)鍵結(jié)構(gòu)在常溫下，由于熱激發(fā)，使一些價(jià)電子獲得足夠的能量在常溫下，由于熱激發(fā)，使一些價(jià)電子獲得足夠的能量而脫離共價(jià)鍵的束縛，成為而脫離共價(jià)鍵的束縛，成為自由電子自由電子，同時(shí)共價(jià)鍵上留下一個(gè)，同時(shí)共價(jià)鍵上留下一個(gè)空位，稱為空位，稱為空穴空穴。（本征激發(fā)）。（本征激發(fā)）1) 1) 載流子：載流子：( (自由電子和空穴自由電子和空穴) )+4+4+4+4自由電子自由電子空穴空穴束縛電子束縛電子3.1.3 3.1.3 本征半導(dǎo)體本征半導(dǎo)體2) 本征半導(dǎo)體的導(dǎo)電機(jī)理本征半導(dǎo)體的導(dǎo)電機(jī)理+4+4+4+4 * 空穴吸引附近的電子空穴吸引附近的電子來(lái)填補(bǔ)來(lái)填

4、補(bǔ), , 相當(dāng)于空穴的遷相當(dāng)于空穴的遷移，可以認(rèn)為空穴是載流子。移，可以認(rèn)為空穴是載流子?？昭◣д姾?，空穴移動(dòng)形空穴帶正電荷，空穴移動(dòng)形成電流。成電流。本征半導(dǎo)體中存在數(shù)量相等的兩種載流子，即本征半導(dǎo)體中存在數(shù)量相等的兩種載流子，即自由電子自由電子和和空穴空穴。 * 電子帶負(fù)電荷，電子移電子帶負(fù)電荷，電子移動(dòng)形成電流動(dòng)形成電流（和電流規(guī)定的（和電流規(guī)定的方向相反）方向相反）。 * 溫度越高，載流子的溫度越高，載流子的濃度越高。因此本征半導(dǎo)體濃度越高。因此本征半導(dǎo)體的導(dǎo)電能力越強(qiáng)的導(dǎo)電能力越強(qiáng)本征半導(dǎo)體導(dǎo)電能力很弱本征半導(dǎo)體導(dǎo)電能力很弱,且隨環(huán)境溫度而變化。且隨環(huán)境溫度而變化。在本征半導(dǎo)體中摻

5、入某些微量的雜質(zhì)，就會(huì)使半導(dǎo)體在本征半導(dǎo)體中摻入某些微量的雜質(zhì)，就會(huì)使半導(dǎo)體的導(dǎo)電性能發(fā)生顯著變化。其原因是摻雜半導(dǎo)體的某種的導(dǎo)電性能發(fā)生顯著變化。其原因是摻雜半導(dǎo)體的某種載流子濃度大大增加。載流子濃度大大增加。P 型半導(dǎo)體：型半導(dǎo)體：空穴濃度大大增加的雜質(zhì)半導(dǎo)體，空穴濃度大大增加的雜質(zhì)半導(dǎo)體，也稱為（空穴半導(dǎo)體）。也稱為（空穴半導(dǎo)體）。N 型半導(dǎo)體：型半導(dǎo)體：自由電子濃度大大增加的雜質(zhì)半自由電子濃度大大增加的雜質(zhì)半導(dǎo)體，也稱為（電子半導(dǎo)體）。導(dǎo)體，也稱為（電子半導(dǎo)體）。3.1.4 3.1.4 雜質(zhì)半導(dǎo)體雜質(zhì)半導(dǎo)體+4+4+5+4多余多余電子電子磷原子磷原子N 型半導(dǎo)體中的載流子：型半導(dǎo)體中的

6、載流子：1 1、由施主原子提供的電子，濃度與施主原子相同。、由施主原子提供的電子，濃度與施主原子相同。2 2、本征半導(dǎo)體中、本征半導(dǎo)體中成對(duì)成對(duì)產(chǎn)生的電子和空穴。產(chǎn)生的電子和空穴。 摻雜濃度遠(yuǎn)大于本征半導(dǎo)體中載流子濃度，所以，自由電摻雜濃度遠(yuǎn)大于本征半導(dǎo)體中載流子濃度，所以，自由電子濃度遠(yuǎn)大于空穴濃度。自由電子稱為子濃度遠(yuǎn)大于空穴濃度。自由電子稱為多數(shù)載流子多數(shù)載流子（多子多子），），空穴稱為空穴稱為少數(shù)載流子少數(shù)載流子（少子少子）。）。在本征半導(dǎo)體中摻入少量的在本征半導(dǎo)體中摻入少量的五價(jià)元素磷（或銻），外層有五個(gè)五價(jià)元素磷（或銻），外層有五個(gè)價(jià)電子，其中四個(gè)與相鄰的半導(dǎo)體價(jià)電子，其中四個(gè)與相

7、鄰的半導(dǎo)體原子形成共價(jià)鍵，必定多出一個(gè)電原子形成共價(jià)鍵，必定多出一個(gè)電子五價(jià)元素磷稱為子五價(jià)元素磷稱為施主原子施主原子。一一、N 型半導(dǎo)體型半導(dǎo)體 在硅或鍺晶體中摻入少量的三價(jià)元素，如在硅或鍺晶體中摻入少量的三價(jià)元素，如 硼（或硼（或銦），晶體點(diǎn)陣中的某些半導(dǎo)體原子被雜質(zhì)取代，硼原子銦），晶體點(diǎn)陣中的某些半導(dǎo)體原子被雜質(zhì)取代，硼原子的最外層有三個(gè)價(jià)電子的最外層有三個(gè)價(jià)電子，與相鄰的半導(dǎo)體原子形成共價(jià)與相鄰的半導(dǎo)體原子形成共價(jià) 鍵時(shí)，產(chǎn)生一個(gè)空穴。鍵時(shí)，產(chǎn)生一個(gè)空穴。 這個(gè)空穴可能吸引束這個(gè)空穴可能吸引束 縛電子來(lái)填補(bǔ)縛電子來(lái)填補(bǔ)， 使得使得 硼原子成為不能移動(dòng)硼原子成為不能移動(dòng) 的帶負(fù)電的離子

8、。的帶負(fù)電的離子。 由于硼原子接受電由于硼原子接受電 子，所以稱為子，所以稱為受主原子受主原子。+4+4+3+4空穴空穴硼原子硼原子P 型半導(dǎo)體中型半導(dǎo)體中空穴是多子空穴是多子，電子是少子電子是少子。二、二、P 型半導(dǎo)體型半導(dǎo)體三、雜質(zhì)半導(dǎo)體的示意表示法三、雜質(zhì)半導(dǎo)體的示意表示法P 型半導(dǎo)體型半導(dǎo)體+N 型半導(dǎo)體型半導(dǎo)體雜質(zhì)雜質(zhì)型半導(dǎo)體多子和少子的移動(dòng)都能形成電流。但由于型半導(dǎo)體多子和少子的移動(dòng)都能形成電流。但由于數(shù)量的關(guān)系，起導(dǎo)電作用的主要是多子。近似認(rèn)為多子數(shù)量的關(guān)系，起導(dǎo)電作用的主要是多子。近似認(rèn)為多子與雜質(zhì)濃度相等。與雜質(zhì)濃度相等。多子的擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)多子的擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)內(nèi)電場(chǎng)內(nèi)電場(chǎng)少子的漂移運(yùn)動(dòng)

9、少子的漂移運(yùn)動(dòng)濃度差濃度差 擴(kuò)散的結(jié)果使擴(kuò)散的結(jié)果使空間電荷區(qū)變寬。空間電荷區(qū)變寬?？臻g電荷區(qū)也稱空間電荷區(qū)也稱 PN 結(jié)結(jié) +形成空間電荷區(qū)形成空間電荷區(qū)PN 結(jié)變窄結(jié)變窄 P區(qū)接正極、區(qū)接正極、N區(qū)接負(fù)區(qū)接負(fù) 極極外電場(chǎng)外電場(chǎng)IF內(nèi)電場(chǎng)內(nèi)電場(chǎng)PN+ 內(nèi)電場(chǎng)被加內(nèi)電場(chǎng)被加強(qiáng)，少子的漂強(qiáng)，少子的漂移加強(qiáng)，由于移加強(qiáng)，由于少子數(shù)量很少，少子數(shù)量很少，形成很小的反形成很小的反向電流。向電流。IR+IR0 正向電流是否也隨溫度變化？正向電流是否也隨溫度變化？ PN結(jié)單向?qū)щ娦栽诎雽?dǎo)體器件中的重要性結(jié)單向?qū)щ娦栽诎雽?dǎo)體器件中的重要性：二極管、三極管、場(chǎng)效應(yīng)管、可控硅二極管、三極管、場(chǎng)效應(yīng)管、可控硅 管

10、等元器件的特性都與此有關(guān)管等元器件的特性都與此有關(guān)。電子電路必須具有電子電路必須具有直流電源直流電源才能工作。才能工作。陰極引線陰極引線陽(yáng)極引線陽(yáng)極引線二氧化硅保護(hù)層二氧化硅保護(hù)層P型硅型硅N型硅型硅( c ) 平面型平面型金屬觸絲金屬觸絲陽(yáng)極引線陽(yáng)極引線N型鍺片型鍺片陰極引線陰極引線外殼外殼( a ) 點(diǎn)接觸型點(diǎn)接觸型鋁合金小球鋁合金小球N型硅型硅陽(yáng)極引線陽(yáng)極引線PN結(jié)結(jié)金銻合金金銻合金底座底座陰極引線陰極引線( b ) 面接觸型面接觸型圖圖 3.3.1 半導(dǎo)體二極管的結(jié)構(gòu)和符號(hào)半導(dǎo)體二極管的結(jié)構(gòu)和符號(hào) 陰極陰極陽(yáng)極陽(yáng)極( d ) 符號(hào)符號(hào)D反向擊穿反向擊穿電壓電壓U(BR)反向特性反向特性

11、UIPN+PN+)1( TDVVSDeIiVT26 mV (溫度電壓當(dāng)量）溫度電壓當(dāng)量）伏安特性：伏安特性：1. 最大整流電流最大整流電流 IF二極管長(zhǎng)期使用時(shí)，允許流過(guò)二極管的最大正向平均電流。二極管長(zhǎng)期使用時(shí)，允許流過(guò)二極管的最大正向平均電流。2. 反向擊穿電壓反向擊穿電壓UBR 二極管反向擊穿時(shí)的電壓值。擊穿時(shí)反向電流劇增，二極管反向擊穿時(shí)的電壓值。擊穿時(shí)反向電流劇增，二極管的單向?qū)щ娦员黄茐?，甚至過(guò)熱而燒壞。手冊(cè)上二極管的單向?qū)щ娦员黄茐?，甚至過(guò)熱而燒壞。手冊(cè)上給出的最高反向工作電壓給出的最高反向工作電壓UWRM一般是一般是UBR的一半。的一半。3.3.3 二極管的參數(shù)二極管的參數(shù)3.

12、 反向電流反向電流 IR 指二極管未擊穿時(shí)的反向電流。反向電流越小，單向指二極管未擊穿時(shí)的反向電流。反向電流越小，單向?qū)щ娦栽胶?。溫度越高反向電流越大。硅管的反向電流較導(dǎo)電性越好。溫度越高反向電流越大。硅管的反向電流較小，鍺管的反向電流大。小，鍺管的反向電流大。4. 二極管的極間電容二極管的極間電容二極管的兩極之間有電容，此電容由兩部分組成：二極管的兩極之間有電容，此電容由兩部分組成：勢(shì)壘勢(shì)壘電容電容CB和和擴(kuò)散電容擴(kuò)散電容CD。勢(shì)壘電容：勢(shì)壘電容：勢(shì)壘區(qū)是勢(shì)壘區(qū)是積累空間電荷的區(qū)域，積累空間電荷的區(qū)域，當(dāng)電壓變化時(shí)，就會(huì)當(dāng)電壓變化時(shí)，就會(huì)引起積累在勢(shì)壘區(qū)的引起積累在勢(shì)壘區(qū)的空間電荷的變化，這

13、空間電荷的變化，這樣所表現(xiàn)出的電容是樣所表現(xiàn)出的電容是勢(shì)壘電容勢(shì)壘電容。4. 二極管的極間電容二極管的極間電容擴(kuò)散電容：擴(kuò)散電容：為了形成正向電為了形成正向電流（擴(kuò)散電流），注入流（擴(kuò)散電流），注入P 區(qū)的區(qū)的少子（電子）在少子（電子）在P 區(qū)有濃度差，區(qū)有濃度差，越靠近越靠近PN結(jié)濃度越大，即在結(jié)濃度越大，即在P 區(qū)有電子的積累。同理，在區(qū)有電子的積累。同理，在N區(qū)有空穴的積累。正向電流大，區(qū)有空穴的積累。正向電流大，積累的電荷多。這樣所產(chǎn)生的積累的電荷多。這樣所產(chǎn)生的電容就是擴(kuò)散電容電容就是擴(kuò)散電容CD。勢(shì)壘電容勢(shì)壘電容CB： 在正向和反向偏置時(shí)均不能忽略。在正向和反向偏置時(shí)均不能忽略。P

14、N結(jié)高頻小信號(hào)時(shí)的等效電路：結(jié)高頻小信號(hào)時(shí)的等效電路：勢(shì)壘電容和擴(kuò)散電勢(shì)壘電容和擴(kuò)散電容的綜合效應(yīng)容的綜合效應(yīng)rd擴(kuò)散電容擴(kuò)散電容CD： 在反向偏置時(shí)，由于載流子數(shù)目在反向偏置時(shí)，由于載流子數(shù)目很少，可以忽略。很少，可以忽略。3.4 二極管基本電路及其分析方法二極管基本電路及其分析方法3.4.1 簡(jiǎn)單二極管電路的圖解分析方法簡(jiǎn)單二極管電路的圖解分析方法 二極管是一種非線性器件，因而其電路一般要采二極管是一種非線性器件，因而其電路一般要采用非線性電路的分析方法，相對(duì)來(lái)說(shuō)比較復(fù)雜，而圖用非線性電路的分析方法，相對(duì)來(lái)說(shuō)比較復(fù)雜，而圖解分析法則較簡(jiǎn)單，但前提條件是已知二極管的解分析法則較簡(jiǎn)單，但前提條

15、件是已知二極管的V V - -I I 特性曲線。特性曲線。例例4.4.1 電路如圖所示，已知二極管的電路如圖所示，已知二極管的V-I特性曲線、電源特性曲線、電源VDD和電阻和電阻R，求二極管兩端電壓，求二極管兩端電壓vD和流過(guò)二極管的電流和流過(guò)二極管的電流iD 。 解：由電路的解：由電路的KVLKVL方程，可得方程，可得 RViDDDDv DDDD11VRRi v即即 是一條斜率為是一條斜率為- -1/R的直線，稱為的直線，稱為負(fù)載線負(fù)載線 Q的坐標(biāo)值（的坐標(biāo)值（VD，ID）即為所求。）即為所求。Q點(diǎn)稱為電路的點(diǎn)稱為電路的工作點(diǎn)工作點(diǎn)3.4.2 二極管二極管V V- -I I 特性的建特性的建

16、模（四種）：模（四種）：理想模型理想模型：正向看成短路正向看成短路(導(dǎo)通）導(dǎo)通）VD0，反向看成，反向看成 開(kāi)路（截止）開(kāi)路（截止）。恒壓降模型：恒壓降模型：正向?qū)▔航等《ㄖ担ㄕ驅(qū)▔航等《ㄖ担?VD 0.7v) ， 反向看成開(kāi)路（截止）反向看成開(kāi)路（截止）。折線模型：折線模型：正向?qū)闯梢粋€(gè)電池和一個(gè)電阻串聯(lián)，正向?qū)闯梢粋€(gè)電池和一個(gè)電阻串聯(lián)， 反向看成開(kāi)路（截止）反向看成開(kāi)路（截止）。小信號(hào)模型：小信號(hào)模型：在正向特性的工作點(diǎn)附近將其等效為在正向特性的工作點(diǎn)附近將其等效為 一個(gè)交流電阻一個(gè)交流電阻（用于動(dòng)態(tài)分析）。（用于動(dòng)態(tài)分析）。 3.4.2 二極管二極管V- I 特性的建模特性

17、的建模 1. 理想模型理想模型 2. 恒壓降模型恒壓降模型 3.4.2 二極管二極管V- I 特性的建模特性的建模3. 3. 折線模型折線模型（a）V-I特性特性 （b）電路模型）電路模型 4. 小信號(hào)模型小信號(hào)模型 二極管工作在正向特性的某一小范圍內(nèi)時(shí)，二極管工作在正向特性的某一小范圍內(nèi)時(shí)，其正向特性可以等效成一個(gè)微變電阻。其正向特性可以等效成一個(gè)微變電阻。DDdivr 即即)1(/SDD TVveIi根據(jù)根據(jù)得得Q點(diǎn)處的微變電導(dǎo)點(diǎn)處的微變電導(dǎo)QdvdigDDd QVvTTeVI/SD TVID dd1gr 則則DIVT 常溫下（常溫下（T=300K）)mA()mV(26DDdIIVrT 3

18、.4.2 二極管二極管V- I 特性的建模特性的建模RLuiuouiuott例例1：二極管半波整流二極管半波整流實(shí)際二極管：實(shí)際二極管：死區(qū)電壓死區(qū)電壓=0 .5V，正向壓降，正向壓降 0.7V(鍺管鍺管0.2V) ;理想二極管：理想二極管：死區(qū)電壓死區(qū)電壓=0 ，正向壓降，正向壓降=0 。二極管的應(yīng)用舉例二極管的應(yīng)用舉例BD16V12V3k AD2UAB+習(xí)題習(xí)題3.4.5和本例類似和本例類似例例2tuituRtuoRRLuiuRuo例例3 根據(jù)所給電路及輸入電壓波形根據(jù)所給電路及輸入電壓波形,畫(huà)出畫(huà)出輸出電壓的波形，設(shè)輸出電壓的波形，設(shè)uC（0）= 0V。0VV sin18itu t 動(dòng)畫(huà)

19、動(dòng)畫(huà)例例5(略略) 電路如圖所示，電路如圖所示， 二極管二極管D D為理想元件，為理想元件，ui=6sint V， U=3V, 所給輸出電壓所給輸出電壓u uO O 的波形對(duì)否？的波形對(duì)否？tuOV/63 3 60DVR10V+-又電路如下圖所示，又電路如下圖所示，R = 5k，二極管，二極管D為理想元件，為理想元件，電壓表的讀數(shù)約為幾伏？。電壓表的讀數(shù)約為幾伏？。DuiRUuO+-+-+-10V例6 (略略) 如圖所示，如圖所示， D D1 1、D D2 2 均為理均為理想二極管，想二極管， 設(shè)設(shè) U1 =6V =6V U2=8v,=8v,則則 uO= =？若？若U2=5v 呢呢?12VR1

20、R2U2U1D1D2uO+-+-+-解：解： D1D2都導(dǎo)通都導(dǎo)通 u0=6v只有只有D1導(dǎo)通，導(dǎo)通， uo=5V3.5.1 穩(wěn)壓二極管穩(wěn)壓二極管IZmax+穩(wěn)壓二極管符號(hào)穩(wěn)壓二極管符號(hào)UIUZIZ穩(wěn)壓二極管特性曲線穩(wěn)壓二極管特性曲線IZmin當(dāng)穩(wěn)壓二極管工作在當(dāng)穩(wěn)壓二極管工作在反向擊穿狀態(tài)反向擊穿狀態(tài)下下,當(dāng)工當(dāng)工作電流作電流IZ在在Izmax和和 Izmin之間時(shí)之間時(shí),其兩端電壓近其兩端電壓近似為常數(shù)似為常數(shù)。穩(wěn)定穩(wěn)定電流電流正向同正向同二極管二極管穩(wěn)定穩(wěn)定電壓電壓（4）穩(wěn)定電流穩(wěn)定電流IZ、最大、最小穩(wěn)定電流最大、最小穩(wěn)定電流Izmax、Izmin。（5）最大允許功耗）最大允許功耗ma

21、xZZZMIUP 穩(wěn)壓二極管的參數(shù)穩(wěn)壓二極管的參數(shù):（1）穩(wěn)定電壓穩(wěn)定電壓 UZ（2）電壓溫度系數(shù)電壓溫度系數(shù) U（%/） 穩(wěn)壓值受溫度變化影響的的系數(shù)。穩(wěn)壓值受溫度變化影響的的系數(shù)。（3）動(dòng)態(tài)電阻動(dòng)態(tài)電阻ZZIUZr例例1 IR IZ Io穩(wěn)壓管的穩(wěn)壓過(guò)程。穩(wěn)壓管的穩(wěn)壓過(guò)程。VIVoIZVoVO能夠穩(wěn)定能夠穩(wěn)定IRVR例例2 （1）穩(wěn)壓管電路如圖所示，穩(wěn)壓管電路如圖所示，U Z1=12V=12V，UZ2= 6V= 6V，則電壓則電壓UO等于？等于？（2）當(dāng)當(dāng)U S10V， UO 等于等于？20VR1uODZ1DZ2+-+-+-+-UZ1UZ2Us（1） UO= 126 = 6V（2）Uo=(

22、106) R/(R1R)uoiZDZRiLiuiRL zzzWIIU10穩(wěn)壓管的技術(shù)參數(shù)穩(wěn)壓管的技術(shù)參數(shù):解：令輸入電壓達(dá)到上限時(shí)，流過(guò)穩(wěn)壓管的電流為解：令輸入電壓達(dá)到上限時(shí)，流過(guò)穩(wěn)壓管的電流為Izmax 。mA25maxLZWzRUIi102521RUiRu.zWi方程方程1穩(wěn)壓二極管的應(yīng)用舉例穩(wěn)壓二極管的應(yīng)用舉例（略）（略） 負(fù)載電阻負(fù)載電阻RL= =2k，要求當(dāng)輸入電壓由正常值發(fā)生要求當(dāng)輸入電壓由正常值發(fā)生 20%20%波動(dòng)時(shí)，負(fù)載電壓基本不變。波動(dòng)時(shí)，負(fù)載電壓基本不變。求：電阻求：電阻R和輸入電壓和輸入電壓 ui 的正的正常值。常值。令輸入電壓降到下限令輸入電壓降到下限時(shí)，流過(guò)穩(wěn)壓管的電時(shí)，流過(guò)穩(wěn)壓管的電流為流為Izmin 。mA10minLZWzRUIi1010