南京郵電大學軟件設計試驗報告

1、AU瑯蜜上并軟件設計報告（2014 / 2015 學年第二學期）課程名稱軟件設計指導老師 趙江 實習時間第十八周學生姓名學號_學院業(yè)7軟件設計課程編號： B0465011C適用專業(yè)：班級：一、所涉及的課程及知識點涉及的課程： 第 6 學期之前的專業(yè)基礎課程。 知識點： 專業(yè)基礎課程中所學的知識點。二、目的與任務目的： 通過軟件設計，培養(yǎng)學生的實踐能力和創(chuàng)新精神，加 強學生對專業(yè)基礎課程的理解和掌握，加強學生高級語言編程能 力、應用軟件以及仿真能力。任務：選擇以下任一模塊進行設計：Matlab軟件仿真、C語 言及應用。軟件設計的內容12312B4564207題目 1：如果給出兩個矩陣 A 124

2、578 ，80 ，執(zhí)行2078136下面的矩陣運算命令。(1) A 5*B和A B I分別是多少(其中I為單位矩陣)( 2) A *B 和 A* B 將分別給出什么結果，它們是否相同為什么 邏輯功能程序：function = EXP1()A=4,12,20;12,45,78;20,78,136;B=1,2,3;4,5,6;7,8,0;I=eye(3);disp( 'A+5*B=' );disp(A+5*B);disp( 'A-B+I=' )disp(A-B+I);disp( 'A.*B=' );disp(A.*B)disp( 'A*B=&

3、#39; );disp(A*B);End實驗過程與結果打開 matlab ，在命令窗口“ Command Windo”w 中鍵入 edit, 啟動程序編 輯器。輸入完整程序后利用save as儲存為M文件，文件名為EXP1返回主界 面，在命令窗口 “ Comma nd Windo”中輸入函數(shù)EXP1()，按下回車，得到 程序運行結果如下：>> EXP1( )A+5*B=9 22 3532 70 10855 118 136A-B+I=4 10 178 41 7213 70 137A.*B=4 24 6048 225 468140 624 0A*B=19222884738 873 30

4、612841518528實驗結果分析（1）利用MATLAB!供的disp函數(shù)既可以輸出表達式、數(shù)值，也可以 輸出字符串，其調用方式為：disp（表達式或數(shù)值）、disp （'待顯示字符串'；（2）在MATLA的矩陣運算中，+、-運算符通用，表示矩陣相加、減； *與 .* 不同在于 * 表示矩陣乘法，而 .* 表示矩陣對應位置元素相乘，所以 *要 求兩個矩陣的行、列數(shù)互為轉置，而 .* 則要求兩個矩陣行、列數(shù)要相同；（3）使用 eye 可以獲得單位矩陣函數(shù) （矩陣對角線處元素為 1，其余元 素為 0），矩陣的階數(shù)由括號內的值決定，格式為 eye（n）,n 為矩陣階數(shù)。題目 2 ：

5、請繪制出一個圓形，要求用函數(shù)實現(xiàn)。邏輯功能程序function = EXP2(a,b,R) t=0:pi/150:2*pi;x=a+R*cos(t); y=b+R*sin(t);hold on;plot(x,y);plot(a,b, '+' ); axis(a-R,a+R,b-R,b+R); axis equal ;title('圓:(x-a)A2+(y-b)A2=RA2');legend( '(x-' ,num2str(a), ')A2+(y-',num2str(b),')八2=' ,num2str(R), &#

6、39;A2' );hold off ;end實驗過程與結果打開matlab，在命令窗口“ Comma nd Win do”中鍵入edit,啟動程序編 輯器。輸入完整程序后利用save as儲存為M文件，文件名為EXP2返回主界 面，在命令窗口 “ Comma nd Windo”中輸入函數(shù)EXP2()，按下回車，得到 程序運行結果如下：>>EXP2(15,25,40)S'BL1LL/、，”u2icu2 *c2(x-15) +(y-25) =40-f111111111+1 /h-£-r1r1 rrIrr-30-20-10 010 2030405060圓：(x-

7、a)2+(y-b)2=R26050403020100-10x實驗結果分析（1）構建關于圓的參數(shù)方程，使用hold on的使用保證后繪的圖不會覆 蓋先繪的圖，在程序結束前使用hold off ；（2）為了使圓的圓心位置和半徑長度等參數(shù)可調，所以函數(shù)使用了帶 參量的輸入方式；（3） 繪圖使用plot函數(shù)，帶參數(shù)可以限制繪圖范圍，plot函數(shù)繪制圓 心用符號+'表示；（4）axis equal是坐標軸刻度等距，這樣是圖形顯示的不失真；（5）lengend、num2str函數(shù)添加圖形注釋，lengend添加注釋的調用格 式為lengend（'字符串，num2str使數(shù)值轉換成字符，nu

8、m2str （數(shù)值或數(shù) 值的表達式）；題目3：雙極型晶體管基區(qū)少子濃度分布 試繪出緩變基區(qū)的雜質分布為：x NbX Nb01；x Nb X Nb 0e Wb 時,基區(qū)的少子濃度分布圖，并能清楚解釋各參量對少子濃度分布函數(shù)的影響程序說明：當晶體管偏置在有源放大區(qū)時，VC<0且|Vd>>kT/q,集電結邊緣處電子密度為零，即x=W, nb(WB)=0。由此邊界條件，得到緩變基區(qū)少子濃度分布函數(shù)：n b(x)I U1Wb衛(wèi)-NB(x)dxqDnB Nb(x) x假定：I nE=； D)B=2Cm/S ； W=； q=o邏輯功能程序fun cti on = Questi on 3()

9、syms x eta NB0 InE DnB WBq a;NB1x=NB0*(1-x/WB);NB2x=NB0*exp(-eta*x/WB);n Bx=I nE*i nt(NB2x,x,x,WB)/(NB2x*q*D nB); nB0=I nE*WB/(q*D nB);y=n Bx/nB0;nB0=subs( nB0,l nE,D nB,WB,q,2,*10"19);y=subs(y,x,a*WB);y=subs(y,q,*10A-19);for i=0:2:8yx=limit(y,eta,i);ezplot(yx,0,1);text ' n =' ,num2str(

10、i); hold on;end hold off ;grid on;title('不同內建電場下的基區(qū)少子濃度分布)；text, 'nB0=lnE*WB/(q*DnB)=' ,num2str(nB0*10A-15),'*10A8cmA-2')；xlabel( 'x/WB');ylabel( 'nBx*q*DnB/(InE*WB)');axis(0,1,0,1);end實驗過程與結果打開matlab，在命令窗口“ Comma nd Win do”中鍵入edit,啟動程序編 輯器。輸入完整程序后利用save as儲存為M文件，

11、文件名為EXP1返回主界 面，在命令窗口 “ Comma nd Windo”中輸入函數(shù)EXP1()，按下回車，得到 程序運行結果如下：>>Questio n3()不同內建電場下的基區(qū)少子濃度分布0.90.80.70.60.40.3iB1InB0=InE*WB/(cl*D nB)=1.5625*10 8cm卜H_n -u n =2.n =4*、crcn =6n =8BBX20.50.20.10.20.30.40.50.60.70.80.9x/WB0.1實驗結果分析（1）當雜質濃度呈線性分布時，少子濃度分布呈線性變化。少子濃度 隨基區(qū)寬度的增大逐漸減??；（2）當雜質濃度呈指數(shù)分布時，少

12、子濃度分布也呈指數(shù)變化。少子濃 度隨基區(qū)寬度的增大逐漸減??；（ 3）隨著 eta 的增大，基區(qū)少子濃度逐漸減少，這是因為內建電場增 大的原因，達到同樣電流密度所需少子濃度梯度較低；（ 4）符號變量及其表達式的使用需要提前定義，用 syms 定義；（ 5）對符號或表達式的積分采用 int 函數(shù)，可以指定上下限，也可以 只是不定積分。23題目4：確定PN結勢壘區(qū)內電場分布和碰撞電離率隨反偏電壓的變化關系。(1) 基本目標：突變結分析(2) 標準目標：突變結+線性緩變結分析設計物理基礎背景(1) 突變結勢壘區(qū)內電場分布分析內建電勢VbiVo logNdNa2V)N區(qū)耗盡區(qū)寬度xnNd2V)P區(qū)耗盡區(qū)

13、寬度XpNa其中，V為反偏電壓，約化濃度NoNdNaNd Na電場強度E x在耗盡區(qū)中的變化關系如下式(1-4)、( 1-5)所示:E(x (xE(x) (Xn X)Ndsx)Na ( 0 x Xp)且E X在X 0處達到最大值EmaxXnX 0)12V)(2) 線性緩變結電場分布分析a 12內建電勢Vbi V0log 2njaq其中，雜質濃度梯度a為常數(shù)，不妨取19a 10耗盡區(qū)寬度 xnXp久Vbiaq電場強度Ex在x 0處達到最大值EmaxaqXnXP2電場強度E X在耗盡區(qū)的變化關系為EEmax 1XP(3) 碰撞電離率隨反偏電壓的變化關系m碰撞電離率 i Aexp B碰撞電離率表達式

14、中的常數(shù)值電子碰撞電離率 in 7.03 105exp61.23 10E空穴碰撞電離率ip 1.58 106exp2.03 106E附：19q 1.60219 10 C1408.854 10 F / cm， s 11.9 0ni 1.5 1010 / cm3kTq0.026 V材料電子空穴m)mA(cm 1)B(V/ci1m)A(cm)B(V/c硅7.03 15051.23 1()61.58 1()62.03 106 1代入上式(1-11)，得:邏輯功能程序fun ctio n = Questio n4(ND,NA) syms V x;V0=;ni=*10A10;epsilo n0=*10&q

15、uot;14;q=*10A-i9； a=10A19;An=*10八5;Bn=*10A6;Ap=*10A6;Bp=*10A6;m=1;epsilons=*epsilon0;N0=NA*ND/(NA+ND);Vbi=V0*log(ND*NA/niA2);xn=sqrt(2*epsilons*N0*(Vbi+V)/q)/ND; xp=sqrt(2*epsilons*N0*(Vbi+V)/q)/NA; Exn=q*(xn+x)*ND/epsilons; Exp=q*(xp-x)*NA/epsilons;Emax=subs(Exn,x,0);%Vbih=V0*log(a/(2*ni)*(12*epsil

16、ons*Vbi/(a*q)A(1/3)A2); xp_h=(1/2)*(12*epsilons*(Vbi+V)/(a*q)A(1/3);xn_h=xp_h;Emax_h=(a*q/(8*epsilons)*(xn_h+xp_h)A2; E_h=Emax_h*(1-(x/xp_h)A2);alphai_nn=An*exp(-(Bn/Exn)Am);alphai_pn=An*exp(-(Bn/Exp)Am);alphai_np=Ap*exp(-(Bp/Exn)Am); alphai_pp=Ap*exp(-(Bp/Exp)Am); alphai_nmax=subs(alphai_nn,x,0);al

17、phai_pmax=subs(alphai_pp,x,0);alphai_nh=A n*exp(-(B n/E_hFm);alphai_ph=Ap*exp(-(Bp/E_hFm);alphai_nhmax=subs(alphai_nh,x,0);alphai_phmax=subs(alphai_ph,x,0);%作圖 % for i=0:2:8figure(1);subplot(2,1,1);%突變結ezplot(subs(Exn,V,i),-subs(xn,V,i),0);hold on;ezplot(subs(Exp,V,i),0,subs(xp,V,i);axis(-subs(xn,V,

18、i),subs(xp,V,i),0,subs(Emax,V,i);ylabel( '|E|' );text(subs(xp/2,V,i),subs(Exp,x,V,subs(xp/2,V,i),i),'V=' ,num2str(i), 'v' );grid on;title( ' 突變結電場分布 ' );subplot(2,1,2);%緩變結ezplot(subs(E_h,V,i),-subs(xn_h,V,i),subs(xp_h,V,i);hold on;axis(-subs(xn_h,V,i),subs(xp_h,V,i),

19、0,subs(Emax_h,V,i);ylabel( '|E|' );text(subs(xp_h/2,V,i),subs(E_h,x,V,subs(xp_h/2,V,i),i),'V=',num2str(i), 'v' );grid on;title（ ' 線性緩變結電場分布 ' ）;figure(2);subplot(2,2,1);%突變結電子碰撞電離率ezplot(sqrt(subs(alphai_nn,V,i),-subs(xn,V,i),0);hold on;ezplot(sqrt(subs(alphai_pn,V,i)

20、,0,subs(xp,V,i);axis(-subs(xn,V,i),subs(xp,V,i),0,sqrt(subs(alphai_nmax,V,i);ylabel( ' (a i ) A(1/2)');text(0,subs(sqrt(alphai_pn),x,V,0,i),'V=' ,num2str(i), 'v');grid on;title( ' 突變結電子碰撞電離率分布 ' );subplot(2,2,2);%突變結空穴碰撞電離率ezplot(sqrt(subs(alphai_np,V,i),-subs(xn,V,i)

21、,0);hold on;ezplot(sqrt(subs(alphai_pp,V,i),0,subs(xp,V,i);axis(-subs(xn,V,i),subs(xp,V,i),0,sqrt(subs(alphai_pmax,V,i);ylabel( ' (a i ) A(1/2)' );text(0,subs(sqrt(alphai_pp),x,V,0,i),'V=' ,num2str(i), 'v');grid on;title( ' 突變結空穴碰撞電離率分布 ' );subplot(2,2,3);%緩變結電子碰撞電離率e

22、zplot(log10(subs(alphai_nh,V,i),-subs(xn_h,V,i),subs(xp_h,V,i);hold on;ylabel( 'Iog10( a i)');text(0,subs(log10(alphai_nh),x,V,0,i),'V=' ,num2str(i), 'v' );grid on;title( ' 線性緩變結電子碰撞電離率分布 ' );subplot(2,2,4);%緩變結空穴碰撞電離率ezplot(log10(subs(alphai_ph,V,i),-subs(xn_h,V,i),s

23、ubs(xp_h,V,i);hold on;ylabel( 'log10( a i)' );text(0,subs(log10(alphai_ph),x,V,0,i),'V=' ,num2str(i), 'v' );grid on;title( ' 線性緩變結空穴碰撞電離率分布 ' );endend實驗過程與結果運行matlab ,在菜單欄中點擊 “File ”，選擇 “New >Function M-File ”: 命名為Questio n4，鍵入整個函數(shù)，在主界面的“ Comma nd Windo”中輸入 函數(shù)Quest

24、ion4(ND,NA)，其中N是施主雜質濃度，NA是受主雜質濃度，按回 車會顯示結果，具體顯示如下：>> Questio 門4(2*10八16,9*10八16)321-1010-2yd/f、VV=8v/ d", 、V一、V=V=2/=6v=4v v/ J / / / /、隹V=0vIEx10突變結電場分布2d c1.51c c”/' V/樺1 V=>v0.5- iV=0v h L1VJ0-6-5-4-3-2-101X-5x 104X 10線性緩變結電場分布-4X 10突變結電子碰撞電離率分布-V=8vI4030201001/ / /V=6vV=4v/ /V=

25、2v1 彳-6-4-20x-5xx 10x 10線性緩變結電子碰撞電離率分布突變結空穴碰撞電離率分布線性緩變結空穴碰撞電離率分布(1a(-502-4x 10r1_1V=4Vi!iff1 I 11 I1 /V=2v、 1 1 11 ' 111 1 J1V=0v1 1 丨11.1 11 1 11-2-10x實驗結果分析(1) 對多圖的繪制，subplot函數(shù)使不同類的函數(shù)分別繪制在不同的坐 標中，同時使用hold on讓曲線疊加；(2) 由突變結電場分布圖得到勢壘區(qū)內的電場強度與距離結的距離成線性關系，隨著距離增大，電場強度逐漸從最大值減小，直到PN吉的邊緣減少為零；(3) 由突變結電場分

26、布圖還可以得到雜質濃度大的一側結寬較小，而 且結寬之比與濃度之比成反比；(4) 電離率隨著電場的增加增加，且在電場最大時電離率也是最大， 而且電壓依賴比較大，同等條件下空穴的電離率要小于電子的電離率；題目5:確定雪崩倍增因子隨外加反偏電壓的變化關系(1) 基本目標：突變結分析(2) 標準目標：突變結+線性緩變結分析設計物理基礎背景空穴雪崩倍增因子1XpX'1 x ip exp X in ip dx dxxnxn電子雪崩倍增因子Mn1Xpx'1in expinip dx dxxn4邏輯功能程序fun ctio n = Questio n5(NA,ND) syms V x t;V0

27、=;ni=*10A10;epsilo n0=*10A-14;q=*10A-i9；a=10A19;An=*10A5;Bn=*10A6;Ap=*10A6;Bp=*10A6;m=1;epsil on s=*epsil onO;NO=NA*ND/(NA+ND);Vbi=V0*log(ND*NA/niA2);%突%變%結%雪%崩%倍%增因子 % for V=32:46xn=sqrt(2*epsilons*N0*(Vbi+V)/q)/ND;xp=sqrt(2*epsilons*N0*(Vbi+V)/q)/NA;Exn=q*(xn+x)*ND/epsilons;Exp=q*(xp-x)*NA/epsilon

28、s;Emax=subs(Exn,x,0);%Vbih=V0*log(a/(2* ni)*(12*epsilo ns*Vbi/(a*q)F(1/3)F2)alphai_nn=An*exp(-(Bn/Exn);alphai_pn=An*exp(-(Bn/Exp);alphai_np=Ap*exp(-(Bp/Exn);alphai_pp=Ap*exp(-(Bp/Exp);int0=quad(matlabFunction(alphai_nn-alphai_np),xn/1000-xn,0);int_nn=quad2d(matlabFunction(alphai_nn.*subs(alphai_nn-a

29、lphai_np,x,t),-xn,0,-xn,(x) x);int_pn=quad2d(matlabFunction(alphai_pn.*(subs(alphai_pn-alphai_pp,x,t)+int0),0,xp,0,(x) x);int_n=int_nn+int_pn; Mn=1/(1-int_n);int_np=quad2d(matlabFunction(alphai_np.*subs(alphai_nn-alphai_np,x,t),-xn,0,-xn,(x) x);int_pp=quad2d(matlabFunction(alphai_pp.*(subs(alphai_pn

30、-alphai_pp,x,t)+int0),0,xp,0,(x) x);int_p=int_np+int_pp;Mp=1/(1-int_p);figure(1);subplot(2,1,1);plot(V,Mn);holdon;subplot(2,1,2);plot(V,Mp);holdon;endsubplot(2,1,1);title( ' 突變結電子雪崩倍增因子隨電壓變化 ' );hold off ; subplot(2,1,2);title( ' 突變結空穴雪崩倍增因子隨電壓變化 ' );hold off ;%緩%變% 結雪 崩 倍 增 因子%for V

31、=165:245xp_h=(1/2)*(12*epsilo ns*(Vbi+V)/(a*q)F(1/3);xn_h=xp_h;Emax_h=(a*q/(8*epsilo ns)*(x n_h+xp_hF2;E_h=Emax_h*(1-(x/xp_h)A2);alphai_nh=A n*exp(-(B n/E_h)Am); alphai_ph=Ap*exp(-(Bp/E_h)Am);int2_n=quad2d(matlabFunction(alphai_nh.*subs(alphai_nh-alphai_ph, x,t),-xn_h,xp_h,-xn_h,(x) x);int2_p=quad2d

32、(matlabFunction(alphai_ph.*subs(alphai_nh-alphai_ph, x,t),-xn_h,xp_h,-xn_h,(x) x);Mn_h=1/(1-int2_n);Mp_h=1/(1-int2_p);figure(2);subplot(2,1,1);plot(V,Mn_h);holdon;subplot(2,1,2);plot(V,Mp_h);holdon;endsubplot(2,1,1);title( ' 緩變結電子雪崩倍增因子隨電壓變化 ' );hold off ;subplot(2,1,2);title( ' 緩變結空穴雪崩倍

33、增因子隨電壓變化 ' );hold off ;end實驗過程與結果運行matlab ,在菜單欄中點擊 “File ”，選擇 “New >Function M-File ” 命名為Questio n5 ,鍵入整個函數(shù)，在主界面的“ Comma nd WindOW中輸入 函數(shù)Question5(ND,NA)，其中N是施主雜質濃度，NA是受主雜質濃度，按回 車會顯示結果，具體顯示如下：>> Questio 門5(2*10八16,8*10八16)突變結電子雪崩倍增因子隨電壓變化突變結空穴雪崩倍增因子隨電壓變化3234363840424446實驗結果分析(1) 對于相對復雜的函

34、數(shù)， int 函數(shù)符號積分無法進行運算， 只能依靠人 為處理化簡，選擇適當?shù)亩ǚe分函數(shù) quad,和二重積分函數(shù)quad2d,可以 減少程序運行的時間；(2) 由曲線得在很大范圍內倍增因子處于較小的值，而在很小范圍內產生突變，曲線的右半側曲線沒有實際意義，因為已超過擊穿電壓，PN結已擊 穿；(3) 相同情況下，電子的擊穿電壓低于空穴的擊穿電壓。27題目6：確定擊穿電壓隨P區(qū)和N區(qū)濃度的變化關系(1) 基本目標：突變結分析(2) 標準目標：突變結+線性緩變結分析設計物理基礎背景利用碰撞電離率積分方法確定擊穿電壓 PN結的擊穿電壓，以及擊穿時候的最咼電場碰撞電離率i依賴于電場強度E x，隨著反偏電

35、壓V的增加，Ex不斷增大直至發(fā)生擊穿，此時的電場強度為Emax。發(fā)生雪崩擊穿的條件為M，即上式中的積分趨于XpxXn1,雪崩擊穿條件可寫為ip exp xinipdxdx 1或者xpXn擊穿時的電壓為Xin exp XBV，最高電場為inipdxdx 1突變結Emax2qNo(Vbis12BV)線性緩變結xnXp12J Vbaq13BVaqmax8 s2Xn Xp邏輯功能程序fun ctio n = Questio n6( NA0,ND0 ) syms V x t;V0=;ni=*10A10;epsilo n0=*10A-14;q=*10A-19；An=*10A5;Bn=*10A6;Ap=*1

36、0A6;Bp=*10A6; m=1;epsilons=*epsilon0;%突%變%結%擊%穿%電%壓%與濃度 %Vout=50;for NA=NA0:NA0:50*NA0N0=NA*ND0/(NA+ND0);Vbi=V0*log(ND0*NA/niA2);int_n=2;V=Vout;while (int_n>1) xn=sqrt(2*epsilons*N0*(Vbi+V)/q)/ND0;xp=sqrt(2*epsilons*N0*(Vbi+V)/q)/NA;Exn=q*(xn+x)*ND0/epsilons;Exp=q*(xp-x)*NA/epsilons;%Vbih=V0*log(

37、a/(2*ni)*(12*epsilons*Vbi/(a*q)A(1/3)A2 )alphai_nn=An*exp(-(Bn/Exn);alphai_pn=An*exp(-(Bn/Exp);alphai_np=Ap*exp(-(Bp/Exn);alphai_pp=Ap*exp(-(Bp/Exp);int0=quad(matlabFunction(alphai_nn-alphai_np),xn/1000-xn,0);int_nn=quad2d(matlabFunction(alphai_nn.*subs(alphai_nn-alphai_np, x,t),-xn,0,-xn,(x) x);int

38、_pn=quad2d(matlabFunction(alphai_pn.*(subs(alphai_pn-alphai_pp,x,t)+int0),0,xp,0,(x) x);int_n=int_nn+int_pn;V=V-Vout/500;endVout=V+Vout/500;figure(1);subplot(2,1,1);plot(NA,Vout, '+' );hold on;Emax=subs(Exn,x,0);subplot(2,1,2);plot(NA,Emax, '+' );hold on;endsubplot(2,1,1);title( '

39、; 突變結擊穿電壓隨雜質濃度變化關系 ' );hold off ;subplot(2,1,2);title( ' 突變結擊穿時最高電場隨雜質濃度變化關系 ' );hold off ;%緩%變%結%擊%穿電壓隨濃度梯度關系 % Vout=500;for ai=a/10:a/10:5*aN0=NA0*ND0/(NA0+ND0);Vbi=V0*log(ND0*NA0/nW2);int2_n=2;V=Vout;while (int2_n>1)xp_h=(1/2)*(12*epsilo ns*(Vbi+V)/(ai*q)F(1/3); xn_h=xp_h;Emax_h=(a

40、i*q/(8*epsilo ns)*(x n_h+xp_hF2;E_h=Emax_h*(1-(x/xp_h)A2);alphai_nh=A n*exp(-(B n/E_h)Am);alphai_ph=Ap*exp(-(Bp/E_h)Am);int2_n=quad2d(matlabFunction(alphai_nh.*subs(alphai_nh-alphai_ph, x,t),-xn_h,xp_h,-xn_h,(x) x);V=V-Vout/500;endVout=V+Vout/500;figure(2);subplot(2,1,1);plot(ai,Vout, '+' );

41、hold on;subplot(2,1,2);plot(ai,Emax_h, '+' );hold on;endsubplot(2,1,1);title( ' 緩變結擊穿電壓隨雜質濃度梯度變化關系 ' );hold off ; subplot(2,1,2);title( ' 緩變結擊穿時最高電場隨雜質濃度梯度變化關系 ' );hold off ; end實驗過程與結果運行matlab ,在菜單欄中點擊 “File ”，選擇 “New >Function M-File ”: 命名為Questio n6，鍵入整個函數(shù)，在主界面的“Comma nd Windo”中輸入函數(shù)Question6(ND,NA)，其中N是施主雜質濃度，NA是受主雜質濃度，按回車會顯示