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文檔簡介
1、武漢理工大學(xué)2009年材料科學(xué)基礎(chǔ)期末考試試卷一. 圖1是Na2O的 理想晶胞結(jié)構(gòu)示意圖,試回答: 1晶胞分子數(shù)是多少; 2結(jié)構(gòu)中何種離子做何種密堆積;何種離子填充何種空隙,所占比例是多少; 3結(jié)構(gòu)中各離子的配位數(shù)為多少,寫出其配位多面體; 4計(jì)算說明O2-的電價(jià)是否飽和; 5畫出Na2O結(jié)構(gòu)在(001)面上的投影圖。二. 圖2是高嶺石(Al2O3·2SiO2·2H2O)結(jié)構(gòu)示意圖,試回答: 1請(qǐng)以結(jié)構(gòu)式寫法寫出高嶺石的化學(xué)式; 2高嶺石屬于哪種硅酸鹽結(jié)構(gòu)類型; 3分析層的構(gòu)成和層的堆積方向; 4分析結(jié)構(gòu)中的作用力; 5根據(jù)其結(jié)構(gòu)特點(diǎn)推測高嶺石具有什么性質(zhì)。
2、三. 簡答題: 1.晶體中的結(jié)構(gòu)缺陷按幾何尺寸可分為哪幾類? 2.什么是負(fù)擴(kuò)散? 3燒結(jié)初期的特征是什么? 4.硅酸鹽晶體的分類原則是什么? 5.燒結(jié)推動(dòng)力是什么?它可憑哪些方式推動(dòng)物質(zhì)的遷移? 6.相變的含義是什么?從熱力學(xué)角度來劃分,相變可以分為哪幾類? 四. 出下列缺陷反應(yīng)式: 1.NaCl形成肖特基缺陷; 2.AgI形成弗侖克爾缺陷(Ag+進(jìn)入間隙); 3.TiO2摻入到Nb2O3中,請(qǐng)寫出二個(gè)合理的方程,并判斷可能成立的方程是哪一種?再寫出每個(gè)方程的固溶體的化學(xué)式。 4.NaCl溶入CaCl2中形成空位型固溶體 五. 表面力的存在使固體表面處于高能量狀態(tài),然而,能量愈高系統(tǒng)愈不穩(wěn)定,
3、那么固體是通過何種方式降低其過剩的表面能以達(dá)到熱力學(xué)穩(wěn)定狀態(tài)的。 六.粒徑為1的球狀A(yù)l2O3由過量的MgO微粒包圍,觀察尖晶石的形成,在恒定溫度下,第一個(gè)小時(shí)有20%的Al2O3起了反應(yīng),計(jì)算完全反應(yīng)的時(shí)間:用楊德方程計(jì)算;用金斯特林格方程計(jì)算。 七.請(qǐng)分析熔體結(jié)構(gòu)中負(fù)離子團(tuán)的堆積方式、聚合度及對(duì)稱性等與玻璃形成之關(guān)系。 八.試從結(jié)構(gòu)和能量的觀點(diǎn)解釋為什么D晶界>D晶內(nèi)? 九.試分析二次再結(jié)晶過程對(duì)材料性能有何影響?工藝上如何防止或延緩二次再結(jié)晶的發(fā)生? 十.圖3是A-B-C三元系統(tǒng)相圖,根據(jù)相圖回答下列問題:1寫出點(diǎn)P,R,S的成分;2設(shè)有2kgP,問需要多少何種成分的合金Z才可混熔
4、成6kg成分為R的合金。 十一.圖4是A-B-C三元系統(tǒng)相圖,根據(jù)相圖回答下列問題:1在圖上劃分副三角形、用箭頭表示各條線上溫度下降方向及界線的性質(zhì);2判斷化合物D、F的性質(zhì);3寫出各三元無變量點(diǎn)的性質(zhì)及其對(duì)應(yīng)的平衡關(guān)系式;4寫出組成點(diǎn)G在完全平衡條件下的冷卻結(jié)晶過程;5寫出組成點(diǎn)H在完全平衡條件下的冷卻結(jié)晶過程,寫出當(dāng)液相組成點(diǎn)剛剛到達(dá)E4點(diǎn)和結(jié)晶結(jié)束時(shí)各物質(zhì)的百分含量(用線段比表示)。 參考答案 一、1:4; 2:O2-離子做面心立方密堆積,Na+填全部四面體空隙; 3:=4CN O2-=8 NaO4ONa8; 4:O2-電價(jià)飽和,因?yàn)镺2-的電價(jià)=(Na+的電價(jià)
5、/Na+的配位數(shù))×O2的配位數(shù); 5: 二、1:Al4Si4O10(OH)8;2:單網(wǎng)層狀結(jié)構(gòu);3:一層硅氧層一層水鋁石層且沿C軸方向堆積;4:層內(nèi)是共價(jià)鍵,層間是氫鍵;5:片狀微晶解理。三、1:點(diǎn)缺陷,線缺陷,面缺陷;2:由低濃度向高濃度的擴(kuò)散;3:坯體間顆粒重排,接觸處產(chǎn)生鍵合,大氣孔消失,但固-氣總表面積變化不大;4:按硅氧比值分類或按硅氧聚和體的大小分類;5:表面能的降低,流動(dòng)傳質(zhì)、擴(kuò)散傳質(zhì)、氣相傳質(zhì)和溶解-沉淀傳質(zhì);6:隨自由能的變化而發(fā)生的相的結(jié)構(gòu)的變化,一級(jí)相變、二級(jí)相變和三級(jí)相變。四、 1:OVNa +VCl 2:AgAgAgi+VAg 3:3TiO23T
6、iNb+VNb+6OO2TiO22TiNb+Oi+3O0Nb2-xTi3xO3可能成立Nb2-2xTi2xO3+x 4:NaClNaCa+ClCl+VCl五、一是通過表面質(zhì)點(diǎn)的極化、變形、重排來降低表面能,二是通過吸附來降低表面能。 1:t=195h2:t=68h七、當(dāng)O/Si由24時(shí),熔體中負(fù)離子團(tuán)的堆積形式由三維架狀轉(zhuǎn)化為孤立的島狀,負(fù)離子團(tuán)的聚合度相應(yīng)的降至最低。一般情況下,熔體中負(fù)離子團(tuán)的聚合度越高,特別是形成三維架狀的空間網(wǎng)絡(luò)時(shí),這些大的聚合離子團(tuán)位移、轉(zhuǎn)動(dòng)、重排都比較困難,故質(zhì)點(diǎn)不易調(diào)整成規(guī)則排列的晶體結(jié)構(gòu),易形成玻璃。熔體中負(fù)離子團(tuán)的對(duì)稱性越好,轉(zhuǎn)變成晶體越容易,則形成玻璃愈難,
7、反之亦然。八、晶界上質(zhì)點(diǎn)排列結(jié)構(gòu)不同于內(nèi)部,較晶體內(nèi)疏松,原子排列混亂,存在著許多空位、位錯(cuò)、鍵變形等缺陷,使之處于應(yīng)力畸變狀態(tài),具有較高能量,質(zhì)點(diǎn)在晶界遷移所需活化能較晶內(nèi)為小,擴(kuò)散系數(shù)為大。九、二次再結(jié)晶出現(xiàn)后,由于個(gè)別晶粒異常長大,使氣孔不能排除,坯體不在致密,加之大晶粒的晶界上有應(yīng)力存在,使其內(nèi)部易出現(xiàn)隱裂紋,繼續(xù)燒結(jié)時(shí)坯體易膨脹而開裂,使燒結(jié)體的機(jī)械、電學(xué)性能下降。工藝上常采用引入適當(dāng)?shù)奶砑觿詼p緩晶界的移動(dòng)速度,使氣孔及時(shí)沿晶界排除,從而防止或延緩二次再結(jié)晶的發(fā)生。十、 PRSZA2010455B10604585C70301010十一、略武漢理工大學(xué)2010年材料科學(xué)
8、基礎(chǔ)期末考試試卷一、(1)(12分)根據(jù)CaTiO3晶胞圖(見圖1)回答下列問題: 1.晶面BCGF、DEG的晶面指數(shù);晶向DF、HA的晶向指數(shù)。 2.結(jié)構(gòu)中各離子的配位數(shù)為多少,寫出其配位多面體; 3.晶胞分子數(shù)是多少?何種離子添何種空隙,空隙利用率是多少? 4.結(jié)構(gòu)中是否存在TiO32-離子,為什么?(2)(11分)圖2是鎂橄欖石(Mg2SiO4)結(jié)構(gòu)示意圖,試回答: 1鎂橄欖石屬于哪種硅酸鹽結(jié)構(gòu)類型; 2計(jì)算說明O2-的電價(jià)是否飽和; 3結(jié)構(gòu)中有幾種配位多而體,各配位多面體間的連接方式怎樣? 4鎂橄欖石是否容易形成玻璃,為什么? 圖1圖2 二、(10分)寫出下列缺
9、陷反應(yīng)式: 1.NaCl形成肖脫基缺陷。2.AgI形成弗倫克爾缺陷(Ag+進(jìn)入間隙) 3.TiO2摻入到Nb2O3中,請(qǐng)寫出二個(gè)合理的方程,寫出固溶體的化學(xué)式,并判斷可能成立的方程是哪一種? 三、(10分)判斷下列敘述是否正確?若不正確,請(qǐng)改正。 1.Na2O-SiO2系統(tǒng)中隨SiO2含量的增加,熔體的粘度將降低。 2.擴(kuò)散的推動(dòng)力是濃度梯度,所有擴(kuò)散系統(tǒng)中,物質(zhì)都是由高濃度處向低濃度處擴(kuò)散。 3.晶粒正常長大是小晶粒吞食大晶粒,反常長大是大晶粒吞食小晶粒。 4.固溶體是在固態(tài)條件下,一種物質(zhì)以原子尺寸溶解在另一種物質(zhì)中形成的單相均勻的固體。 5.在熱力學(xué)平衡條件下,二元凝聚系統(tǒng)最多可以3相平
10、衡共存,它們是一個(gè)固相、一個(gè)液相和一個(gè)氣相。四、(6分)什么叫弛豫表面?NaCl單晶表面具有什么樣的結(jié)構(gòu)特點(diǎn)?五、(6分)巳知Zn2+和Cr2+在尖晶石ZnCrO4中的自擴(kuò)散系數(shù)與溫度的關(guān)系分別為 1.試求1403K時(shí)Zn2+和Cr2+在尖晶石ZnCrO4中的擴(kuò)散系數(shù)。2.將細(xì)鉑絲涂在兩種氧化物ZnO和Cr2O3的分界線上,然后將這些壓制成型的樣品進(jìn)行擴(kuò)散退火。(標(biāo)記物鉑絲非常細(xì),不影響離子在不同氧化物之間的擴(kuò)散)。根據(jù)所得數(shù)據(jù)判斷鉑絲將向哪一方向移動(dòng)?六、(6分)為什么在成核一生成機(jī)理相變中,要有一點(diǎn)過冷或過熱才能發(fā)生相變?什么情況下需過冷,什么情況下需過熱,各舉一個(gè)例子。七、(6分)粒徑為
11、1球狀A(yù)l2O3由過量的MgO微粒包圍,觀察尖晶石的形成,在恒定溫度下,第一個(gè)小時(shí)有20%的Al2O3起了反應(yīng),分別用揚(yáng)德方程、金斯特林格方程計(jì)算完全反應(yīng)的時(shí)間,對(duì)計(jì)算結(jié)果進(jìn)行比較并說明為什么?八、(6分)陶瓷材料中晶粒的大小與什么有關(guān)?工藝上如何控制晶粒尺寸(請(qǐng)列出三種途徑)?九、(26分)圖3 是A-B-C三元系統(tǒng)相圖,根據(jù)相圖回答下列問題:1在圖上劃分副三角形、用箭頭表示各條界線上溫度下降方向及界線的性質(zhì);2判斷化合物D、M的性質(zhì);3寫出各三元無變量點(diǎn)的性質(zhì)及其對(duì)應(yīng)的平衡關(guān)系式;4寫出組成點(diǎn)G在完全平衡條件下的冷卻結(jié)晶過程;5寫出組成點(diǎn)H在完全平衡條件下進(jìn)行加熱時(shí),開始出現(xiàn)液相的溫度和完
12、全熔融的溫度;寫出完全平衡條件下進(jìn)行冷卻,結(jié)晶結(jié)束時(shí)各物質(zhì)的百分含量(用線段比表示)。 圖3參考答案 一、(1)1、(010)(111) 111101;(4分)3、1;Ti4+添八面體空隙,八面體空隙利用率1/4,四八面體空隙全;(3分)4、否,因?yàn)門i4+和O2-間沒有明顯的共價(jià)鍵成分。(2分) (2)1、島狀結(jié)構(gòu);(1分);2、O2-與一個(gè)SiO4、三個(gè) MgO6配位:4/4×1+26×3=2= O2-的電價(jià),O2-的電價(jià)(2分);3、結(jié)構(gòu)中有兩種配位多面體SiO4、MgO6 (2分);SiO4呈孤立的島狀,中間被MgO6隔開,SiO4與 MgO
13、6之間共頂或共棱連接,同層的MgO6之間共棱、不同層的MgO6之間共頂連接;(4分)4、不易,因?yàn)殒V橄欖石的Si/O=1/4,最低,網(wǎng)絡(luò)連接程度弱,結(jié)構(gòu)中絡(luò)陰離子團(tuán)尺寸小,遷移阻力小,熔體的粘度低,冷卻過程中結(jié)構(gòu)調(diào)整速率很快。(2分)二、寫出下列缺陷反應(yīng)式(10):1、O?VNa +VCl2、AgAgAAi+VAg3、3TiO23TiNb+VNb+6O0 2TiO22TiNb+Oi+3O0Nb2-xTi3xO3可能成立Nb2-2xTi2xO3+x三、1(2分)粘度增加;2(2分)擴(kuò)散也可以從低濃度向高濃度進(jìn)行;3(2分)都是晶界移動(dòng)的結(jié)果。正常長大是晶粒平均尺寸增加,反常長大是個(gè)別大晶粒尺寸異
14、常增加。4(2分)正確5(2分)兩個(gè)固相和一個(gè)液相四、表面上的原子產(chǎn)生相對(duì)于正常位置的上、下位移,稱為表面弛豫。(2分)NaCl單晶中處于表面層的負(fù)離子只受到上下和內(nèi)側(cè)正離子的作用,而外側(cè)是不飽和的。電子云將被拉向內(nèi)側(cè)的正離子一方而變形,使該負(fù)離子誘導(dǎo)成偶極子。這樣就降低了晶體表面的負(fù)電場。接著,表面層離子開始重排以使之在能量上趨于穩(wěn)定。為此,表面的負(fù)離子被推向外側(cè),正離子被拉向內(nèi)側(cè)從而形成了表面雙電層。(4分)五、 (2分)(2分)因?yàn)?lt;,所以鉑絲向Cr2O3方向移動(dòng)。(2分)六、由熱力學(xué)可知,在等溫、等壓下有在平衡條件下,則有式中:0是相變的平衡溫度;為相變熱。若在任意溫度的不平衡條
15、件下,則有若與不隨溫度而變化,將上式代入上式得:可見,相變過程要自發(fā)進(jìn)行,必須有,則。(1)若相變過程放熱(如凝聚、結(jié)晶等)。要使,必須有,即,這表明系統(tǒng)必須“過冷”。(2)若相變過程吸熱(如蒸發(fā)、熔融等),要滿足這一條件則必須,即,這表明系統(tǒng)要自發(fā)相變則必須“過熱”。七、揚(yáng)德方程1(1G)1/32=K4t t=194.6h(2分)金斯特林格方程12/3G(1-G)2/3=K6t t=68.1t=68.1(2分)揚(yáng)德方程假設(shè)反應(yīng)過程中擴(kuò)散截面不變,而金斯特林格方程考慮了反應(yīng)中擴(kuò)散截面的變化。隨反應(yīng)的進(jìn)行,反應(yīng)物體積減小,擴(kuò)散截面變小,所需反應(yīng)時(shí)間要比揚(yáng)德假設(shè)所計(jì)算出的時(shí)間短。(2分)八、陶瓷材
16、料中晶粒的大小與物料的原始粒度、燒結(jié)溫度和時(shí)間等因素有關(guān);(3分)控制晶粒尺寸方法:控制原始粒度均勻細(xì)小,控制燒結(jié)溫度和時(shí)間,添加劑等。(3分)九、1、見圖,付三角形3分,界線性質(zhì)1分,界線上溫度降低的方向4.5分; 2、D,一致熔融二元化合物,高溫穩(wěn)定、低溫分解;(1.5分) M,不一致熔融三元化合物;(1分)3、(4分)E1,單轉(zhuǎn)熔點(diǎn),E2,低共熔點(diǎn),E3,單轉(zhuǎn)熔點(diǎn),E4,過渡點(diǎn),4、(6分)L (結(jié)晶結(jié)束)S (產(chǎn)物C+B+M)5、E2溫度(1分),H點(diǎn)所在溫度(1分);過H點(diǎn)做副三角形BCM的兩條邊CM、BM的平行線HH1、HH2,C%=BH2/BC×100%,B%=CH1/
17、BC×100%,C%=H1H2/BC×100%(3分)。 武漢理工大學(xué)2011年材料科學(xué)基礎(chǔ)期末考試試卷一、根據(jù)CaTiO3晶胞圖(見圖1)回答下列問題(18):1、晶面BCGF、HAC的晶面指數(shù);晶向DF、AH的晶向指數(shù)。2、結(jié)構(gòu)中各離子的配位數(shù)為多少,寫出其配位多面體;3、晶胞分子數(shù)是多少?何種離子添何種空隙,空隙利用率是多少?4、計(jì)算說明O2-的電價(jià)是否飽和;5、結(jié)構(gòu)中是否存在TiO32-離子,為什么? 圖 1 二、下列硅酸鹽礦物各屬何種結(jié)構(gòu)類型(6):r-Ca2Si04, KAISi3O8, CaMgSi2O6,Mg3Si4O10(
18、OH)2, Ca2AlAlSiO7, Ca2Mg5Si4O11(OH)2、 三、1、寫出下列缺陷反應(yīng)式(10):(1) CaCl2溶人NaC1中形成空位型固溶體,并寫出固溶體的化學(xué)式;(2) NaCl形成肖脫基缺陷。 2、為什么間隙型固溶體不能形成無限固溶體? 四、硅酸鹽熔體的結(jié)構(gòu)特征是什么?從Na2OSiO系統(tǒng)出發(fā),隨引入B2O3量的增加,系統(tǒng)的粘度如何變化,為什么?(10) 五、固體是如何降低系統(tǒng)的表面能的,為什么相同組成的固體的表面能總是高于液體的表面能?(8) 六、假定碳在Fe(體心立方)和Fe(面心立方)中進(jìn)行擴(kuò)散,碳在Fe中的D0和擴(kuò)散活化能為0.0079、83600J/mol,碳
19、在Fe中的D0和擴(kuò)散活化能為0.21和141284J/mol,計(jì)算800時(shí)各自的擴(kuò)散系數(shù)并解釋其差別。(6) 七、為什么在成核一生成機(jī)理相變中,要有一點(diǎn)過冷或過熱才能發(fā)生相變? 什么情況下需過冷,什么情況下需過熱,試證明之。(6) 八、如果要合成鎂鋁尖晶石,可供選擇的原料為Mg(OH)2、MgO、-Al2O3、-Al2O3,從提高反應(yīng)速率的角度出發(fā),選擇什么原料較好?請(qǐng)說明原因。(6) 九、下列過程中哪一個(gè)能使燒結(jié)體強(qiáng)度增大,而不產(chǎn)生坯體宏觀上的收縮? (6分)(a)蒸發(fā)冷凝、 (b) 體積擴(kuò)散、 (c)粘性流動(dòng)、 (d)表面擴(kuò)散、(e)溶解沉淀 十、圖2是A-B-C三元系統(tǒng)相圖,根據(jù)相圖回答
20、下列問題(24):1在圖上劃分副三角形、用箭頭表示各條界線上溫度下降方向及界線的性質(zhì);2判斷化合物S1、S2、S3的性質(zhì);3寫出各三元無變量點(diǎn)的性質(zhì)及其對(duì)應(yīng)的平衡關(guān)系式;4寫出組成點(diǎn)G在完全平衡條件下的冷卻結(jié)晶過程;5寫出組成為H的混合物在完全平衡條件下進(jìn)行加熱時(shí),開始出現(xiàn)液相的溫度和完全熔融的溫度;寫出組成H的混合物在完全平衡條件下進(jìn)行冷卻,結(jié)晶結(jié)束時(shí)各物質(zhì)的百分含量(用線段比表示)。 圖 2參考答案一、1 (100) (111) 111 0-11 各1分2 CNTi4+=6 TiO6 CNCa2+=12 CaO12 CNO2-=6 OTi2Ca4 各1分3 Z=1(1
21、分) Ti4+ (1分)占據(jù)1/4八面體空隙(1分)4 因?yàn)椋篫+=2/12*4+4/6*2=2=Z- 所以:飽和 (3分)5 不存在,因?yàn)槭菑?fù)合氧化合物。(2分)二、島狀、架狀、鏈狀、層狀、組群狀、鏈狀 各1分三、(1)CaCl2VNa+2ClCl+CaNa(2分) NaC1-2xCaxCl(1分)(2)OVNa +VCl(2分)(3)一是因?yàn)榫w中的間隙位置有限,二是因?yàn)殚g隙質(zhì)點(diǎn)超過一定的限度會(huì)不破壞晶體結(jié)構(gòu)的穩(wěn)定性。四、SiO4為基本結(jié)構(gòu)單元,四面體組成形狀不規(guī)則大小不同的聚合力子團(tuán),絡(luò)陰離子團(tuán)之間依靠金屬離子連接。(4分);從Na2OSiO2系統(tǒng)出發(fā),隨引入B2O3量的增加, BO3與
22、游離氧結(jié)合,轉(zhuǎn)變?yōu)锽O4,使斷裂的網(wǎng)絡(luò)重新連接,系統(tǒng)粘度增加(3分);繼續(xù)引入B2O3,B2O3以層狀或鏈狀的BO3存在,系統(tǒng)的粘度降低(3分)。五、固體表面通過表面質(zhì)點(diǎn)的極化、變形、重排降低固體的表面能(3分);液體分子可自由移動(dòng),通過形成球形表面來降低表面能(2分);固體質(zhì)點(diǎn)不能自由移動(dòng),只能通過表面質(zhì)點(diǎn)的極化、變形、重排降低表面能,因此表面能總是高于同組成的液體的表面能(3分)。六、由公式D=D0exp(-Q/RT);(1分)計(jì)算D=6.72*10-7;(1分) D=2.7*10-8(1分);DD;(1分)因?yàn)轶w心結(jié)構(gòu)較面心結(jié)構(gòu)疏松(2分)。七、由熱力學(xué)可知,在等溫、等壓下有 在平衡條件
23、下, =0,則有 式中: 0是相變的平衡溫度; 為相變熱。若在任意溫度T 的不平衡條件下,則有 若 與 不隨溫度而變化,將上式代入上式得: 可見,相變過程要自發(fā)進(jìn)行,必須有<0,則<0 。(3) 若相變過程放熱(如凝聚、結(jié)晶等)<0。要使<0,必須有>0,即T0>T,這表明系統(tǒng)必須“過冷”。(4) 若相變過程吸熱(如蒸發(fā)、熔融等)>0,要滿足<0這一條件則必須<0,即T0<T,這表明系統(tǒng)要自發(fā)相變則必須“過熱”。八、選擇Mg(OH)2、-Al2O3(3分);因?yàn)榉磻?yīng)活性高,結(jié)構(gòu)不穩(wěn)定(3分)。九、蒸發(fā)冷凝、表面擴(kuò)散十、1見圖(6分);
24、 2S1二元不一致熔融化合物,S2二元不致熔融化合物,S3三元不一致熔融化合物;(各1分)3P1:過渡點(diǎn)A+BS;P2:雙轉(zhuǎn)熔點(diǎn)L+B+S1=S3;P3:低共熔點(diǎn)L=B+C+S3;P4:單轉(zhuǎn)熔點(diǎn)L+A =S2+S1;P5單轉(zhuǎn)熔點(diǎn)L+S1= S2+S3;P6低共熔點(diǎn) L=C+S2+S3;(各1分)4(4分)L: (結(jié)晶結(jié)束)S:(產(chǎn)物S1+ S2+S3)5P3,H,B:C:S3=CC1:BB1:B1C1 (5分)武漢理工大學(xué)2012年材料科學(xué)基礎(chǔ)期末考試試卷一、填空題(2×10=20分)1、依據(jù)( )之間關(guān)系的不同,可以把所有晶體的空間點(diǎn)陣劃歸為七類,即( )晶系、單斜晶系
25、、( )晶系、三方晶系、正方晶系、六方晶系和( )晶系。2、擴(kuò)散的基本推動(dòng)力是( ),一般情況下以( )等形式(列出一種即可)表現(xiàn)出來,擴(kuò)散常伴隨著物質(zhì)的( )。3、晶面族是指( )的一組晶面,同一晶面族中,不同晶面的指數(shù)的( )相同,只是( )不同。4、向MgO、沸石、TiO2、螢石中,加入同樣的外來雜質(zhì)原子,可以預(yù)料形成間隙型固溶體的固溶度大小的順序?qū)⑹牵?)。5、燒結(jié)過程可以分為( )三個(gè)階段,在燒結(jié)的中后期,與燒結(jié)同時(shí)進(jìn)行的過程是( )。6、液體表面能和表面張力數(shù)值相等、量綱相同,而固體則不同,這種說法( 是/否 )正確,因?yàn)椋?)。7、馳豫表面是指( ),NaCl單晶的表面是( )。
26、8、一般的固態(tài)反應(yīng)包括( )兩個(gè)過程,化學(xué)動(dòng)力學(xué)范圍是指( )。9、從熔體結(jié)構(gòu)角度,估計(jì)長石、輝石(MgO?SiO2)、鎂橄欖石三種礦物的高溫熔體表面張力大小順序( )。 10、刃性位錯(cuò)的柏氏矢量與位錯(cuò)線呈( )關(guān)系,而螺位錯(cuò)兩者呈( )關(guān)系。 二、Zn2+在ZnS中擴(kuò)散時(shí),563時(shí)的擴(kuò)散系數(shù)為3×10-14cm2/sec,450時(shí)的擴(kuò)散系數(shù)為1.0×10-14cm2/sec,(10分) 求:(1) 擴(kuò)散的活化能和D0;(2) 750時(shí)的擴(kuò)散系數(shù)。 三、根據(jù)Mg2SiO4在(110)面的投影圖回答(10分): (1) 結(jié)構(gòu)中有幾種配位多面體,各配位多面體間的連接方式怎樣?(
27、2) O2-的電價(jià)是否飽和? (3) 晶胞的分子數(shù)是多少?(4) Si4+和Mg2+所占的四面體空隙和八面體空隙的分?jǐn)?shù)是多少? 黑球:Si4+小白球:Mg2+大白球:O2- 圖 2 四、銅在過冷的液體中均勻形核,設(shè)晶胚為球狀,半徑為r。已知Gv=3.6×106J/cm3;液固界面的界面能為=0.15J/cm2;銅為面心立方結(jié)構(gòu),其點(diǎn)陣常數(shù)a=0.361nm,1nm=10-7cm。(10分) 求:(1) 根據(jù)能量方程導(dǎo)出臨界晶核半徑r*的表達(dá)式,并計(jì)算其大?。?2) 求出臨界晶核中的原子個(gè)數(shù)。 五、熔體結(jié)晶
28、時(shí)(10分):(1) 討論溫度對(duì)總結(jié)晶速率的影響;(2) 指出在哪一溫度范圍內(nèi)對(duì)形成玻璃有利,為什么? 六、1寫出下列缺陷方應(yīng)方程式。(5分) 1)TiO2加入到A12O3中(寫出兩種); 2)NaCl形成肖脫基缺陷。 2畫出體心立方點(diǎn)陣的晶胞結(jié)構(gòu)圖,并在圖中作出(112)晶面和 晶向。(5分) 3實(shí)驗(yàn)室要合成鎂鋁尖晶石,可供選擇的原料為Mg(OH)2、MgO、Al2O3·3H2O、-Al2O3、-Al
29、2O3。從提高反應(yīng)速率的角度出發(fā),選擇什么原料較好?請(qǐng)說明原因。(5分) 七、如圖A-B-C三元系統(tǒng)相圖,根據(jù)相圖回答下列問題(25分):1在圖上劃分副三角形、用箭頭表示各條界線上溫度下降方向及界線的性質(zhì);2判斷化合物F、G、H 的性質(zhì);3寫出各三元無變量點(diǎn)的性質(zhì)及其對(duì)應(yīng)的平衡關(guān)系式;4寫出組成點(diǎn)M1在完全平衡條件下的冷卻結(jié)晶過程;5寫出組成點(diǎn)M2在完全平衡條件下進(jìn)行加熱時(shí),開始出現(xiàn)液相的溫度和完全熔融的溫度;寫出完全平衡條件下進(jìn)行冷卻,結(jié)晶結(jié)束時(shí)各物質(zhì)的百分含量(用線段比表示)。 圖 2參考答案一、填空題(第1題每空0.5分,其它每空1分,總計(jì)20分)1. 晶胞參數(shù),三
30、斜,正交(斜方),立方。2. 化學(xué)位梯度,濃度梯度的,定向遷移。3. 原子排列狀況相同但位向不同,數(shù)字相同、數(shù)序和正負(fù)號(hào)不同。4. 沸石>螢石>TiO2>MgO。5. 燒結(jié)初期、燒結(jié)中期和燒結(jié)后期,再結(jié)晶和晶粒長大。6. 是,固體質(zhì)點(diǎn)不能自由移動(dòng)。7. 在垂直于表面的方向上原子間距不同于該方向上晶格內(nèi)部原子間距的表面,馳豫表面。8. 相界面上的化學(xué)反應(yīng)和反應(yīng)物通過產(chǎn)物層的擴(kuò)散,相界面上的化學(xué)反應(yīng)速率遠(yuǎn)小于反應(yīng)物通過產(chǎn)物層的擴(kuò)散速率。9. 鎂橄欖石>輝石>長石。10. 垂直 平行。二、(10分)解:(1) D=D0exp(-Q/RT) 2分 &
31、#160; T=563+273=836K時(shí),D=3×10-14cm2/s 2分 T=450+273=723K時(shí),D=1.0×10-14cm2
32、/s 2分 代入上式可求 Q=48875J,D0=0.34×10-11cm2/s 2分 (2) D=D0exp(-Q/RT) =1.1×10-14 cm
33、2/s 2分三、(10分)解:(1)有兩種配位多面體,SiO4,MgO6,同層的MgO6八面體共棱,如59MgO6和49MgO6共棱75O2-和27O2-,不同層的MgO6八面體共頂,如1MgO6和51MgO6共頂是22O2-,同層的MgO6與SiO4共頂,如TMgO6和7SiO4共頂22O2-,不同層的MgO6與SiO4共棱,TMgO6和43SiO4共28O2-和28O2-;2.5分(3)z=4(2.5分);(4)Si4+占四面體空隙=1/8,Mg2+占八面體空隙=1/2。(2.5分) 四、 1、 G·GV· &
34、#160; 令 則 已知:GV3.6×106J/cm3;0.15 J/cm2 8.33×108cm(5分) 2、個(gè) (5分)五、1如右圖,I表示核化速率,u表示晶化速率(5分); 2在陰影部分以外的溫度對(duì)形成玻璃有利,因?yàn)榇藭r(shí)核化速率與晶化速率都較小或只
35、存在一種情況(5分)。六、1 1)(2分) (2分) 2)(1分) 2 體心立方點(diǎn)陣的晶胞結(jié)構(gòu)圖 (2分), (112)晶面和 晶向 (各1.5分)。 3 選擇Mg(OH)2、-Al2O3;因?yàn)榉磻?yīng)活性高,結(jié)構(gòu)不穩(wěn)定。(3+2)七、1、見圖;
36、(6分) 2、G,一致熔融二元化合物; F,不一致熔融二元化合物;H,不一致熔融三元化合物 (3分) 3、E1,單轉(zhuǎn)熔點(diǎn), E2,低共熔點(diǎn), E3,低共熔點(diǎn), E4,單轉(zhuǎn)熔點(diǎn), E5,單轉(zhuǎn)熔點(diǎn), E6,多晶轉(zhuǎn)變點(diǎn),
37、(6分) 4、 L: (結(jié)晶結(jié)束)(B消失)(4分) S: (產(chǎn)物A+F+H) (2分) 5、E2溫度,M2點(diǎn)所在溫度;過M2點(diǎn)做副三角形CGH的 兩條邊GH、GC的平行線M2X、M2Y,C%=YH/HC×100%, H%=CX/HC×100%,G%=XY/HC×1
38、00%。(4分) 武漢理工大學(xué)2013年材料科學(xué)基礎(chǔ)期末考試試卷一、填空題(1´10=10分) 1、密排六方結(jié)構(gòu)(等徑球堆積)單位晶胞中分子數(shù)是( ),配位數(shù)是( )。 2、Fick擴(kuò)散第二定律的一維表達(dá)式為( )。 3、當(dāng)晶核劑和晶核具有( )時(shí),對(duì)核化最有利。 4、廣義材
39、料腐蝕是指材料由于( )而引起的破壞和變質(zhì)過程。 5、燒結(jié)中后期所伴隨的( )等,決定了材料顯微結(jié)構(gòu)的形成,也決定了材料最終的性質(zhì)或性能。 6、固態(tài)物質(zhì)的反應(yīng)活性通常( ),當(dāng)反應(yīng)物之一存在多晶轉(zhuǎn)變時(shí)則轉(zhuǎn)變溫度通常也是( )。 7、從熔融態(tài)向玻璃態(tài)轉(zhuǎn)化的過程是可逆的和漸變的,是在( &
40、#160;)范圍內(nèi)完成,無固定熔點(diǎn)。 8、刃位錯(cuò)的柏氏矢量與位錯(cuò)線呈( )關(guān)系。 二、晶體結(jié)構(gòu)-性質(zhì)關(guān)系(20分) 1、根據(jù)下圖的螢石結(jié)構(gòu)圖回答下列問題(14分): 1)指出螢石結(jié)構(gòu)中正負(fù)離子的堆積方式(兩種方式); 2)寫出結(jié)構(gòu)中正負(fù)離子的配位數(shù)及其配位多面體; 3)Ca2+離子的配位多面體之間是如何連接的? 4)在結(jié)構(gòu)圖中用和標(biāo)示相互平行的同號(hào)離子層,分析螢石晶體的解理性。 2、根據(jù)Si/O比例不同劃分硅酸鹽晶體結(jié)構(gòu)類型。(6分)三、晶體結(jié)構(gòu)缺陷(10分) 1、晶體A屬于體心立方空間點(diǎn)陣,若原子B溶入A晶格的頂點(diǎn)位置形成置換型固溶體(全部取代)
41、,那么其成分可能是AB還是AB3?為什么?(4分) 2、Al2O3摻入到MgO中,請(qǐng)寫出二個(gè)合理的方程,并寫出對(duì)應(yīng)的固溶體化學(xué)式(6分)。 四、從熔體結(jié)構(gòu)角度,估計(jì)長石、輝石(MgO·SiO2)、鎂橄欖石三種礦物的高溫熔體表面張力 大小順序,并分析它們形成玻璃的能力。(10分) 五、 1、氧化鋁瓷件表面上涂銀后,燒到1000時(shí),巳知(Al2O3,固)1J/m2;(Ag,液)0.92J/m2;(Ag,液/ Al2O3,固)1.77 J/m2,試問液態(tài)銀能否潤濕氧化鋁瓷件表面?可以用什么方法改善它們之間的潤濕性?請(qǐng)?zhí)岢鲆环N最有可能實(shí)現(xiàn)的措施。(6分) 2、根
42、據(jù)威爾的表面雙電層理論,某些化合物表面可能由負(fù)離子組成,正離子被負(fù)離子所屏蔽。已知PbI2的表面能為1.3×105J/cm2,CaF2的表面能為2.5×104J/cm2,請(qǐng)判斷PbI2和CaF2的表面雙電層厚度的大小,并解釋產(chǎn)生的原因。(4分) 六、已知銅的熔點(diǎn)Tm1083,熔化熱H1628J/cm3,固液界面能1.77×105J/cm2,銅為面心立方晶體,點(diǎn)陣常數(shù)a0.3615nm。(10分) 1、當(dāng)液態(tài)金屬銅過冷至853進(jìn)行均態(tài)形核時(shí),求臨界晶核半徑和每個(gè)臨界晶核的原子數(shù)(設(shè)晶核為球形)。 2、若為非均態(tài)形核,求臨界球冠的原子數(shù)。(設(shè)形成球冠的高度為h0.2R
43、,球冠體積,R為球冠半徑) 七、經(jīng)過計(jì)算可知1000下氫在面心立方鐵中的擴(kuò)散系數(shù)為1.08×104cm2/s,同等條件下鎳在面心立方鐵中的擴(kuò)散系數(shù)為4.27×1011cm2/s,請(qǐng)對(duì)這種差別進(jìn)行解釋。(5分) 八、實(shí)驗(yàn)室要合成鎂鋁尖晶石,可供選擇的原料為MgCO3、MgO、Al2O3、Al2O3。從提高反應(yīng)速率的角度出發(fā),選擇什么原料較好?請(qǐng)說明原因。(5分) 九、如圖A-B-C三元系統(tǒng)相圖,根據(jù)相圖回答下列問題(20分): 1、在圖上劃分副三角形、用箭頭表示各條界線上溫度下降方向及界線的性質(zhì); 2、判斷化合物D 的性質(zhì); 3、寫出各三元無變量點(diǎn)的性質(zhì)及其對(duì)應(yīng)的平
44、衡關(guān)系式; 4、寫出組成點(diǎn)M1在完全平衡條件下的冷卻結(jié)晶過程,結(jié)晶結(jié)束時(shí)各物質(zhì)的百分含量(用線段比表示); 5、寫出組成點(diǎn)M2在完全平衡條件下的冷卻結(jié)晶過程,在M2熔體的液相組成點(diǎn)剛剛到達(dá)J1時(shí),求其相組成(用線段比表示)。在J1的反應(yīng)哪個(gè)晶相先消失,為什么? 參考答案一、填空題(1´10=10分)1. 6 ,12 。2. 。3. 結(jié)構(gòu)相同或相似,或具有相似的原子排列,或接觸角為0,或接觸角較小。4. 環(huán)境的作用。5. 晶粒長大和再結(jié)晶。6. 較低,速度較慢;反應(yīng)開始明顯進(jìn)行的溫度或較高。7.一定的溫度。8. 垂直。二、晶體結(jié)構(gòu)分析(20分)1、 1)Ca2+面心立方堆積,簡單立方堆積;(4分)2) 鈣的配位數(shù)為8,CaF8立方體;F的配位數(shù)為4,F(xiàn)Ca4四面體;(4分)3) CaF8立方體之間共棱(共用2個(gè)頂點(diǎn))連接;(2分)4) 見圖(1分),平行(111)面存在同號(hào)離
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