數(shù)字電子技術(shù)基礎(chǔ)存儲器課件

1、數(shù)字電子技術(shù)基礎(chǔ)第7章 存儲器1第第7章章 存存 儲儲 器器 存儲器是一種能存儲大量二進制信息的電子器件，它是由許多存儲器是一種能存儲大量二進制信息的電子器件，它是由許多存儲單元組成的。每個存儲單元都有唯一的地址代碼加以區(qū)分，能存儲單元組成的。每個存儲單元都有唯一的地址代碼加以區(qū)分，能存儲存儲1位（或位（或1組）二進制信息，存儲器被大量用在嵌入式（單片機）組）二進制信息，存儲器被大量用在嵌入式（單片機）系統(tǒng)中。本章主要介紹只讀存儲器與隨機存儲器的結(jié)構(gòu)、工作原理系統(tǒng)中。本章主要介紹只讀存儲器與隨機存儲器的結(jié)構(gòu)、工作原理與實際的存儲器與實際的存儲器 數(shù)字電子技術(shù)基礎(chǔ)第7章 存儲器27.1 只讀存儲

2、器只讀存儲器7.1.1 只讀存儲器概述只讀存儲器概述只讀存儲器（只讀存儲器（rom）的特點是存儲單元斷電后，數(shù)據(jù)不會丟失。）的特點是存儲單元斷電后，數(shù)據(jù)不會丟失。1不可寫入數(shù)據(jù)的只讀存儲器不可寫入數(shù)據(jù)的只讀存儲器（1）二極管）二極管rom以二極管作為存儲單元的存儲器。以二極管作為存儲單元的存儲器。（2）掩模存儲器（）掩模存儲器（mrom，mask rom）掩模只讀存儲器是數(shù)據(jù)在存儲器的制作過程中就永久地保存在存儲陣列中的只讀存掩模只讀存儲器是數(shù)據(jù)在存儲器的制作過程中就永久地保存在存儲陣列中的只讀存儲器。儲器。2可寫入數(shù)據(jù)的存儲器可寫入數(shù)據(jù)的存儲器（1）一次編程存儲器（）一次編程存儲器（prom

3、，programmable rom）一次編程存儲器是用戶使用專用編程設(shè)備可以進行一次編程的只讀存儲器。一次編程存儲器是用戶使用專用編程設(shè)備可以進行一次編程的只讀存儲器。（2）可擦除存儲器（）可擦除存儲器（eprom，erasable programmable rom）可擦除只讀存儲器，常用的紫外線可擦除可編程只讀存儲器（可擦除只讀存儲器，常用的紫外線可擦除可編程只讀存儲器（uv eprom）是可）是可用紫外線擦除數(shù)據(jù)、用專用編程設(shè)備寫入數(shù)據(jù)的只讀存儲器。擦除數(shù)據(jù)時，需要將用紫外線擦除數(shù)據(jù)、用專用編程設(shè)備寫入數(shù)據(jù)的只讀存儲器。擦除數(shù)據(jù)時，需要將該存儲器芯片用紫外光照射幾十分鐘。該存儲器芯片用紫外

4、光照射幾十分鐘。（3）電擦除存儲器（）電擦除存儲器（e2prom，electrical erasable programmable rom）電可擦除可寫入的只讀存儲器，是電擦除、寫入數(shù)據(jù)的只讀存儲器。數(shù)據(jù)的擦除與電可擦除可寫入的只讀存儲器，是電擦除、寫入數(shù)據(jù)的只讀存儲器。數(shù)據(jù)的擦除與寫入在毫秒數(shù)量級。寫入在毫秒數(shù)量級。（4）快閃存儲器（）快閃存儲器（flash rom）快閃電可擦除、寫入存儲器，是讀寫速度更快、容量更大的電可擦除可寫入的只讀快閃電可擦除、寫入存儲器，是讀寫速度更快、容量更大的電可擦除可寫入的只讀存儲器。存儲器。數(shù)字電子技術(shù)基礎(chǔ)第7章 存儲器37.1.2 不可寫入數(shù)據(jù)的不可寫入數(shù)

5、據(jù)的rom1不可寫入數(shù)據(jù)的不可寫入數(shù)據(jù)的rom不可寫入數(shù)據(jù)的不可寫入數(shù)據(jù)的rom結(jié)構(gòu)如圖結(jié)構(gòu)如圖7-1所示。該存儲器由地址譯碼器、存儲單元矩陣和所示。該存儲器由地址譯碼器、存儲單元矩陣和輸出控制電路組成。輸出控制電路組成。數(shù)字電子技術(shù)基礎(chǔ)第7章 存儲器4數(shù)字電子技術(shù)基礎(chǔ)第7章 存儲器5數(shù)字電子技術(shù)基礎(chǔ)第7章 存儲器6數(shù)字電子技術(shù)基礎(chǔ)第7章 存儲器7用二極管作為存儲單元實現(xiàn)用二極管作為存儲單元實現(xiàn)的的rom存儲器如圖存儲器如圖7-3所示。所示。數(shù)字電子技術(shù)基礎(chǔ)第7章 存儲器8數(shù)字電子技術(shù)基礎(chǔ)第7章 存儲器92掩模存儲器掩模存儲器mrom 掩模存儲單元結(jié)構(gòu)存儲器中的數(shù)據(jù)是在存儲器工廠生產(chǎn)存儲器時，

6、通過工藝掩模存儲單元結(jié)構(gòu)存儲器中的數(shù)據(jù)是在存儲器工廠生產(chǎn)存儲器時，通過工藝手段保存在存儲器中的，因此需要用戶向存儲器生產(chǎn)工廠提供寫入存儲器中的數(shù)手段保存在存儲器中的，因此需要用戶向存儲器生產(chǎn)工廠提供寫入存儲器中的數(shù)據(jù)。據(jù)。（1）nor型型mrom例如，只有例如，只有w1=1時，有時，有mos管的地方位管的地方位線接地，無線接地，無mos管的地方，位線為高電平，管的地方，位線為高電平，位線輸出位線輸出0101。對于其他情況有：。對于其他情況有：只有只有w2=1時，位線輸出為時，位線輸出為0011；只有只有w3=1時，位線輸出為時，位線輸出為1001；只有只有w4=1時，位線輸出為時，位線輸出為0

7、110。數(shù)字電子技術(shù)基礎(chǔ)第7章 存儲器10（2）與非（nand）結(jié)構(gòu)的mrom例如，當只有字線例如，當只有字線w1為為0，其他字線為，其他字線為1時，由于與時，由于與w3相連的相連的mos管導(dǎo)通，所管導(dǎo)通，所以位線以位線c1輸出輸出0；由于與；由于與w1相連的相連的mos管不導(dǎo)通，位線管不導(dǎo)通，位線c2輸出輸出1；由于與；由于與w2和和w4相連的相連的mos管導(dǎo)通，位線管導(dǎo)通，位線c3輸出輸出0；由于與；由于與w1相連的相連的mos管不導(dǎo)通，管不導(dǎo)通，位線位線c4輸出輸出1。因此位線輸出為。因此位線輸出為0101。對于其他情況有：對于其他情況有：只有只有w2=0時，位線輸出為時，位線輸出為00

8、11；只有只有w3=0時，位線輸出為時，位線輸出為1001；只有只有w4=0時，位線輸出為時，位線輸出為0110。數(shù)字電子技術(shù)基礎(chǔ)第7章 存儲器117.1.3 可寫入數(shù)據(jù)的可寫入數(shù)據(jù)的rom1可寫入數(shù)據(jù)可寫入數(shù)據(jù)rom組成組成（1）地址譯碼器）地址譯碼器為減少譯碼器輸出線的根數(shù)，采用行列雙譯碼方式。為減少譯碼器輸出線的根數(shù)，采用行列雙譯碼方式。（2）存儲單元）存儲單元由于存儲矩陣中的存儲單元可以寫入數(shù)據(jù)，因此常用熔絲、浮置柵極場效應(yīng)管等實由于存儲矩陣中的存儲單元可以寫入數(shù)據(jù)，因此常用熔絲、浮置柵極場效應(yīng)管等實現(xiàn)?，F(xiàn)。（3）讀擦寫控制電路）讀擦寫控制電路除像不可寫入數(shù)據(jù)的除像不可寫入數(shù)據(jù)的rom

9、一樣實現(xiàn)讀數(shù)據(jù)操作之外，還有寫數(shù)據(jù)操作。一樣實現(xiàn)讀數(shù)據(jù)操作之外，還有寫數(shù)據(jù)操作。（4）充電泵電路）充電泵電路充電泵電路用于提高存儲器的擦寫電壓到充電泵電路用于提高存儲器的擦寫電壓到812 v，滿足擦除與寫入數(shù)據(jù)的需求。，滿足擦除與寫入數(shù)據(jù)的需求。 數(shù)字電子技術(shù)基礎(chǔ)第7章 存儲器122可寫入數(shù)據(jù)可寫入數(shù)據(jù)rom中的存儲單元中的存儲單元（1）可一次編程存儲器）可一次編程存儲器prom熔絲存儲單元結(jié)構(gòu)的一次編程只讀存儲單元如圖熔絲存儲單元結(jié)構(gòu)的一次編程只讀存儲單元如圖7-8所示?？伤?。可以看出，每個存儲單元中都有連接以看出，每個存儲單元中都有連接mos管源極和位線的熔絲，管源極和位線的熔絲，該熔絲

10、通表示存儲該熔絲通表示存儲1，熔絲斷表示存儲，熔絲斷表示存儲0。數(shù)字電子技術(shù)基礎(chǔ)第7章 存儲器13（2）紫外線擦除電編程的存儲器）紫外線擦除電編程的存儲器uveprom uveprom使用浮置柵極注入使用浮置柵極注入mos管作為存儲單元。浮置柵極周圍都是氧化管作為存儲單元。浮置柵極周圍都是氧化物絕緣材料，因而與外界沒有任何導(dǎo)電連接，所以可以長時間地保存電荷。物絕緣材料，因而與外界沒有任何導(dǎo)電連接，所以可以長時間地保存電荷。 浮置柵極中是否存有電荷來表示數(shù)據(jù)，浮置柵極中是否存有電荷來表示數(shù)據(jù)， 編程過程是在浮柵注入管的漏極與控制柵極上加高電壓，使源極與漏極之間編程過程是在浮柵注入管的漏極與控制柵

11、極上加高電壓，使源極與漏極之間出現(xiàn)雪崩擊穿產(chǎn)生熱電子，在控制柵極高電壓的作用下，電子進入浮置柵極，使出現(xiàn)雪崩擊穿產(chǎn)生熱電子，在控制柵極高電壓的作用下，電子進入浮置柵極，使正常的控制柵極電壓不能使浮柵注入管導(dǎo)通。正常的控制柵極電壓不能使浮柵注入管導(dǎo)通。 擦除過程是用紫外線通過封裝表面的透明石英玻璃窗照射存儲單元，使氧化擦除過程是用紫外線通過封裝表面的透明石英玻璃窗照射存儲單元，使氧化層產(chǎn)生電子層產(chǎn)生電子-空穴對，為柵極電荷放電提供放電通道，使電荷消失，這樣正常的柵空穴對，為柵極電荷放電提供放電通道，使電荷消失，這樣正常的柵極電壓就可以使浮柵注入管導(dǎo)通。極電壓就可以使浮柵注入管導(dǎo)通。數(shù)字電子技術(shù)基

12、礎(chǔ)第7章 存儲器14（3）電擦除的可編程只讀存儲器（）電擦除的可編程只讀存儲器（e2prom）e2prom的存儲單元中采用了一種叫做浮柵隧道的存儲單元中采用了一種叫做浮柵隧道m(xù)os管，結(jié)構(gòu)和符號見圖管，結(jié)構(gòu)和符號見圖7-10。 浮柵隧道管是浮柵隧道管是n溝道增強型溝道增強型mos管，有兩個柵極管，有兩個柵極控制柵極控制柵極gc和浮置柵極和浮置柵極gf。該管的浮置柵與漏區(qū)之間有一個氧化層極薄的區(qū)域，這個區(qū)域稱為隧道區(qū)，當。該管的浮置柵與漏區(qū)之間有一個氧化層極薄的區(qū)域，這個區(qū)域稱為隧道區(qū)，當隧道區(qū)的電場強度大于隧道區(qū)的電場強度大于107 v/cm時，就會形成導(dǎo)電隧道，電子可以雙向通過，形成時，就會

13、形成導(dǎo)電隧道，電子可以雙向通過，形成電流，這種現(xiàn)象稱為隧道效應(yīng)。電流，這種現(xiàn)象稱為隧道效應(yīng)。 用浮柵隧道管組成的存儲單元，其中用浮柵隧道管組成的存儲單元，其中t1管是浮柵隧道管，管是浮柵隧道管，t2的作用是使浮柵的作用是使浮柵隧道管與位線連接。隧道管與位線連接。數(shù)字電子技術(shù)基礎(chǔ)第7章 存儲器15 擦除時，在浮柵隧道管的控制柵極擦除時，在浮柵隧道管的控制柵極gc加加20 v電壓，使浮柵隧道管漏極接地，電壓，使浮柵隧道管漏極接地，在強電場的作用下，漏區(qū)的電子通過隧道區(qū)進入浮置柵極。擦除后的浮柵隧道在強電場的作用下，漏區(qū)的電子通過隧道區(qū)進入浮置柵極。擦除后的浮柵隧道管具有高的開啟電壓，在正常讀操作柵

14、極電壓時不會導(dǎo)通。管具有高的開啟電壓，在正常讀操作柵極電壓時不會導(dǎo)通。 編程時，將要寫入數(shù)據(jù)的浮柵隧道管浮置柵極中的電荷移出，在控制柵極編程時，將要寫入數(shù)據(jù)的浮柵隧道管浮置柵極中的電荷移出，在控制柵極gc加加0 v電壓，然后在漏極加電壓，然后在漏極加20 v的電壓，在強電場的作用下，使浮置柵極中的的電壓，在強電場的作用下，使浮置柵極中的電荷通過隧道區(qū)放電。電荷通過隧道區(qū)放電。 讀出數(shù)據(jù)時，在控制柵極讀出數(shù)據(jù)時，在控制柵極gc加正常讀柵極的電壓（小于加正常讀柵極的電壓（小于5 v），若是浮置），若是浮置柵極中沒有電荷，浮柵隧道管導(dǎo)通，位線通過浮柵隧道管接地，讀出柵極中沒有電荷，浮柵隧道管導(dǎo)通，位

15、線通過浮柵隧道管接地，讀出0；若是?。蝗羰歉≈脰艠O中有電荷，浮柵隧道管不導(dǎo)通，位線上讀出置柵極中有電荷，浮柵隧道管不導(dǎo)通，位線上讀出1。數(shù)字電子技術(shù)基礎(chǔ)第7章 存儲器16（4）閃速存儲器）閃速存儲器 閃速（閃速（flash）存儲器按照存儲矩陣的結(jié)構(gòu)不同，分為）存儲器按照存儲矩陣的結(jié)構(gòu)不同，分為nor及及nand兩類，其兩類，其矩陣結(jié)構(gòu)與前述掩模存儲器基本相同。矩陣結(jié)構(gòu)與前述掩模存儲器基本相同。 flash與與e2prom的主要區(qū)別是的主要區(qū)別是e2prom具有位擦除能力，而具有位擦除能力，而flash存儲器不存儲器不具有這個能力，只能塊或字節(jié)擦除，因此存儲單元可以使用一個浮柵具有這個能力，只能

16、塊或字節(jié)擦除，因此存儲單元可以使用一個浮柵mos管實現(xiàn)，管實現(xiàn)，占有更小的面積，具有更大的容量。占有更小的面積，具有更大的容量。 nor flash讀寫速度較讀寫速度較nand flash快，可以塊或字節(jié)為單位讀寫快，可以塊或字節(jié)為單位讀寫. nand flash的單元尺寸比的單元尺寸比nor flash的小，因此同樣大小的芯片面積，的小，因此同樣大小的芯片面積，nand flash的容量比的容量比nor flash大得多。大得多。 nor flash具有與具有與e2prom相同的專用地址線、數(shù)據(jù)線與控制線，通過這些連相同的專用地址線、數(shù)據(jù)線與控制線，通過這些連線可以直接從線可以直接從nor

17、flash中存取數(shù)據(jù)，中存取數(shù)據(jù)， nand flash不具有專用的地址線，而是間接使用不具有專用的地址線，而是間接使用i/o接口，將外部命令與數(shù)據(jù)接口，將外部命令與數(shù)據(jù)通過通過8位總線送入內(nèi)部的命令寄存器與數(shù)據(jù)寄存器。位總線送入內(nèi)部的命令寄存器與數(shù)據(jù)寄存器。數(shù)字電子技術(shù)基礎(chǔ)第7章 存儲器17a）nor flash 存存儲器。儲器。nor flash存儲單存儲單元結(jié)構(gòu)如圖元結(jié)構(gòu)如圖7-11所所示。示。 nor flash的擦除的擦除 是將電荷從浮置柵極中移走，為移走電荷，需要在浮柵是將電荷從浮置柵極中移走，為移走電荷，需要在浮柵管的控制柵極上加管的控制柵極上加0 v電壓，在源極上加擦除正電壓，

18、漏極懸空，在柵源電壓的作電壓，在源極上加擦除正電壓，漏極懸空，在柵源電壓的作用下，電子通過隧道移出浮置柵極。在編程前，用下，電子通過隧道移出浮置柵極。在編程前，flash總是先進行擦除操作?？偸窍冗M行擦除操作。 nor flash的寫入的寫入 是向存儲單元浮柵管的浮置柵極中注入電荷，方法是在是向存儲單元浮柵管的浮置柵極中注入電荷，方法是在浮柵管的漏極接正電壓，源極接地，在控制柵極加正電壓，這樣，漏源極之間雪崩浮柵管的漏極接正電壓，源極接地，在控制柵極加正電壓，這樣，漏源極之間雪崩擊穿產(chǎn)生的熱電子，被吸引到浮置柵中，浮置柵中的電子使讀操作時的控制柵極電擊穿產(chǎn)生的熱電子，被吸引到浮置柵中，浮置柵中

19、的電子使讀操作時的控制柵極電壓不能使浮柵管導(dǎo)通。壓不能使浮柵管導(dǎo)通。 nor flash的讀出的讀出 是在浮柵管的控制柵極上加讀電壓，將浮柵管的導(dǎo)通與是在浮柵管的控制柵極上加讀電壓，將浮柵管的導(dǎo)通與否狀態(tài)讀出到浮柵管的漏極。否狀態(tài)讀出到浮柵管的漏極。 b）nand flash存儲器。存儲器。nand flash的存儲單元結(jié)構(gòu)與的存儲單元結(jié)構(gòu)與nor結(jié)構(gòu)基本相同，但是其擦除與編程都利用隧結(jié)構(gòu)基本相同，但是其擦除與編程都利用隧道效應(yīng)實現(xiàn)。道效應(yīng)實現(xiàn)。數(shù)字電子技術(shù)基礎(chǔ)第7章 存儲器183可寫入可寫入rom的主要技術(shù)指標的主要技術(shù)指標（1）存儲容量）存儲容量 存儲容量存儲容量m是存儲矩陣的存儲單元數(shù)，

20、是能夠存儲的一位二進制數(shù)的數(shù)量，若是存儲矩陣的存儲單元數(shù)，是能夠存儲的一位二進制數(shù)的數(shù)量，若一個存儲器可以存儲一個存儲器可以存儲n個二進制數(shù)據(jù)（具有個二進制數(shù)據(jù)（具有n個地址），每個二進制數(shù)據(jù)為個地址），每個二進制數(shù)據(jù)為l位，則位，則存儲器的存儲容量存儲器的存儲容量m為為n l。 存儲容量單位是二進制的位（存儲容量單位是二進制的位（bit），），1024個個bit為為1k。有時存儲器還以字節(jié)。有時存儲器還以字節(jié)（byte）為單位表示存儲器容量，）為單位表示存儲器容量， 存儲地址數(shù)存儲地址數(shù)n與地址線數(shù)與地址線數(shù)a有關(guān)，有關(guān)，n=2a，因此存儲容量，因此存儲容量m=2al。 存儲器地址數(shù)與字數(shù)不

21、同，只有在一個地址內(nèi)保存的數(shù)據(jù)位數(shù)與字長相同時，存儲器地址數(shù)與字數(shù)不同，只有在一個地址內(nèi)保存的數(shù)據(jù)位數(shù)與字長相同時，存儲地址數(shù)才等于字數(shù)。通常計算機字長分為存儲地址數(shù)才等于字數(shù)。通常計算機字長分為4位、位、8位、位、16位、位、32位，位，（2）讀、寫與擦除時間）讀、寫與擦除時間 早期的不可寫入存儲器主要操作是讀操作，而編程（寫入）操作和擦除操作很早期的不可寫入存儲器主要操作是讀操作，而編程（寫入）操作和擦除操作很少，因此讀時間就是很重要的參數(shù)，通常按照讀出數(shù)據(jù)方式的不同，讀操作時間又少，因此讀時間就是很重要的參數(shù)，通常按照讀出數(shù)據(jù)方式的不同，讀操作時間又分為隨機讀時間與序列讀時間。分為隨機讀

22、時間與序列讀時間。 可寫入存儲器由于寫入、擦除操作頻繁，因此寫入、擦除操作時間也是重要參可寫入存儲器由于寫入、擦除操作頻繁，因此寫入、擦除操作時間也是重要參數(shù)。數(shù)。 數(shù)字電子技術(shù)基礎(chǔ)第7章 存儲器19（3）編程次數(shù)）編程次數(shù) 對于現(xiàn)在正在使用的對于現(xiàn)在正在使用的nand flash存儲器，一般具有存儲器，一般具有100萬次以上的編程萬次以上的編程次數(shù)，但是次數(shù)，但是e2prom存儲器的編程次數(shù)一般小于存儲器的編程次數(shù)一般小于10萬次，有些產(chǎn)品甚至少到萬次，有些產(chǎn)品甚至少到100次次（4）數(shù)據(jù)保存時間）數(shù)據(jù)保存時間 一般可達一般可達20年以上。年以上。（5）功耗）功耗 低功耗可以使存儲器用于便攜

23、式產(chǎn)品設(shè)計，例如移動數(shù)據(jù)采集、手機等，低功耗可以使存儲器用于便攜式產(chǎn)品設(shè)計，例如移動數(shù)據(jù)采集、手機等，因此也是很重要的技術(shù)指標。超低功耗存儲器的工作電流為微安級。因此也是很重要的技術(shù)指標。超低功耗存儲器的工作電流為微安級。數(shù)字電子技術(shù)基礎(chǔ)第7章 存儲器207.1.4 并行接口并行接口eprom存儲器存儲器2725627256是紫外線擦除的是紫外線擦除的eprom存儲器，存儲容量為存儲器，存儲容量為32k 8，引腳具有，引腳具有ttl兼容邏輯兼容邏輯電平，其雙列直插封裝（電平，其雙列直插封裝（dip）引腳排列如圖）引腳排列如圖7-12所示，所示， 數(shù)字電子技術(shù)基礎(chǔ)第7章 存儲器21 該存儲器采用

24、紫外線擦除數(shù)據(jù)，用編程器寫入數(shù)據(jù)，常在早期該存儲器采用紫外線擦除數(shù)據(jù)，用編程器寫入數(shù)據(jù)，常在早期8031單片機組成單片機組成的電子系統(tǒng)中用于存儲用戶編制的程序。該存儲器與的電子系統(tǒng)中用于存儲用戶編制的程序。該存儲器與8031單片機接線如圖單片機接線如圖7-14所示。所示。數(shù)字電子技術(shù)基礎(chǔ)第7章 存儲器22*7.1.5 并行接口并行接口e2prom存儲器存儲器at28c64b at28c64b是并行存取容量為是并行存取容量為8192字的字的8位位e2prom。內(nèi)部結(jié)構(gòu)如圖。內(nèi)部結(jié)構(gòu)如圖7-16所示。所示。 在在at28c64b的結(jié)構(gòu)中，除了的結(jié)構(gòu)中，除了x、y地址譯碼器、存儲器矩陣和、和控制邏輯

25、外，地址譯碼器、存儲器矩陣和、和控制邏輯外，還有數(shù)據(jù)鎖存、輸入還有數(shù)據(jù)鎖存、輸入/輸出緩沖、輸出緩沖、y軸門控和器件辨識模塊。軸門控和器件辨識模塊。at28c64b的引腳排列的引腳排列如圖如圖7-17所示，引腳功能如表所示，引腳功能如表7-1所示。所示。數(shù)字電子技術(shù)基礎(chǔ)第7章 存儲器23 該芯片處于非選擇狀態(tài)時的電源電流小于該芯片處于非選擇狀態(tài)時的電源電流小于100 ma。編程次數(shù)可達到。編程次數(shù)可達到100000以上，以上，數(shù)據(jù)可以保存數(shù)據(jù)可以保存10年。年。 該芯片電源電壓為該芯片電源電壓為5 v，運行電流為，運行電流為40 ma時耗散功率時耗散功率220 mw，具有，具有cmos/ttl

26、兼容的輸入與輸出引腳。兼容的輸入與輸出引腳。數(shù)字電子技術(shù)基礎(chǔ)第7章 存儲器241）讀操作）讀操作 讀操作時序如圖讀操作時序如圖7-18所示。由時序圖可知，在或為高電平時，輸出引腳為高阻所示。由時序圖可知，在或為高電平時，輸出引腳為高阻狀態(tài)。當?shù)刂酚行Ш?，在和同為低電平時，給定地址的數(shù)據(jù)呈現(xiàn)在輸出引腳狀態(tài)。當?shù)刂酚行Ш?，在和同為低電平時，給定地址的數(shù)據(jù)呈現(xiàn)在輸出引腳i/o0i/o7。讀操作時間參數(shù)如表。讀操作時間參數(shù)如表7-3所示。所示。數(shù)字電子技術(shù)基礎(chǔ)第7章 存儲器25數(shù)字電子技術(shù)基礎(chǔ)第7章 存儲器26（3）頁寫操作）頁寫操作 at28c64b頁寫操作允許在一個內(nèi)部寫周期內(nèi)，實現(xiàn)頁寫操作允許在

27、一個內(nèi)部寫周期內(nèi)，實現(xiàn)164個字節(jié)的寫入操作。個字節(jié)的寫入操作。（4）數(shù)據(jù)查詢）數(shù)據(jù)查詢 at28c64b具有內(nèi)部寫周期結(jié)束檢查的數(shù)據(jù)查詢功能。具有內(nèi)部寫周期結(jié)束檢查的數(shù)據(jù)查詢功能。（5）跳變位查詢）跳變位查詢 除了數(shù)據(jù)查詢外，除了數(shù)據(jù)查詢外，at28c64b還提供了確定寫操作結(jié)束的跳變位方法。還提供了確定寫操作結(jié)束的跳變位方法。（6）數(shù)據(jù)保護）數(shù)據(jù)保護 工業(yè)現(xiàn)場的環(huán)境都比較惡劣，電網(wǎng)電壓的大幅度波動、閃電、雷擊等都可能造成工業(yè)現(xiàn)場的環(huán)境都比較惡劣，電網(wǎng)電壓的大幅度波動、閃電、雷擊等都可能造成儀器儀表中儀器儀表中e2prom的數(shù)據(jù)被非法改寫。的數(shù)據(jù)被非法改寫。at28c64b的具有硬件數(shù)據(jù)保護

28、措施。的具有硬件數(shù)據(jù)保護措施。（7）整片擦除）整片擦除 at28c64b芯片具有整片擦除功能，即把所有存儲單元都清除成芯片具有整片擦除功能，即把所有存儲單元都清除成“1”。（8）軟件保護）軟件保護 at28c64b芯片的軟件數(shù)據(jù)保護措施可以保護芯片在受到干擾時不損壞和丟失數(shù)芯片的軟件數(shù)據(jù)保護措施可以保護芯片在受到干擾時不損壞和丟失數(shù)據(jù)。據(jù)。at28c64b具有軟件數(shù)據(jù)保護功能（具有軟件數(shù)據(jù)保護功能（sdp，software data protection），）， 該該功能由用戶啟動。功能由用戶啟動。數(shù)字電子技術(shù)基礎(chǔ)第7章 存儲器27圖圖7-21為為89c51單片機與單片機與28c64b連接時的

29、讀連接時的讀/寫時序圖。寫時序圖。數(shù)字電子技術(shù)基礎(chǔ)第7章 存儲器28圖7-21 89c51單片機與28c64b連接時的讀/寫時序圖數(shù)字電子技術(shù)基礎(chǔ)第7章 存儲器297.1.6 二極管二極管rom實現(xiàn)數(shù)字電路實現(xiàn)數(shù)字電路 【例【例7-1】 試用試用74ls160、74ls138、74ls04和二極管和二極管rom矩陣組成一個矩陣組成一個4彩燈控彩燈控制電路。各個彩燈（發(fā)光二極管）亮滅如表制電路。各個彩燈（發(fā)光二極管）亮滅如表7-5所示。所示。數(shù)字電子技術(shù)基礎(chǔ)第7章 存儲器30圖7-22 4彩燈控制電路數(shù)字電子技術(shù)基礎(chǔ)第7章 存儲器31【例【例7-2】 十進制數(shù)十進制數(shù)-4位二進制數(shù)代碼轉(zhuǎn)換（撥碼

30、盤電路）。位二進制數(shù)代碼轉(zhuǎn)換（撥碼盤電路）。數(shù)字電子技術(shù)基礎(chǔ)第7章 存儲器32【例【例7-3】 采用采用rom實現(xiàn)實現(xiàn)2位二進制數(shù)相乘。位二進制數(shù)相乘。數(shù)字電子技術(shù)基礎(chǔ)第7章 存儲器33數(shù)字電子技術(shù)基礎(chǔ)第7章 存儲器347.2 隨機存儲器隨機存儲器 隨機存取存儲器（隨機存取存儲器（ram）用于隨機向存儲器的存儲單元寫入數(shù)據(jù)或從存儲單）用于隨機向存儲器的存儲單元寫入數(shù)據(jù)或從存儲單元中讀出數(shù)據(jù)，具有無限次存取、存取速度快的特點。在易失數(shù)據(jù)隨機存儲器中，元中讀出數(shù)據(jù)，具有無限次存取、存取速度快的特點。在易失數(shù)據(jù)隨機存儲器中，存儲單元斷電后，存儲器中的信息會丟失。存儲單元斷電后，存儲器中的信息會丟失。

31、1易失數(shù)據(jù)的隨機存儲器易失數(shù)據(jù)的隨機存儲器 （1）靜態(tài)隨機存儲器（）靜態(tài)隨機存儲器（sram，static random access memory） 數(shù)據(jù)保存在類似觸發(fā)器的存儲單元中，只要有電源，數(shù)據(jù)就存在。數(shù)據(jù)保存在類似觸發(fā)器的存儲單元中，只要有電源，數(shù)據(jù)就存在。 （2）動態(tài)隨機存儲器（）動態(tài)隨機存儲器（dram，dynamic random access memory） 數(shù)據(jù)保存在電容器組成的存儲單元中，要使數(shù)據(jù)存在，不僅需要電源，而且需數(shù)據(jù)保存在電容器組成的存儲單元中，要使數(shù)據(jù)存在，不僅需要電源，而且需要刷新電容中的電荷（充電）。要刷新電容中的電荷（充電）。2非易失數(shù)據(jù)非易失數(shù)據(jù)ram

32、存儲器（存儲器（nvram，nonvolatile ram） （1）sram+后備電池（后備電池（bakbat） 這種非易失這種非易失ram，把低功耗，把低功耗sram與供電電池集成到與供電電池集成到1個封裝中，具有個封裝中，具有ram的的讀讀/寫速度，又具有非易失的特點。當電源電壓降低到一定值時，芯片處于寫保護寫速度，又具有非易失的特點。當電源電壓降低到一定值時，芯片處于寫保護狀態(tài)，正常工作情況下，電池不斷地被充電，使斷開外電源后，電池的電量仍然可狀態(tài)，正常工作情況下，電池不斷地被充電，使斷開外電源后，電池的電量仍然可以使數(shù)據(jù)保存幾十年以上。以使數(shù)據(jù)保存幾十年以上。（2）sram+e2pro

33、m 這種非易失存儲器不需要后備電池，可以像這種非易失存儲器不需要后備電池，可以像sram一樣地讀一樣地讀/寫，所以兼容現(xiàn)寫，所以兼容現(xiàn)在所有的在所有的sram接口，在電壓降低到一定值時，數(shù)據(jù)會保存到接口，在電壓降低到一定值時，數(shù)據(jù)會保存到e2prom中，當電壓中，當電壓升到一定值時，會自動將數(shù)據(jù)返回升到一定值時，會自動將數(shù)據(jù)返回sram中。中。數(shù)字電子技術(shù)基礎(chǔ)第7章 存儲器357.2.1 靜態(tài)隨機存儲器靜態(tài)隨機存儲器1靜態(tài)隨機存儲器的靜態(tài)隨機存儲器的組成組成sram由存儲矩陣、由存儲矩陣、地址譯碼電路、讀寫地址譯碼電路、讀寫控制電路組成，圖控制電路組成，圖7-26所示的就是所示的就是4096個

34、個存儲單元的靜態(tài)隨機存儲單元的靜態(tài)隨機存儲器。存儲器。數(shù)字電子技術(shù)基礎(chǔ)第7章 存儲器362sram的存儲器單元的存儲器單元靜態(tài)隨機存儲器的存儲單元工作原理與觸發(fā)器類似，一般由靜態(tài)隨機存儲器的存儲單元工作原理與觸發(fā)器類似，一般由mos管組成，在小管組成，在小容量的靜態(tài)隨機存儲器中也有使用雙極性晶體管組成的存儲單元。既然是觸發(fā)容量的靜態(tài)隨機存儲器中也有使用雙極性晶體管組成的存儲單元。既然是觸發(fā)器，就具備觸發(fā)器的特征，當電源加上時，輸出狀態(tài)不確定，當斷電時，不能器，就具備觸發(fā)器的特征，當電源加上時，輸出狀態(tài)不確定，當斷電時，不能保留狀態(tài)。保留狀態(tài)。 數(shù)字電子技術(shù)基礎(chǔ)第7章 存儲器373讀讀/寫控制電

35、路寫控制電路sram存儲器的讀存儲器的讀/寫電路如圖寫電路如圖7-28所示。所示。 數(shù)字電子技術(shù)基礎(chǔ)第7章 存儲器384實際的靜態(tài)隨機存儲器實際的靜態(tài)隨機存儲器圖圖7-29所示的是所示的是62256靜態(tài)隨機存儲器的符號圖。該存儲器共有靜態(tài)隨機存儲器的符號圖。該存儲器共有32k 8位存儲單位存儲單元，其內(nèi)部結(jié)構(gòu)如圖元，其內(nèi)部結(jié)構(gòu)如圖7-30所示。所示。數(shù)字電子技術(shù)基礎(chǔ)第7章 存儲器39數(shù)字電子技術(shù)基礎(chǔ)第7章 存儲器40圖圖7-32顯示的是顯示的是8051單片機外擴隨機存儲器單片機外擴隨機存儲器62256時的接線圖。時的接線圖。由圖可知，由圖可知，8051單片機的單片機的p0口分時輸出地址與數(shù)據(jù)，

36、口分時輸出地址與數(shù)據(jù)，p2口輸出地址高口輸出地址高7位，位，ale信號控制信號控制74ls373鎖存地址低鎖存地址低8位，讀信號位，讀信號rd與寫信號與寫信號wr控制讀控制讀/寫寫62256。讀。讀/寫寫62256的過程與讀的過程與讀/寫寫28c64b的過程相同。的過程相同。數(shù)字電子技術(shù)基礎(chǔ)第7章 存儲器41*7.2.2 動態(tài)隨機存儲器動態(tài)隨機存儲器1動態(tài)存儲器簡介動態(tài)存儲器簡介 動態(tài)存儲器（動態(tài)存儲器（dram）是指存儲陣列需要不斷刷新保證保存數(shù)據(jù)不丟失的存儲）是指存儲陣列需要不斷刷新保證保存數(shù)據(jù)不丟失的存儲器，原因是使用電容保存數(shù)據(jù)，所以必須間隔一定時間對其內(nèi)容進行刷新（充電），器，原因是

37、使用電容保存數(shù)據(jù)，所以必須間隔一定時間對其內(nèi)容進行刷新（充電），否則保存的數(shù)據(jù)就會丟失。對否則保存的數(shù)據(jù)就會丟失。對dram來說，每次讀取數(shù)據(jù)實際上是一次放電，讀后來說，每次讀取數(shù)據(jù)實際上是一次放電，讀后必須對電容進行充電，保證其保存內(nèi)容的有效性，即使不對它進行讀取，每隔一定必須對電容進行充電，保證其保存內(nèi)容的有效性，即使不對它進行讀取，每隔一定的時間也需要對它進行一次刷新。的時間也需要對它進行一次刷新。 dram存儲器的存儲單元與存儲器的存儲單元與sram存儲單元相比簡單得多，是由一個晶體管和存儲單元相比簡單得多，是由一個晶體管和電容構(gòu)成的，由于簡單，因此占用很小的芯片面積，使電容構(gòu)成的，由

38、于簡單，因此占用很小的芯片面積，使dram具有高集成度和低成具有高集成度和低成本的特點。本的特點。 由于要刷新存儲單元，所以在由于要刷新存儲單元，所以在dram中有刷新電路，另外為節(jié)省引腳，中有刷新電路，另外為節(jié)省引腳，dram采用復(fù)用地址引腳技術(shù)，就是先接收行地址，將行地址鎖存后再接收列地址的技術(shù)。采用復(fù)用地址引腳技術(shù)，就是先接收行地址，將行地址鎖存后再接收列地址的技術(shù)。數(shù)字電子技術(shù)基礎(chǔ)第7章 存儲器422存儲單元 動態(tài)存儲單元使用電容存儲一位二進制數(shù)據(jù)，優(yōu)點是比靜態(tài)存儲單元簡單，占用芯片面積小，因而可以作成大容量、低價格的存儲器。缺點是電容的電荷不能長時間保持，需要周期地刷新才能使數(shù)據(jù)不丟

39、失，刷新操作需要附加電路而且操作復(fù)雜。圖7-33所示的是mos管和電容組成的動態(tài)存儲單元。動態(tài)存儲單元中mos管相當于開關(guān)，控制電容c是否與列線連接。讀、寫和刷新操作如圖7-34所示。數(shù)字電子技術(shù)基礎(chǔ)第7章 存儲器43數(shù)字電子技術(shù)基礎(chǔ)第7章 存儲器443同步動態(tài)存儲器hy57v641620hy57v641620芯片的存儲矩陣分為4個存儲體（bank），每個存儲體的容量為4m16=64m，所以總存儲容量為256m，位寬度是16位。 數(shù)字電子技術(shù)基礎(chǔ)第7章 存儲器45同步動態(tài)存儲器hy57v641620數(shù)字電子技術(shù)基礎(chǔ)第7章 存儲器46（1）單片機與sdram之間的關(guān)系hy57v561620芯片分

40、為4個存儲體。因此32位單片機與兩片hy57v561620芯片的接線可以由圖7-36所示。（2）單片機與芯片之間的動作順序單片機先用片選信號ad14確定存儲器，然后對存儲器進行尋址操作；接下來是對被選中的存儲器內(nèi)進行統(tǒng)一的邏輯存儲體尋址，由于邏輯存儲體的數(shù)量為4個，因此單片機提供兩個選擇信號ad13、ad12；最后就是對被選中的存儲體進行統(tǒng)一的行/列（存儲單元）尋址，尋址信號為ad11ad0，數(shù)據(jù)線為d31d0；數(shù)字電子技術(shù)基礎(chǔ)第7章 存儲器47（3）sdram命令a）初始化。b）邏輯存儲體選擇和行有效。c）列讀/寫操作。d）讀數(shù)據(jù)。e）寫數(shù)據(jù)。f）預(yù)充電。g）數(shù)據(jù)刷新。h）數(shù)據(jù)掩碼。數(shù)字電子

41、技術(shù)基礎(chǔ)第7章 存儲器48*7.2.3 非易失非易失ram介紹介紹1sram+后備電池型非易失存儲器后備電池型非易失存儲器sram+后備電池結(jié)構(gòu)的非易失后備電池結(jié)構(gòu)的非易失ram結(jié)構(gòu)如圖結(jié)構(gòu)如圖7-37所示。所示。 可以看出是由電路板、可以看出是由電路板、sram、電池、控制器和外封裝構(gòu)成。、電池、控制器和外封裝構(gòu)成。 雖然像只讀存儲器一樣數(shù)據(jù)不會丟失，但是存取速度可以達到100 ns；電池充電一次，可以保證數(shù)據(jù)保存23年，一次深充電后，數(shù)據(jù)可以保存60年，若是多次充電，數(shù)據(jù)保存時間可以更長；為使電池壽命更長，第一次使用時，需要對電池充電96小時以上。數(shù)字電子技術(shù)基礎(chǔ)第7章 存儲器492sra

42、m+e2prom型非易失存儲器將sram+e2prom組合在一起的非易失sram存儲器，實現(xiàn)了無需后備電池的非易失性存儲，芯片接口、時序等與標準sram完全兼容，其內(nèi)部結(jié)構(gòu)如圖7-39所示。通常sram+e2prom型非易失存儲器的操作都在sram中進行，只有當外電源突然斷電或者系統(tǒng)需要存儲的時候才會把數(shù)據(jù)存儲到e2prom中去，當檢測到系統(tǒng)上電后會把e2prom中的數(shù)據(jù)回讀到sram中，使系統(tǒng)正常運行。數(shù)字電子技術(shù)基礎(chǔ)第7章 存儲器50（1）自動存儲 當檢測到外電源電壓低于最小值時，會自動保存sram的數(shù)據(jù)到e2prom中，其間所需要的電源由外部的電容c提供。（2）硬件存儲將引腳連接至單片機

43、，當單片機輸出信號將拉到低電平時進行存儲操作，會保存sram的數(shù)據(jù)到e2prom中。（3）軟件存儲 軟件存儲是由一個預(yù)定義的6個確定地址的連續(xù)sram讀操作后，控制數(shù)據(jù)從sram保存至e2prom中。a）自動回讀。當檢測到外電源重新上電時，數(shù)據(jù)會自動從e2prom回讀到sram中。b）軟件回讀。軟件回讀是由一個預(yù)定義的6個確定地址的連續(xù)sram讀操作后，控制數(shù)據(jù)從e2prom復(fù)制到sram中。數(shù)字電子技術(shù)基礎(chǔ)第7章 存儲器51*7.3 鐵電隨機存取存儲器鐵電隨機存取存儲器 鐵電隨機存取存儲器（鐵電隨機存取存儲器（fram，ferroelectric ram），是以鐵電物質(zhì)為原材料），是以鐵電物

44、質(zhì)為原材料的存儲器，不僅具有動態(tài)隨機存取存儲器及靜態(tài)隨機存取存儲器的高速特性，還能在的存儲器，不僅具有動態(tài)隨機存取存儲器及靜態(tài)隨機存取存儲器的高速特性，還能在掉電情況下存儲信息，即具有非易失性。掉電情況下存儲信息，即具有非易失性。1鐵電存儲器技術(shù)原理鐵電存儲器技術(shù)原理 fram利用鐵電晶體的鐵電效應(yīng)實現(xiàn)數(shù)據(jù)存儲，鐵電效應(yīng)是指在鐵電晶體上施加利用鐵電晶體的鐵電效應(yīng)實現(xiàn)數(shù)據(jù)存儲，鐵電效應(yīng)是指在鐵電晶體上施加一定的電場時，晶體中心原子在電場的作用下運動，越過中間層，并達到一種穩(wěn)定狀一定的電場時，晶體中心原子在電場的作用下運動，越過中間層，并達到一種穩(wěn)定狀態(tài)；當電場從晶體移走后，中心原子會保持在原來的

45、位置。這是由于晶體的中間層具態(tài)；當電場從晶體移走后，中心原子會保持在原來的位置。這是由于晶體的中間層具有高能階，中心原子在沒有獲得外部能量時不能越過高能階的中間層到達另一穩(wěn)定位有高能階，中心原子在沒有獲得外部能量時不能越過高能階的中間層到達另一穩(wěn)定位置，因此置，因此fram保持數(shù)據(jù)不需要電壓，也不需要像保持數(shù)據(jù)不需要電壓，也不需要像dram一樣周期性刷新。由于鐵電一樣周期性刷新。由于鐵電效應(yīng)是鐵電晶體所固有的一種偏振極化特性，與電磁作用無關(guān)，所以效應(yīng)是鐵電晶體所固有的一種偏振極化特性，與電磁作用無關(guān)，所以fram存儲器的存儲器的內(nèi)容不會受到外界條件（諸如磁場因素）的影響，能夠同普通內(nèi)容不會受到

46、外界條件（諸如磁場因素）的影響，能夠同普通rom存儲器一樣使用，存儲器一樣使用，具有非易失性的存儲特性。具有非易失性的存儲特性。數(shù)字電子技術(shù)基礎(chǔ)第7章 存儲器522fram存儲單元結(jié)構(gòu)存儲單元結(jié)構(gòu)fram的存儲單元主要由鐵電電容和場效應(yīng)管構(gòu)成，但這個鐵電電容不是一般的的存儲單元主要由鐵電電容和場效應(yīng)管構(gòu)成，但這個鐵電電容不是一般的電容，在它的兩個電極板中間沉淀了一層晶態(tài)的鐵電晶體薄膜。電容，在它的兩個電極板中間沉淀了一層晶態(tài)的鐵電晶體薄膜。mos管與鐵電電管與鐵電電容容cfe組成的存儲單元如圖組成的存儲單元如圖7-40所示。所示。3fram的讀的讀/寫操作寫操作圖圖7-41顯示的是讀顯示的是讀

47、/寫操作電路圖。圖中的靈敏放大器用于放大讀出信號。寫操作電路圖。圖中的靈敏放大器用于放大讀出信號。數(shù)字電子技術(shù)基礎(chǔ)第7章 存儲器53數(shù)字電子技術(shù)基礎(chǔ)第7章 存儲器54數(shù)字電子技術(shù)基礎(chǔ)第7章 存儲器554實際的鐵電存儲器實際的鐵電存儲器fm25l256是是256k串行鐵電非易失串行鐵電非易失ram存儲器，該存儲器具有如下特點：圖存儲器，該存儲器具有如下特點：圖7-42 fm25l256引引腳排列圖腳排列圖 存儲容量為存儲容量為327688位；位； 具有無限制讀具有無限制讀/寫周期；寫周期； 數(shù)據(jù)可以保持數(shù)據(jù)可以保持10年；年； 采用工業(yè)標準采用工業(yè)標準spi三線接口；三線接口； 接口頻率為接口頻

48、率為25mhz； 可以直接替換相同接口的可以直接替換相同接口的e2prom。數(shù)字電子技術(shù)基礎(chǔ)第7章 存儲器56 該存儲器與單片機的該存儲器與單片機的spi接口接線如圖接口接線如圖7-43所示。其中單片機的所示。其中單片機的p1.0引腳用引腳用于片選；于片選；mosi是單片機輸出、存儲器接收引腳；是單片機輸出、存儲器接收引腳；miso是單片機接收、存儲器輸是單片機接收、存儲器輸出引腳；出引腳；sck是時鐘引腳，這三個引腳分別與是時鐘引腳，這三個引腳分別與fm25l256的時鐘的時鐘sck、輸入、輸入/輸出輸出si和和so引腳相連。引腳相連。 spi總線是摩托羅拉公司首先推出的一種同步串行傳送標準

49、，是通用的單片機總線是摩托羅拉公司首先推出的一種同步串行傳送標準，是通用的單片機串行擴展接口。很多公司的單片機芯片與相關(guān)的外設(shè)芯片具有串行擴展接口。很多公司的單片機芯片與相關(guān)的外設(shè)芯片具有spi接口。接口。該存儲器與一般串行該存儲器與一般串行e2prom相比具有如下優(yōu)點。相比具有如下優(yōu)點。 讀寫速度：串行讀寫速度：串行e2prom隨機寫一個字節(jié)需要隨機寫一個字節(jié)需要5 ms，而，而fm25l256需要需要2 ms。 讀寫次數(shù)：讀寫次數(shù)：e2prom可寫可寫100萬次，而萬次，而fm25l256無限次。無限次。 低功耗：低功耗：e2prom的功耗在的功耗在ma級，而級，而fm25l256的功耗在

50、的功耗在ma級。級。該芯片可以替代一般的該芯片可以替代一般的e2prom存儲器，使系統(tǒng)設(shè)計更加簡單可靠。存儲器，使系統(tǒng)設(shè)計更加簡單可靠。數(shù)字電子技術(shù)基礎(chǔ)第7章 存儲器577.4 存儲器擴展存儲器擴展7.4.1 位擴展位擴展 如果一片存儲器的位寬不夠用時，就需要位擴展，將多片存儲器組合成位數(shù)更如果一片存儲器的位寬不夠用時，就需要位擴展，將多片存儲器組合成位數(shù)更多的存儲器。位擴展法也稱位并聯(lián)法，采用這種方法構(gòu)成存儲器時，各存儲芯片連多的存儲器。位擴展法也稱位并聯(lián)法，采用這種方法構(gòu)成存儲器時，各存儲芯片連接的地址、讀寫、片選信號是相同的。而存儲芯片的數(shù)據(jù)線則分別連接到各個存儲接的地址、讀寫、片選信號是相同的。而存儲芯片的數(shù)據(jù)線則分別連接到各個存儲器的數(shù)據(jù)總線上。器的數(shù)據(jù)總線上。 圖圖7-44給出的是按位擴展法將給出的是按位擴展法將4片片1m4存儲芯片連接擴展成存儲芯片連接擴展成1m16位存儲位存儲