模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)第四版(童詩(shī)白)課后答案第五章

1、第5章放大電路的頻率響應(yīng)自測(cè)題一、選擇正確答案填入空內(nèi)。測(cè)試放大電路輸出電壓幅值與相位的變化，可以得到它的頻率響應(yīng)，條件是 （A ）。A.輸入電壓幅值不變，改變頻率B.輸入電壓頻率不變，改變幅值C.輸入電壓的幅值與頻率同時(shí)變化（2）放大電路在高頻信號(hào)作用時(shí)放大倍數(shù)數(shù)值下降的原因是（B ）,而低頻信號(hào)作用時(shí)放大倍數(shù)數(shù)值下降白原因是（A ）。A.耦合電容和旁路電容的存在C.半導(dǎo)體管的非線性特性B.半導(dǎo)體管極間電容和分布電容的存在D.放大電路的靜態(tài)工作點(diǎn)不合適（3）當(dāng)信號(hào)頻率等于放大電路的fL或儲(chǔ)時(shí)，放大倍數(shù)的值約下降到中頻時(shí)的（B ）。A. 0.5 倍；B. 0.7 倍；C. 0.9 倍即增益下降

2、（A ）。A. 3dBB. 4dB;C. 5dB（4）對(duì)于單管共射放大電路，當(dāng)f =fL時(shí)，Uo與Ui相位關(guān)系是（C ）。A . + 45oB. - 90oC. - 135o當(dāng)f =fH時(shí)，Uo與Ui相位關(guān)系是（C ）。A . - 45oB. - 135oC. -225o二、電路如圖 T5.2 所示。已知：Vcc=12V;晶體管的Cp4pF,fT=50MHz,rbb=100Q,=80 。試求解：（1）中頻電壓放大倍數(shù) Lm； （2）（3）點(diǎn)和fH ； （4）畫(huà)出波特圖。: Vcc -UBEQ，22.6A; Ieq -(1 )Ibq 1.8mARUceq =Vcc -IcqRc 3V ;rbe

3、=(1) 26mV : 1.17k1 11 EQrbe - rbb(1 )26mV 1.27k ;I EQR =%/ Rb 之 1.27kCAusm =R4T 里 JgmRc) : -178 R Rs %eI EQgm = -EQ : 69.2mA/V ；UT(2)估算CH2二bb。二 C)Cn 忠0Cr 214pF ；2二 rbefT- _ _. C -：=。二 (1 gmRc C J 1 6p2(3)求解上限、下限截止頻率：R = rbe/(rbb + Rs/Rb)中法(%，b +Rs)567夏。.1.1fH = 175kHz ； fL =% 14Hz。2nRC7r2 兀(Rs + R)C

4、(4)在中頻段的增益：201g入sm產(chǎn)45dB。頻率特性曲線如 解圖T5.2所示。三、已知某放大電路的波特圖如 圖T5.3所示，填空：(l)電路的中頻電壓增益 20lgAum=( 60 )dB, Aum=( 103 )。(2)電路的下限頻率 與電(10 )Hz,上限頻率 、定(10 ) kHz。(3)電路的電壓放大倍數(shù)的表達(dá)式一 3一 一J_103_100 jf(人二-10f r = f f 廠(1)(1 j 4)(1 j 5)(1 j )(1 j 4)(1 j 5)/45 54 4c4/-5jf 1010101010201fi| J J/dB-20 十倍頻60 _ _ -k40 - 制/20

5、dW卜悟頻 -II I I i . .一0 109 io1 IO= io3 io4 Ltf圖 T5.3說(shuō)明：該放大電路的中頻放大倍數(shù)可能為“+”，也可能為“-習(xí)題5.1在圖P5.1所示電路中，已知晶體管的rbb、Cr、J, R定餐。填空：除要求填寫(xiě)表達(dá)式的之外，其余各空填入增大、基本不變、（1）在空載情況下，下限頻率的表達(dá)式2二(RRb/%e)Ci)減小。當(dāng)Rs減小時(shí),上將（）；當(dāng)帶上負(fù)載電阻后，二將（ ）。（2）在空載情況下，若b-e間等效電容為C”，則上限頻率的表達(dá)式fH：(12二%匕/(展, . Rb/ Rs)C-:”當(dāng)Rs為零時(shí),力將（）；當(dāng)Rb減小時(shí)，gm將（）,J將（）,山將（）。

6、20lg|Xl/dB圖 P 5.1圖 P 5.25. 2已知某電路的波特圖如 圖P5.2所示，i3t寫(xiě)出 Au的表達(dá)式。-32fc10(1 -)(1 jjf-3.2 jf解：設(shè)電路為基本共射放大電路或基本共源放大電路。-f5)(1 jf)(1 j-f5)1010105.3 已知某共射放大電路的波特圖如圖P5.3所示，試寫(xiě)出 Au的表達(dá)式。解：觀察波特圖可知，中頻電壓增益為 40dB 即中頻放大倍數(shù)為-100 ;下限截止頻率Au的表達(dá)式為:為1Hz和10Hz,上限截止頻率為 250kHz。故電路A10Au110f(1 -)(1 -)(1 j -5jf jf 2.5 10_ 10f2jf)(1 +

7、(1 思5.4 已知某電路的幅頻特性如 圖P5.4所示，試問(wèn)：（1）該電路的耦合方式；（2）該電路由 幾級(jí)放大電路組成；（3）當(dāng)f =104Hz時(shí)，附加相移為多少？當(dāng) f =105Hz時(shí)，附加相移又約為多少？ （ 4）該電路的上限頻率 fH為多少?解：（1）因?yàn)橄孪藿刂诡l率為 0 ,所以電路為直接耦合電路；（2）因?yàn)樵诟哳l段幅頻特性為-60dB/十倍頻，所以電路為三級(jí)放大電路;(3)當(dāng) f =104Hz 時(shí)，爐=45隈3 = 1350 ;當(dāng) f =105Hz 時(shí)，W =-90父3 = -2700。（4）該電路的(1_103口 +0;上限頻率為f 3J104fH %H 5 5.2kHz1.335

8、.5已知某電路電壓放大倍數(shù):-10jf(1 jf)(1 j-f5)10105試求解：（1）AumfL 定？fH（2）畫(huà)出波特圖。解：（1）變換電壓放大倍數(shù)的表達(dá)式，求出-10jf(1 j2)。j-100 j上 二110f) (1 jf )(1 j10510，Aum=-1。；fL =10Hz ；一_ 5fH =10 Hz。(2)波特圖如解圖P5.5所示。解圖P5.5解圖P5.65.6 已知兩級(jí)共射放大電路的電壓放大倍數(shù)A 220jfAu -f ff(1尹溫而)(1)Aum=?fL？fH之？(2)畫(huà)出波特圖。解：(1)變換電壓放大倍數(shù)的表達(dá)式，求出Aum、fL和fH 。200jff104)(1 j

9、2.5 105)103 jf 5(1 + jf)(1+jf 4(1+j/%5102.5 10 Aum =103;fL=5HzfH - 104Hz。(2)波特圖如解圖P5.6所示。5.7 電路如圖P5.7所示。已知：晶體管的 田rbb、CR均相等，所有電容的容量均相等,靜態(tài)時(shí)所有電路中晶體管的發(fā)射極電流Ieq均相等。定性分析各電路，將結(jié)論填入空內(nèi)。(a)(b)(d)。十%(c)圖 P5.7低頻特性最差即下限頻率最高的電路是(a )。(2)低頻特性最好即下限頻率最低的電路是(c )。(3)高頻特性最差即上限頻率最低的電路是(c )。5.8 在圖P5.7(b)所示電路中，若要求Ci與C2所在回路的時(shí)

10、間常數(shù)相等，且已知be = l kQ, 則G：C2 = ?若Ci與C2所在回路的時(shí)間常數(shù)均為 25ms ,則CC2各為多少？下限頻率 fL =?解：求解C1：C2因?yàn)?Ci (Rs+R)=C2 (Rc+Rl)將電阻值代入上式，求出：Ci：C2=5:1(2)求解Ci、C2的容量和下限頻率C1 =-定 12.5NF ；C2 =-上 2.5FRs+RRJRl1一fLi = fL2=定6.4Hz；fL 定 1.1T2L1 上 HZAusm、fH 和 fL 各2 二5.9 在圖P5.7 (a)所示電路中，若Ce突然開(kāi)路，則中頻電壓放大倍數(shù)產(chǎn)生什么變化(是增大、減小、還是基本不變)？為什么?lb將減小，匕

11、隨之減小， 山 必解：Ausm將減小。因?yàn)樵谕瑯臃档腢i作用下,然減小。fL減小。因?yàn)樯倭艘粋€(gè)影響低頻特性的電容。fH增大。因?yàn)镃n會(huì)因電壓放大倍數(shù)數(shù)值的減小而大大減小，所以雖然C3T所在回路的等效電阻有所增大，但時(shí)間常數(shù)仍會(huì)減小很多，故fH增大。5.10 電路如圖P5.10所示，已知 Cgs =Cgd =5pF,gm =5mS,C1 =C2 =Cs =10F o試求儲(chǔ)、九各約為多少,并寫(xiě)出Aus的表達(dá)式。圖 P5.10解:AusmR, 一(_gmRL ) P-gmRL-12.4R +Rs1fL = 16Hz2 二 RACgs = Cgs (1 gmR)Cgd ： 72pFfHT_. 一 一

12、. Z_ 2二(RgRJCgs2 二 RCgs：1.1MHz5.11效應(yīng)管的解:-12.4 j As ： f一值L (1 jM j16)在圖5.4.7(a)所示電路中，已知 Rg=2MC, &=氐=100，C = 10NF;場(chǎng)Cgs =Cgd =4pF , gm =4mS。試畫(huà)出電路的波特圖，并標(biāo)出有關(guān)數(shù)據(jù)。Aum = YmR-20,20lg Aum:26dB一 一 . _ _Cgs =Cgs (1gmRL)Cgd88pFfL2 二(RdRl C：0. 7 9Hz1 fH : 904 Hz2二 RgCgs其波特圖參考解圖P5.5 。5.12 已知一個(gè)兩級(jí)放大電路各級(jí)電壓放大倍數(shù)分別為:兒今一U

13、i (1-25 jfj )105- A = Uo-= ，Au2Ui2-2jf(1 點(diǎn)(1jf0 )寫(xiě)出該放大電路的電壓放大倍數(shù)的表達(dá)式;(2)求出該電路的fL和fH各約為多少;(3)畫(huà)出該電路的波特圖。波特圖如 解圖P5.12所示。80dB 。5.13 電路如圖P5.13所示。試定性分析下列問(wèn)題，并簡(jiǎn)述理由。哪一個(gè)電容決定電路的下限頻率；(2)若T1和T2靜態(tài)時(shí)發(fā)射極電流相等，且rbb和C7T相等，則哪一級(jí)的上限頻率低。圖 P5.13解：(1)決定電路下限頻率的是 Ce ,因?yàn)樗诨芈返牡刃щ娮枳钚　?2)因?yàn)镽2/R3/R4 R1 R , Cm所在回路的時(shí)間常數(shù)大于C所在回路的時(shí)間常數(shù)，所

14、以第二級(jí)的上限頻率低。補(bǔ)充1在圖P5.7(a)所示電路中，若 片100 , % =lkQ , Ci= C2= Ce=100 ，則下限 頻率t二?解：由于所有電容容量相同，而Ce所在回路等效電阻最小，所以下限頻率決定于Ce所在回路的時(shí)間常數(shù)。rbe - Rs / Rb%e RsR = Re -be-be- ：- 20c1 :1-1，_,fL80 Hz2 二 RCe補(bǔ)充2在圖P5.7（d）所示電路中，已知晶體管的血=100。，& =化復(fù)，靜態(tài)電流. 一 _ _ _ _ -.Ieq =2mA, C;l=800pF , Rs =2kG , Rb=500kC, Rc = 3.3kQ, C=10NF。試分別求