MOSFET降壓斬波電路設(shè)計(jì)

1、標(biāo)準(zhǔn)實(shí)用文案題目MOSFET 降壓斬波電路設(shè)計(jì)姓名學(xué)號(hào)班級(jí)指導(dǎo)老師日期文檔標(biāo)準(zhǔn)實(shí)用文案前言直流 - 直流變流電路的功能是將直流電變?yōu)榱硪还潭妷夯蚩烧{(diào)電壓的直流電， 包括直接直流電變流電路和間接直流電變流電路。直接直流電變流電路也稱(chēng)斬波電路，它的功能是將直流電變?yōu)榱硪还潭妷夯蚩烧{(diào)電壓的直流電，一般是指直接將直流電變?yōu)榱硪恢绷麟?，這種情況下輸入與輸出之間不隔離。間接直流變流電路是在直流變流電路中增加了交流環(huán)節(jié)，在交流環(huán)節(jié)中通常采用變壓器實(shí)現(xiàn)輸入輸出間的隔離，因此也稱(chēng)帶隔離的直流 - 直流變流電路或直 - 交 - 直電路。直流斬波電路的種類(lèi)有很多， 包括六種基本斬波電路： 降壓斬波電路，升壓斬波

2、電路，升降壓斬波電路 ,Cuk 斬波電路， Sepic 斬波電路和 Zeta 斬波電路，利用不同的斬波電路的組合可以構(gòu)成符合斬波電路，如電流可逆斬波電路，橋式可逆斬波電路等。利用相同結(jié)構(gòu)的基本斬波電路進(jìn)行組合，可構(gòu)成多相多重?cái)夭娐?。文檔標(biāo)準(zhǔn)實(shí)用文案目錄1.設(shè)計(jì)要求與方案11.1 設(shè)計(jì)要求11.2 設(shè)計(jì)方案12 降壓斬波電路設(shè)計(jì)方案22.1 降壓斬波電路原理圖22.2 降壓斬波電路工作原理圖23 MOSFET 驅(qū)動(dòng)電路設(shè)計(jì)33.1 驅(qū)動(dòng)電路方案選擇33.2 驅(qū)動(dòng)電路原理4文檔標(biāo)準(zhǔn)實(shí)用文案4保護(hù)電路 .54.1過(guò)電壓保護(hù) .54.2過(guò)電流保護(hù) .65電路各元件的參數(shù)設(shè)定 .65.1 MOSFET

3、 簡(jiǎn)介 .65.1.1 功率 MOSFET 的結(jié)構(gòu) .75.1.2 功率 MOSFET 的工作原理.85.2各元件參數(shù)計(jì)算 .86系統(tǒng)仿真及結(jié)論 .96.1仿真電路及其仿真結(jié)果 .96.2 仿真結(jié)果分析 .16總結(jié) .16參考文獻(xiàn) .17文檔標(biāo)準(zhǔn)實(shí)用文案MOSFET 降壓斬波電路設(shè)計(jì)1.設(shè)計(jì)要求與方案1.1 設(shè)計(jì)要求利用 MOSFET 設(shè)計(jì)一個(gè)降壓斬波電路。輸入直流電壓 Ud=100V ，輸出功率 P=300W ，開(kāi)關(guān)頻率為 5KHz ，占空比 10% 到 90% ，輸出電壓脈率小于 10% 。1.2 設(shè)計(jì)方案電力電子器件在實(shí)際應(yīng)用中， 一般是由控制電路、 驅(qū)動(dòng)電路、 保護(hù)電路及以電力電子器件

4、為核心的主電路組成一個(gè)系統(tǒng)。 由信息電子電路組成的控制電路按照系統(tǒng)的工作要求形成控制信號(hào)， 通過(guò)驅(qū)動(dòng)電路去控制主電路中電路電子器件的導(dǎo)通或者關(guān)斷，來(lái)完成整個(gè)系統(tǒng)的功能。根據(jù) MOSFET 降壓斬波電路設(shè)計(jì)任務(wù)要求設(shè)計(jì)主電路、 驅(qū)動(dòng)電路。其結(jié)構(gòu)框圖如圖 1所示?？仉娐夫?qū)動(dòng)電路主電路圖 1 電路結(jié)構(gòu)圖在圖 1結(jié)構(gòu)框圖中，控制電路用來(lái)產(chǎn)生MOSFET 降壓斬波電路的控制信號(hào)，控制電路產(chǎn)生的控制信號(hào)傳到驅(qū)動(dòng)電路，驅(qū)動(dòng)電路把控制信號(hào)轉(zhuǎn)換為加在MOSFET 控制端與公共端之間， 可以使其開(kāi)通或關(guān)斷的信號(hào)。 通過(guò)控制 MOSFET的開(kāi)通和關(guān)斷來(lái)控制 MOSFET 降壓斬波電路工作。 控制電路中保護(hù)電路是用來(lái)

5、保護(hù)電路，防止電路產(chǎn)生過(guò)電流、過(guò)電壓現(xiàn)象而損壞電路設(shè)備。文檔標(biāo)準(zhǔn)實(shí)用文案2 降壓斬波電路設(shè)計(jì)方案2.1 降壓斬波電路原理圖降壓斬波電路的原理圖以及工作波形如圖2 所示。該電路使用一個(gè)全控型器件 V，圖中為 MOSFET 。為在 MOSFET 關(guān)斷時(shí)給負(fù)載中電感電流提供通道，設(shè)置了續(xù)流二極管 VD 。斬波電路主要用于電子電路的供電電源，也可拖動(dòng)直流電動(dòng)機(jī)或帶蓄電池負(fù)載等。圖 2 降壓斬波電路原理圖2.2 降壓斬波電路工作原理圖直流降壓斬波電路使用一個(gè)全控型的電壓驅(qū)動(dòng)器件MOSFET ，用控制電路和驅(qū)動(dòng)電路來(lái)控制 MOSFET 的導(dǎo)通或關(guān)斷。當(dāng) t=0時(shí)MOSFET 管被激勵(lì)導(dǎo)通電源 U向負(fù)載供電

6、，負(fù)載電壓為 Uo=U, 負(fù)載電流 io 按指數(shù)曲線上升，當(dāng) t=t1 時(shí)控制 MOSFET 關(guān)斷負(fù)載電流經(jīng)二極管 VD 續(xù)流負(fù)載電壓 Uo 近似為零，負(fù)載電流呈指數(shù)曲線下降。為了使負(fù)載電流連續(xù)且脈動(dòng)小通常使串聯(lián)的電感 L較大。電路工作時(shí)的波形圖如圖 3所示。文檔標(biāo)準(zhǔn)實(shí)用文案圖 3 降壓斬波電路的工作波形至一個(gè)周期 T 結(jié)束，再驅(qū)動(dòng) MOSFET 導(dǎo)通，重復(fù)上一周期的過(guò)程。當(dāng)電力電子系統(tǒng)工作處于穩(wěn)態(tài)時(shí)， 負(fù)載電流在一個(gè)周期的初值和終值相等，如圖 2 所示。負(fù)載電壓平均值為UO =t onU = t on U = U（2.1 ）ton + t offT負(fù)載電流平均值為（ 2.2）UoIO =R式

7、中， ton為 MOSFET 處于通態(tài)的時(shí)間； toff 為 MOSFET 處于斷態(tài)的時(shí)間；T 為開(kāi)關(guān)周期；為導(dǎo)通占空比。由式（ 1.1 ）可知，輸出到負(fù)載的電壓平均值 Uo 最大為 U ，減小占空比，Uo 隨之減小。因此將該電路稱(chēng)為降壓斬波電路。也稱(chēng)buck 變換器。根據(jù)對(duì)輸出電壓平均值進(jìn)行調(diào)試的方式不同，可分為三種工作方式：1) 保持開(kāi)關(guān)導(dǎo)通時(shí)間ton 不變，改變開(kāi)關(guān) T，稱(chēng)為頻率調(diào)制工作方式；2) 保持開(kāi)關(guān)周期 T不變，調(diào)節(jié)開(kāi)關(guān)導(dǎo)通時(shí)間t on ，稱(chēng)為脈沖寬調(diào)制工作方式；3) 開(kāi)關(guān)導(dǎo)通時(shí)間ton 和開(kāi)關(guān)周期 T 都可調(diào)，稱(chēng)為混合型。3 MOSFET 驅(qū)動(dòng)電路設(shè)計(jì)3.1 驅(qū)動(dòng)電路方案選擇該

8、驅(qū)動(dòng)部分是連接控制部分和主電路的橋梁，該部分主要完成以下幾個(gè)功能：(1) 提供適當(dāng)?shù)恼蚝头聪蜉敵鲭妷?，使電?MOSFE 管可靠的開(kāi)通和關(guān)斷； (2)提供足夠大的瞬態(tài)功率或瞬時(shí)電流，使MOSFET 能迅速建立柵控電場(chǎng)而導(dǎo)通； (3)盡可能小的輸入輸出延遲時(shí)間，以提高工作效率；(4) 足夠高的輸入輸出電氣隔離性能，使信號(hào)電路與柵極驅(qū)動(dòng)電路絕緣；(5) 具有靈敏的過(guò)流保護(hù)能力。而電力 MOSFET 是用柵極電壓來(lái)控制漏極電流的，因此它的第一個(gè)顯著特點(diǎn)是驅(qū)動(dòng)電路簡(jiǎn)單， 需要的驅(qū)動(dòng)功率小； 第二個(gè)顯著特點(diǎn)是開(kāi)關(guān)速度快、工作頻率高。但是電力 MOSFET 電流容量小，耐壓低，多用于功率不超過(guò)10Kw的

9、電力電子裝置。文檔標(biāo)準(zhǔn)實(shí)用文案在功率變換裝置中 ,根據(jù)主電路的結(jié)構(gòu)，起功率開(kāi)關(guān)器件一般采用直接驅(qū)動(dòng)和隔離驅(qū)動(dòng)兩種方式 .美國(guó) IR公司生產(chǎn)的 IR2110 驅(qū)動(dòng)器，兼有光耦隔離和電磁隔離的優(yōu)點(diǎn)，是中小功率變換裝置中驅(qū)動(dòng)器件的首選。根據(jù)設(shè)計(jì)要求、驅(qū)動(dòng)要求及電力 MOSFET 管開(kāi)關(guān)特性 ,選擇驅(qū)動(dòng)芯片 IR2110來(lái)實(shí)現(xiàn)驅(qū)動(dòng)。芯片 IR2110管腳及內(nèi)部電路圖如下圖4 所示。圖4 IR2110管腳及內(nèi)部電路圖3.2 驅(qū)動(dòng)電路原理IR2110內(nèi)部功能由三部分組成：邏輯輸入、電平平移及輸出保護(hù)。IR2110 驅(qū)動(dòng)半橋的電路如圖所示， 其中 C1，VD1 分別為自舉電容和自舉二極管，C2 為 VCC的

10、濾波電容。 假定在 S 關(guān)斷期間 C1已經(jīng)充到足夠的電壓 （VC1 VCC）。當(dāng)HIN 為高電平時(shí)如下圖 4-2 ，VM1 開(kāi)通，VM2 關(guān)斷，VC1 加到 S1的柵極和源極之間， C1 通過(guò) VM1 ，Rg1 和柵極和源極形成回路放電，這時(shí) C1 就相當(dāng)于一個(gè)電壓源，從而使 S1導(dǎo)通。由于 LIN 與HIN 是一對(duì)互補(bǔ)輸入信號(hào)，所以此時(shí)LIN 為低電平， VM3 關(guān)斷， VM4 導(dǎo)通，這時(shí)聚集在 S2柵極和源極的電荷在芯片內(nèi)部通過(guò) Rg2 迅速對(duì)地放電，由于死區(qū)時(shí)間影響使S2 在S1 開(kāi)通之前迅速關(guān)斷。文檔標(biāo)準(zhǔn)實(shí)用文案圖 5 IR2110 驅(qū)動(dòng)半橋電路設(shè)計(jì)驅(qū)動(dòng)電路如圖 6所示 .圖 6 驅(qū)動(dòng)

11、電路圖4 保護(hù)電路4.1 過(guò)電壓保護(hù)當(dāng)達(dá)到定電壓值時(shí)，自動(dòng)開(kāi)通保護(hù)電路，使過(guò)壓通過(guò)保護(hù)電路形成通路，消耗過(guò)壓儲(chǔ)存的電磁能量， 從而使過(guò)壓的能量不會(huì)加到主開(kāi)關(guān)器件上，保護(hù)了電力電子器件。為了達(dá)到保護(hù)效果，可以使用阻容保護(hù)電路來(lái)實(shí)現(xiàn)。將電容并聯(lián)在回路中，當(dāng)電路中出現(xiàn)電壓尖峰電壓時(shí)，電容兩端電壓不能突變的特性，可以有效地抑制文檔標(biāo)準(zhǔn)實(shí)用文案電路中的過(guò)壓。 與電容串聯(lián)的電阻能消耗掉部分過(guò)壓能量，同時(shí)抑制電路中的電感與電容產(chǎn)生振蕩，過(guò)電壓保護(hù)電路如圖7圖 74.2 過(guò)電流保護(hù)當(dāng)電力電子電路運(yùn)行不正?；蛘甙l(fā)生故障時(shí)，可能會(huì)發(fā)生過(guò)電流。 當(dāng)器件擊穿或短路、觸發(fā)電路或控制電路發(fā)生故障、出現(xiàn)過(guò)載、直流側(cè)短路、可

12、逆?zhèn)鲃?dòng)系統(tǒng)產(chǎn)生環(huán)流或逆變失敗， 以及交流電源電壓過(guò)高或過(guò)低、 缺相等，均可引起過(guò)流。由于電力電子器件的電流過(guò)載能力相對(duì)較差，必須對(duì)變換器進(jìn)行適當(dāng)?shù)倪^(guò)流保護(hù)。采用快速熔斷器是電力電子裝置中最有效、應(yīng)用最廣的一種的過(guò)流保護(hù)措施。5 電路各元件的參數(shù)設(shè)定5.1 MOSFET 簡(jiǎn)介MOSFET 的原意是： MOS（ Metal Oxide Semiconductor金屬氧化物半導(dǎo)體）， FET（ Field Effect Transistor場(chǎng)效應(yīng)晶體管），即以金屬層（M ）的柵極隔著氧化層（ O）利用電場(chǎng)的效應(yīng)來(lái)控制半導(dǎo)體（S）的場(chǎng)效應(yīng)晶體管。功率場(chǎng)效應(yīng)晶體管也分為結(jié)型和絕緣柵型,但通常主要指絕緣柵

13、型中的MOS型（Metal Oxide Semiconductor FET）,簡(jiǎn)稱(chēng)功率 MOSFET（ Power MOSFET ）。結(jié)型功率場(chǎng)效應(yīng)晶體管一般稱(chēng)作靜電感應(yīng)晶體管（Static Induction文檔標(biāo)準(zhǔn)實(shí)用文案Transistor-SIT）。其特點(diǎn)是用柵極電壓來(lái)控制漏極電流，驅(qū)動(dòng)電路簡(jiǎn)單，需要的驅(qū)動(dòng)功率小，開(kāi)關(guān)速度快，工作頻率高，熱穩(wěn)定性優(yōu)于GTR，但其電流容量小，耐壓低，一般只適用于功率不超過(guò)10kW 的電力電子裝置。功率 MOSFET 的種類(lèi)：按導(dǎo)電溝道可分為P 溝道和 N 溝道。按柵極電壓幅值可分為；耗盡型；當(dāng)柵極電壓為零時(shí)漏源極之間就存在導(dǎo)電溝道，增強(qiáng)型；對(duì)于 N（P）

14、溝道器件，柵極電壓大于（小于）零時(shí)才存在導(dǎo)電溝道， 功率 MOSFET主要是 N 溝道增強(qiáng)型。功率 MOSFET 的結(jié)構(gòu)功率 MOSFET 的內(nèi)部結(jié)構(gòu)和電氣符號(hào)如圖1 所示；其導(dǎo)通時(shí)只有一種極性的載流子（多子）參與導(dǎo)電，是單極型晶體管。 導(dǎo)電機(jī)理與小功率MOS 管相同，但結(jié)構(gòu)上有較大區(qū)別，小功率MOS 管是橫向?qū)щ娖骷?，功率MOSFET 大都采用垂直導(dǎo)電結(jié)構(gòu)，又稱(chēng)為 VMOSFET, （Vertical MOSFET ），大大提高了 MOSFET器件的耐壓和耐電流能力。MOSFET 的結(jié)構(gòu)與電氣圖形符號(hào)如圖8 所示。圖 8 MOSFET 的結(jié)構(gòu)與電氣圖形符號(hào)文檔標(biāo)準(zhǔn)實(shí)用文案按垂直導(dǎo)電結(jié)構(gòu)的差異

15、， 又分為利用 V 型槽實(shí)現(xiàn)垂直導(dǎo)電的VVMOSFET 和具有垂直導(dǎo)電雙擴(kuò)散MOS 結(jié)構(gòu)的 VDMOSFET （Vertical Double-diffusedMOSFET ），本文主要以 VDMOS 器件為例進(jìn)行討論。功率 MOSFET 為多元集成結(jié)構(gòu)，如國(guó)際整流器公司（International Rectifier）的 HEXFET 采用了六邊形單元；西門(mén)子公司（Siemens ）的 SIPMOSFET 采用了正方形單元；摩托羅拉公司（Motorola）的 TMOS 采用了矩形單元按“品”字形排列。功率 MOSFET 的工作原理截止：漏源極間加正電源，柵源極間電壓為零。P 基區(qū)與 N 漂移

16、區(qū)之間形成的 PN 結(jié) J1 反偏，漏源極之間無(wú)電流流過(guò)。導(dǎo)電：在柵源極間加正電壓U GS，柵極是絕緣的，所以不會(huì)有柵極電流流過(guò)。但柵極的正電壓會(huì)將其下面P 區(qū)中的空穴推開(kāi)，而將P 區(qū)中的少子 - 電子吸引到柵極下面的 P 區(qū)表面當(dāng) UGS 大于 UT（開(kāi)啟電壓或閾值電壓） 時(shí)，柵極下 P 區(qū)表面的電子濃度將超過(guò)空穴濃度，使 P 型半導(dǎo)體反型成 N 型而成為反型層，該反型層形成 N 溝道而使 PN 結(jié) J1 消失，漏極和源極導(dǎo)電。5.2 各元件參數(shù)計(jì)算根據(jù)設(shè)計(jì)要求可選大小為100V 的直流電壓源，如果選取降壓斬波電路的占空比為 50% ，則輸出電壓 U o50V ，輸出功率 PU o2，要求輸

17、出功率為600W，oR可計(jì)算出負(fù)載電阻 R=4.17 。電壓控制電壓源和脈沖電壓源可組成MOSFET 功率開(kāi)關(guān)的驅(qū)動(dòng)電路。2)計(jì)算 LC ：由式L =UO(1-10 4 s，T，周期 T 可由開(kāi)關(guān)頻率 5KHz 得出為 2C2P O文檔標(biāo)準(zhǔn)實(shí)用文案把 U o 、Po 代入上式得出 LC2.0810 4 H 。雖說(shuō)電感 L 的值越大，得到的圖形越穩(wěn)定，但在此電路中，需要看到文波，因此按計(jì)算值設(shè)置參數(shù)就可以啦。計(jì)算 C ：由式C =UO ( 1 - )10% ，取 10% ，計(jì)算 ?U0 =T2 ，要求脈動(dòng)率8L? UOU0 10% = 5V，代入上式計(jì)算出C = 1.20 10- 4 F。雖說(shuō)電

18、容 C 的值越大，得到的圖形越穩(wěn)定， 但在此電路中， 需要看到文波， 因此按計(jì)算值設(shè)置參數(shù)就可以啦。若取其他占空比時(shí)各參數(shù)值的計(jì)算方法與此一致， 不同占空比時(shí)各個(gè)參數(shù)的值如表 1 所示。表 1 不同占空比時(shí)各個(gè)參數(shù)的值輸出電壓 U 0脈動(dòng)電壓占空比? U0 （V）負(fù)載 R（）電感值LC（ H ）電容值 C（ F）（ V ）20%2020.670.53 10 -47.50 10 -440%4042.671.60 10 -41.88 10 -450%5054.172.08 10 -41.20 10 -480%80810.672.13 10 -44.69 10 -590%90913.501.35 1

19、0 -43.70 10 -56 系統(tǒng)仿真及結(jié)論6.1 仿真電路及其仿真結(jié)果在 MAT LAB 里的 Model 畫(huà)出仿真的圖形。仿真電路圖如圖 9 所示。文檔標(biāo)準(zhǔn)實(shí)用文案圖 9 仿真電路圖各個(gè)參數(shù)的設(shè)置方法： 用鼠標(biāo)左鍵雙擊圖標(biāo)， 會(huì)出現(xiàn)一個(gè)對(duì)話框， 然后再相應(yīng)的位置修改參數(shù)， 就可完成參數(shù)的設(shè)置。 在不同的占空比時(shí)， 其他參數(shù)也不一樣，修改的方式都有一樣。完成參數(shù)的設(shè)置，就可以開(kāi)始仿真。仿真時(shí)可能會(huì)出現(xiàn)問(wèn)題，這就得在仿真的過(guò)程中去解決， 解決好問(wèn)題后， 最終得到的仿真波形如下。在波形圖中，從上到下的波形依次是輸入電壓、占空比、輸出電流、輸出電壓。Simulink仿真結(jié)果如圖 10 所示文檔標(biāo)

20、準(zhǔn)實(shí)用文案圖 10=0.2 時(shí)的仿真波形圖由仿真結(jié)果圖 10 得到的波形可以看出在輸入電壓為100V 時(shí)，在純電阻負(fù)載情況下，占空比選擇20% 時(shí)，得到的輸出電壓的平均值近似20V ，輸出電流的平均值近似30A 。得到的輸出功率的平均值近似為600W ，這滿足電路所需的要求。且從波形圖中可以看出， 輸出的電壓電流波形的形狀是一致的，這滿足純電阻的要求。并且波形是連續(xù)的，符合理論要求。文檔標(biāo)準(zhǔn)實(shí)用文案Simulink仿真結(jié)果如圖 11 所示。圖 11=0.4 時(shí)的仿真波形圖由仿真結(jié)果圖 11 得到的波形可以看出在輸入電壓為100V 時(shí)，在純電阻負(fù)載情況下，占空比選擇40% 時(shí)，得到的輸出電壓的平

21、均值近似40V ，輸出電流的平均值近似15A 。得到的輸出功率的平均值近似為600W ，這滿足電路所需的要求。且從波形圖中可以看出， 輸出的電壓電流波形的形狀是一致的，這滿足純電阻的要求。并且波形是連續(xù)的，符合理論要求。文檔標(biāo)準(zhǔn)實(shí)用文案Simulink仿真結(jié)果如圖 12 所示。圖 12=0.5 時(shí)的仿真波形圖由仿真結(jié)果圖 12 得到的波形可以看出在輸入電壓為100V 時(shí)，在純電阻負(fù)載情況下，占空比選擇50% 時(shí)，得到的輸出電壓的平均值近似50V ，輸出電流的平均值近似12A 。得到的輸出功率的平均值近似為600W ，這滿足電路所需文檔標(biāo)準(zhǔn)實(shí)用文案的要求。且從波形圖中可以看出， 輸出的電壓電流波

22、形的形狀是一致的，這滿足純電阻的要求。并且波形是連續(xù)的，符合理論要求。Simulink仿真結(jié)果如圖 13 所示。圖 13=0.8 時(shí)的仿真波形圖由仿真結(jié)果圖 13 得到的波形可以看出在輸入電壓為 100V 時(shí)，在純電阻負(fù)載情況下，占空比選擇 80% 時(shí)，得到的輸出電壓的平均值近似 80V ，輸出電流文檔標(biāo)準(zhǔn)實(shí)用文案的平均值近似7.5A 。得到的輸出功率的平均值近似為600W ，這滿足電路所需的要求。且從波形圖中可以看出， 輸出的電壓電流波形的形狀是一致的，這滿足純電阻的要求。并且波形是連續(xù)的，符合理論要求。Simulink仿真結(jié)果如圖 14 所示。圖 14=0.9 時(shí)的仿真波形圖文檔標(biāo)準(zhǔn)實(shí)用文

23、案由仿真結(jié)果圖 14 得到的波形可以看出在輸入電壓為100V 時(shí)，在純電阻負(fù)載情況下，占空比選擇90% 時(shí)，得到的輸出電壓的平均值近似90V ，輸出電流的平均值近似 6.67A 。得到的輸出功率的平均值近似為 600W ，這滿足電路所需的要求。且從波形圖中可以看出， 輸出的電壓電流波形的形狀是一致的， 這滿足純電阻的要求。并且波形是連續(xù)的，符合理論要求。6.2 仿真結(jié)果分析由仿真得到的波形可以看出在輸入電壓為100V 時(shí)，在純電阻負(fù)載情況下，不同占空比時(shí)， 得到的輸出電壓的平均值，輸出電流的平均值都不一樣。但是得到的輸出功率的平均值近似為600W ，這點(diǎn)滿足電路設(shè)計(jì)所需的要求。且從波形圖中可以看出， 無(wú)論占空比有怎么變化， 輸出電壓、輸出電流的波形的形狀始終是一致的，這滿足純電阻的要求。并且波形是連續(xù)的，符合理論要求。由仿真圖可以看得到，當(dāng)占空比= 0.2 輸出電壓為 20V ；當(dāng)占空比= 0.4輸出電壓為 40V ； 當(dāng)占空比= 0.5 輸出電壓為 50V ； 當(dāng)占空比= 0.8 輸出電壓為 80V ；當(dāng)占空比= 0.9 輸出電壓為90V 。這與理論計(jì)算的結(jié)果是一致的，說(shuō)明這此仿真結(jié)果是正確的，符合要求?？偨Y(jié)做課程設(shè)計(jì)我們都感覺(jué)入手比較困難， 因?yàn)樗紫纫竽銓?duì)所學(xué)的知識(shí)都要弄懂，并且能將其聯(lián)系貫穿起來(lái)， 因此課程