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文檔簡介

1、二. 靜電危害,1.靜電的三種危害方式,ESD危害是靜電源產(chǎn)生的電能作用到或過于接近ESDS(靜電敏感元器件)元件(或整機設備)所導致的結果。使電子器件性能退化或功能失效。,1.1 吸附塵埃,靜電放電,靜電感應,吸附塵埃,靜電吸附塵埃對微電子生產(chǎn)業(yè)影響很大,在現(xiàn)代大規(guī)模集成電路(LSI)生產(chǎn)中,芯片的線寬已達到0.1m,如果其產(chǎn)生靜電則對幾幾十微米的塵埃吸附作用明顯。,纖維屑與灰塵,指痕,磁頭,磁盤,IC特征尺寸 1m,微粒 56 m,塵埃粒度與IC芯片間距比較示意圖,一顆直徑幾微米塵埃吸附在芯片上,即可造成十幾根芯線之間的絕緣強度降低,造成短路使芯片損壞。,當帶電的物體與一些導體等接觸時或靠

2、得很近時,電荷會找到一條途徑突然釋放掉 -高壓、瞬間,1.2 靜電放電,大約2000V,人體靜電放電最小放電量可達 3.12 X 10-4焦耳,瞬間的放電電流峰值可達 幾安培以上,干燥6001000V,我們在經(jīng)受約3000伏的靜電電壓!,如果這條“途徑”是半導體電路,就會產(chǎn)生靜電傷害,1.3 靜電感應,當導體和電介質(zhì)置于靜電場中,在其上感應出+或-的靜電荷。靜電感應電位可達數(shù)千伏以上。,其危害不僅有靜電放電的危害性,而其感應放電產(chǎn)生的寬頻帶脈沖干擾可對計算機和低電平數(shù)字電路發(fā)生翻轉(zhuǎn)效應或?qū)е聝x器(儀表)運行失常。,目前,半導體內(nèi)有PN結,它的介電層 SiO2,膜厚度0.0070.15m,再考慮

3、工藝偏差,能承受的耐壓值很低。,目前,半導體器件安全閥門限電壓100V。,2. ESD造成電子元器件失效的主要機理,其中(1)(3)(5)項因靜電電壓引起,(2)(4)由靜電電壓和電流共同引起。,(3) 介質(zhì)擊穿,(1) 熱二次擊穿,(2) 金屬鍍層融熔,(4) 表面擊穿,(5) 體擊穿,靜電敏感器件包括ESDS組件或整機被ESD損壞,與它們的電氣和接地連接無關,ESDS組件和整機通常與它們包含的最敏感的ESDS元器件一樣敏感,雖然在組件或整機設計另加有不同程度的保護電路,起到一定程度的保護,但仍然易受到強靜電電場或帶有靜電物體直接接觸引起的感應ESD損害。,3.靜電放電對電子產(chǎn)品危害的特點,

4、3.1 隱蔽性:在ESD對電子產(chǎn)品損害中,活動的人體帶電是一個重要的原因。在一般情況下,人體所帶靜電電壓都在1-2KV(詳見典型的靜電壓產(chǎn)生強度表)范圍,而在此電壓電平上的靜電放電時,人體一般無直觀察覺,而接觸到電子產(chǎn)品的元器件時,卻在人們不知不覺中受到損傷。下表列出人體受靜電電擊感應程度的關系,從而進一步認識靜電存在的隱蔽性。,無處不在,無直觀感,隱蔽性,潛在性,損傷的隨機性,失效分析復雜性,人體帶電和電擊感應程度的關系:,人體帶電和電擊感應程度的關系,人體帶電和電擊感應程度的關系:,3.2 潛在性:有些電子器件受靜電放電損傷后,僅表現(xiàn)出某些性能參數(shù)的下降,但未達到安全失效程度,若沒有進行全

5、面地檢測往往無法發(fā)現(xiàn)。如有的IC在靜電放電損傷后,僅表現(xiàn)出輸入電流增加,一般在功能檢測時不會被發(fā)現(xiàn),或者靜電放電使產(chǎn)品出現(xiàn)可自愈的擊穿,或者其他非致命的損害。但隨工作時間延長,這種效應在累加繼續(xù)使用下,最終發(fā)生致命失效。,人體帶電和電擊感應程度的關系:,3.3 損傷的隨機性:只要靜電敏感器件接觸或靠近超過其靜電放電敏感閥值的情況存在,就有可能發(fā)生靜電放電損害。而由于靜電可以在任何兩種物體(包括操作者的人體)接觸,分離條件下產(chǎn)生。故靜電敏感器件的靜電放電損傷有可能在產(chǎn)品從進料、加工、制造到使用維護的任何環(huán)節(jié)。任何一個操作步驟,與任何有關帶電人體(或物體)接觸時發(fā)生。所以靜電放電損傷具有很大的隨機

6、性。,3.4 失效分析復雜性:靜電放電造成器件損傷,失效的分析工作非常困難。目前電子器件均為精細微小的組裝結構,分析失效原因需要有一套高精密的儀器,其次為靜電損傷難與其它原因造成的損傷加于區(qū)別。,人體帶電和電擊感應程度的關系:,4.靜電對ESDS器件的損害,可歸納為軟失效和硬失效,軟失效 90% a.間歇失效:某些ESDS器件(如CPU或EPROM)受到靜電放電后,產(chǎn)生存儲信息的丟失或功能暫時變壞。且在ESD發(fā)生后重新輸入信息后再開啟通電能自動恢復正常運行。 b.翻轉(zhuǎn)失效:由于靜電放電,產(chǎn)生電氣噪聲經(jīng)傳導或輻射到含有ESDS器件的電路上,當ESD感應電壓/或電流超過的信號電平。其工作狀態(tài)將發(fā)生

7、翻轉(zhuǎn),硬失效 10% 靜電源(如人體或物體放電、靜電場或靜電高壓尖峰放電)放電,超過ESDS器件允許工作電壓或電流值。造成擊穿或燒毀,使ESDS器件內(nèi)部開路或短路產(chǎn)生完全失效。,人體帶電和電擊感應程度的關系:,電壓擊穿開始時往往先在某一電壓下在介質(zhì)個別點上出現(xiàn)所謂網(wǎng)點擊穿,以后只要在較低的電壓下即可出現(xiàn)大片區(qū)域的雪崩式擊穿,造成器件永久性損毀。,雪崩效應,人體帶電和電擊感應程度的關系:,靜電放電可能一次或多次就可造成硬失效?;蛘逧SDS器件受到靜電放電產(chǎn)生,一定程度損害后再經(jīng)過一段時間的工作,其功能進一步退化。最終遭受致命性的失效。,生產(chǎn)過程中電子元器件可能受到潛在的ESD損壞,或來至我們所使

8、用的工具,如電烙鐵、電動起子、吸錫器或操作沒有接地的儀器、儀表時產(chǎn)生的尖峰電脈沖時對靜電敏感器件的損害,所以在操作前,需要仔細檢查手腕帶,工具和測試的“接地”狀況,良好的接地是保證不產(chǎn)生破壞性的靜電。對目前的產(chǎn)品而言,ESD比幾年前嚴重的多。在將來還會更嚴重。目前,工具或測試儀器探頭等產(chǎn)生小于0.5V的電壓和脈沖是可以接受的。如果使用大量高敏感度的元器件。則要求電烙鐵、吸錫器等工具和測試儀器,其他設備不能產(chǎn)生0.3V的電脈沖。,人體帶電和電擊感應程度的關系:,靜電敏感電子器件是組裝整機的“心臟”,所以電子器件的可靠性在很大程度決定組件、整機的可靠性。這就是說,電子組件、整機仍至系統(tǒng)的抗靜電能力

9、,通常是由其內(nèi)部IC芯片對靜電放電最敏感(即敏感電壓閥值最低)的電子器件所決定。因此受到靜電放電損傷,失效不僅是元器件,還包括組件及整機。在產(chǎn)品的生產(chǎn)全過程均受到靜電威脅。,隨著計算機等電子產(chǎn)品廣泛運用到國民經(jīng)濟的各個領域,靜電對電子產(chǎn)品的危害已波及到幾乎所有的經(jīng)濟部門和領域。因此,靜電的危害不僅表現(xiàn)在產(chǎn)品加工制造過程,而且更多地表現(xiàn)在產(chǎn)品的使用過程中。對電子產(chǎn)品的靜電防護已越過電子生產(chǎn)工廠的界限,而成為各方面廣泛關注的問題。,人體帶電和電擊感應程度的關系:,日本NEC公司一份統(tǒng)計,每年因靜電損壞的IC比例:,CMOS器件:79,線形IC: 12%,MOS存儲器:12,人體帶電和電擊感應程度的

10、關系:,5.靜電放電產(chǎn)生電磁場危害,5.1 放電特征,快速,高壓,高場強:當人帶電5KV與金屬接地體(6cm長8cm直徑的金屬棒)接觸,放電時間0。7MS當電弧長度為0。8mm,距電弧0。1m處,電場強度為12KV/m,磁場強度為30A/m,在同樣的放電電壓下,放電電流的大小隨電弧距離的縮短急劇上升,電流上升的速度從3A/ms到600A/ms放電瞬間足于將ESDS器件內(nèi)部引線燒毀,人體帶電和電擊感應程度的關系:,5.2 靜電放電的輻射特性,靜電放電的物理過程非常復雜,在放電前是靜電場,一旦放電,電場能量就主要轉(zhuǎn)化為脈沖磁場能量,形成極強的電磁能量向外輻射,且距離相當遠。因此非直接的ESD的損害,有時大于直接的ESD的損害,其頻帶寬度3GHz,電視機上有

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