機(jī)載低相位噪聲X波段頻率合成器的實(shí)用設(shè)計(jì).doc

機(jī)載低相位噪聲X波段頻率合成器的實(shí)用設(shè)計(jì)設(shè)計(jì)一種低相位噪聲頻率合成器，頻偏為100Hz和10kHz到600kHz時(shí)，其相位噪聲分別為-80dBc/Hz和-97dBc/Hz。目前頻率合成器的研究雖然已經(jīng)非常成熟，但是在其實(shí)際應(yīng)用中經(jīng)常會出現(xiàn)難以解決的問題。合成器設(shè)計(jì)者們主要關(guān)心的是相位噪聲。這在多普勒雷達(dá)、捷變頻雷達(dá)以及各種通信系統(tǒng)中極其重要。在這些應(yīng)用中，合成器相位噪聲可能會限制系統(tǒng)的動(dòng)態(tài)范圍和接收靈敏度。在機(jī)載合成器設(shè)計(jì)中關(guān)鍵的步驟包括：選擇最優(yōu)結(jié)構(gòu)使相位噪聲最小，抑制其它信號源帶來的雜散，以及提高效率，減小合成器體積。本文將介紹一種頻率合成器的設(shè)計(jì)，其性能如下： 頻率以20MHz為步進(jìn)，從8.9 GHz變化到9.3GHz。100Hz頻偏處相位噪聲為-80dBc/Hz，10kH到600kHz頻偏相位噪聲為-97dBc/Hz。合成器必須采用100Hz處相位噪聲-115dBc/Hz的100MHz參考頻率。為了達(dá)到誤差小于1ppm的合成頻率，切換時(shí)間為20。在帶寬從10MHz到輸出信號二次諧波頻率范圍內(nèi)雜散幅度小于-64dBc。二次諧波幅度為-48dBc，三次諧波幅度為-55dBc。供電電壓12V時(shí)，輸出功率+13dBm，消耗功率2.3W。合成器體積250，重量為470克。壓控振蕩器（VCO）相位噪聲分析：VCO頻段選取合成器包括壓控振蕩器（VCO）、鎖相環(huán)（PLL）電路和參考信號源。鎖相環(huán)IC頻帶的上限低于所需輸出頻帶，僅僅達(dá)到其一半。設(shè)計(jì)合成器有兩種不同方法用頻率為輸出頻率一半的VCO產(chǎn)生PLL輸入信號，然后對其進(jìn)行倍頻得到輸出；或用工作于輸出頻率的VCO產(chǎn)生信號然后分頻得到PLL輸入信號。VCO的相位噪聲性能是選擇最佳方法的主要準(zhǔn)則。用Leeson等式描述VCO相位噪聲為：其中：=頻率偏移（Hz）=振蕩頻率（Hz）=等效噪聲阻抗為R的共振電路負(fù)載Q值=作為放大器元件的有源設(shè)備閃爍轉(zhuǎn)角頻率（Hz）F = 有源設(shè)備的噪聲指數(shù)k=玻爾茨曼常數(shù)，（J/K）T=溫度（開氏溫標(biāo)）=有源設(shè)備輸入端信號的平均功率=振蕩電壓調(diào)諧增益（Hz/V）這一項(xiàng)表示阻抗R的噪聲。通常遠(yuǎn)小于其它噪聲而可能被忽略。于是有：其中噪聲電平數(shù)NF表示每一邊帶的寬帶熱噪聲，Pout為dBm形式的振蕩器輸出功率，G為dB形式的有源設(shè)備增益， 為振蕩器-3dBm半頻帶寬度?？梢詫σ压嫉?.3GHzVCO計(jì)算其L（）典型值。該VCO擁有4%的調(diào)諧帶寬，這一帶寬很接近合成器的需求。包含一個(gè)串聯(lián)諧振電路和一個(gè)正反饋共射放大器，其中使用了Agilent公司的硅雙極性晶體管AT-42086。此晶體管噪聲系數(shù)F=8.5dB。因?yàn)檩斎攵诉h(yuǎn)遠(yuǎn)沒有達(dá)到使噪聲最小的最佳值，因此噪聲系數(shù)顯著惡化。該VCO的輸出功率為10.5dBm，晶體管增益為8dB。因此NF=-167.8dBc/Hz。串聯(lián)諧振電路的整體有源阻抗為12.8，容抗為206，負(fù)載Q值為16.1，因此。硅雙極性晶體管的閃爍轉(zhuǎn)角頻率確定為經(jīng)驗(yàn)數(shù)值4kHz。那么對于=100kHz，計(jì)算得到VCO相位噪聲為-105.5dBc/Hz，而測量出的相位噪聲為-104.4dBc/Hz。9.1GHzVCO的L（）典型值可以根據(jù)Leeson等式預(yù)測出并與4.55GHzVCO（輸出頻率的一半）的L（）值進(jìn)行對比，這兩種VCO具有相同的調(diào)諧帶寬即合成器所要求帶寬的4.4%。這里假定兩個(gè)VCO均采用雙極性晶體管，因?yàn)樗葓鲂?yīng)晶體管的相位噪聲低10-15dB。造成9.1GHzVCO性能惡化的第一個(gè)因素是輸出頻率增加。如果Leeson等式中乘以2，那么在區(qū)域內(nèi)L（）增加6dB。當(dāng)然，這種惡化在通過倍頻4.55GHzVCO后生成合成器輸出頻率時(shí)能夠被抵消。第二個(gè)惡化因素是晶體管在面積較小的設(shè)備中較高，相反地，更大面積的設(shè)備能夠在更低頻率上得到更大的輸出功率。因此，一般來說9.1GHzVCOLeeson等式中的值比4.55GHzVCO低3到6dB。如果兩個(gè)VCO的晶體管噪聲系數(shù)為常數(shù)，則9.1GHzVCO的噪聲水平通常要高出3到6dB。第三個(gè)惡化因素是值下降，這是由于頻率翻倍時(shí)諧振器容抗變成原來的一半。當(dāng)然，設(shè)計(jì)者可以用一個(gè)較小容值的變?nèi)荻O管來保持恒定容抗，但他也可以在更低頻率的VCO中使用這個(gè)變?nèi)荻O管。比如，Microsemi公司的高Q值微波突變變?nèi)荻O管GC1300有C（0V）=1.2pF，C（4V）=0.8pF。該變?nèi)荻O管串聯(lián)一個(gè)0.27pF電容后，就能夠覆蓋合成器帶寬的4.4%。諧振器容抗在4.55GHz時(shí)為170，而在9.1GHz時(shí)為85。如果對于這兩種VCO，其串聯(lián)諧振電路的總的有源阻抗均保持恒定，那么9.1GHz VCO的負(fù)載Q值為4.55GHzVCO的一半，并且其相位噪聲比4.55GHz VCO高6dB。由于9.1GHzVCO的相位噪聲比4.55GHz VCO加上倍頻器的還高9到12dB，因此合成器中采用了4.55GHz VCO。把VCO或集成振蕩器子模塊作為體組件并向?qū)ｉT廠商購買將會更加實(shí)際。對于4.55GHzVCO，Hittite Microwave公司的HMC429LP4集成VCO是最好的選擇，因?yàn)樗哂?00kHz頻偏、單邊帶相位噪聲-105dBc/Hz以及4.4到4.7GHz的調(diào)諧頻段。鎖相環(huán)（PLL）相位噪聲分析：最優(yōu)PLL結(jié)構(gòu)的選擇選擇最佳PLL結(jié)構(gòu)的主要標(biāo)準(zhǔn)是其相位噪聲性能。圖1給出PLL噪聲模型。這圖1 PLL噪聲模型個(gè)模型中，表示參考相位，表示參考相位的噪聲。和表示PLL輸入、輸出相位。1/M和1/N分別為分頻器參考和主要系數(shù)。和為相位檢測器、低通濾波器和VCO的傳輸函數(shù)。表示PLL芯片噪聲，其中包括分頻器噪聲和相位檢測器噪聲。另外一項(xiàng)表示濾波器（Ufn）的均方根（RMS）噪聲電壓。表示VCO噪聲。開環(huán)增益表示如下：噪聲輸入至PLL輸出端的傳輸函數(shù)定義如下：生產(chǎn)廠商通常給出VCO、參考源和PLL芯片的相位噪聲數(shù)據(jù)，如單邊帶相位噪聲和。PLL輸出端相位噪聲為：其中： 僅為VCO的輸出相位噪聲， 僅為參考源的輸出相位噪聲， 僅為PLL芯片的輸出相位噪聲， 僅為濾波器的相位噪聲。整數(shù)N鎖相環(huán)最簡單的PLL結(jié)構(gòu)為整數(shù)N鎖相環(huán)。在這種結(jié)構(gòu)下輸出頻率為：其中=10MHz為相位檢測器頻率（輸出頻率的一半），N=445465為主分頻系數(shù)。介于Analog Devices公司的ADF4107PLL芯片有很寬的輸入頻帶（高達(dá)7GHz）、高相位檢測器頻率（高達(dá)104MHz），以及低除法器、相位檢測器相位噪聲（=10MHz時(shí)=-149dBc/Hz），這里使用該芯片作為PLL。PLL參考源采用Morion公司的MV87-1-100MHz恒溫控制晶體振蕩器（OCXO），理由是其相位噪聲很低，100Hz頻偏時(shí)其相位噪聲為-115dBc/Hz。PLL采用了二階無源充電泵濾波器。該濾波器的傳輸函數(shù)即為其阻抗。G（s）相位拐點(diǎn)處的頻率與PLL帶寬相同。G（s）的相位項(xiàng)在處取得最大值。一般的經(jīng)驗(yàn)法則是從開始對PLL進(jìn)行設(shè)計(jì)。但是，這里推薦把緩緩提升至，式5-8傳輸函數(shù)中處只有1dB的過沖。為了使PLL在所有頻偏處均能獲得最小相位噪聲，帶寬必須靠近某點(diǎn)，使自由運(yùn)行VCO相位噪聲與來自其它噪聲源的所有PLL相位噪聲相等。如果較小，PLL無法在頻偏比較高時(shí)改進(jìn)VCO相位噪聲。較大時(shí)，當(dāng)頻偏超過時(shí)PLL會使VCO相位噪聲惡化。由式11、12，有，N=455，M=10，Nref=-125.8dBc/Hz以及=-94.8dBc/Hz。假定，環(huán)路濾波器噪聲比低很多，那么成為最主要噪聲源。從VCO相位噪聲圖來看，=75kHz此時(shí)為-101dBc/Hz。當(dāng)=75kHz由式9算出=-93.7dBc/Hz。如果定義了和，則濾波器元件參數(shù)可知：。為了獲得濾波器輸出端的均方根噪聲電壓，實(shí)際應(yīng)用中的電阻可以用一個(gè)理想電阻和一個(gè)串聯(lián)等價(jià)噪聲源代替，噪聲源的均方根電壓為：濾波器產(chǎn)生的輸出相位噪聲僅可由式12-14得到：=75kHz時(shí)算得Nfn = -112dBc/Hz。為了確定這種設(shè)想，利用Analog Devices公司的ADI SimPLL軟件按照之前定義的那些參數(shù)對PLL性能進(jìn)行仿真。由式4計(jì)算出的開環(huán)增益和相位如圖2所示。僅由參考源和僅由PLL芯片產(chǎn)生的輸出相位噪聲根據(jù)廠商給出的數(shù)據(jù)和式11、12計(jì)算出來，結(jié)果如圖3所示。僅由VCO和僅由環(huán)路濾波器產(chǎn)生的輸出相位噪聲，根據(jù)廠商提供數(shù)據(jù)和式10、15算出結(jié)果見圖4。由式9可算出PLL總輸出相位噪聲，如圖5所示。圖2 開環(huán)增益（藍(lán)）和相位（紅）圖3 僅由參考源（藍(lán)）和僅由PLL芯片（紅）得到輸出相位噪聲圖4 僅由VCO（藍(lán)）和僅由環(huán)路濾波器（紅）得到的輸出相位噪聲圖5 PLL總輸出相位噪聲在PLL帶寬中有兩個(gè)區(qū)域。在第一個(gè)區(qū)域（500Hz）內(nèi)，參考源輸出相位噪聲是所有噪聲源中最大的。在第一個(gè)區(qū)域內(nèi)處合成器輸出相位噪聲（SPN）由下式給出：第二個(gè)區(qū)域（1kHz50kHz）內(nèi)，芯片輸出相位噪聲在所有噪聲源中最大。其大小依鑒相器頻率而定，關(guān)系如下：其中當(dāng)時(shí)=-219dBc/Hz為鑒相器ADF4107的相位噪聲水平。因此，在第二個(gè)區(qū)域內(nèi)，合成器輸出相位噪聲由下式給出分?jǐn)?shù)N鎖相環(huán)由式16、18可看出要減小和，必須增大、減小N。然而這樣就會使N變?yōu)樾?shù)。為了工作在小數(shù)N模式下，必須用到小數(shù)N鎖相環(huán)芯片。這里采用Analog Devices公司的ADF4193芯片和Z-Communications公司的V630ME09 VCO來仿真小數(shù)N鎖相環(huán)的性能。因?yàn)檫@種PLL芯片的最大輸入頻率只有3.5GHz，所以采用了一個(gè)4倍頻器產(chǎn)生合成器輸出信號。這樣輸出頻率就為：其中INT為N的整數(shù)部分，F(xiàn)RAC/MOD則為N的小數(shù)部分。因?yàn)锳DF4193最大鑒相器頻率為26MHz，所以把設(shè)為25MHz（M=4），MOD=25。這樣就可得到INT=8992，F(xiàn)RAC=024和頻率間隔為4=4MHz的一組輸出頻率。這里只需利用其中的每間隔四個(gè)頻點(diǎn)的頻率。PLL相位噪聲-頻偏曲線如圖6所示。圖6 小數(shù)N PLL的相位噪聲仿真在第一個(gè)區(qū)域內(nèi)處合成器輸出相位噪聲為：它與整數(shù)N PLL在頻偏100Hz時(shí)的相同，這是因?yàn)檫@兩個(gè)合成器參考頻率的總倍頻系數(shù)相同。在第二個(gè)區(qū)域內(nèi)合成器的輸出相位噪聲由下式給出與整數(shù)N PLL相比有4dB的性能提升，這是因?yàn)樵谛?shù)N PLL中的也比整數(shù)N PLL中大4dB。混合型合成器另一個(gè)使合成器工作在分?jǐn)?shù)N模式下的方法是采用能夠進(jìn)行頻率轉(zhuǎn)移的混合合成器結(jié)構(gòu)，如圖7所示。這種結(jié)構(gòu)包含第一種擁有最大允許值的固定整圖7 帶頻率轉(zhuǎn)移的混合合成器結(jié)構(gòu)數(shù)N PLL和第二種可調(diào)整的整數(shù)N PLL。這些信號源的信號通過混頻器、濾波器和倍頻器混合。最終輸出頻率為：其中、分別為第一和第二種PLL的頻率。固定PLL的鑒相頻率為100MHz，達(dá)到了的最大允許值?？烧{(diào)PLL的鑒相頻率為輸出頻率的一半或10MHz。式22表示FPD=100MHz時(shí)“真”小數(shù)N PLL。式22中的系數(shù)為：其中int（x）為變量x的取整運(yùn)算。由于第一、第二PLL芯片相互獨(dú)立，其輸出的相位噪聲相互獨(dú)立。因此，如果兩個(gè)噪聲相同，他們合并將得到最小值為：兩個(gè)PLL均采用ADF4107，因?yàn)樗季哂凶钚〉腜N基。因此有，那么有。為了產(chǎn)生并且保持ADF4107的最小輸入頻率（1.0GHz），可以得到，=105125。于是由式24、25有INT=34+1012=4446，F(xiàn)RAC=09因此PLL頻率值為=3400MHz，=10501250MHz。固定PLL的性能仿真采用Hittite Microwave公司的HMC389LP4。第一和第二個(gè)PLL的相位噪聲與頻偏之間的關(guān)系如圖8、9所示。圖8 固定PLL的相位噪聲仿真圖9 可調(diào)PLL輸出相位噪聲仿真芯片相位噪聲約等于-107dBc/Hz。兩個(gè)芯片的輸出相位噪聲相互獨(dú)立，在4.45-4.65GHz內(nèi)合并后比之前大3dB，為-104dBc/Hz。等于-104+6=-98dBc/Hz。這比整數(shù)N PLL的性能提升8dB，這是因?yàn)榛旌虾铣善髦蠪PD比整數(shù)N PLL大10dB，而合并后性能損失只有3dB。在頻偏100Hz處，兩個(gè)PLL和合并以后的相位噪聲可以由以下式子獲得：，等于-81.9+6=-75.9dBc/Hz。這與整數(shù)N PLL的相同，這是因?yàn)閮蓚€(gè)合成器內(nèi)總的參考頻率倍頻系數(shù)相同。可以看到無論什么結(jié)構(gòu)都不能夠提升參考源相位噪聲，但混合合成器使PLL芯片輸出相位噪聲性能提升了8dB。實(shí)際頻率轉(zhuǎn)移結(jié)構(gòu)頻率轉(zhuǎn)移結(jié)構(gòu)存在兩個(gè)缺點(diǎn)混頻器輸出電平低和混頻器雜散相對電平高。圖10給出了改良的實(shí)際結(jié)構(gòu)。HMC429LP4 VCO（1）產(chǎn)生一個(gè)4.45至4.65GHz的信號。擁有+14dBm功率的信號經(jīng)過隔離器（2）和場效應(yīng)管放大器（3）后，被功分器（4）分成2個(gè)部分。第一部分通過一個(gè)隔離器（5）進(jìn)入場效應(yīng)倍頻器（6）。第二部分通過隔離器（13）作為LO進(jìn)入Hittite Microwave公司的雙平衡混頻器HMC213MS8（14）。圖10 實(shí)際頻率轉(zhuǎn)移結(jié)構(gòu)固定3.4GHzPLL包含一個(gè)HMC389LP4 VCO（18）、隔離器（17）、功分器（16）、ADF4107PLL芯片（20）和無源三極環(huán)路濾波（21）。功分器（16）輸出的3.4GHz信號經(jīng)過諧波濾波器（15）進(jìn)入混頻器（14）RF輸入端，信號功率為-10dBm。混頻器（14）把4.45GHz到4.65GHzLO頻率轉(zhuǎn)換到1.05至1.25GHz IF頻率。然后功率為+2dBm的該IF信號經(jīng)過低通濾波器（19）和一個(gè)MMIC放大器（24）進(jìn)入ADF4107 PLL芯片。可調(diào)1.05至1.25GHz PLL包括一個(gè)芯片（25）、有源三極環(huán)路濾波器，成為“虛擬VCO”，它的靈敏度和相位噪聲與HMC429LP4 VCO相似。信號經(jīng)過倍頻器（6）以后，通過隔離器（7）輸入到帶通濾波器（BPF）（8）中。然后通過隔離器（9）進(jìn)入二級FET放大器（10）。信號經(jīng)過放大后功率為+16dBm，它再通過隔離器（11）和諧波濾波器（12）到達(dá)輸出端，此時(shí)功率為+13dBm。從外部100MHzOCXO輸入的參考源信號經(jīng)過放大器（22）放大后輸入PLL芯片（20，25）。頻率控制TTL信號輸入至Analog Devices公司的ADuC814 微轉(zhuǎn)換器（23）。然后把控制比特信息寫入PLL芯片。圖11 合成器輸出頻譜測量值這種結(jié)構(gòu)與之前介紹的結(jié)構(gòu)有兩個(gè)不同點(diǎn)。首先，4.45至4.65GHz信號由更高功率的VCO產(chǎn)生，作為混頻器LO。其次，混頻器在這里的作用相當(dāng)于下變頻器，對于3.4和1.05-1.25GHz信號，它均以更低功率運(yùn)行。其結(jié)果是使倍頻器器輸入端希望得到的信號功率更高無用信號的功率更低。這一結(jié)果非常重要，因?yàn)楸额l器會產(chǎn)生高階雜散，這些雜散在BPF（8）帶寬內(nèi)會增大。圖11給出HP8592頻譜分析儀測量出來的合成器輸出頻譜，該頻譜分析儀的帶寬解析度為3kHz。合成器輸出端連接一個(gè)6dB衰減器。在20-100kHz頻偏內(nèi)測量出來的平均噪聲大約等于-63dBc。因而以dBc/Hz為單位的平均噪聲給出如下：這很符合理論結(jié)果-98dBc/Hz。實(shí)際應(yīng)用結(jié)構(gòu)中的雜散抑制在實(shí)際應(yīng)用結(jié)構(gòu)中存在三種雜散源混頻器、倍頻器和PLL充電泵?；祛l器（14）在LO輸入端有一個(gè)-33dBm、3.4GHz的RF泄露信號。隔離器（13）把該信號衰減至-50dBm。倍頻器產(chǎn)生一個(gè)具有很高帶寬的高次雜散，但在無用的3.4GHz頻率上該雜散的功率非常低。倍頻器輸出端所需信號為二次諧波，所有其它諧波都是無用的，必須通過BPF（8）進(jìn)行抑制。在4.5GHz頻率上合成器輸出雜散功率為-64dBc。BPF（8）對三次諧波的抑制大概為48dB，濾波器（12）提供一個(gè)20dB的額外抑制。PLL充電泵雜散是由充電泵不均衡以及輸出端DC電流引起。充電泵輸出端的總泄漏電流IL可假定為所有源的泄露總和。充電泵電流波形I（t）是幅度為、循環(huán)頻率為FPD的周期短時(shí)脈沖序列。對該信號進(jìn)行復(fù)立葉變換，并根據(jù)FM理論，可以得到一次雜散的相對值為：其中為頻率處的環(huán)路濾波器阻抗。首先計(jì)算3.4GHz固定PLL的最大雜散值。該P(yáng)LL參數(shù)為：=100MHz，=，N=34，。環(huán)路濾波器元件參數(shù)為：=692pF，=5.49nF，=289。環(huán)路濾波器阻抗值=2.3。VCO（18）調(diào)諧端口的泄漏電流最大值為10。式27給出了該雜散最大值：=-99dBc。這個(gè)值是可以接受的，但需要額外加一個(gè)截止頻率為3.0MHz的RC低通濾波器以抑制來自參考源的100MHz電磁干擾（EMI）。額外增加的RC電路組成一個(gè)三級無源環(huán)路濾波器，應(yīng)盡可能地靠近VCO（18）調(diào)諧管腳。它對參考源頻率產(chǎn)生額外的30dB衰減。合成器輸出一次雜散為-123dBc，在實(shí)際中不可測量。在1.05-1.25GHz可調(diào)PLL中，VCO（1）調(diào)諧端的泄漏電流也為10，但鑒相器頻率為10MHz。與濾波器（21）相同的環(huán)路濾波器僅能將雜散抑制到-51dBc（一次輸出雜散）。對充電泵采用最終頻率為3.2MHz的有源350kHz三次環(huán)路濾波器抑制其雜散。其原理圖如圖12。其中運(yùn)算放大器（op-amp）采用Analog Devices公司的低噪聲OP184FS。有源濾波器的主要優(yōu)點(diǎn)是把泄漏電流減小至0.6。它將一次輸出雜散衰減至-72dBc。測量出的雜散為-70dBc。 圖12 有源350kHz三階環(huán)路濾波器原理圖對來自供電單元的雜散抑制獲得高功效對機(jī)載設(shè)備尤為重要。合成器所有組件所需電壓為+3.0或+5.0V，但電源電壓為+12V。DC-DC降壓器可以解決這個(gè)問題，但其第四個(gè)雜散源和額外的相位噪聲，同時(shí)占用了通常為190的狹小空間的一部分。因此需要對DC-DC降壓器的電磁噪聲進(jìn)行高強(qiáng)度抑制4，5。噪聲有兩種傳播路徑導(dǎo)線傳播和降壓器電感的磁場傳播。采用小空隙的自屏蔽電感磁芯可以對后一條傳播路徑進(jìn)行抑制。導(dǎo)線傳播有兩種模式共模和差模。對共模傳播的噪聲，可以把PCB上的降壓器懸置（減小與地面間的寄生電容），并在它的輸入輸出端接共模扼流來進(jìn)行抑制。差模波紋和噪聲采用LC-LPF和Analog Devices公司的調(diào)壓器ADP3301抑制。在260kHz降壓器轉(zhuǎn)換頻率處PLL不工作，VCO（1）近似運(yùn)行在自激勵(lì)狀態(tài)下。有人發(fā)現(xiàn)了來自電源波紋的260kHz雜散。VCO輸出端的正弦調(diào)頻（FM）雜散功率由下式給出4，5：其中：Um=峰值調(diào)制電壓Fmod=260kHzKp=214MHz/V為推頻靈敏度DC-DC降壓器有一個(gè)20mV的峰值輸出波紋，LC-LPF對波紋的抑制為34dB，ADP3301對波紋的抑制為35dB。那么，Um=7V、LVCO（1）=-74dBc，合成器輸出雜散功率比之前高6dB：-68dBc波紋通過充電泵供電線路傳入VCO調(diào)諧端口。充電泵的電源供應(yīng)抑制率（PSRR）可能大于20dB，但是其調(diào)諧靈敏度KVCO=2110MHz/V比推頻靈敏度大18dB。因此，調(diào)諧端波紋產(chǎn)生的260kHz雜散水平小于-70dBc。波紋進(jìn)入VCO調(diào)諧端另一條路徑為運(yùn)算放大器（26）的供電線。但由于OP184的電源供應(yīng)抑制率（PSRR）在100-300kHz波段內(nèi)大約為30dB，因此從這條路徑傳輸?shù)妮敵鲭s散為-80dBc。這些雜散合并后得到總的輸出雜散水平為-63dBc。在合成器輸出端降壓器雜散測量值大約為-65dBc。實(shí)際應(yīng)用結(jié)構(gòu)中的寬頻帶噪聲為了設(shè)計(jì)最優(yōu)PLL，它的帶寬必須盡可能地設(shè)置在自激勵(lì)VCO相位噪聲與芯片相位噪聲相同的那個(gè)點(diǎn)上。然而在實(shí)際應(yīng)用中，必須考慮供電電源和環(huán)路濾波器元件產(chǎn)生的噪聲。必須得到VCO（1）運(yùn)行在自激勵(lì)狀態(tài)下時(shí)，其供電線上電壓噪聲產(chǎn)生的200kHz頻偏相位噪聲。VCO輸出端相位噪聲為：調(diào)壓器ADP3301在fOS=200kHz處輸出噪聲電壓密度UNS=40nV/。那么其供電PN為-114dBc/Hz。必須得到VCO（1）調(diào)諧端200kHz，Ufn下總噪聲電壓密度。這種噪聲由七個(gè)相互獨(dú)立的噪聲源源產(chǎn)生電阻R1至R4所產(chǎn)生噪聲、運(yùn)算放大器等效輸入噪聲電壓和電流。第七個(gè)為調(diào)壓器產(chǎn)生的噪聲，它通過充電泵后，最小衰減20dB，通過運(yùn)算放大器后衰減30dB。經(jīng)過均方根合并后，VCO（1）調(diào)諧端200kHz頻偏總噪聲電壓密度可得：Ufn=7.8nV/。由式29可得VCO輸出相位噪聲PN tune = 20log（KVCOUfn/（2fOS）=-110.3dBc/Hz在“純凈的”供電電源和“純凈的”調(diào)諧電壓下，VCO(1)在200kHz頻偏處有LVCO=-111dBc/Hz。因此，在實(shí)際應(yīng)用結(jié)構(gòu)中，VCO（1）在200kHz頻偏處的總相位噪聲為：LVCO(1)=10log（antilog（LVCO/10）+antilog（PN supply/10）+antilog（PN tune/10）=-106.7dBc/Hz芯片相位噪聲等于-107dBc/Hz。如果PLL帶寬設(shè)為200kHz，那么將會在200kHz頻偏處產(chǎn)生一個(gè)3dB的過沖。因而把PLL帶寬設(shè)為350kHz，為。圖13所示為10kHz分辨率帶寬、帶寬跨度為2MHz測量所得合成器輸出頻譜。與仿真結(jié)果相比，在300到1000kHz頻偏范圍內(nèi)有額外的相位噪聲。由式1來看，相位噪聲響應(yīng)在350kHz以上應(yīng)該有一個(gè)-20dB/十倍頻程的斜坡。然而途中曲線在300-600kHz范圍內(nèi)是恒定值。這一效應(yīng)由于運(yùn)算放大器和充電泵PSRR在300-600kHz波段內(nèi)減小。圖13、合成器輸出頻譜諧波抑制器接下來的問題就是如何獲高效率，低諧波電平。當(dāng)產(chǎn)生飽和的高諧波分量時(shí)放大器效率最大。諧波濾波器（12）包含帶開路短截線的微帶線。它們的長度為1.5倍、2倍和3倍FOUT頻率對應(yīng)波長的1/4，間隔為FOUT波長的1/4。傳輸線放置在12.5GHz截止頻率波導(dǎo)寬面。波導(dǎo)的窄面放置一個(gè)吸收器，其上有全部短截線的末端。短截線發(fā)射出來的大諧波信號被迅速吸收。插入損耗在FOUT、2FOUT和3FOUT處分別為3dB、36dB和40dB。測量得到的二次諧波水平為-48dBc，三次諧波水平小于-55dBc。輸出功率為+13dBm，總功耗為2.3W。微音效應(yīng)的抑制抑制微音效應(yīng)對機(jī)載設(shè)備非常重要。瓷片電容存在壓電效應(yīng)。如果將它們應(yīng)用在高阻電路，如VCO調(diào)諧端，中則成為微音調(diào)頻源。由于100Hz處的共振，激勵(lì)VCO調(diào)諧端0.13V的壓電電壓會產(chǎn)生-30dBc輸出雜散。鐵氧體微波隔離器也存在微音效應(yīng)。因?yàn)樗鼈兙荲CO的負(fù)載，所以成為微音調(diào)頻源。必須量由調(diào)諧端口，供電端口和和負(fù)載反射系數(shù)調(diào)制產(chǎn)生的VCO低頻率調(diào)制PLL抑制。對于固定和可調(diào)PLL，調(diào)諧端口的調(diào)頻測量都是很容易的。首先，通過把充電泵設(shè)置為三態(tài)使PLL不工作。在VCO調(diào)諧端利用一個(gè)大電阻輸入小幅正弦信號。由此測量出自激勵(lì)狀態(tài)下雜散相對水平。下式給出其中Um和Fmod為調(diào)諧端口的調(diào)制信號的幅度和頻率。然后把PLL置于工作狀態(tài)，測量出此狀態(tài)下的相對雜散水平，式子給出如下：其中s=j2Fmod。20表示PLL調(diào)頻抑制。其分別對固定和可調(diào)PLL計(jì)算。相位項(xiàng)（1+G（s）也計(jì)算得出。圖14、15給出仿真結(jié)果。在500Hz處有一個(gè)大約為100dB的調(diào)頻抑制。在這樣低的電平上測量會非常困難的，于是在實(shí)際測量中采用Fmod=20kHz。對于兩個(gè)PLL測量出來的調(diào)頻抑制均為37-39dB。這與仿真結(jié)果大致相同。圖14、固定PLL的調(diào)頻響應(yīng)仿真圖15、可調(diào)PLL的調(diào)頻響應(yīng)