LTPS器件和工藝簡(jiǎn)介.ppt_第1頁
LTPS器件和工藝簡(jiǎn)介.ppt_第2頁
LTPS器件和工藝簡(jiǎn)介.ppt_第3頁
LTPS器件和工藝簡(jiǎn)介.ppt_第4頁
LTPS器件和工藝簡(jiǎn)介.ppt_第5頁
已閱讀5頁,還剩58頁未讀 繼續(xù)免費(fèi)閱讀

下載本文檔

版權(quán)說明:本文檔由用戶提供并上傳,收益歸屬內(nèi)容提供方,若內(nèi)容存在侵權(quán),請(qǐng)進(jìn)行舉報(bào)或認(rèn)領(lǐng)

文檔簡(jiǎn)介

ltps器件和工藝簡(jiǎn)介 上海天馬微電子有限公司 property structureandprocessdifferencebtweena siandltpskeyprocess equipmentinltpsprocessflowofltpssummaryhomework content ltps lowtemperaturepoly silicon a si ltps andprocess a sitft ltpstft ltps oled doping property structureandprocessdifferencebtweena siandltpskeyprocess equipmentinltpsprocessflowofltpssummaryhomework content keyprocessofltps cvd技術(shù) 緩沖層作用 1 防止玻璃中的金屬離子 鋁 鋇 鈉等 在熱工藝中擴(kuò)散到ltps的有源區(qū) 通過緩沖層厚度或沉積條件可以改善多晶硅背面的質(zhì)量 2 有利于降低熱傳導(dǎo) 減緩被激光加熱的硅冷卻速率 利于硅的結(jié)晶 sio2 sio2 sinx 四乙氧基硅烷 highcost teosoxide具有低針孔密度 低氫氧含量 良好的臺(tái)階覆蓋性 sinx 1 具有高的擊穿電壓特性2 具備自氫化修補(bǔ)功能3 與多晶硅的界面存在過多的缺陷和陷阱 易產(chǎn)生載流子捕獲缺陷和閾值電壓漂移 可通過sio2 sinx克服 絕緣層選擇 廣泛應(yīng)用于非晶硅柵絕緣層 sio2 1 臺(tái)階覆蓋性2 與多晶硅界面匹配 應(yīng)力匹配 一般采用sinx sio2 而sio2 sinx結(jié)構(gòu)可以得到良好的電學(xué)特性 和氫化效果 氫化處理的目的多晶硅晶粒間存在粒界態(tài) 多晶硅與氧化層間存在界面態(tài) 影響晶體管電性 氫化處理以氫原子填補(bǔ)多晶硅原子的未結(jié)合鍵或未飽和鍵 粒界態(tài) 氧化層缺陷 以及界面態(tài) 來減少不穩(wěn)態(tài)數(shù)目 提升電特性 遷移率 閾值電壓均勻性等 氫化處理方法1 等離子體氫化法 利用含氫的等離子體直接對(duì)多晶體和氧化層做處理2 固態(tài)擴(kuò)散法 sinx薄膜作為氫化來源 特定溫度烘烤使氫原子擴(kuò)散進(jìn)入多晶體和氧化層 氫化工藝 結(jié)晶技術(shù) 去氫工藝 去氫工藝 高溫烘烤 快速熱退火 高溫腔體或低能量激光去氫 ftir檢測(cè)氫含量 離子注入技術(shù) v族元素 p as sb iii族元素 b al ga 提供電子 形成n型半導(dǎo)體 提供空穴 形成p型半導(dǎo)體 半導(dǎo)體摻雜 ph3 h2 b2h6 h2 離子注入機(jī)離子束呈細(xì)線狀或點(diǎn)狀 難以得到大的電流束 采取掃描方式注入 產(chǎn)能低 通過質(zhì)量分析裝置控制注入劑量 均勻度2 離子云注入機(jī)離子束線狀 電流束較長(zhǎng) 產(chǎn)能較高 成本低 通過法拉第杯控制注入劑量 均勻度5 ldd 方塊電阻小于1e4歐姆 方塊電阻1e4 1e6歐姆 摻雜劑量分布 ldd摻雜 ldd作用 抑制 熱載流子效應(yīng) 以較低的注入量在源極 漏極端與溝道之間摻雜 形成一濃度緩沖區(qū) 等效串聯(lián)了一個(gè)大電阻 水平方向電場(chǎng)減少并降低了電場(chǎng)加速引起的碰撞電離產(chǎn)生的熱載流子幾率注入劑量過少則造成串聯(lián)電阻過高 使遷移率下降 注入劑量過多則會(huì)失去降低漏極端邊緣電場(chǎng)強(qiáng)度的功能 repairbrokenbondsdamagediniondopingincreaseconductanceofdopingarea property structureandprocessdifferencebtweena siandltpskeyprocess equipmentinltpsprocessflowofltpssummaryhomework content exampleofprocessofltps property structureandprocessdifferencebtweena siandltpskeyprocess equipmentinltpsprocessflowofltpssummaryhomework content summary property structureandprocessdifferencebtweena siandltpskeyprocess equipmentinltpsprocessflowofltpssummaryhomework content whatarethemeritsanddemeritsofltpscomparedwitha si 20 whatarethekeyprocessesandrequirementsinltpsmanufacture 20 pleasedrawtheprocessflowofltpsinonediagram 20 basedonyourunderstanding canyoureducetheltpsprocesstolessthan9masks 20 if

溫馨提示

  • 1. 本站所有資源如無特殊說明,都需要本地電腦安裝OFFICE2007和PDF閱讀器。圖紙軟件為CAD,CAXA,PROE,UG,SolidWorks等.壓縮文件請(qǐng)下載最新的WinRAR軟件解壓。
  • 2. 本站的文檔不包含任何第三方提供的附件圖紙等,如果需要附件,請(qǐng)聯(lián)系上傳者。文件的所有權(quán)益歸上傳用戶所有。
  • 3. 本站RAR壓縮包中若帶圖紙,網(wǎng)頁內(nèi)容里面會(huì)有圖紙預(yù)覽,若沒有圖紙預(yù)覽就沒有圖紙。
  • 4. 未經(jīng)權(quán)益所有人同意不得將文件中的內(nèi)容挪作商業(yè)或盈利用途。
  • 5. 人人文庫網(wǎng)僅提供信息存儲(chǔ)空間,僅對(duì)用戶上傳內(nèi)容的表現(xiàn)方式做保護(hù)處理,對(duì)用戶上傳分享的文檔內(nèi)容本身不做任何修改或編輯,并不能對(duì)任何下載內(nèi)容負(fù)責(zé)。
  • 6. 下載文件中如有侵權(quán)或不適當(dāng)內(nèi)容,請(qǐng)與我們聯(lián)系,我們立即糾正。
  • 7. 本站不保證下載資源的準(zhǔn)確性、安全性和完整性, 同時(shí)也不承擔(dān)用戶因使用這些下載資源對(duì)自己和他人造成任何形式的傷害或損失。

最新文檔

評(píng)論

0/150

提交評(píng)論