（凝聚態(tài)物理專業(yè)論文）pecvd法制備ac：f：n薄膜的結(jié)構(gòu)和穩(wěn)定性研究.pdf

碩士學(xué)位論文摘要 摘要 氟化非晶碳薄膜是用于超大規(guī)模集成電路的一種重要的低介電 常數(shù)材料，作為電介質(zhì)薄膜其熱穩(wěn)定溫度必須達(dá)到平面工藝的溫度要 求( 4 0 0 。c ) ，氟化非晶碳薄膜的低介電常數(shù)和高熱穩(wěn)定性之間存在一 種相互制約關(guān)系，如何保證a c ：f 薄膜介電常數(shù)相對(duì)較低的同時(shí)盡量 提高其熱穩(wěn)定性成了目前倍受關(guān)注的課題。 本文選用了兩種氣體組合：c f 。c h 。a r 和c f 。c h 。n ：，采用p e c v d 方法，在拋光的硅片和石英片上制備了氟化非晶碳( a - c ：f ) 和摻氮氟 化非晶碳( a - c ：f ：n ) 薄膜，并對(duì)制備的薄膜進(jìn)行了退火處理。利用橢 偏儀測(cè)量了退火前后薄膜的厚度，用其變化率表征了薄膜的熱穩(wěn)定 性，研究表明改變沉積溫度、射頻功率和退火溫度可以提高a c ：f 薄 膜的熱穩(wěn)定性，但單純依靠改變工藝參數(shù)提高熱穩(wěn)定性非常有限。 本文重點(diǎn)研究了摻氮對(duì)氟化非晶碳薄膜熱穩(wěn)定性的影響。由于退 火后a c ：f ：n 薄膜的膜厚變化率比a c ：f 薄膜大大減小，說明摻雜氮 可以提高a c ：f 薄膜的熱穩(wěn)定性。f t i r 分析結(jié)果顯示，氮元素有效 摻入到了a c ：f 薄膜中形成了a c ：f ：n 薄膜。通過對(duì)薄膜的f t i r 、 r a m a n 分析得出：摻氮以后薄膜中s p 2 鍵態(tài)含量明顯升高，這進(jìn)一步 證明摻雜氮可以提高a c ：f 薄膜的熱穩(wěn)定性。 根據(jù)u v v i s 透射光譜分析了a c ：f ：n 薄膜的吸收系數(shù)q 與光子 能量hu 的對(duì)應(yīng)關(guān)系，求出了薄膜的光學(xué)帶隙。根據(jù)r o b e r t s o n 提出 的簇模型解釋了光學(xué)帶隙的變化的本質(zhì)原因是由于薄膜中芳香環(huán)數(shù) 目或s p 2 簇直徑的改變，或者說是因?yàn)閟 p 2 鍵態(tài)含量的變化，給出了 薄膜的光學(xué)帶隙與熱穩(wěn)定性之間的關(guān)系，表明提高沉積溫度和增加流 量比都能夠提高薄膜的熱穩(wěn)定性，且沉積溫度和流量比升高到一定程 度后薄膜的熱穩(wěn)定性將基本保持不變。 關(guān)鍵詞薄膜，a c ：f ：n ，p e c v d ，熱穩(wěn)定性，光學(xué)帶隙 碩士學(xué)位論文 a b s t t a c t a b s t r a c t a c ：f ( f l u o r i n a t e da m o r p h o u sc a r b o n ) f i l mi s a ni m p o r t a n tk i n do f l o wd i e l e c t r i cm a t e r i a lu s e di nu l s i ( u l t r a l a r g es c a l ei n t e g r a t e d ) c i r c u i t i t st h e r m a ls t a b i l i t yt e m p e r a t u r ei s r e q u i r e d t om e e tt h ed e m a n do f d a m a s c e n ep r o c e s s ( 4 0 0 。c ) h o w e v e r , t h e r ee x i s t san e g a t i v ec o n s t r a i n e d r e l a t i o n s h i pb e t w e e nt h el o w d i e l e c t r i cc o n s t a n ta n df i n et h e r m a ls t a b i l i t y o fa c ：ff i l m t h e r e f o r e h o wt o i m p r o v ei t s t h e r m a ls t a b i l i t yw h i l e k e e p i n gk sl o w d i e l e c t r i cc o n s t a n tb e c o m e saf o c u sn o w a d a y s i nt h i s t h e s i s ，t w og r o u p so fm u l t i p l e xg a s e s ( c f 4 c h 4 a ra n d c f 4 c h 4 n 2 、a leu s e dt op r e p a r ea c ：fa n da c ：f ：nf i l m so np o l i s h e d s i l i c o ns l i c e sa n dq u a r t zs l i c e sb yp e c v dm e t h o d ，a n dt h ep r e p a r e df i l m s a r ea n n e a l e d t h et h i c k n e s so ft h ef i l mb e f o r ea n da f t e ra n n e a l i n gi s m e a s u r e db ye l l i p s o m e t e r t h et h e r m a ls t a b i l i t yi s e x p r e s s e db yt h e c h a n g i n gr a t eo ft h i c k n e s s ，w h i c hs h o w st h a tt h et h e r m a ls t a b i l i t yo f a - c ：ff i l mc a nb ei m p r o v e db yc h a n g i n gd e p o s i t i o nt e m p e r a t u r e ，p o w e r o fr a d i of r e q u e n c ya n da n n e a l i n gt e m p e r a t u r e ，b u tt h ea l t e r a t i o ni sv e r y l i m i t e d t h i st h e s i sm a i n l ys t u d i e st h ei n f l u e n c eo fn i t r o g e ni n c o r p o r a t i o no n t h et h e r m a ls t a b i l i t yo fa c ：ff i l m a f t e rb e i n ga n n e a l e d ，t h et h i c k n e s s c h a n g i n gr a t eo fa c ：f ：n f i l mi sl e s st h a nt h a to fa - c ：ff i l m w h i c h i n d i c a t e st h a tn i t r o g e ni n c o r p o r a t i o ni se f f e c t i v ei ni m p r o v i n gt h et h e r m a l s t a b i l i t yo fa - c ：ff i l m t h er e s u l to ff t i ra n a l y s i ss h o w st h a tn i t r o g e n d o p e da c ：f f i l mf o r m st h ea c ：f ：nf i l m m e a n w h i l e t h ef t i ra n d r a m a na n a l y s i ss h o w st h a tt h ec o n t e n to fs p 2b o n dm o d ei nt h ef i l m o b v i o u s l y r i s e sa f t e r n i t r o g e ni n c o r p o r a t i o n ，w h i c hp r o v i d e s s o l i d e v i d e n c et h a t n i t r o g e ni n c o r p o r a t i o na c t u a l l yi m p r o v e s t h et h e r m a l i i 碩士學(xué)位論文 a b s t r a c t s t a b i l i t yo fa c ：ff i l m t h er e l a t i o n s h i pb e t w e e na b s o r p t i o nc o e f f i c i e n t ( 曲o fa - c ：ff i l m a n dp h o t o ne n e r g y ( h u ) i sa n a l y z e da c c o r d i n gt ou v 二st r a n s m i t t e d s p e c t r u m ，a n dt h eo p t i c a lb a n d g a pi sc o n s e q u e n t l ya q u i r e d t h ee s s e n t i a l r e a s o no fc h a n g e so ft h eo p t i c a lb a n d g 印i si n t e r p r e t e da c c o r d i n gt ot h e c l u s t e rm o d er a i s e db yr o b e r t s o n t h er e l a t i o n s h i pb e t w e e no p t i c a l b a n d g a pa n dt h e r m a ls t a b i l i t yo ff i l mi sd e s c r i b e d ，w h i c hs h o w st h a tb o t h r i s i n gd e p o s i t i o nt e m p e r a t u r ea n di n c r e a s i n gf l o wr a t ec a ni m p r o v et h e t h e r m a ls t a b i l i t yo ff i l m s ，b u ti tw i l lk e e pu n c h a n g i n gw h e nt h ed e p o s i t i o n t e m p e r a t u r ea n df l o w r a t er i s et oac e r t a i nl e v e l k e y w o r d s f i l m ，a - c ：f ：n ，p e c v d ，t h e r m a ls t a b i l i t y , o p t i c a lb a n d g a p i i i 碩士學(xué)位論文第一章緒論 第一章緒論 1 1 引言 隨著電子信息技術(shù)的發(fā)展，大規(guī)模集成電路得到了越來越廣泛的應(yīng)用，與此 同時(shí)，人們對(duì)大規(guī)模集成電路的要求越來越高。二十世紀(jì)九十年代中期以來，集 成電路的制造工藝已經(jīng)進(jìn)入深亞微米，隨著高速、商密度、低功耗、多功能型集 成電路的發(fā)展，要求元器件特征尺寸越來越小而其芯片面積越來越大【”，為此必 須增加金屬線的層數(shù)，減小金屬線的寬度和金屬線之間的距離。然而，當(dāng)元器件 的尺寸( 晶體管的柵長(zhǎng)) 縮d , no 2 5um 以下時(shí)，由于線電容的增加，尤其是同 一層面上金屬線間的電容( 線間電容) 的增加，及金屬線變細(xì)導(dǎo)致的金屬線電阻 的增加，必將增大金屬布線電阻( r ) 和互連寄生電容( c ) ，致使由電阻( r ) 電容( c ) 耦合引起的信號(hào)傳輸延遲、串?dāng)_和功耗明顯增加。因此，盡管元器件的速度隨著 其特征尺寸的減少而增加，但足互連延遲卻逐漸成為制約元器件性能進(jìn)一步提高 的關(guān)鍵因素，主要表現(xiàn)在r c 時(shí)間常數(shù)( t ) 、串?dāng)_和功耗( p ) 上。其中時(shí)間常數(shù)和 功耗可用下式表示1 2 l ： t = r c = 2pk ( 4 l 2 p 2 + l 2 廠r 2 1( 1 1 ) p = c v 2 ， ( 1 2 ) 在式1 i 、1 2 中r 、c 、p 、k 、p 、l 、t 、v 、，分別為金屬布線電阻，金 屬線間電容，金屬電導(dǎo)率，線間絕緣層介電常數(shù)，金屬線斜度，連線長(zhǎng)度，線的 厚度，所加電壓和頻率。 從上面兩式可以看出，在其他條件保持不變的情況下，如果采用低電阻率的 金屬線和低介電常數(shù)材料都可以降低時(shí)間常數(shù)( t ) 和功耗( p ) 。另外采用低介電常 數(shù)材料還可以降低電路中狀態(tài)翻轉(zhuǎn)功耗和直通短路功耗【3 1 。因此，為了降低r c 時(shí)間常數(shù)、串?dāng)_和功耗等問題，工藝界提出了用低電阻率金屬代替目前常用的鋁 布線，用低介電常數(shù)介質(zhì)代替?zhèn)鹘y(tǒng)的s i 0 2 介質(zhì)m l ( 其介電常數(shù)在3 9 4 6 之間) 。 就低電阻率金屬來說，目前工藝界普遍看好的金屬是n ( c u ) t 7 j ，從表1 1 我 們可以看出與通常的鋁布線相比，銅布線具有以下優(yōu)尉8 】：( 1 ) 電阻率?。? 2 ) 連線的寄生電容小。因?yàn)轱暤膶?dǎo)電性能好，在承受相同電流時(shí)銅連線的截面積比 鋁連線小，因而相鄰連線間的寄生電容小，信號(hào)串?dāng)_也小。因此銅連線的時(shí)間常 數(shù)比鋁連線小，信號(hào)在銅連線上傳輸速度快，這對(duì)高速i c 很有利：( 3 ) 由于銅 連線的電阻小，所以銅連線i c 功耗低于鋁連線：( 4 ) 銅的耐電遷移性能遠(yuǎn)遠(yuǎn)好 于鋁。與傳統(tǒng)的鋁連線相比，銅連線的抗電遷移提高了兩個(gè)數(shù)量級(jí)，并且沒有由 于電遷移而產(chǎn)生連線空洞，所以有利于i c 可靠性的提高；( 5 ) 銅連線i c 制造 碩士學(xué)位論文第一章緒論 絲亟堡堅(jiān)壘g壘竺壘!里 電阻率( pqc m ) 1 6 71 5 92 3 52 6 65 6 5 楊氏模量( 1 0 d y n c m _ ) 1 2 9 8 熱導(dǎo)率( w e m 。1 ) 3 9 8 電阻的溫度系數(shù)x1 0 3 ( k 1 ) 4 3 熱膨脹系數(shù)x 1 06 ( 。1 ) 1 7 熔點(diǎn)( ) 1 0 8 5 熱容( j k g - 1 k 1 ) 3 8 6 在空氣中的腐蝕 差 g 遲( p s m m 4 、 2 3 在s i 襯底上的熱應(yīng)力 ( 1 0 7 d y n c m 。1 ) 2 5 自擴(kuò)散q ( e v ) 2 1 9 d v ( c m 2 s “) o 7 8 氧化物生成自由能變c u o ag ( 2 9 8 c ) ( 卡每原fo ) 3 0 7 電子的平均自由程( a ) 3 9 0 1 91 2 6 0 9 76 0 8 1 0 6 70 0 9 l a 9 2 0 不能形成 1 6 5 2 03 8 0 2 1 6 0 4 8 1 7 1 a 1 2 0 3 1 2 6 1 5 0 o 8 5 4 7 0 0 4 w 0 3 6 0 8 5 0 ( + 6 ) 對(duì)于在1 微米厚s i o z 上l t n m 長(zhǎng)半導(dǎo)體( 假設(shè)是平行板電容器) ，r c - 3 4 5 r ( p s m 1 ) 就低介電常數(shù)介質(zhì)來說，盡管到目前為止國(guó)內(nèi)外很多學(xué)者已做了大黽研究工 作，但是還沒有找到一種低介電常數(shù)介質(zhì)材料能滿足實(shí)際需要的所有要求。一般 在選擇低介電常數(shù)介質(zhì)材料時(shí)需要考慮以下幾方面的性質(zhì) 1 0 l ：( 1 ) 材料的化學(xué) 和物理性質(zhì)，主要包括折射率、化學(xué)成鍵結(jié)構(gòu)、化學(xué)組成、殘余應(yīng)力、密度、熱 處理時(shí)的收縮性、h - o h 的吸附性、刻蝕速率、雜質(zhì)、臺(tái)階覆蓋率以及平整性； ( 2 ) 熱性質(zhì)，比如熱處理過程中熱應(yīng)力的變化、熱藿分析、熱形變分析和出氣 分析等；( 3 ) 電性質(zhì)，即漏電流、擊穿強(qiáng)度、相對(duì)介電常數(shù)和介電損耗。表i 2 列出了對(duì)低介電常數(shù)材料性能的一般要求，其中材料的介電常數(shù)是首先考慮的因 素，也就是說材料的介電常數(shù)要足夠低。 隨元2 ；件特征尺、j _ 的進(jìn)一步縮小，對(duì)材料介電常數(shù)的要求也越柬越高。近年 l 4 r 8 ；檔姍m差似 6 8 5 7 |堇瑚們挪鯽町好” 5 5 2豇2盱2 l曼i曇4 m眥蘭；量薹弛 7 5 1 2“一l呦秘叭啦捌差龍 碩士學(xué)位論文 第一章緒論 來國(guó)際上研究較多的低介電常數(shù)材料主要包括含氟氧化硅( s i o f ) 、氟化 # 晶碳薄 膜( a - c ：f ) 、干凝膠、聚對(duì)苯二甲基和聚四氟乙烯( p t f e ) 等。其中s i o f 曾一度成 為研究熱點(diǎn)，這是由于s i o f 薄膜能夠提供適當(dāng)?shù)偷慕殡姵?shù)。同時(shí)保留著二氧 化硅的許多性質(zhì)，所需原料易得，價(jià)格便宜，可以直接使用現(xiàn)有的沉積二氧化硅 的設(shè)備，且由于氟的摻入其填隙能力和表面平整度均有所改善【1 2 1 。s i o f 薄膜一 般可通過化學(xué)氣相沉積獲得，比如室溫化學(xué)氣相沉積( r t c v d ) 、常壓化學(xué)氣相沉 積( a p c v d ) 、等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積( p e c v d ) 、電子回旋共振化學(xué)氣相沉積 ( e c r c v d ) 、高密度等離子體化學(xué)氣相沉積( h d p c v d ) 、間接等離子體增強(qiáng)化學(xué) 氣相沉積( r p e c v d ) 等?；瘜W(xué)氣相沉積相比于旋涂工藝來說具有一定的優(yōu)勢(shì)，比 如說具有良好的填隙性能，所制備的非晶薄膜具有良好的各向同性介電特征，與 當(dāng)前常規(guī)的硅基集成電路工藝和設(shè)備兼容，涂層均勻，可以在線控制界面附著力 或等離子體表面改性，無溶劑等【9 】。所采用的原料一般是含硅，氧、氟的前驅(qū)體， 如s i f d 0 2 、s i h d o js i f 4 、s i h d o jc f 4 、s i ( n c o ) ds i f d0 2 、s i f 4 i - 1 2 0 2 、 f s i ( o c 2 h s ) d h 2 0 、s i h 4 n 2 0 c f 4 、s i ( o c 2 h 5 ) 4 0 2 c 2 f 6 等。但是由于s i o f 薄膜 的介電常數(shù)約為3 ，只比傳統(tǒng)的s i 0 2 介質(zhì)的介電常數(shù)稍小( 下一代超大規(guī)模集成 電路對(duì)層問材料介電常數(shù)的要求是小于2 5 ) ，且其穩(wěn)定性差，極易受潮分解， 因此無法滿足集成電路發(fā)展的要求。 表卜2 低介電常數(shù)介質(zhì)材料的性能要求“” 干凝膠就足多孔s i 0 2 ，一般用旋涂法( s o d ) * 6 t j 備，旋涂法的缺點(diǎn)與其技術(shù)本 身有關(guān)1 3 】：第一，使用旋涂法處理0 2 5 i _ t m 技術(shù)時(shí)要獲得良好的填隙性能非常困 難；第二，在工藝處理時(shí)部分有序聚合鏈?zhǔn)贡∧こ尸F(xiàn)各向異性；第三，旋涂工藝 碩十學(xué)位論文 第一蕈緒論 使用溶液，必須考慮廢液處理以及工人安全問題，另外由ff 凝膠介電性質(zhì)與沉 積后的烘烤和熱處理有關(guān)，因此難以滿足集成電路的加工工藝。聚對(duì)苯二甲基和 聚四氟乙烯足有機(jī)聚合物薄膜，有機(jī)聚合物薄膜的介電常數(shù)一般明顯小于無機(jī)類 材料【1 1 ”，但是由于其熱穩(wěn)定性差、與基底的附著力較差及難以制備等問題，也 逐漸被淘汰。氟化非晶碳薄膜( a - c ：f ) f l j 于具備相對(duì)較低的介電常數(shù)，比如k e n d o 用平行板電容耦合方法獲得了介電常數(shù)為2 1 的薄膜“”，逐漸成為研究的一個(gè)熱 點(diǎn)。 j a t h e i i 【i6 l 在靜態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器( s r a m ) 電路模擬中，用銅代替鋁后，電阻下 降3 3 ，r c 時(shí)間常數(shù)下降了4 - 7 。而作為對(duì)比，當(dāng)介電常數(shù)從4 下降到2 5 時(shí)， 電容下降了3 8 ，r c 時(shí)問常數(shù)下降了8 - 1 3 【1 7 1 。這表明降低電容比降低電阻 能更有效地減少時(shí)間常數(shù)。 1 2a - o ：f 薄膜研究現(xiàn)狀及存在問題 氟化聚合物材料許多年來一直是介電常數(shù)最低的材料之一( 比如聚四氟乙烯 的介電常數(shù)為2 o ) “”。另一方面，以碳氯類氣體為源氣體，采用等離子體沉積 技術(shù)制備的氫化非晶碳薄膜( a c ：h ) ，由于其高度的交聯(lián)結(jié)構(gòu)，使得該薄膜電阻 率高、熱穩(wěn)定性良好，而且易制備“。因此，如果用等離子體沉積技術(shù)制備出結(jié) 構(gòu)和聚四氟乙烯相似，同時(shí)又具有高度交聯(lián)結(jié)構(gòu)的薄膜，我們就有可能獲得介電 常數(shù)低、熱穩(wěn)定性好且容易加工的薄膜材料。 正是基于以上的設(shè)想，日本n e c 公司微電子研究所的k e n d o 等人“”最早f 1 9 9 5 年開始了氟化非晶碳薄膜作為低介電常數(shù)材料的研究工作。他們以c 一和c l - h 為源氣體，用平行扳電容耦合( 使用1 3 5 6 m 1 1 z 的r f 射頻源) 方法獲得了介電常 數(shù)為2 1 的低介電常數(shù)氟化i # 晶碳薄膜，并得出了薄膜的介電常數(shù)隨射頻功率的 增加而增大的結(jié)論，但是用平行板電容耦合的方法沉積薄膜的速率太低( 大約 2 0 n m 分鐘) “。商密度等離子體反應(yīng)裝置沉積的薄膜表面均勻，反應(yīng)裝置內(nèi)等離 子密度比平行板裝置高，而其反應(yīng)所需的離子能量卻比平行扳裝置低，因此我們 有理由相信，使用高密度等離子體反應(yīng)裝置可以更有效地離解反應(yīng)氣體分子，從 而可獲得較高的沉積速率。k e n d o “”采用螺旋波高密度等離i f 體化學(xué)氣相沉積方 法，以c 和 k 或c 。f 6 和h 。的混合氣體為源氣體制備了a - c ：f 薄膜，以c f 。和h 。 的混合氣體為源氣體制各薄膜的沉積速率達(dá)到了0 1 5 1 2 m m i n ，以c 。r 和h ：的混 合氣體為源氣體制備薄膜的沉積速率達(dá)到了0 3l am m i n ，遠(yuǎn)遠(yuǎn)高f 采用平行扳 電容耦合的方法制備a c ：f 薄膜的沉積速率。為了考察薄膜的熱穩(wěn)定性，作肯對(duì) 所沉積的薄膜進(jìn)行了4 0 0 。c 下真空退火處理，結(jié)果表明薄膜厚度最大竟然可以降 到原束的4 0 。但同時(shí)作者也指出薄膜的交聯(lián)度與源氣體有關(guān)，由于氟原予可以 碩士學(xué)付論文 第一章緒論 抑制薄膜中的碳碳交聯(lián)，從而影響其熱穩(wěn)定性，因此含f c 較低的源氣體更有利 于薄膜的熱穩(wěn)定性；薄膜中氫原子的存在也足影響其熱穩(wěn)定性的一個(gè)重要因素， 而采用螺旋波高密度等離子體裝置制備的薄膜中卻幾乎不含( 只含有極少量的) 氫原子?；谏鲜隹紤]，k e n d o 以含f c 較低的c 。f 8 為源氣體，采用螺旋波高密 度等離子體設(shè)備沉積了a c ：f 薄膜洶1 ，在該文獻(xiàn)中，作者詳細(xì)討論了沉積氣壓對(duì) 薄膜中f c 及薄膜沉積速率的影響，并詳細(xì)探討了薄膜中f c 與薄膜的介電常數(shù) 之間的關(guān)系，指出( 1 ) 隨著沉積氣壓的升高，薄膜的沉積速率逐漸增大到一個(gè) 極值，隨后開始下降；( 2 ) f c 隨沉積氣壓的升高而增大。( 3 ) a - c ：f 薄膜的介 電常數(shù)主要與電子極化和取向極化有關(guān)，當(dāng)氟原子摻入薄膜中后，由于氟原子的 強(qiáng)電負(fù)性降低了a c ：f 薄膜的電子極化和取向極化，從而降低了介電常數(shù)。當(dāng)減 少薄膜中f c 比時(shí)，薄膜的熱穩(wěn)定性得到了提高，但與此同時(shí)介電常數(shù)也會(huì)明顯 增加，也就是說在薄膜的高熱穩(wěn)定性與低介電常數(shù)之間存在一種平衡關(guān)系，片面 追求低介電常數(shù)必然導(dǎo)致熱穩(wěn)定性下降，反過來片面追求高熱穩(wěn)定性又必然導(dǎo)致 薄膜介電常數(shù)升高，這種平衡關(guān)系可通過調(diào)整沉積氣壓得到優(yōu)化。 在國(guó)外除了日本n e c 公司微電子研究所的k e n d o 等人外，很多學(xué)者也對(duì)氟 化非晶碳薄膜進(jìn)行了深入的研究，他們通過改變沉積方法、改變?cè)礆怏w種類等方 式來沉積薄膜，并且研究了制各薄膜的工藝與薄膜內(nèi)部化學(xué)鍵結(jié)構(gòu)的關(guān)系，以及 薄膜內(nèi)部化學(xué)鍵結(jié)構(gòu)與薄膜性質(zhì)( 如介電常數(shù)) 之間的關(guān)系，為制備綜合性能高 的氟化非晶碳薄膜尋找最佳的制備工藝打下了理論與實(shí)驗(yàn)基礎(chǔ)。比如麻省理工學(xué) 院的s j l i m b o ”等人曾提出用熱解化學(xué)氣相沉積方法或脈沖化學(xué)氣相沉積方法 制備a c ：f 薄膜；x w a n g 等人”1 以h ：和c r 或h ：和c 2 f 6 為源氣體，采用高密度 等離子體化學(xué)氣相沉積的方法制備了a _ c ：f 薄膜；h a e - s u kj u n g 等人洶1 通過濺 射p t f e 和石墨靶制各了a - c ：f 薄膜。 正是由于氟化非晶碳( a - c ：f ) 薄膜可以作為超大規(guī)模集成電路層間絕緣材 料，以降低寄生電容，繼k e n d o 以后國(guó)內(nèi)外許多研究小組和科研單位及企業(yè)開 始了這方面的研究工作。表卜3 列出了一些制備a - c ：f 薄膜所用的源氣體和制備 方法。 從表卜3 可以看出，制備a c ：f 薄膜采用的源氣體主要足含碳氟有機(jī)氣體( 如 c 。f 8 、c f 0 、c ：f 6 、c ；r 、等) 、碳氟氫類氣體( 如c h f 。、c f h f ：、c z h ：f 2 、c 2 h ：f 。等) ， 有時(shí)還摻入氫氣或碳?xì)漕悮怏w( 如c 乩、c 2 h 。等) 。為了增加等離子體中電子能量 分布，還可向體系中填加稀有氣體( 如a r 、h e ) ，使源氣體高度離解1 。 國(guó)內(nèi)研究氟化非晶碳薄膜的學(xué)者并不太多，主要有蘇州大學(xué)的辛煜、寧兆元 等人?！?。由于薄膜的性質(zhì)取決于薄膜的結(jié)構(gòu)，特別是薄膜中的f 、c 成分比， 以及碳、氟和氫原子問的化學(xué)鍵態(tài)。而不同的源氣體及不同的放電方式會(huì)導(dǎo)致不 碩+ 學(xué)位論文 第一章緒論 同的等離子體化學(xué)反應(yīng)過程，從而形成不同的反應(yīng)基團(tuán)。寧兆元等人o ”以c h f 。 和c 。 1 6 的混合氣體為源氣體，在一個(gè)電子回旋共振等離f 體增慢化學(xué)氣相沉積裝 囂中制備了氟化非晶碳薄膜，研究了微波功：簪、氣壓和流量比對(duì)薄膜沉積速率的 影響。結(jié)果表明c f 、c f 2 和c h 的濃度與薄膜的沉積速率之問存在確定的關(guān)系，他 們可能是決定薄膜生長(zhǎng)的主要成分。同時(shí)還證實(shí)了薄膜中的碳、氟、氫原子之日j 的化學(xué)鍵成分與空間放電等離子體中對(duì)應(yīng)的成膜基團(tuán)密切相關(guān)，因而可以通過調(diào) 整微波功率、氣壓和流量比等沉積條件來控制薄膜的結(jié)構(gòu)，從而得到高性能的薄 膜。另外，該研究小組使用微波電子回旋共振等離子體化學(xué)氣相沉積方法，通過 改變?cè)礆怏w種類( c h f ，c i t , ，c h f 。c z h ：，u i f ，c 6 h 6 ) 、源氣體流量比、沉積氣壓、 微波輸入功率，及對(duì)薄膜進(jìn)行氮?dú)鈿夥障碌耐嘶鹛幚淼确绞?，?duì)薄膜的化學(xué)鍵結(jié) 構(gòu)和物理性能與上述參量的關(guān)系進(jìn)行了分析o ”1 。西安交通大學(xué)的姚志強(qiáng)、楊萍 等人”“也對(duì)氟化 e 晶碳薄膜進(jìn)行了研究，他們研究了基體偏壓等對(duì)氟化非晶碳 薄膜結(jié)構(gòu)和性能的影響。 表1 - 3 制備a - c ：f 薄膜所用的源氣體和制備方法 源氣體沉積方法參考文獻(xiàn) 六氟環(huán)氧丙烷熱解化學(xué)氣相沉積 c 。h 。f ：或1 ，l ，2 ，2 一c 。h 。r 或c h c l f ：脈沖化學(xué)氣相沉積 六氟環(huán)氧丙烷 熱絲化學(xué)氣相沉積 ”c + ，”f +質(zhì)黽分離離f 束沉積 c ：h 2 和c ：f 6 等離子體浸沒離f 技術(shù) h 。和石墨靶 和c f 4 磁控濺射 p t f e 和石墨濺射 c 。f 8 和c lp e c v d c 。也和c f 4 平板電容法 心和c f , 或h ：和c 。f 6螺旋波高密度等離子體c v d c ；r螺旋波高密度等離子體c v d c 。h f _ 和c f | 微波電子回旋共振等離子體c v d 隨著研究的深入，研究氟化1 e 晶碳薄膜的焦點(diǎn)逐漸集中到了薄膜的低介電常 數(shù)和高熱穩(wěn)定性之間的矛盾上。為了得到介電常數(shù)盡可能低的薄膜，常用的方法 足增加薄膜中的含氟量，但足隨著氟濃度的增加，薄膜的熱穩(wěn)定卻大大下降了。 產(chǎn)生這種變化的原因主要有“”：( 1 ) 薄膜中的氟原予和氫原f 同碳原子成鍵終止 踟川馴矧眺凹酬一列硎酬刪洲一 以隨啵幽嗡隴幽_墨亙 碩七學(xué)伊論文第一章緒論 了部分碳原子問的成鍵，從而降低了薄膜中的交聯(lián)度：( 2 ) 薄膜中氟原子的增加 導(dǎo)致c r 和c f 3 基團(tuán)的生成，而他們的鍵強(qiáng)度小于c f 基團(tuán)，因此在受熱時(shí)容易分 解。從而導(dǎo)致了薄膜熱穩(wěn)定性下降。表1 - 4 列出了一些不同實(shí)驗(yàn)條件下得到的薄 膜的介電常數(shù)。 表卜4 不同實(shí)驗(yàn)條件下得到薄膜的介電常數(shù) h 2 和c f ( 總流量為2 s c c m )室溫磁控濺射( 石墨靶)2 5 2 7 】 h 2 和c f | ( 總流量為l o o s c c m )大約9 0 c h d p c v d 2 3 1 9 h ：和c ：f 6 ( 總流量為l o o s c c m )大約9 0 h d p c v d2 4 1 9 c f 和c 地( 流量比為0 9 7 )室溫p c v d 2 2 5 2 c h 4 和c 。f 。( 流量比為6 7 )3 5 0 p e c v d2 3 5 2 8 c h 和g r ( 流量比為6 7 )室溫p e c v d 2 1 2 8 氧化六氟丙烯( 1 2 5 s c c m )大約2 5 脈沖等離子體c v d2 0 + - 0 1 5 3 c h 。f ?；騝 2 h ：r 或c h c lf 2 ( 1 2 5 s c c m ) 大約2 5 * ( 2脈沖等離子體c v d2 4 5 3 】 巴f 6 和a r窀溫 平行板電容耦合 2 0 5 4 為了解決薄膜的低介電常數(shù)和高熱穩(wěn)定性之間的矛盾，國(guó)內(nèi)外許多學(xué)者做了 不懈的努力，采用的方法主要有：( 1 ) 提高沉積溫度“”。相對(duì)較高的沉積溫度 可以消除薄膜中的一些弱鍵，從而有利于薄膜熱穩(wěn)定性的提高。如h o t l g n i n gy a n g 等人通過提高沉積溫度、增強(qiáng)離子轟擊和調(diào)整f c ，得到了熱穩(wěn)定性較好的a c ：f 薄膜”1 ；y a n j u nm a 等人。1 的研究表明氟化非晶碳薄膜的交聯(lián)結(jié)構(gòu)隨襯底溫度的 升高得到了提高；( 2 ) 改變?cè)礆怏w種類，即采用低f c 的氣體，或者加入含氫的 氣體( 如碳?xì)錃怏w或氫氣) 來清除多余的氟。如k e n d o 通過改變沉積壓力調(diào)整 了薄膜中的f c ，研究表明低的f c 對(duì)應(yīng)好的熱穩(wěn)定性洶1 ：( 3 ) 改變沉積方法。 比如用脈沖等離子體c v d 方法“”，這主要是因?yàn)槊}沖等離子體可以降低碳氟薄膜 的懸掛鍵濃度，因而可以改善薄膜的電學(xué)、熱學(xué)性能；c 。偏壓可以加強(qiáng)離予對(duì) 薄膜表面的轟擊，從而可以增強(qiáng)薄膜結(jié)構(gòu)的交聯(lián)度，進(jìn)而改善其熱穩(wěn)定性”；( 5 ) 提高微波功率。比如楊慎東等采用e c r - c v d 裝置，通過改變微波輸入功率沉積了 a _ c ：f 薄膜，結(jié)果表明在高微波功率下沉積的氟化非晶碳薄膜具有較好的熱穩(wěn)定 性o “；( 6 ) 采用具有芳香環(huán)結(jié)構(gòu)的氣體沉積薄膜。如x w a n g 等人恤以c f 0 和c ：h 2 為源氣體制備了氟化非品碳薄膜，詳細(xì)描述了薄膜的結(jié)構(gòu)特征與熱穩(wěn)定性之間的 7 碩七學(xué)付論文第一章緒論 關(guān)系，通過f t i r 分析了薄膜結(jié)構(gòu)的交聯(lián)程度與薄膜中碳芳香環(huán)變化程度的關(guān)系， 得出當(dāng)碳芳香環(huán)濃度超過3 0 時(shí)，薄膜的熱穩(wěn)定性可以達(dá)到4 0 0 1 2 。( 7 ) 通過摻 雜其他元素，目前主要的摻雜元素足氮”。 到目前為止，研究較多的是通過調(diào)整沉積參數(shù)的方法來提高薄膜的熱穩(wěn)定 性，但足眾多研究小組進(jìn)行了多年的研究后，仍未找到一種方法可以在保證薄膜 介電常數(shù)低的同時(shí)使薄膜具有好的熱穩(wěn)定性。于足研究者又把目杯轉(zhuǎn)到了氮摻雜 氟化非晶碳薄膜( a - c ：f ：n ) 上。摻氮氟化非晶碳薄膜的研究工作是在研究氟化非 晶碳薄膜的基礎(chǔ)上發(fā)展起柬的，與氟化非晶碳薄膜相比，雖然介電常數(shù)稍微變大 ( 但k 2 5 ) ，但是熱穩(wěn)定性方面得到了很大改善，在文獻(xiàn) 5 9 中，k e n d o 摻氮 以后的礦c ：f ：n 薄膜在3 0 0 。c 退火后，介電常數(shù)保持2 4 沒變，而沒有摻氮的 a - c ：f 薄膜在3 0 0 退火后，介電常數(shù)由原來的2 1 增加到2 7 。 對(duì)摻氮的主要設(shè)想是：在聚合物聚酰亞胺中，由于氮原子的加入，在聚合物 中形成了穩(wěn)定的c n 鍵，從而提高了聚酰| 匝胺的熱穩(wěn)定性。所以研究者認(rèn)為，如 果在氟化非晶碳薄膜中摻入氮，也能形成穩(wěn)定的c - n 鍵的話( c - n 鍵的鍵能大丁二 c - c 鍵的鍵能) ，也許同樣可以提高其熱穩(wěn)定性。這些設(shè)想被后來的研究工作所 證實(shí) ”3 1o 在制備氟化非晶碳薄膜的過程中，加入氮后薄膜仍具有一般非晶碳材料 r a m a n 光譜特征”“，也就是說可以觀察到表征碳的s p 3 鍵態(tài)的d 峰( 源于芳香環(huán) 結(jié)構(gòu)) 和s p 2 鍵態(tài)和g 峰( 源于芳香環(huán)結(jié)構(gòu)和烯烴結(jié)構(gòu)) 。退火以后g 峰向高波數(shù) 方向移動(dòng)，表明氮的加入使s p 3 鍵的相對(duì)含量減少，s p 2 鍵的相對(duì)含量增加，因此， 氮的加入改變了薄膜的物理性能。 k e n d o “”等人以c 1 4 、c r 和為源氣體用等離f 體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積方法 制備了摻氮氟化非晶碳( a - c ：f ：n ) 薄膜，在3 0 0 下退火l 小時(shí)后，發(fā)現(xiàn)隨n z 在源氣體中所占百分比的增加，薄膜厚度由于退火而降低的趨勢(shì)被抑制，而以相 同工藝制備的a - c ：f 薄膜的厚度減少到原束的6 4 。v a l e n t i n i ”通過研究也證 實(shí)了摻雜氮有利于氟化 e 晶碳薄膜熱穩(wěn)定性提高，v a l e n t i n i 認(rèn)為氟化非品碳 薄膜熱穩(wěn)定性的提高可能與下列因素有關(guān)：( 1 ) 氮的加入使氮和碳形成穩(wěn)定的 c - n 鍵；( 2 ) 氟含量的降低使薄膜的交聯(lián)結(jié)構(gòu)增強(qiáng)( 氟抑制和終止了薄膜中交聯(lián) 結(jié)構(gòu)的生成“”。) ，兩者共同增強(qiáng)了薄膜的空i h 】穩(wěn)定性，從而提高了其熱穩(wěn)定性。 到日前為止，研究者一致認(rèn)為，摻雜氮可以提高氟化 乍品碳薄膜的熱穩(wěn)定性是由 于薄膜中形成了穩(wěn)定的c - n 鍵，以及薄膜中的交聯(lián)結(jié)構(gòu)得到了增強(qiáng)。 由于光學(xué)帶隙可以指示薄膜中s p 2 基團(tuán)的含龜“，從而可以指示薄膜的熱穩(wěn) 定性情況，所以可以通過研究薄膜的光學(xué)性質(zhì)研究薄膜的熱穩(wěn)定性。在氮摻雜氟 化i e 品碳薄膜中“，隨氮?dú)庠谠礆怏w中所占比例的增加，薄膜的折射率增加，消 8 碩士學(xué)位論文 第一章緒論 光系數(shù)也呈上升趨勢(shì)。v a l e n t i n i 呻指出，隨氮?dú)庠谠礆怏w中所占比例的增加， 薄膜的光學(xué)帶隙減?。欢鴜 o k o m i c h i 呻1 認(rèn)為隨氮?dú)庠谠礆怏w中所占比例的增加， 薄膜的光學(xué)帶隙幾乎保持常數(shù)不變。 v a l e n t i n i 附1 認(rèn)為氮原子在薄膜中可能以下列形式存在：氮象橋梁一樣存在 于s p 2 c 和s p 之間( 而不是直接作為s p c 簇的一部分) ，或者以和氮原子具有 同樣性質(zhì)的含氮簇的形式存在。至于氮到底是以何種形式存在于薄膜中還有待進(jìn) 一步的研究。另外c n 鍵在薄膜中是以何種形式存在，薄膜的交聯(lián)結(jié)構(gòu)增強(qiáng)與那 些因數(shù)有關(guān)，也沒有形成統(tǒng)一的結(jié)淪。 薄膜的沉積速率是研究者十分關(guān)心的一個(gè)問題，它不但關(guān)系到薄膜的制各 成本，而且也影響著薄膜的組分及結(jié)合形態(tài)的變化，從而影響薄膜的物理性質(zhì)。 y o k o m i c h i 咖1 得出薄膜的沉積速率隨氮?dú)庠谠礆怏w中所占比例的增加先增加后減 少的結(jié)論，他認(rèn)為，從c f 分子中分解出的含氟基團(tuán)的刻蝕作用比氫原予強(qiáng)烈， 而在薄膜中摻入氮后，由于含氟基團(tuán)和氮原子連接在一起，薄膜中氟的含量便少 了，從而降低了氟對(duì)膜層的腐蝕作用，因此沉積速率增加。而v a l e n t i n i ”卻 得出薄膜的沉積速率隨氮?dú)庠谠礆怏w中所占比例的增加而減少，他認(rèn)為電離氮分 子和電離含碳的前驅(qū)氣體所用的能量是相當(dāng)?shù)?，那么在射頻功率和沉積氣壓相同 的情況下，可以不考慮刻蝕對(duì)薄膜沉積過程的影響，所以沉積速率的降低可能只 是因?yàn)閏 h 和c l 的流量減少了。另外v a l e n t i n i 還得出隨沉積溫度升高，摻氮 氟化非晶碳薄膜的沉積速率升高的結(jié)論。 關(guān)于氮摻雜氟化非晶碳薄膜的表面形貌，v a l e n t i n i “指出退火以后氮和 氟從薄膜中解吸附出來，而薄膜的厚度幾乎沒有變化，因此退火后薄膜表面更加 多孔滲水，從圖1 - 1 m 1 中可以清晰的看出這一變化。 圖卜1r - 7 3 ( r = n ：( c h + c f + n ：) ) 時(shí)a c ：h ：f 薄膜的a f m 圖( a ) 退火前( b ) 退火后 9 碩七學(xué)忙論文 第一蓽緒論 氮的加入使氟化非晶碳薄膜的微觀性能更加復(fù)雜，總的來說，氮元素對(duì)氟化 非晶碳薄膜有以下影響： ( 1 ) 介電常數(shù)略有升高，但沒有超過2 5 ，a c ：f ：n 薄膜可以用作下一代超 大規(guī)模集成電路領(lǐng)域中低介電常數(shù)絕緣層材料。 ( 2 ) 熱穩(wěn)定性得到提高，摻氮以后氟化非晶碳薄膜的熱穩(wěn)定性可以滿足超 大規(guī)模集成電路的要求。 ( 3 ) 在光學(xué)性質(zhì)方面，氮元素的加入使薄膜的折射率增加。對(duì)于光學(xué)帶隙， 有人認(rèn)為隨氮?dú)庠谠礆怏w中所占比例的增加，光學(xué)帶隙將會(huì)減少陽(yáng)“，但也有人 認(rèn)為光學(xué)帶隙基本保持不變1 。 ( 4 ) 在沉積速率方面也沒有統(tǒng)一的結(jié)論，y o k o m i c h i 認(rèn)為薄膜的沉積速率 隨氮?dú)庠谠礆怏w中所占比例的增加是先增加后減少咖1 ，v a l e n t i n i 卻得出薄膜的 沉積速率隨氮?dú)庠谠礆怏w中所占比例的增加而減少的結(jié)論”1 。 到目前為止，對(duì)摻氮氟化非晶碳薄膜的研究雖有一定數(shù)量的報(bào)道，但是，國(guó) 內(nèi)外對(duì)它的研究還很少，對(duì)它的制備方法和源氣體的選擇局限性都很大，對(duì)它的 性能，如熱穩(wěn)定性、光學(xué)性能等的研究也不完善，上要表現(xiàn)在： ( 1 ) 所選用的制備方法1 e 常有限，一般只是用幾種常用的化學(xué)氣相沉積方法， 人們可以嘗試使用制備氟化 乍品碳薄膜時(shí)所使用的所有方法，比如用e c r p e c v d 、 h d p c v d 等方法。 ( 2 ) 在國(guó)內(nèi)外的文獻(xiàn)中，源氣體主要用e l l , 、c f 和n ：，可嘗試使用別的含c 、 f 氣體，比如用c 。n 、c h f ，、c 。h ，、c 。f 6 和c 。 1 6 等代替c 兒、o f , 。 ( 3 ) 熱穩(wěn)定性雖然在摻氮以后得到提高，但足對(duì)f 氮在薄膜中的存在形態(tài) 還不清楚，尚朱達(dá)成一致的見解。關(guān)于使用不同的沉積方法、沉積參數(shù)等，薄膜 中最多可以含多少氮，以及最高可以承受多高溫度的退火等問題的研究也朱見相 關(guān)報(bào)道。并且氮的加入是否會(huì)對(duì)鄰近材料有影響也需要繼續(xù)探索。 ( 4 ) 介電常數(shù)k 在摻氮以后會(huì)略有升高，如何在保證好的熱穩(wěn)定性的同時(shí) 使薄膜的介電常數(shù)升高最少，還需要近一步完善制備工藝。 ( 5 ) 摻氮以后薄膜的光學(xué)性質(zhì)會(huì)發(fā)生變化，但對(duì)于光學(xué)性質(zhì)到底會(huì)如何變 化還沒有統(tǒng)一定論。 總的來說，可能足在實(shí)驗(yàn)方法及實(shí)驗(yàn)條件上存在差異，研究者在對(duì)一些問 題的認(rèn)識(shí)上，如氮對(duì)薄膜性能的影響，氮在薄膜中的存在形念等，部沒有統(tǒng)一的 認(rèn)識(shí)呻“】。要解決這些問題，不但要進(jìn)行理論上的探討，更需要進(jìn)行系統(tǒng)的實(shí)驗(yàn)， 以摸清其規(guī)律。可以預(yù)言，如果上述問題得到解決，摻氮氟化 # 晶碳薄膜將會(huì)成 為一種重要的低介電常數(shù)薄膜，有哩取代s i o 。薄膜，成為一種重要的電學(xué)、光學(xué) 材料。 1 0 碩士學(xué)位論文第一章緒論 1 3 本論文的選題意義和主要工作 到目前為止國(guó)內(nèi)外許多研究者在氟化非晶碳( a - c ：f ) 薄膜研究和應(yīng)用方面 都做了大量的工作，為了在氟化一| 晶碳薄膜的低介電常數(shù)和高熱穩(wěn)定性之問找到 一種平衡關(guān)系，使兩者都滿足超大規(guī)模集成電路的要求，研究者在改變沉積方法、 改變?cè)礆怏w種類、優(yōu)化沉積參量等方面作了許多嘗試，但足仍然沒有找到一種合 適辦法可以解決該問題，于是研究者又重新把目標(biāo)轉(zhuǎn)向了氮摻雜氟化非晶碳薄膜 ( a - c ：f ：n ) 上。如果通過摻氮來提高a _ c ：f 薄膜熱穩(wěn)定性的話，那么n 原子摻入 薄膜中后如何改變薄膜的介電常數(shù)和熱穩(wěn)定性，以及n 原子摻入薄膜中后在薄膜 中究竟以何種形式存在；薄膜的表面形貌、沉積速率和光學(xué)帶隙等是否與薄膜的 熱穩(wěn)定性及介電常數(shù)之間存在一種關(guān)系，使我們能在已知薄膜的表面形貌、沉積 速率和光學(xué)帶隙的變化趨勢(shì)時(shí)就可以分析薄膜的熱穩(wěn)定性及介電常數(shù)的變化規(guī) 律。這些問題的解決對(duì)于氟化非晶碳薄膜是否能在大規(guī)模集成電路中得到實(shí)際應(yīng) 用具有重要意義，這也正足我們開展本課題研究的前提所在。 基丁= 氟化非晶碳薄膜存在的上述問題，本文主要研究以下內(nèi)容： ( 1 ) 分別選用了兩種氣體組合( c f c l 4 a r ，c f d c 心n ：) 。采用射頻等離子體 增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積方法沉積了氟化非晶碳和摻氮氟化非晶碳薄膜，重點(diǎn)研究了薄 膜的表面形貌、沉積速率隨沉積參量的變化情況。 ( 2 ) 對(duì)制備的薄膜進(jìn)行了氮?dú)鈿夥障碌耐嘶鹛幚?，根?jù)退火前后a - c ：f ：n 薄膜的膜厚變化率，以及f t i r 、r a m a n 結(jié)構(gòu)的變化情況研究薄膜的熱穩(wěn)定性。 ( 3 ) 研究a - c ：f ：n 薄膜光學(xué)帶隙隨沉積參量的變化情況，進(jìn)一步從微觀結(jié) 構(gòu)上解釋摻氮后薄膜熱穩(wěn)定性轉(zhuǎn)變的原因，試圖在薄膜的表面形貌、化學(xué)結(jié)構(gòu)、 光學(xué)帶隙和薄膜熱穩(wěn)定性之間找到一種關(guān)系，為制備出理想的氟化非晶碳薄膜提 供理論依據(jù)，指導(dǎo)實(shí)驗(yàn)的進(jìn)行。 頒十學(xué)何論文 第二章薄膜的制備及結(jié)構(gòu)、性能檢測(cè) 第二章薄膜的制備及結(jié)構(gòu)、性能檢測(cè) 2 。 雩l 畜 等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積( p l a s m a - e n h a n c e dc h e m i c a lv a p o rd e p o s i t i o m 簡(jiǎn)稱 p e c v d ) 是徭韻籌離子體傻含有薄膜綴成原子靜氣態(tài)秘葳發(fā)生純學(xué)蕞殘，兩在麓片 上沉積薄膜的一種方法。目前成用的p c v d 裝鼴雖然多種多樣，但基本結(jié)構(gòu)單元都 天麗，j 、舞。若旅等離子俸發(fā)生方法翅分，可分為直漉輝光放電、秀于頻敬電，擻波放 電等p c v d 裝置。其中射頻放電p c v d 裝置又有感應(yīng)耦合和電容禍合乏分陽(yáng)1 。 稍爝射頻等離子俸囂強(qiáng)純學(xué)氣程沉積裝置沉積薄藏疑有下列拳蕁轟： ( 1 ) 白r 以低溫成膜。由于臀離- f 體將反應(yīng)物中的氣體分子激活成活性離子， 掰璦降鬣了復(fù)瘦掰需豹滏度，并燕減少了霹摹片豹影翻。 (