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考點(diǎn)6無機(jī)非金屬材料【合格考達(dá)標(biāo)練】1.下列物品所使用的主要材料屬于無機(jī)非金屬材料的是ABCD陶瓷工藝品紙質(zhì)練習(xí)簿不銹鋼臉盆蠶絲領(lǐng)帶2.(2021·廣東·高州市教師發(fā)展中心高一期末)2021年5月15日,我國火星探測器“天問一號”成功著陸火星。天問一號探測器上使用了重量輕、強(qiáng)度高、剛性好、寬溫度范圍下尺寸穩(wěn)定的新型SiC增強(qiáng)鋁基復(fù)合材料。下列說法錯(cuò)誤的是A.SiC是一種新型硅酸鹽材料B.SiC俗稱金剛砂,具有類似金剛石的結(jié)構(gòu)C.SiC中的碳原子和硅原子通過共價(jià)鍵連接D.SiC具有優(yōu)異的高溫抗氧化性能3.下列說法正確的是()A.五邊形石墨烯與石墨互為同素異形體 B.二氧化硫可以漂白紫色石蕊試劑 C.二氧化硅是半導(dǎo)體材料 D.二氧化錳是H2O2分解的氧化劑4.下列物品或設(shè)施使用了硅酸鹽材料的是:①陶瓷餐具②磚瓦③混凝土橋墩④門窗玻璃⑤水晶鏡片⑥石英鐘⑦水晶項(xiàng)鏈⑧硅太陽能電池⑨光導(dǎo)纖維⑩計(jì)算機(jī)芯片A.⑧⑩ B.⑤⑥⑦⑨ C.①②③④ D.②④⑥5.2021年我國取得讓世界矚目的科技成果,化學(xué)功不可沒。下列說法不正確的是A.“北斗系統(tǒng)”組網(wǎng)成功,北斗芯片中的半導(dǎo)體材料為二氧化硅B.“嫦娥五號”運(yùn)載火箭用液氧液氫推進(jìn)劑,產(chǎn)物對環(huán)境無污染C.“天和核心艙”電推進(jìn)系統(tǒng)中的腔體采用氮化硼陶瓷屬于新型無機(jī)非金屬材料D.“奮斗者”號潛水器外殼材料為鈦合金,鈦合金屬于新型合金6.(2021·安徽·蒙城第一中學(xué)高一期末)2021年,我國具有獨(dú)立知識產(chǎn)權(quán)的“龍芯”19歲了。下列對硅單質(zhì)及其氧化物的有關(guān)敘述正確的是A.石英可以用來生產(chǎn)玻璃B.二氧化硅具有半導(dǎo)體性能,常用于制作光導(dǎo)纖維C.硅的化學(xué)性質(zhì)不活潑,常溫下不與任何物質(zhì)反應(yīng)D.晶體硅是具有金屬光澤的灰黑色金屬材料【等級考提升練】7.中華民族為人類文明進(jìn)步做出了巨大貢獻(xiàn),下列分析不正確的是A.中國藍(lán)是古代人工合成的藍(lán)色化合物,其化學(xué)式為BaCuSi4O10,可改寫成BaO?CuO?4SiO2B.東漢魏伯陽在《周易參同契》中對汞的描述:“……得火則飛,不見埃塵,將欲制之,黃芽為根。”這里的黃芽是指硫C.《本草綱目》拾遺中對“強(qiáng)水”的記載“……性最猛烈,能蝕五金……其水至強(qiáng)……惟玻璃可盛……”,“強(qiáng)水”為氫氟酸D.“白墻黑瓦青石板,煙雨小巷油紙傘”中紙傘的主要成分為有機(jī)高分子材料8.下列關(guān)于硅單質(zhì)及其化合物的說法正確的是①硅酸鹽Na2Fe2Si3O10用氧化物的形式表示為Na2O·2FeO·3SiO2②水泥、玻璃、水晶飾物都是硅酸鹽制品③硅酸鹽都難溶于水④單質(zhì)硅是將太陽能轉(zhuǎn)變?yōu)殡娔艿某S貌牧螦.②③ B.①③ C.①④ D.④9.下列生活中的物質(zhì)與其有效成分、用途的對應(yīng)關(guān)系中不正確的是選項(xiàng)ABCD物質(zhì)漂白粉復(fù)方氫氧化鋁水玻璃小蘇打有效成分用途消毒劑抗酸藥木材防火劑原料發(fā)酵粉10.二氧化硅是一種化工原料,可以制備一系列物質(zhì)。下列說法正確的是()A.圖中所有反應(yīng)都不屬于氧化還原反應(yīng)B.硅酸鹽的化學(xué)性質(zhì)穩(wěn)定,常用于制造光導(dǎo)纖維C.可用鹽酸除去石英砂(主要成分為SiO2)中少量的碳酸鈣D.普通玻璃是由純堿、石灰石和石英砂制成的,其熔點(diǎn)很高11.(2021·四川龍泉驛·高一期末)2021年6月17日,我國神舟十二號載人飛船成功發(fā)射,中國空間站和國際空間站將同時(shí)在軌運(yùn)營,此舉開創(chuàng)了國際航天事業(yè)的新篇章,制造神舟十二號載人飛船的材料中含有的主族元素W、X、Y、Z,分布在三個(gè)短周期中,其原子序數(shù)依次增大,X、Z同主族,X的最外層電子數(shù)是W和Y的最外層電子數(shù)之和,它們的單質(zhì)中只有Y的單質(zhì)為金屬,能與NaOH溶液反應(yīng)。下列敘述正確的是A.原子半徑大小順序?yàn)閆>Y>X>W(wǎng)B.Z的氧化物為酸性氧化物,能與水反應(yīng)生成對應(yīng)的酸C.W與X形成的化合物分子都呈正四面體結(jié)構(gòu)D.Z單質(zhì)可廣泛應(yīng)用于制造光電池、芯片等12.(2021·云南省永勝縣第一中學(xué)高一階段練習(xí))下列有關(guān)物質(zhì)的轉(zhuǎn)化或應(yīng)用說法不正確的是A.若X、Y、Z分別為Si、SiO2、H2SiO3,則可以通過一步反應(yīng)實(shí)現(xiàn)如圖所示的轉(zhuǎn)化關(guān)系B.若X、Y、Z分別為C、CO、CO2,則可以通過一步反應(yīng)實(shí)現(xiàn)如圖所示的轉(zhuǎn)化關(guān)系C.二氧化硅是生產(chǎn)光纖制品的基本原料D.水玻璃可用于生產(chǎn)黏合劑和防火劑13.(2021·浙江溫州·高一期末)某固體混合物X中可能含有Fe、Fe2O3、Al2O3、SiO2、Na2SO3、Na2SO4中的幾種,為確定其成分,某學(xué)習(xí)小組做了如下實(shí)驗(yàn):①取固體混合物X加入足量的水中,得到溶液A和沉淀B;②取溶液A加入硝酸酸化的氯化鋇溶液,得到沉淀C;③取沉淀B加入足量的稀鹽酸中,得到溶液D和沉淀E,往溶液D中滴加氫氧化鈉溶液,觀察到先出現(xiàn)白色沉淀后沉淀溶解。下列說法中正確是A.固體混合物X中一定含有Na2SO4和SiO2B.固體混合物X中一定含有Al2O3,可能含有Na2SO3C.固體混合物X中一定不含有Fe2O3,可能含有FeD.若將沉淀B加入足量的NaOH溶液中,沉淀B部分溶解14.晶體硅是一種重要的非金屬材料。制備純硅的主要步驟如下:①高溫下用碳還原二氧化硅制得粗硅;②粗硅與干燥HCl氣體反應(yīng)制得SiHCl3:Si+3HCleq\o(=====,\s\up10(300℃))SiHCl3+H2;③SiHCl3與過量H2在1000~1100℃反應(yīng)制得純硅。已知SiHCl3能與H2O劇烈反應(yīng),在空氣中易自燃。請回答下列問題:(1)第①步制備粗硅的化學(xué)反應(yīng)方程式為_______________________________。(2)用SiHCl3與過量H2反應(yīng)制備純硅的裝置如圖所示(熱源及夾持裝置均已略去):①裝置B中的試劑是________。裝置C中的燒瓶需要加熱,其目的是__________________________。②反應(yīng)一段時(shí)間后,裝置D中觀察到的現(xiàn)象是___________________________,裝置D不能采用普通玻璃管的原因是__________________,裝置D中發(fā)生反應(yīng)的化學(xué)方程式為____________________。③為保證制備純硅實(shí)驗(yàn)的成功,操作的關(guān)鍵是檢查實(shí)驗(yàn)裝置的氣密性、控制好反應(yīng)溫度以及_____________________________________________________。15.(2021·全國·高一課時(shí)練習(xí))氮化硅是一種性能優(yōu)異的無機(jī)非金屬材料,它的熔點(diǎn)高,硬度大,電絕緣性好,化學(xué)性質(zhì)穩(wěn)定,但生產(chǎn)成本較高。(1)根據(jù)以上描述,推測氮化硅可能有哪些用途:___________(填字母)。a.制作坩堝b.用作建筑陶瓷c.制作耐高溫軸承d.制作切削刀具(2)請寫出氮和硅的原子結(jié)構(gòu)示意圖__________________,并根據(jù)元素周期律的知識,寫出氮化硅的化學(xué)式__________________。(3)氮化硅在19世紀(jì)已經(jīng)被化學(xué)家合成出來,但直到100多年后才逐漸應(yīng)用于工業(yè)領(lǐng)域。材料的基礎(chǔ)研究和實(shí)際應(yīng)用之間存在著一定距離,你認(rèn)為二者之間的關(guān)系是怎樣的_________________________________?請查閱相關(guān)資料,與同學(xué)交流你的觀點(diǎn)?!拘虑榫硠?chuàng)新練】16.(2021·北京海淀·高一學(xué)業(yè)考試)閱讀短文,回答問題。硅元素在地殼中的含量僅次于氧。人類很早就利用硅酸鹽燒陶制瓷、獲得玻璃制品。1824年,人類成功提煉出硅單質(zhì)。如今,半導(dǎo)體“硅”已經(jīng)成為信息時(shí)代高科技的代名詞。由于硅元素儲量豐富,且單晶硅具有優(yōu)異的耐高溫與抗腐蝕性能,所以單晶硅成為制造大規(guī)模集成電路(俗稱“芯片”)的基底材料。芯片的制造是一個(gè)“聚沙成塔”的過程,要經(jīng)歷用石英砂(主要成分)制粗硅、粗硅提純、單晶硅處理等許多微加工步驟,再將根據(jù)要求設(shè)計(jì)的芯片光罩上的電路圖轉(zhuǎn)移上去,通過晶片切割最后封裝成集成電路。整個(gè)過程需要高精密度的專業(yè)設(shè)備實(shí)現(xiàn),其中不乏我國目前還未完全掌握而被“卡脖子”的技術(shù)。我國科學(xué)家正開發(fā)“碳基”芯片來替代硅基芯片,習(xí)近平主席評價(jià)此項(xiàng)研究“另辟蹊徑,
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