2025年高二化學選擇性必修2（人教版）同步課件 模塊綜合試卷

模塊綜合試卷

選擇題√12345678910111213141516171819選擇題12345678910111213141516171819

2.(2024·湖北，5)基本概念和理論是化學思維的基石。下列敘述錯誤的是A.VSEPR理論認為VSEPR模型與分子的空間結(jié)構(gòu)相同B.元素性質(zhì)隨著原子序數(shù)遞增而呈周期性變化的規(guī)律稱為元素周期律C.泡利原理認為一個原子軌道內(nèi)最多只能容納兩個自旋相反的電子D.sp3雜化軌道由1個s軌道和3個p軌道混雜而成√選擇題12345678910111213141516171819VSEPR模型是價層電子對的空間結(jié)構(gòu)模型，而分子的空間結(jié)構(gòu)指的是成鍵電子對的空間結(jié)構(gòu)，不包括孤電子對，當中心原子無孤電子對時，兩者空間結(jié)構(gòu)相同，當中心原子有孤電子對時，兩者空間結(jié)構(gòu)不同，故A錯誤；在一個原子軌道內(nèi)，最多只能容納2個電子，它們的自旋相反，這個原理被稱為泡利原理，故C正確；1個s軌道和3個p軌道混雜形成4個能量相同、方向不同的軌道，稱為sp3雜化軌道，故D正確。選擇題123456789101112131415161718193.乙二胺()是一種重要的有機化工原料，下列關(guān)于乙二胺的說法不正確的是A.易溶于水，其水溶液顯堿性B.H—C—H鍵角大于H—N—H鍵角C.第二周期中第一電離能大于C小于N的元素只有一種D.[Cu(H2NCH2CH2NH2)2]2+中，提供孤電子對形成配位鍵的是Cu2+√選擇題12345678910111213141516171819選擇題12345678910111213141516171819乙二胺中含氨基，能與水形成分子間氫鍵，易溶于水，其水溶液顯堿性，A正確；—NH2中含有孤電子對，孤電子對與成鍵電子對之間的排斥力大于成鍵電子對與成鍵電子對之間的排斥力，所以H—C—H鍵角大于H—N—H鍵角，B正確；第二周期中第一電離能大于C小于N的只有氧元素，C正確；乙二胺與Cu2+形成的[Cu(H2NCH2CH2NH2)2]2+中，提供孤電子對形成配位鍵的是N，D錯誤。4.2022年諾貝爾化學獎頒給了在“點擊化學”領(lǐng)域做出貢獻的科學家。一種“點擊化學”試劑XYZ2W3是由四種短周期主族元素組成，其中X、Z、W的原子序數(shù)依次遞減，三者基態(tài)原子核外電子的空間運動狀態(tài)數(shù)相同，Y的原子序數(shù)是Z的兩倍，下列說法正確的是A.簡單氫化物分子中的鍵角：Y>ZB.電負性和第一電離能均有Z>WC.同周期元素形成的簡單氫化物中X穩(wěn)定性最強D.同周期主族元素基態(tài)原子未成對電子數(shù)少于Y的有2種選擇題12345678910111213141516171819√氧原子的原子半徑小于硫原子，水分子中成鍵電子對間的斥力大于硫化氫分子，所以水分子的鍵角大于硫化氫，故A錯誤；同周期元素，從左到右第一電離能呈增大趨勢，氮原子的2p軌道為穩(wěn)定的半充滿結(jié)構(gòu)，元素的第一電離能大于相鄰元素，則氮元素的第一電離能大于氧元素，故B錯誤；同周期元素，從左到右非金屬性依次增強，簡單氫化物的穩(wěn)定性依次增強，所以氟化氫的穩(wěn)定性最強，故C正確；選擇題12345678910111213141516171819基態(tài)硫原子的未成對電子數(shù)為2，第三周期主族元素中未成對電子數(shù)小于2的有鈉原子、鎂原子、鋁原子、氯原子，共有4種，故D錯誤。選擇題123456789101112131415161718195.冠醚是由多個二元醇分子之間脫水形成的環(huán)狀化合物。18?冠?6可用作相轉(zhuǎn)移催化劑，其與K+形成的螯合離子結(jié)構(gòu)如圖所示。下列說法錯誤的是A.該螯合離子中碳與氧原子具有相同的雜化類型B.該螯合離子中所有非氫原子可以位于同一平面C.該螯合離子中極性鍵與非極性鍵的個數(shù)比為7∶1D.該螯合離子形成的晶體類型為離子晶體選擇題√12345678910111213141516171819該螯合離子中C、O原子價層電子對數(shù)都是4，所以C、O原子都采用sp3雜化，C與O原子的雜化類型相同，A項正確；該螯合離子中C、O原子都采用sp3雜化，具有甲烷選擇題12345678910111213141516171819結(jié)構(gòu)特點，所以該螯合離子中所有非氫原子不位于同一平面，B項錯誤；該螯合離子中含有24個C—H極性鍵、12個C—O極性鍵、6個O—K極性鍵，C—C非極性鍵為6個，所以極性鍵與非極性鍵的個數(shù)比為42∶6=7∶1，C項正確；離子化合物形成的晶體為離子晶體，該螯合離子為陽離子，其形成的晶體類型為離子晶體，D項正確。選擇題123456789101112131415161718196.(2023·青海高二月考)聯(lián)氨(N2H4)可用于處理鍋爐水中的溶解氧，防止鍋爐被腐蝕，其中一種反應(yīng)機理如圖所示。下列敘述正確的是A.N2H4分子中σ鍵與π鍵的數(shù)目之比為5∶1B.1molN2H4可處理水中1.5molO2C.[Cu(NH3)4]2+中存在離子鍵、配位鍵和極性共價鍵D.氨水中NH3與H2O間存在氫鍵√選擇題12345678910111213141516171819聯(lián)氨分子中含有4個N—H和1個N—N，只含有單鍵，即只含有σ鍵，不含有π鍵，故A錯誤；1

mol

N2H4失去電子生成氮氣，轉(zhuǎn)移4

mol電子，而1

mol

O2得到4

mol電子，根據(jù)得失電子守恒可知，1

mol

N2H4可處理水中1

mol

O2，故B錯誤；選擇題12345678910111213141516171819[Cu(NH3)4]2+中銅離子與氨分子之間存在配位鍵，氨分子中N與H形成極性共價鍵，但是不存在離子鍵，故C錯誤。選擇題123456789101112131415161718197.(2024·安徽，8)某催化劑結(jié)構(gòu)簡式如圖所示。下列說法錯誤的是A.該物質(zhì)中Ni為+2價B.基態(tài)原子的第一電離能：Cl>PC.該物質(zhì)中C和P均采取sp2雜化D.基態(tài)Ni原子價電子排布式為3d84s2選擇題12345678910111213141516171819√由結(jié)構(gòu)簡式可知，P原子的3個單電子與苯環(huán)形成共用電子對，P原子剩余的孤電子對與Ni形成配位鍵，Cl-提供孤電子對與Ni形成共價鍵，由于整個分子呈電中性，故該物質(zhì)中Ni為+2價，A項正確；選擇題12345678910111213141516171819同周期元素隨著原子序數(shù)的增大，第一電離能有增大趨勢，故基態(tài)原子的第一電離能：Cl>P，B項正確；C均存在于苯環(huán)上，采取sp2雜化，P價層電子對數(shù)為4，采取sp3雜化，C項錯誤；Ni的原子序數(shù)為28，位于第四周期第Ⅷ族，基態(tài)Ni原子價電子排布式為3d84s2，D項正確。選擇題12345678910111213141516171819

選擇題12345678910111213141516171819√

選擇題12345678910111213141516171819

選擇題123456789101112131415161718199.某種新型導(dǎo)電材料將鋰原子嵌入石墨烯層間，晶體結(jié)構(gòu)如圖(長方體)。下列有關(guān)說法正確的是A.石墨片層間作用力較弱，故硬度和熔點都較低B.這種新型材料有望應(yīng)用于水性鋰離子電池中C.晶體的化學式為LiC6D.距離Li原子最近且相等的Li原子有6個√選擇題12345678910111213141516171819根據(jù)晶胞結(jié)構(gòu)，Li位于頂角，晶胞含有1個Li原子，中間的碳原子環(huán)有6個碳原子位于面上，有2個位于晶胞體內(nèi)，晶胞中碳原子數(shù)共有6個，晶體的化學式為LiC6，C項正確；選擇題12345678910111213141516171819因為是長方體的結(jié)構(gòu)，故距離Li原子最近且相等的Li原子有4個，D項錯誤。10.(2023·遼寧，9改編)某種鎂鹽具有良好的電化學性能，其陰離子結(jié)構(gòu)如圖所示。W、X、Y、Z、Q是核電荷數(shù)依次增大的短周期元素，W、Y原子序數(shù)之和等于Z，Y原子價電子數(shù)是Q原子價電子數(shù)的2倍。下列說法錯誤的是A.W與X的化合物不一定為極性分子B.第一電離能：Z>X>YC.Q的氧化物是兩性氧化物D.該陰離子中含有配位鍵√選擇題12345678910111213141516171819L為選擇題W、X、Y、Z、Q是核電荷數(shù)依次增大的短周期元素，W形成1個單鍵且核電荷數(shù)最小，W為H，X形成4個鍵，核電12345678910111213141516171819L為荷數(shù)大于H，且小于其他三種元素，X為C，Y形成2個單鍵，核電荷數(shù)大于C，Y為O，W、Y原子序數(shù)之和等于Z，Z為F，Y原子價電子數(shù)為Q原子價電子數(shù)的2倍，Q為Al。W與X的化合物不一定為極性分子，如CH4為非極性分子，A正確；選擇題同周期元素從左到右第一電離能呈增大趨勢，則第一電離能：F>O>C，B錯誤；Q為Al，Al2O3為兩性氧化物，C正確；12345678910111213141516171819L為該陰離子中L與Q之間形成配位鍵，D正確。

√選擇題12345678910111213141516171819

選擇題1234567891011121314151617181912.(2024·濟南高二月考)化合物M是一種新型超分子晶體材料，由X、18?冠?6、HClO4以CH3COCH3為溶劑反應(yīng)制得(如圖)。下列敘述正確的是A.組成M的元素均位于元素周

期表p區(qū)B.M由X的高氯酸鹽與18?冠?6

通過氫鍵結(jié)合生成C.M中碳、氮、氯原子的軌道雜化類型均為sp3D.M的晶體類型為分子晶體選擇題√12345678910111213141516171819組成M的元素有H、C、N、O、Cl、Br，根據(jù)元素周期表結(jié)構(gòu)可知H位于s區(qū)，A錯誤；由圖知，M由X的高氯酸鹽與選擇題1234567891011121314151617181918?冠?6通過氫鍵結(jié)合生成，B正確；M中苯環(huán)上的碳原子的軌道雜化類型為sp2，C錯誤；M的晶體類型為離子晶體，D錯誤。選項實驗事實理論解釋A金屬的導(dǎo)熱性好遍布晶體的自由電子受熱加速運動B酸性：CF3COOH>CCl3COOH氟的電負性大于氯的電負性，F(xiàn)—C的極性大于Cl—C的極性，使—CF3的極性大于—CCl3的極性，導(dǎo)致CF3COOH羧基中羥基的極性更大，更易電離出H+CHF的沸點低于HClHF的相對分子質(zhì)量小于HClD對羥基苯甲醛(

)比鄰羥基苯甲醛()的沸點高對羥基苯甲醛形成分子間氫鍵，鄰羥基苯甲醛形成分子內(nèi)氫鍵13.下列對一些實驗事實的理論解釋錯誤的是選擇題12345678910111213141516171819√14.已知SiCl4發(fā)生水解反應(yīng)的機理如圖：下列敘述正確的是A.SiCl4的鍵角與白磷(P4)的鍵角相同B.H4SiO4加熱分解得到的SiO2晶體中

最小環(huán)是六元環(huán)C.SiCl4屬于分子晶體D.CCl4不能按照上述機理發(fā)生水解反應(yīng)，原因是C的原子半徑小選擇題12345678910111213141516171819√SiCl4的鍵角為109°28'，白磷(P4)的鍵角為60°，故A錯誤；SiO2晶體中最小環(huán)為十二元環(huán)，故B錯誤；選擇題12345678910111213141516171819CCl4不能按照上述機理發(fā)生水解反應(yīng)，原因是C原子沒有d軌道，難以形成sp3d雜化，故D錯誤。

選擇題√12345678910111213141516171819選擇題12345678910111213141516171819[Co(NH3)6]Cl2的中心離子為Co2+，其配位原子為N，配位數(shù)為6，故A錯誤；由[Co(NH3)6]Cl2晶胞結(jié)構(gòu)可知，[Co(NH3)6]2+周圍等距離且最近的Cl-有8個，故B錯誤；

選擇題12345678910111213141516171819

16.元素周期表中的六種元素A、B、C、D、E、F，原子序數(shù)依次增大。非選擇題12345678910111213141516171819A的基態(tài)原子價層電子排布為nsnnpnB的基態(tài)原子2p能級有3個單電子C的原子最外層電子數(shù)是其內(nèi)層的3倍D的基態(tài)原子3p軌道上有4個電子E2+的d軌道中有10個電子F單質(zhì)在金屬活動性順序中排在最末位非選擇題12345678910111213141516171819A的基態(tài)原子價層電子排布為nsnnpnB的基態(tài)原子2p能級有3個單電子C的原子最外層電子數(shù)是其內(nèi)層的3倍D的基態(tài)原子3p軌道上有4個電子E2+的d軌道中有10個電子F單質(zhì)在金屬活動性順序中排在最末位(1)寫出E的基態(tài)原子的電子排布式：

。

E為鋅，基態(tài)原子的電子排布式：1s22s22p63s23p63d104s2。1s22s22p63s23p63d104s2非選擇題12345678910111213141516171819A的基態(tài)原子價層電子排布為nsnnpnB的基態(tài)原子2p能級有3個單電子C的原子最外層電子數(shù)是其內(nèi)層的3倍D的基態(tài)原子3p軌道上有4個電子E2+的d軌道中有10個電子F單質(zhì)在金屬活動性順序中排在最末位(2)A、B形成的AB-常作為配位化合物中的配體。在AB-中，元素A的原子采取sp雜化，則A與B形成的化學鍵中含有的σ鍵與π鍵的數(shù)目之比為

。

1∶2非選擇題12345678910111213141516171819在CN-中存在碳氮三鍵，三鍵含有1個σ鍵、2個π鍵，故含有的σ鍵與π鍵的數(shù)目之比為1∶2。A的基態(tài)原子價層電子排布為nsnnpnB的基態(tài)原子2p能級有3個單電子C的原子最外層電子數(shù)是其內(nèi)層的3倍D的基態(tài)原子3p軌道上有4個電子E2+的d軌道中有10個電子F單質(zhì)在金屬活動性順序中排在最末位非選擇題12345678910111213141516171819(3)D與E形成的化合物晶體的晶胞如圖所示。在該晶胞中，E離子的數(shù)目為

；該化合物的化學式為

。

4ZnS

非選擇題12345678910111213141516171819A的基態(tài)原子價層電子排布為nsnnpnB的基態(tài)原子2p能級有3個單電子C的原子最外層電子數(shù)是其內(nèi)層的3倍D的基態(tài)原子3p軌道上有4個電子E2+的d軌道中有10個電子F單質(zhì)在金屬活動性順序中排在最末位(4)在D的氫化物(H2D)中，D原子的雜化軌道類型是

。

sp3

非選擇題12345678910111213141516171819A的基態(tài)原子價層電子排布為nsnnpnB的基態(tài)原子2p能級有3個單電子C的原子最外層電子數(shù)是其內(nèi)層的3倍D的基態(tài)原子3p軌道上有4個電子E2+的d軌道中有10個電子F單質(zhì)在金屬活動性順序中排在最末位(5)C的氫化物(H2C)在乙醇中的溶解度大于H2D，其原因是_______________________________。

水分子能和乙醇形成分子間氫鍵非選擇題12345678910111213141516171819A的基態(tài)原子價層電子排布為nsnnpnB的基態(tài)原子2p能級有3個單電子C的原子最外層電子數(shù)是其內(nèi)層的3倍D的基態(tài)原子3p軌道上有4個電子E2+的d軌道中有10個電子F單質(zhì)在金屬活動性順序中排在最末位

正四面體形非選擇題12345678910111213141516171819

A的基態(tài)原子價層電子排布為nsnnpnB的基態(tài)原子2p能級有3個單電子C的原子最外層電子數(shù)是其內(nèi)層的3倍D的基態(tài)原子3p軌道上有4個電子E2+的d軌道中有10個電子F單質(zhì)在金屬活動性順序中排在最末位非選擇題12345678910111213141516171819(7)E、F均能與AB-形成配離子，已知E2+與AB-形成配離子時，配位數(shù)為4；F+與AB-形成配離子時，配位數(shù)為2。工業(yè)上常用F+與AB-形成的配離子與單質(zhì)E反應(yīng)，生成E2+與AB-形成的配離子和F單質(zhì)來提取F，寫出上述反應(yīng)的離子方程式：

。

2[Au(CN)2]-+Zn===[Zn(CN)4]2-+2Au已知E2+與AB-形成配離子時，配位數(shù)為4，則為[Zn(CN)4]2-；F+與AB-形成配離子時，配位數(shù)為2，則為[Au(CN)2]-。17.過渡金屬元素及其化合物的應(yīng)用廣泛，是科學家們進行前沿研究的方向之一。(1)基態(tài)Cu原子核外K、L層電子的電子云有

種不同的伸展方向。

非選擇題123456789101112131415161718194基態(tài)Cu原子核外電子排布為1s22s22p63s23p63d104s1，K、L層含有s、p軌道，s軌道有1種伸展方向、p軌道有3種伸展方向，故K、L層電子的電子云有4種不同的伸展方向。(2)鋅化銅是一種金屬互化物，元素銅的第二電離能

(填“大于”“小于”或“等于”)鋅的第二電離能，理由是________________________________________________________________________________________________________________________________。

非選擇題12345678910111213141516171819大于

基態(tài)Cu+核外電子排布為1s22s22p63s23p63d10，3d軌道為全充滿較穩(wěn)定狀態(tài)；基態(tài)Zn+核外電子排布為1s22s22p63s23p63d104s1，容易再失去1個電子(3)[Co(DMSO)6](ClO4)2是一種紫色晶體，其中DMSO為二甲基亞砜，化學式為(CH3)2SO。(CH3)2SO中C—S—O的鍵角

(填“大于”“小于”或“等于”)CH3COCH3中C—C—O的鍵角，理由是__________________________________________________________________________________________________________；元素S、Cl、O的電負性由大到小的順序為

。

非選擇題12345678910111213141516171819小于

碳原子半徑小于硫，C—C鍵長小于S—C鍵長，C==O鍵長小于S==O鍵長，C、S、O原子間斥力小于C、C、O間斥力O>Cl>S非選擇題12345678910111213141516171819同周期從左到右，元素的電負性逐漸增強；同主族由上而下，元素的電負性逐漸減弱，元素S、Cl、O的電負性由大到小的順序為O>Cl>S。

非選擇題12345678910111213141516171819

②若Cu2O晶體密度為dg·cm-3，晶胞參數(shù)為a

pm，則阿伏加德羅常數(shù)的值NA為__________(用含d和a的式子表示)。

非選擇題12345678910111213141516171819

18.第ⅤA族元素原子核外電子排布有著特殊性，能與其他元素組成結(jié)構(gòu)、性質(zhì)各異的化合物?；卮鹣铝袉栴}：(1)氮原子可以提供孤電子對與氧原子形成配位鍵，基態(tài)氧原子的價層電子發(fā)生重排提供一個空軌道，則重排后的氧原子價層電子軌道表示式為

，基態(tài)氧原子的價層電子不是重排結(jié)構(gòu)，原因是重排結(jié)構(gòu)不符合

(填“泡利原理”或“洪特規(guī)則”)。

非選擇題12345678910111213141516171819洪特規(guī)則非選擇題12345678910111213141516171819基態(tài)O原子核外電子排布為1s22s22p4，基態(tài)氧原子的價層電子發(fā)生重排提供一個空軌道，則重排后的氧原子價層電子軌道表示式為

；洪特規(guī)則是指在相同能量的軌道上，電子總是盡可能分占不同的軌道且自旋平行，基態(tài)氧原子的價層電子不是重排結(jié)構(gòu)，原因是重排結(jié)構(gòu)不符合洪特規(guī)則。

非選擇題12345678910111213141516171819<<

(3)As、Ge、Se三種元素的第一電離能由大到小的順序是

。

非選擇題12345678910111213141516171819As>Se>Ge同周期元素隨著原子序數(shù)增大，第一電離能呈增大趨勢，As的4p軌道為半充滿穩(wěn)定狀態(tài)，第一電離能大于同周期相鄰元素，故第一電離能由大到小的順序為As>Se>Ge。(4)TiN晶胞中的少量Ti被Al代替后的立方晶胞結(jié)構(gòu)如圖所示。該晶體中，距離Ti最近的Al有

個；原子①與原子②的距離為

nm(已知晶體密度為

ρg·cm-3，阿伏加德羅常數(shù)的值為NA)