2024裝備制造業(yè)生產(chǎn)過程射頻識(shí)別第1部分 電子標(biāo)簽技術(shù)要求及應(yīng)用規(guī)范_第1頁
2024裝備制造業(yè)生產(chǎn)過程射頻識(shí)別第1部分 電子標(biāo)簽技術(shù)要求及應(yīng)用規(guī)范_第2頁
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11GB/T14091-2009GB/T17554.11部分：一般特性測(cè)試（ISO/IEC10373-GB/T17554.33（ISO/IEC10373-3，GB/T2423.1-20082A（IEC60068-2-1：2007，GB/T2423.7電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗(yàn)第2部分:試驗(yàn)方法試驗(yàn)Ec和導(dǎo)則:傾跌與翻倒(主要用于設(shè)備型樣品)（IEC68-2-3，IDT）GB/T2423.82Ed:自由跌落（IEC68-2-32，IDT）GB/T2423.10電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗(yàn)第2部分:試驗(yàn)方法試驗(yàn)Fc:GB/T2423.18電Kb:交變鹽霧試驗(yàn)方法(氯化鈉溶液)（IEC60068-2-GB/T2423.462Ef（IEC68-2-62，IDT）GB4208外殼防護(hù)等級(jí)（IP代碼）（IEC60529，IDT）IEC61000-4-2電磁兼容試驗(yàn)和測(cè)量技術(shù)靜電放電抗擾度試驗(yàn)（Electromagneticcompatibility(EMC)-Part4-2:Testingandmeasurementtechniques-Electrostaticdischargeimmunitytest）radiofrequencyRF表1存貯位置長(zhǎng)度1-表2--相對(duì)空氣濕度為20%和相對(duì)空氣濕度為20%和86kPa-20g/m3在表1給出平均磁場(chǎng)強(qiáng)度的磁場(chǎng)內(nèi)，在任意方向上暴露后，標(biāo)簽應(yīng)能繼續(xù)正常工作。平均時(shí)間為6表3頻率范圍平均磁場(chǎng)強(qiáng)度（A/mf：MHz另外，在平均值為10A/mrms、標(biāo)簽同頻率的磁場(chǎng)中持續(xù)暴露后，電子標(biāo)簽應(yīng)能繼續(xù)正常工作。平均時(shí)間為30秒，磁場(chǎng)的最大值被限制在12A/mrms。在表2給出平均電場(chǎng)強(qiáng)度的電場(chǎng)內(nèi)，在任意方向上暴露后，標(biāo)簽應(yīng)能繼續(xù)正常工作。平均時(shí)間為6表4頻率范圍平均電場(chǎng)強(qiáng)度（V/mf：MHzX標(biāo)簽任一面或雙面暴露于70keV—140keV范圍內(nèi)的中等能量X-射線（0.1Gy/a的累積劑量）后，標(biāo)依據(jù)GB4208依據(jù)GB/T2423.

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