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1T/TMACXXX—2024雙面TOPCon電池制備方法本文件規(guī)定了雙面TOPCon電池制備的材料要求、制備環(huán)境、制備工藝、人員要求、性能測試、質(zhì)量控制等技術要求和方法。本文件適用于雙面TOPCon電池的工業(yè)生產(chǎn)及實驗室研發(fā),主要涵蓋了硅片、氧化層、鈍化接觸層、導電電極、封裝材料等關鍵組件的制備方法。2規(guī)范性引用文件下列文件中的內(nèi)容通過文中的規(guī)范性引用而構成本文件必不可少的條款。其中,注日期的引用文件,僅該日期對應的版本適用于本文件;不注日期的引用文件,其最新版本(包括所有的修改單)適用于本文件。GB/T12963硅單晶材料GB/T14264半導體材料術語GB/T15262二氧化硅材料厚度測量方法GB/T18309膠膜粘附力測試方法GB/T21422硅片電阻率測量方法GB/T21984光刻膠材料規(guī)范GB/T25822導電電極材料技術要求GB/T31918電子材料清洗劑技術要求GB/T31948太陽能電池封裝材料技術要求3術語和定義3.1雙面TOPCon電池bifacialTOPConsolarcell利用隧穿氧化鈍化接觸技術,在電池的兩面都具備電流收集和光電轉(zhuǎn)換功能的太陽能電池。3.2雙面TOPCon電池隧穿氧化層bifacialTOPConcelltunnelingoxidelayer由熱氧化法或化學氣相沉積法生成的極薄二氧化硅(SiO2)層,位于硅片表面,用于控制載流子的隧穿效應并減少表面復合,其厚度通常在1.5nm至2.0nm之間。3.3雙面TOPCon電池鈍化接觸層passivatedcontactlayerfordouble-sidedTOPConcells通過沉積在硅片表面的摻雜多晶硅層,用于減少表面復合并提供高效的電流傳輸。此層通常為10nm至20nm厚度,由摻雜磷(N型)或硼(P型)的多晶硅組成。3.4雙面TOPCon電池背鈍化層double-sidedTOPConbatterybackpassivationlayer2T/TMACXXX—2024雙面TOPCon電池背面沉積的材料層,通常由氮化硅(Si3N4)或氧化鋁(Al2O3)組成,主要用于減少背面復合損失,提高光的反射率,以增強電池的整體光電轉(zhuǎn)換效率。4材料要求4.1硅片材料要求a)類型:應選用高純度N型或P型單晶硅片,其直徑或邊長應符合GB/T12963規(guī)定的要求;b)電阻率:硅片的電阻率應為1-3Ω·cm,確保光電轉(zhuǎn)換效率;c)厚度:硅片的厚度應控制在150μm至180μm之間,以確保良好的機械強度和電性能;d)表面質(zhì)量:硅片表面應平整光滑,不得有明顯的劃痕、缺角、裂紋等缺陷,符合GB/T14264標準的表面質(zhì)量要求;e)尺寸公差:硅片的尺寸公差不得超過±0.1mm。4.2氧化層材料要求a)材料:應使用熱氧化法或化學氣相沉積(CVD)法生成的二氧化硅(SiO2)作為隧穿氧化層;b)厚度控制:氧化層的厚度應在1.5nm至2.0nm之間,確保隧穿電子效應的實現(xiàn);c)均勻性:氧化層的厚度均勻性應控制在±0.2nm范圍內(nèi),確保電池兩面均勻工作,符合GB/T15262的要求;d)耐腐蝕性:氧化層應具備良好的耐化學腐蝕性,能夠抵抗生產(chǎn)過程中酸堿溶液的影響。4.3鈍化接觸材料要求a)材料類型:鈍化接觸材料采用摻雜磷(N型)或硼(P型)的多晶硅材料,確保電池具有低電阻和良好的導電性;b)厚度要求:多晶硅鈍化接觸層的厚度應在10nm至20nm之間,沉積均勻性應符合GB/T21422規(guī)定;c)摻雜濃度:摻雜元素的濃度應控制在1×102。/cm3至3×102。/cm3之間,確保高效電流傳輸;d)耐高溫性:多晶硅層應具備在高溫條件下的穩(wěn)定性,其結構在800℃的高溫處理過程中應保持穩(wěn)4.4導電電極材料要求a)材料選擇:電極材料應為高純度銀(Ag)或銀鋁合金,具備良好的導電性能,符合GB/T25822的電極材料要求;b)電極厚度:正面電極厚度應為20μm至30μm,背面電極應為10μm至20μm,確保足夠的導電能力和機械強度;c)附著力:電極材料應具備優(yōu)良的附著力,能夠在長期光照和溫度變化中保持穩(wěn)定;d)抗腐蝕性:電極材料應具備抗氧化和耐腐蝕性,確保電極在潮濕和惡劣環(huán)境下的長期穩(wěn)定性。4.5背鈍化層材料要求a)材料類型:背鈍化層應選用氮化硅(SiNx)或氧化鋁(Al2O3)材料;b)厚度要求:背鈍化層厚度應為80nm至120nm,確保優(yōu)異的光反射性和鈍化性能;c)光反射率:背鈍化層應具有80%以上的反射率,以提高光吸收效率;d)抗紫外線性能:背鈍化層應具備優(yōu)異的抗紫外線能力,確保長期光照下的穩(wěn)定性。4.6封裝材料要求a)封裝材料:應選用高透光率的EVA膠膜,符合GB/T31948的光學和機械性能要求;b)透光率:封裝材料的透光率應達到90%以上,確保最大限度的光電轉(zhuǎn)換效率;c)耐熱性:封裝材料應能耐受溫度范圍為-40℃至+85℃的環(huán)境變化,保持長期穩(wěn)定的封裝性能;d)粘附力:封裝材料與硅片、電極的粘附力應滿足GB/T18309的要求,確保封裝后無起泡、脫落現(xiàn)象。3T/TMACXXX—20244.7金屬柵線要求a)材料類型:金屬柵線應使用高純度的銅(Cu)或銀(Ag),具備良好的導電性和抗氧化能力;b)柵線寬度:柵線的寬度應控制在30μm至50μm之間,以保證最大光電轉(zhuǎn)換效率;c)電阻率:柵線材料的電阻率應低于1.7×10-8Ω·m,確保最低的電能損耗。4.8輔助材料要求a)清洗劑:應選用符合GB/T31918要求的無水乙醇或超純水作為硅片清洗劑;b)掩膜材料:光刻過程中應使用耐高溫的有機光刻膠,符合GB/T21984的要求;c)其他耗材:生產(chǎn)過程中使用的所有耗材應符合相關標準的環(huán)保和安全要求。4.9材料要求具體細則雙面TOPCon電池的材料要求具體細則,詳見表1:表1雙面TOPCon電池材料要求具體細則材料類型技術要求參考標準硅片材料a)類型:高純度N型或P型單晶硅片,直徑或邊長符合要求;c)厚度:150μm至180μm;d)表面質(zhì)量:平整光滑,無明顯劃痕,符合GB/T14264要求;e)尺寸公差:±0.1mm。GB/T12963GB/T14264氧化層材料a)材料:二氧化硅(SiO2b)厚度:1.5nm至2.0nm;c)均勻性:厚度均勻性±0.2nm;d)耐腐蝕性:具備良好的耐化學腐蝕性。GB/T15262鈍化接觸材料a)材料類型:摻雜磷(N型)或硼(P型)多晶硅材料;b)厚度:10nm至20nm;c)摻雜濃度:1×1020/cm3至3×102?/cm3;d)耐高溫性:在800℃高溫下保持結構穩(wěn)定。GB/T21422導電電極材料a)材料選擇:高純度銀(Ag)或銀鋁合金;b)正面電極厚度:20μm至30μm;c)背面電極厚度:10μm至20μm;d)附著力:優(yōu)良附著力;e)抗腐蝕性:具備抗氧化和耐腐蝕性能。GB/T25822背鈍化層材料a)材料類型:氮化硅(SiNx)或氧化鋁(Al2O3b)厚度:80nm至120nm;c)光反射率:大于80%;d)抗紫外線性能:長期穩(wěn)定。GB/T24521封裝材料a)透光率:≥90%;b)耐熱性:-40℃至85℃范圍內(nèi)穩(wěn)定;c)粘附力:符合GB/T18309要求,封裝后無起泡和脫落。GB/T31948GB/T18309金屬柵線材料a)材料類型:銅(Cu)或銀(Ag);b)柵線寬度:30μm至50μm;GB/T20863輔助材料a)清洗劑:無水乙醇或超純水,符合GB/T31918;b)光刻膠:耐高溫有機光刻膠,符合GB/T21984。GB/T31918GB/T219844T/TMACXXX—20245制備環(huán)境5.1生產(chǎn)環(huán)境a)溫度控制:雙面TOPCon電池的生產(chǎn)應在溫度恒定的環(huán)境下進行,室內(nèi)溫度應控制在22℃至28℃之間,溫度波動不應超過±2℃;b)濕度控制:生產(chǎn)車間的濕度應控制在30%至50%之間,相對濕度波動不應超過±5%,防止?jié)穸冗^高影響材料的電氣性能,濕度過低造成材料表面靜電問題;c)空氣潔凈度:生產(chǎn)環(huán)境應具備潔凈室等級,至少達到1000級(ISO6),確保生產(chǎn)過程中無塵埃顆粒影響硅片和薄膜材料的沉積和加工。潔凈室應配備符合GB/T16293的空氣過濾系統(tǒng)。5.2設備設施a)關鍵設備:雙面TOPCon電池制備所需的關鍵設備包括PECVD設備、ALD設備、激光燒結設備、金屬電極鍍膜設備等。所有設備應符合GB/T25915的相關要求;b)設備校準:所有制備設備應定期進行校準和維護,設備誤差應控制在0.5%以內(nèi),確保工藝參數(shù)的精確控制;c)設備布局:設備的布局應合理,確保生產(chǎn)流程連續(xù)性和生產(chǎn)效率最大化,同時避免交叉污染。5.3防護保障設施a)靜電防護:車間應配備靜電防護設備,工作臺面應接地,人員需佩戴靜電手環(huán),防止靜電破壞電池材料的電氣性能;b)防火防爆:生產(chǎn)環(huán)境應符合GB/T16293的防火和防爆安全要求,生產(chǎn)區(qū)域應配備防火報警和滅火系統(tǒng);c)有害氣體排放:生產(chǎn)過程中產(chǎn)生的有害氣體應通過符合GB16297標準的集氣排放系統(tǒng)進行有效收集和處理,確保排放達到國家環(huán)保標準。6制備工藝6.1制備工藝具體要求雙面TOPCon電池制備工藝的具體要求,詳見表2:表2雙面TOPCon電池制備工藝具體要求工藝環(huán)節(jié)技術要求參考標準硅片清洗a)清洗液:無水乙醇或超純水,符合GB/T31918;b)清洗時間:10至15分鐘;c)清洗溫度:60℃至80℃。GB/T31918隧穿氧化層制備a)氧化方法:熱氧化法或化學氣相沉積法(CVD);b)氧化層厚度:1.5nm至2.0nm;c)厚度均勻性:±0.2nm。GB/T15262鈍化接觸層沉積a)材料類型:摻雜磷或硼的多晶硅;b)厚度:10nm至20nm;c)摻雜濃度:1×102?/cm3至3×102?/cm3。GB/T21422導電電極沉積a)材料選擇:高純度銀(Ag)或銀鋁合金;b)正面電極厚度:20μm至30μm;c)背面電極厚度:10μm至20μm。GB/T25822背鈍化層制備a)材料選擇:氮化硅(SiNx)或氧化鋁(Al2O3b)厚度:80nm至120nm;c)反射率:≥80%。GB/T24521封裝a)材料:高透光率EVA膠膜,透光率≥90%;GB/T319485T/TMACXXX—2024工藝環(huán)節(jié)技術要求參考標準b)封裝溫度:120℃至150℃;c)壓力:0.6MPa至0.8MPa。烘焙處理a)溫度:150℃至200℃;b)時間:15至30分鐘。GB/T258227制備人員要求7.1人員資質(zhì)要求a)工作經(jīng)驗:操作關鍵設備和核心工藝的人員應具有不少于3年的相關行業(yè)工作經(jīng)驗,并具備豐富的電池制備或半導體制造經(jīng)驗;b)資格認證:所有制備人員應通過國家相關標準的職業(yè)資格認證,具備電池生產(chǎn)操作技能等級證書,符合GB/T28001的職業(yè)資格要求。7.2崗位技能要求a)設備操作技能:制備人員應具備熟練操作硅片清洗設備、氧化層沉積設備、鈍化接觸層形成設備等制備工藝相關設備的能力;b)工藝控制技能:人員應掌握雙面TOPCon電池的核心工藝流程,能夠在生產(chǎn)過程中對關鍵工藝參數(shù)(如溫度、壓力、沉積時間等)進行精準控制;c)問題解決能力:制備人員應具備識別、診斷和解決生產(chǎn)過程中出現(xiàn)的工藝問題的能力,確保生產(chǎn)過程中的工藝穩(wěn)定性和產(chǎn)品質(zhì)量。7.3安全操作要求a)防護設備使用:制備人員應在生產(chǎn)過程中正確使用防護裝備,如防靜電服、口罩、護目鏡和手套等,確保自身安全和產(chǎn)品防護;b)設備安全操作:所有操作人員應嚴格按照設備操作手冊進行設備操作,確保設備運行安全,符合GB/T5226相關安全操作標準;c)應急處理能力:制備人員應熟知生產(chǎn)過程中的應急處理流程,尤其是在設備故障、電氣故障和化學泄露等突發(fā)情況下,能夠迅速采取措施,確保安全。7.4持續(xù)學習與培訓a)技術培訓:制備人員應定期接受雙面TOPCon電池制備相關的技術培訓,內(nèi)容包括最新的工藝技術、設備操作和工藝控制等,確保工藝水平的持續(xù)提升;b)安全培訓:每年應組織不少于2次的安全操作培訓,確保人員掌握最新的安全生產(chǎn)知識和應急處理流程,符合GB/T33000標準的安全培訓要求;c)技能評估:制備人員應定期參加崗位技能評估,考核內(nèi)容包括設備操作熟練度、工藝參數(shù)控制能力和問題解決能力,評估結果作為崗位晉升和技術提升的依據(jù)。7.5團隊協(xié)作要求a)溝通協(xié)調(diào)能力:制備人員應具備良好的溝通能力,能夠在生產(chǎn)過程中與工藝工程師、設備維護人員和質(zhì)量檢測人員密切配合;b)任務分工:人員崗位分工應明確,每個制備環(huán)節(jié)的負責人應對其操作和工藝過程負責,確保團隊協(xié)作高效;c)問題反饋:在生產(chǎn)過程中,如遇到工藝問題或設備異常,制備人員應及時向上級反饋,并做好詳細的記錄以便后續(xù)分析和改進。7.6制備操作記錄6T/TMACXXX—2024a)操作記錄:制備人員應對每個工藝步驟進行詳細記錄,包括設備操作、工藝參數(shù)調(diào)整和產(chǎn)品狀態(tài),確保生產(chǎn)可追溯性;b)數(shù)據(jù)記錄:每批次制備的產(chǎn)品應附有詳細的操作和檢測記錄,記錄應保存不少于5年,符合GB/T19001的質(zhì)量管理體系要求;c)信息保密:制備人員應嚴格保守生產(chǎn)過程中的技術信息,確保工藝技術和知識產(chǎn)權的安全。8性能測試8.1電性能測試a)光電轉(zhuǎn)換效率測試:電池的光電轉(zhuǎn)換效率應使用標準光源(AM1.5G,1000W/m2)進行測試,測試環(huán)境溫度應保持在25℃,光電轉(zhuǎn)換效率不得低于23%,符合GB/T9535要求;b)開路電壓測試:使用高精度電壓表測量電池的開路電壓,開路電壓應在0.7V至0.75V之間;c)短路電流測試:通過標準光源下的電流表測試短路電流,電池的短路電流密度應在38mA/cm2至40mA/cm2之間;d)填充因子測試:填充因子(FillFactor,FF)應通過開路電壓、短路電流和最大功率點電壓與電流的測量計算,填充因子應在80%以上。8.2機械性能測試a)抗彎強度測試:通過三點彎曲測試設備檢測電池的抗彎強度,抗彎強度不得低于120MPa,符合GB/T19302要求;b)抗沖擊性能測試:使用沖擊試驗機,電池應能承受10J的沖擊而不出現(xiàn)破裂或性能下降;c)抗振動性能測試:電池在振動試驗臺上應經(jīng)過20Hz至200Hz的頻率測試,持續(xù)振動2小時,電池的性能指標變化不超過2%。8.3環(huán)境適應性測試a)高溫性能測試:將電池放置在85℃的高溫環(huán)境中,保持1000小時后再進行電性能測試,電性能下降不應超過5%;b)低溫性能測試:在-40℃的低溫環(huán)境下測試電池的電性能,確保在極端低溫下電池仍具有穩(wěn)定性,電性能下降不應超過5%;c)濕熱測試:將電池在85℃、相對濕度85%的環(huán)境下進行1000小時的濕熱老化測試,測試完畢后電池的電性能下降不應超過5%;d)鹽霧測試:電池應經(jīng)過GB/T2423規(guī)定的鹽霧環(huán)境測試,測試時間為96小時,確保電池在高鹽度環(huán)境下工作不受影響。8.4光衰測試a)初期光衰:電池在72小時的高強度光照(1000W/m2)環(huán)境下測試初期光衰,初期光衰不得超過b)長期光衰:在1500小時的光照環(huán)境下,電池的長期光衰應控制在5%以內(nèi)。8.5熱斑效應測試a)熱斑效應:通過部分遮擋電池表面區(qū)域,模擬熱斑效應測試,電池應能夠在部分遮擋的情況下維持正常工作,局部溫度升高不得超過50℃;b)局部電流測量:在熱斑測試中,局部電流應均勻分布,不應出現(xiàn)局部電流過載的情況,符合GB/T9535的要求。8.6耐候性測試a)紫外線耐受性測試:電池應在紫外光照射下進行500小時的耐受性測試,測試完畢后光電轉(zhuǎn)換效率下降不得超過3%;b)風沙測試:電池在模擬風沙環(huán)境中經(jīng)過100小時測試,表面無明顯劃痕或損傷,電性能下降不超過2%。7T/TMACXXX—20248.7其他性能測試a)防護等級測試:電池的防護等級應達到IP67或以上,確保在惡劣環(huán)境中正常使用;b)耐化學腐蝕測試:電池應能在酸堿環(huán)境下保持穩(wěn)定性,測試過程中電池的性能變化不應超過5%。9質(zhì)量控制9.1原材料質(zhì)量控制a)硅片質(zhì)量控制:硅片應進行光學檢查、表面缺陷檢測和尺寸公差檢測,確保表面無明顯缺陷,符合GB/T12963的規(guī)定;b)氧化層材料控制:對氧化層材料的純度、均勻性進行光學和化學分析,確保符合GB/T15262要c)導電電極材料控制:導電電極材料應進行成分分析和電導率檢測,確保符合GB/T25822的規(guī)定。9.2生產(chǎn)過程質(zhì)量控制a)工藝參數(shù)控制:制備過程中的關鍵工藝參數(shù)(如溫度、壓力、時間)應進行實時監(jiān)控,確保參數(shù)保持在設定范圍內(nèi);b)生產(chǎn)設備校準:所有生產(chǎn)設備應在使用前進行定期校準,校準頻率和要求應符合GB/T19022標c)過程檢測:在每一個關鍵生產(chǎn)環(huán)節(jié)(如硅片清洗、氧化層沉積、鈍化接觸層形成等)應進行質(zhì)量檢測,確保每一環(huán)節(jié)的合格率不低于98%。9.3成品檢驗a)電性能測試:對成品電池進行開路電壓、短路電流和光電轉(zhuǎn)換效率的全面測試,符合GB/T9535規(guī)定;b)機械性能檢驗:成品電池應經(jīng)過抗彎強度、抗沖擊性能和抗振動性能測試,合格率應達到99%;c)環(huán)境適應性測試:每批次生產(chǎn)的電池應經(jīng)過高溫、低溫、濕熱和紫外線耐受性測試,合格率應達到95%以上。9.4出廠檢驗出廠檢驗是指每批產(chǎn)品在出廠前應進行的全面檢測,以確保產(chǎn)品質(zhì)量符合要求。出廠檢驗包括但不限于以下內(nèi)容:a)外觀檢查:應對電池片進行外觀檢查,確保無裂紋、劃痕、污漬、缺角等缺陷,外觀要求應符合GB/T14264標準;b)電性能測試:所有出廠的電池片應進行電性能測試,檢測項目包括開路電壓、短路電流、光電轉(zhuǎn)換效率等,性能應符合工藝設計的要求;c)絕緣測試:對電池片進行絕緣測試,確保在使用過程中的安全性,絕緣阻值應符合GB/T15612的標準要求;d)檢測結果記錄:所有出廠檢驗的檢測結果應記

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