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13.1外延生長3.2掩膜制作3.3光刻原理與流程

3.4氧化

3.5淀積與刻蝕3.6摻雜原理與工藝關(guān)心每一步工藝對器件性能的影響，讀懂PDK，挖掘工藝潛力。第3章集成電路基本工藝2圖3.12

場氧除了作為柵的絕緣材料外，二氧化硅在很多制造工序中可以作為保護(hù)層。在器件之間的區(qū)域，也可以生成一層稱為“場氧”（FOX）的厚SiO2層，使后面的工序可以在其上制作互連線。3.4氧化33.1外延生長3.2掩膜制作3.3光刻原理與流程

3.4氧化

3.5淀積與刻蝕3.6摻雜原理與工藝關(guān)心每一步工藝對器件性能的影響，讀懂PDK，挖掘工藝潛力。第3章集成電路基本工藝43.5淀積與刻蝕器件的制造需要各種材料的淀積。這些材料包括多晶硅、隔離互連層的絕緣材料以及作為互連的金屬層?？涛g的作用: 制作不同的器件結(jié)構(gòu)，如線條、接觸孔、臺式晶體管、凸紋、柵等。被刻蝕的材料: 半導(dǎo)體，絕緣體，金屬等?？涛g的兩種方法：

濕法和干法5濕法刻蝕首先要用適當(dāng)(包含有可以分解表面薄層的反應(yīng)物)的溶液浸潤刻蝕面，然后清除被分解的材料.。如SiO2在室溫下可被HF酸刻蝕。濕法刻蝕在VLSI制造中的問題:接觸孔的面積變得越來越小,抗蝕材料層中的小窗口會由于毛細(xì)作用而使得接觸孔不能被有效的浸潤。是被分解的材料不能被有效的從反應(yīng)區(qū)的小窗口內(nèi)清除出來。6干法刻蝕

—分為：等離子體刻蝕,反應(yīng)離子刻蝕RIE等RIE發(fā)生在反應(yīng)爐中，基片(晶圓)被放在一個已被用氮氣清洗過的托盤上，然后，托盤被送進(jìn)刻蝕室中，在那里托盤被接在下方的電極上?？涛g氣體通過左方的噴口進(jìn)入刻蝕室。RIE的基板是帶負(fù)電的。正離子受帶負(fù)電的基板吸引，最終以近乎垂

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