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文檔簡介
電流控制
輸出特性曲線可以分為三個區(qū)域:飽和區(qū)——iC受vCE顯著控制的區(qū)域。
發(fā)射結(jié)正偏,集電結(jié)正偏或反偏電壓很小。截止區(qū)——iC接近零的區(qū)域,相當(dāng)iB=0的曲線的下方。
發(fā)射結(jié)反偏,集電結(jié)反偏。放大區(qū)——iC平行于vCE軸的區(qū)域。發(fā)射結(jié)正偏,集電結(jié)反偏。三極管開關(guān)及等效電路
例1:測量三極管三個電極對地電位如圖所示,試判斷三極管的工作狀態(tài)。
三極管工作狀態(tài)判斷
放大截止飽和4半導(dǎo)體三極管的參數(shù)
半導(dǎo)體三極管的參數(shù)分為三大類:
直流參數(shù)交流參數(shù)極限參數(shù)
值與IC的關(guān)系
在輸出特性曲線上決定=(IC-ICEO)/IB≈IC/IB
vCE=const共發(fā)射極交流電流放大系數(shù)
=
IC/
IB
vCE=const
在輸出特性曲線上求β(2)極間反向電流
1)集電極基極間反向飽和電流ICBO
2)集電極發(fā)射極間的反向飽和電流ICEO
ICEO=(1+β)ICBO
(3)極限參數(shù)
值與IC的關(guān)系
2)集電極最大允許功率損耗PCM
PCM=ICVCB≈ICVCE
1)集電極最大允許電流ICM
3)反向擊穿電壓三極管擊穿電壓的測試電路V(BR)CEO<V(BR)CER<V(BR)CES輸出特性曲線上的過損耗區(qū)和擊穿區(qū)
半導(dǎo)體三極管的型號國家標(biāo)準(zhǔn)對半導(dǎo)體三極管的命名如下:3
D
G
110B
第二位:A鍺PNP管、B鍺NPN管、
C硅PNP管、D硅NPN管
第三位:X低頻小功率管、D低頻大功率管、
G高頻小功率管、A高頻大功率管、K開關(guān)管用字母表示材料用字母表示器件的種類用數(shù)字表示同種器件型號的序號用字母表示同一型號中的不同規(guī)格三極管
表1雙極型三極管的參數(shù)
參
數(shù)型
號
PCMmWICMmAVR
CBOVVR
CEO
VVR
EBO
VIC
BO
μAf
T
MHz3AX31D1251252012≤6*≥83BX31C1251254024≤6*≥83CG101C10030450.11003DG123C5005040300.353DD101D5A5A3002504≤2mA3DK100B100302515≤0.13003DKG23250W30A4003258注:*為f
例2:某晶體管的輸出特性如圖。試求出該管的β、α、ICEO、V(BR)CEO和PCM第2章基本放大電路2.1放大電路的基本概念2.2共射極基本放大電路
2.3圖解分析法
2.4小信號模型分析法
2.5射極偏置電路
2.6共集電極和共基極電路
2.7放大電路的頻率響應(yīng)放大電路的結(jié)構(gòu)示意框圖
放大概念示意圖2.1放大電路的基本概念
基本放大電路一般是指由一個三極管與相應(yīng)元件組成的三種基本組態(tài)放大電路。共發(fā)射極、共集電極、共基極
三種組態(tài)
共集電極接法,集電極作為公共電極,用CC表示;
共基極接法,基極作為公共電極,用CB表示。共發(fā)射極接法,發(fā)射極作為公共電極,用CE表示;
三極管的三種組態(tài)
(1)放大倍數(shù)
放大倍數(shù)的定義放大電路的主要技術(shù)指標(biāo)
(2)輸入電阻
Ri定義
輸入電阻的定義(3)輸出電阻Ro(4)通頻帶
通頻帶的定義(1)基本組成
三極管T——
負(fù)載電阻Rc、RL——
偏置電路VCC
、Rb——
耦合電容C1、C2——起放大作用。將變化的集電極電流轉(zhuǎn)換為電壓輸出。提供電源,并使三極管工作在線性區(qū)。輸入耦合電容C1保證信號加到發(fā)射結(jié),不影響發(fā)射結(jié)偏置。輸出耦合電容C2保證信號輸送到負(fù)載,不影響集電結(jié)偏置。
共發(fā)射極組態(tài)交流基本放大電路
2.2共射極基本放大電路
(2)靜態(tài)和動態(tài)
靜態(tài)——
時,放大電路的工作狀態(tài),也稱直流工作狀態(tài)。
動態(tài)——
時,放大電路的工作狀態(tài),也稱交流工作狀態(tài)。
直流通道
交流通道
直流電源和耦合電容對交流相當(dāng)于短路
能通過直流的通道。
能通過交流的電路通道。(3)直流通道和交流通道
(a)直流通道(b)交流通道(4)放大原理三極管放大作用變化的通過轉(zhuǎn)變?yōu)樽兓妮敵龈鼽c波形R
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